Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Надежность систем автоматизации

..pdf
Скачиваний:
19
Добавлен:
15.11.2022
Размер:
6.87 Mб
Скачать

P(t) = e0,002 42 2 = 0,995 161 1.

Пример 3.5. Дана ВБР некоторой системы Р(t) = 0,99; λ = 0,0001 1/ч. Найти время в экспоненциальной модели.

Решение:

P(t) = e0,0001t = 0,99,

отсюда

 

 

 

 

t =

ln( P(t))

=

ln(0,99)

100 (ч).

 

λ

 

0,0001

 

Иногда для ориентировочных расчетов при малых λt используют приближенные значения.

Пример 3.6. Дана интенсивность отказов некоторой СА λ = 2·0,000 01 1/ч, время работы t = 10 ч. Определить приближенное значение Р(t), используя равномерное распределение.

Решение:

Приближенное значение для малых λt

P(t) = e−λt 1−λt,

тогда Р(t) = 1 – 10 2 0,0002 = 0,9998.

Если известна ВБР P(t) (или отказа), то при известном времени t можно получить интенсивность отказов λ. Поскольку

t = ln(P(t)) ,

λ

то

λ = ln(P(t)) . t

61

Акак учитывать отказы программных средств? Их на-

до оценивать отдельно.

Интенсивность отказов программных средств (ПС) λПО может быть получена экспериментальным путем. Часто λПО рассчитывают по интенсивности аппаратных отказов АО:

λПО = α λАО, где α – коэффициент интенсивности отказа ПС, принимающий значение в диапазоне 0,1–10,0 [17].

Акак учитывать сбои? Интенсивность сбоев, если она не задана, оценивают ориентировочно: на несколько порядков больше, чем отказов. Интенсивность сбоев аппаратных

средств (АС) и программных средств (ПС) λАС, λПС. Эти интенсивности определяются исходя из условия

λАС (λПС) = βλАО (λПО),

где β = 102…103 [17].

Иногда требуется определить так называемую гаммапроцентную наработку до отказа. Гамма-процентная нара-

ботка до отказа (gamma-percentile operating time to failure) –

наработка tg, в течение которой отказ объекта не возникнет с вероятностью g, выраженной в процентах:

P(tg) = g/100,

или

P(tg ) = e−λCAtg =100g ,

или

 

 

 

g

 

 

 

ln

 

 

 

 

 

100

 

tg =

 

 

.

λCA

 

 

 

 

62

3.4. Расчет показателей надежности нерезервированной системы с использованием распределения Вейбулла – Гнеденко

В этом случае известны масштаб кривой по оси абсцисс λо и острота и асимметрия α.

Пример 3.7 [4, 5]. Дана λо = 0,05, α = 1,5. Определить Р(10), Q(10), λ(10).

Решение:

P(t) = e(λоt)α , P(10) = e(0,0510)1,5 = 0,702;

F(t) =Q(t) =1e(λоt )α , Q(10) = 1 – 0,702 = 0,298;

λ(t) = Pf ((tt)) = αλоtα−1, λ(10) = 1,5 0,05 100,5 = 0,237.

3.5. Расчет показателей надежности нерезервированной системы с использованием нормального распределения Гаусса

В этом случае, как правило, известно среднее время наработки на отказ Т и дисперсия σt2.

Пример 3.8 [4, 5]. Даны следующие параметры нормального распределения: Т = 100 ч, σt2 = 1000 ч2. Найти Р(70),

Q(70), λ(70).

Решение:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

P(t) =1Ф

t T

 

;

 

 

 

 

 

 

 

yt

 

 

P(70)

=1

Ф 70 100

 

=1Ф(–0,95) = Ф(0,95) = 0,829;

 

 

31,6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

63

 

 

 

 

 

 

 

Q(70) = 1 – Р(70) = 0,171;

 

 

λ(t) =

f (t)

=

 

Θ(u)

,

λ(70) =

Θ(0,95)

=

0,254

= 0,306.

P(t)

1Ф(u)

P(70)

0,829

 

 

 

 

 

 

Значения функций Ф(u) и Θ(u) приведены ниже. u – 0,95;

Ф(u) – 0,829; Θ(u) – 0,254.

3.6. Краткие сведения из справочника по надежности электрорадиоизделий

Справочник [21] содержит сведения о показателях надежности групп электрорадиоизделий (ЭРИ) в составе электрорадиоаппаратуры (ЭРА), применяемых при разработке, производстве и эксплуатации аппаратуры, приборов, устройств, оборудования СА. Включает разделы по типам ЭРИ:

интегральные микросхемы;

полупроводниковые приборы;

оптоэлектронные полупроводниковые приборы;

резисторы;

конденсаторы;

трансформаторы, катушки индуктивности;

коммутационные изделия (переключатели, переключатели на базе герконов, тумблеры, кнопки, микропереключатели, контакты магнитоуправляемые и т.д.);

соединители низкочастотные и радиочастотные (так называемые разъемы);

реле;

лампы электрические;

приборы пьезоэлектрические;

установочные изделия (панели ламповые, для микросхем, предохранители, держатели предохранителей);

электрические кабели, провода, шнуры;

64

соединения (паяные, сварные, зажимные, витые);

платы печатные.

Каждый раздел справочника по классам изделий включает в себя:

математические модели для расчета (прогнозирования) значений эксплуатационной интенсивности отказов групп изделий, в том числе и при хранении в различных условиях;

информацию о показателях надежности групп ЭРИ

икоэффициентах моделей.

Информация о показателях надежности групп ЭРИ и коэффициентах моделей включает в себя:

значения базовой интенсивности отказов групп ЭРИ;

значения коэффициентов, входящих в модели прогнозирования эксплуатационной надежности ЭРИ, и аналитические выражения, показывающие зависимость этих коэффициентов от учитываемых факторов.

Математические модели надежности в справочнике по надежности

Значения эксплуатационной интенсивности отказов большинства групп рассчитываются по математической модели

n

λэ = λбki ,

i=1

где λб – базовая интенсивность отказов типа (группы) электрорадиоизделий, рассчитанная по результатам испытаний на безотказность, долговечность, ресурс; ki – коэффициенты, учитывающие изменение эксплуатационной интенсивности отказов в зависимости от различных факторов; n – число факторов.

65

Для отдельных групп сложных изделий, суммарный поток отказов которых складывается из m независимых потоков отказов составных частей ЭРИ (например, кристалла и корпуса интегральных микросхем), математическая модель расчета интенсивности отказов имеет вид

mn j

λэ = λбj kij ,

j=1 i

где λбj – исходная (базовая) интенсивность отказов j-го потока отказов; m – количество независимых потоков отказов составных частей ЭРИ; kij – коэффициент, учитывающий влияние i-го фактора в j-м потоке отказов; nj – количество факторов, учитываемых в j-м потоке отказов.

Модели расчета эксплуатационной интенсивности отказов распространяются на период постоянства интенсивности отказов во времени.

Значения базовой интенсивности отказов в справочнике указаны для всех видов отказов, например кристалла, выводов, корпуса и пр. При необходимости учета отдельных видов необходимо использовать распределение отказов по

видам λвидб , указанное в специальном разделе. Для этого ба-

зовую интенсивность отказов λб умножают на коэффициент kвид – долю учтенного вида отказа в общем распределении:

λвидб = λбkвид.

1-я группа коэффициентов характеризует режимы и условия их эксплуатации, уровень качества производства ЭРИ.

2-я группа коэффициентов включается в модели конкретных классов (групп) ЭРИ и характеризует зависимость интенсивности их отказов в заданных условиях эксплуатации от конструктивных, функциональных и технологических особенностей ЭРИ.

66

Так, kр (kt) – коэффициент режима, зависящий от электрической нагрузки и/или температуры окружающей среды, kпр – коэффициент приемки, зависящий от степени жесткости требований к контролю качества и правил приемки изделий. Имеется так называемая «военная» приемка: ОВП – общевоенного применения (5), повышенной надежности ОС (9), изделия повышенной надежности, выпускаемые малыми партиями – ОСМ (7). kэ – коэффициент эксплуатации, зависящий от степени жесткости условий эксплуатации. kи.и – коэффициент ионизирующих излучений, зависящий от степени жесткости ионизирующих излучений.

Для интегральных микросхем имеются коэффициенты:

kс.т (сложности и температуры окружающей среды);

kv (величины напряжения питания для КМОП-микро-

схем);

kкорп (типа корпуса).

Для соединителей (разъемов):

kк.к (коэффициент количества задействованных контактов);

kк.с (коэффициент количества сочленений/расчленений

впроцессе эксплуатации).

Для компонентов волоконно-оптических систем передачи информации kт1 – скорость деградации статической механической прочности оптических волокон.

Ниже приведены некоторые справочные данные по интенсивностям отказов.

Значения интенсивностей отказов ИС и ПЛИС биполярной технологии приведены в табл. 3.1.

Значения интенсивностей отказов ИС и ПЛИС КМОПтехнологии приведены в табл. 3.2.

Значения интенсивностей отказов ИС памяти приведены в табл. 3.3.

Значения интенсивностей отказов для микропроцессоров приведены в табл. 3.4.

67

Таблица 3.1

 

 

Цифровые ИС

 

 

Аналоговые ИС

 

ПЛИС

 

 

 

Количество

 

λ

·106, 1/ч

Количество

λ

 

·106, 1/ч

Количество

λ

·106, 1/ч

 

базовых ячеек

 

 

кр

транзисторов

 

кр

базовых ячеек

 

кр

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Биполярной технологии

 

 

 

68

1

до 100

 

 

0,0025

1 до 100

 

 

0,010

до 200

 

0,010

 

101

до 1000

 

 

0,005

101 до 300

 

 

0,020

201 до 1000

 

0,021

 

1001

до 3000

 

 

0,010

301 до 1000

 

 

0,040

1001 до 5000

 

0,042

 

3001

до 10 000

 

 

0,020

1001 до 10 000

 

 

0,060

 

 

 

 

10 001

до 30 000

 

 

0,040

 

 

 

 

 

 

 

 

30 001

до 60 000

 

 

0,080

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 3.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Цифровые ИС

 

Аналоговые ИС

 

 

ПЛИС

 

 

 

Количество

 

λ ·106, 1/ч

Количество

 

λ ·106, 1/ч

 

Количество

 

λ ·106, 1/ч

 

базовых ячеек

 

кр

транзисторов

 

кр

 

базовых ячеек

 

кр

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КМОП-технологии

 

 

 

 

 

 

1

до 100

 

0,010

1 до 100

 

0,010

 

 

до 500

 

0,000 85

 

101

до 1000

 

0,020

101 до 300

 

0,020

 

501 до 1000

 

0,0017

 

1001

до 3000

 

0,040

301 до 1000

 

0,040

 

1001 до 5000

 

0,0034

 

3001

до 10 000

 

0,080

1001 до 10 000

 

0,060

 

5001 до 20 000

 

0,0068

 

10 001

до 30 000

 

0,160

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

69

30 001

до 60 000

 

0,290

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 3.3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

λ ·106, 1/ч

 

 

 

 

Объем памяти

 

 

 

 

кр

 

 

 

 

 

 

 

КМОП-технологии

 

 

Биполярной технологии

 

 

В

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ПЗУ

ППЗУ, РПЗУ

Динамические

Статические

ПЗУ, ППЗУ

Статические

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ОЗУ

 

 

ОЗУ

 

 

ОЗУ

 

до 16 Кбит

0,000 65

0,000 85

 

0,0013

 

0,0078

0,0094

0,0052

 

16 Кбит < B 64 Кбит

0,0013

0,0017

 

0,0025

 

0,016

0,019

0,011

 

64 Кбит < В 256 Кбит

0,0026

0,0034

 

0,0050

 

0,031

0,038

0,021

 

256 Кбит < В 1 Мбит

0,0052

0,0068

 

0,0100

 

0,62

0,075

0,042

 

 

Таблица 3.4

 

 

 

Разрядность,

λкр·106, 1/ч

бит

Биполярной технологии

КМОП-технологии

до 8

0,06

0,14

до 16

0,12

0,28

до 32

0,24

0,56

70