Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Кузьмин, А. А. Маломощные усилители с распределенным усилением

.pdf
Скачиваний:
12
Добавлен:
21.10.2023
Размер:
9.12 Mб
Скачать

+(d2sh n01shiDj, —

d1sh /г02 sh Й312)

2 VshYi sh Y2X

1

X T

+ £3

Vsh Yi Sh Ya x

X (P .,1-PM)

+(—rf2 sh«92 sh S922+

+ di sh n0! sh,021) _

(3.59)

где

fi,,3 =

ch «0, c

h

±

sh /7.03 ch g l , + -^

,

 

 

 

 

 

(3.60)

Q, ,4 =

ch я02 ch -

12- ~ ^ 22 ±

sh я02 ch -g ii + f?»,

P,,3 =

ch Я0, sh? 12 ~

^ 22 ±

sh »02 sh

,

 

 

 

 

 

(3.61)

Pg,4=

ch д02 sh —

~

1022 ± sh /i0 2 sh^ 11+

 

Матрицы других структур в CK X могут быть полу­ чены из матрицы Т^у после двух последовательных опе­

раций: для 7 ^ в ёдц (3.57) необходимо изменить знак

одновременно перед тц и т)2, а затем знаки у элементов блоков Tfb[ и ; для 7’^ необходимо изменить знак

только перед -гр (в и Й312), а затем изменить знаки с плюса на минус у элементов с индексами 13,23,31,32, 34, 43; для ^меняется знак у т)2 (в £521 и ® 22) и у эле­

ментов с индексами 14,24,41,42,34,43. При этом необ­ ходимо иметь в виду, что при переходе от одной струк­ туры к другой соответствующим образом изменяются параметры УЭ (3.5).

Глава 4

П А Р А М Е Т Р Ы Ф И Л Ь Т Р О В И И Х И С П О Л Ь З О В А Н И Е

Д Л Я Р А С Ч Е Т А Х А Р А К Т Е Р И С Т И К К А С К А Д А У Р У Н А Э Ц В М

4.1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ФИЛЬТРАХ ПЕРЕДАЮЩИХ ЛИНИЙ УСИЛИТЕЛЕЙ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМ УСИЛЕНИЕМ

Основное требование, предъявляемое к передающим линиям УРУ, заключается в простоте конструкции ис­ пользуемых фильтров. При этом должны обспечиваться: естественное включение междуэлектродных реактив­ ностей усилительных элементов в состав фильтров, иден­ тичность частотных зависимостей постоянных распрост­

ранения фильтров входной

и выходной линий (отсутст­

вие взаимной расстройки

или расфазировки ПЛ),

получение нужной полосы

пропускания, возможность

достаточно хорошего согласования фильтров с нагрузоч­ ными сопротивлениями в диапазоне частот.

В УРУ наибольшее распространение получили следу­ ющие типы фильтров: фильтры нижних частот типа k или т (ФНЧ типа k или т), полосовой трехэлементный

фильтр (ПТФ), дискретно-распределенный фильтр (ДРФ), представляющий в частном случае отрезок длин­ ной линии, зашунтированный конденсатором, и полосо­ вой фильтр типа k (ПФ типа k).

Схемы реактивных Г-образных полузвеньев пере­ численных фильтров показаны на рис. 4.1. Звенья Т или П-образных фильтров являются комбинациями Г-образ­ ных полузвеньев.

Применение тех или иных фильтров в основном зави­ сит от диапазона частот. ФНЧ типа k работоспособны

Рис. 4.1. Г-образные полузвенья фильтров, используемых в усилите­ лях с распределенным усилением.

4’

51

практически до частот 700—800 МГц, наиболее просты в исполнении и настройке. Этот тип фильтра является основным при построении УРУ. Последовательно-произ­ водные ФНЧ типа т (т < 1) обычно используются в ка­

честве согласующих полузвеньев и применяются в том же диапазоне частот при построении усилителей на элек­ тронных лампах. В транзисторных УРУ применение со­ гласующих ФНЧ типа т в ряде случаев нецелесообразно

ввиду того, что частотно-зависимые входные и выход­ ные емкости транзисторов способствуют выравниванию в диапазоне частот характеристического сопротивления с Т-образной стороны ФНЧ типа k.

ФНЧ типа т (т > 1), реализуемый на ФНЧ типа k

при наличии магнитной связи между катушками индук­ тивности в последовательных ветвях Т-образного фильт­ ра, нашел применение только в диапазоне метровых волн. Такой фильтр по сравнению с ФНЧ типа k позволяет

получить более линейную фазочастотную характеристику УРУ или компенсировать индуктивности вводов УЭ [9]. Однако сложность получения достаточно большой взаимоиндуктивности препятствует применению этого фильт­ ра на более высоких частотах.

Полосовой трехэлементный фильтр успешно применя­ ется в УРУ с коэффициентом перекрытия частотного диапазона kn<4. При этом можно получить большее волновое сопротивление, чем в ФНЧ типа k, при одних

и тех же межэлектродных емкостях, что влечет за собой увеличение коэффициента усиления. Недостатком ПТФ является наличие дополнительной катушки индуктивно­ сти, что особенно неудобно в многосекционном УРУ. При полосе пропускания порядка 1 ГГц катушка индуктивно­ сти последовательной ветви ФНЧ типа k приобретает

свойства элемента с распределенными параметрами и в принципе может быть заменена отрезком длинной ли­ нии. Таким образом, дискретно-распределенный фильтр является вырожденным фильтром нижних фастот типа k. Полосовой фильтр типа k ввиду своей сложности при­

менялся только в метровом диапазоне волн [13]. Усили­ тели с распределенным усилением на ПФ типа k с /в>

>300 МГц весьма сложны в настройке.

Далее мы будем рассматривать наиболее употреби­ тельные фильтры: ФНЧ типа k и т (т < 1), полосовой

трехэлементный фильтр и дискретно-распределенный фильтр. Комплексные входные и выходные сопротивле­

52

ния усилительных

элементов

частично

или полностью

образуют

последовательные

или

параллельные ветви

фильтров

(на рис.

4.2 Z a или

Уь).

При

параллельном

включении входа или выхода УЭ в передающую линию

Уь представляет собой сумму

вносимой

усилительным

элементом

комплексной

 

 

проводимости и дополни­

чтз>-

w 1

тельной

проводимости,

гуд.

например,

либо

емкости

 

Ч~

монтажа, либо дополни­

 

 

тельной емкости для обе­

Рис. 4.2. Г-образное полузвено

спечения синфазности пе­

редающих линий.

При по­

фильтра на

сосредоточенных

элементах.

следовательном

включе­

 

 

нии в Z a также входит комплексное вносимое сопротив­

ление усилительного элемента.

Особенностью фильтров УРУ является наличие по­ терь, обусловленных активными составляющими вноси­ мых сопротивлений или проводимостей. Хотя в каждом фильтре потери малы, однако в многосекдионном каска­ де УРУ потери оказывают существенное влияние, огра­ ничивая его коэффициент усиления и полосу пропуска­ ния.

4.2. ФИЛЬТР КАК ЛИНЕЙНЫЙ ОБРАТИМЫЙ ЧЕТЫРЕХПОЛЮСНИК

В связи со сложностью схем УРУ они должны анали­ зироваться как с помощью приближенных соотношений, так и с помощью точных расчетов на ЭЦВМ. Прибли­ женный анализ позволяет дать методику инженерного расчета УРУ. Применение ЭЦВМ дает возможность сравнить результаты более точных и приближенных рас­ четов. Кроме того, алгоритм матричных преобразований, изложенный в гл. 2, в дальнейшем станет основой ма­ шинного оптимального структурного синтеза УРУ. Поэ­ тому нам требуются не только выражения для характе­ ристических параметров фильтров, приводимые в лите­ ратуре, как правило, для случая без потерь, но также и матрицы фильтров с учетом всех необходимых элемен­ тов, которые могут быть заложены в программу расчетов на ЭЦВМ.

53

Воспользуемся теорией четырехполюсников и фильтров [29, 35]. Полузвено фильтра представляет собой обратимый несимметричный четырехполюсник (рис. 4.3,а), описываемый системой уравнений:

-и,

Ги 2

~CtjiCtj2 ”1

Г

=

[«]

.а21а22 J

L

. Л

 

где через ац обозначены Л-параметры полузвена. Определитель ма­ трицы [а] обратимого четырехполюсника равен единице. Матрица

10—»

[а]

 

- 0 2

 

 

 

 

 

г о -

[сс'}

 

 

// <?/

щ

Ж

 

 

и2\

 

 

 

 

 

 

 

 

л

Чц

 

к \

1 О--

г/2

 

 

 

 

 

 

 

 

г о -

г /2

 

 

~°1

Рис.

4.3.

Определение

характеристических Параметров

четырех­

 

 

 

 

 

 

 

полюсника.

 

 

 

 

 

 

 

Л-параметров [o'] того же фильтра со

стороны

полюсов

2

может

быть найдена из [а],

если поменять местами ац и а.22

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

a'na'l2 1 _

Га22а12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а

^ 2

1

а

,

2 2

J

 

[

а

2

1 а

1 1

Характеристические параметры полузвена фильтра, необходимые

для

анализа

УРУ,

могут

быть

найдены

по

формулам

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/

а11а12

 

wB

1 /

а22а12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

------»

В/

------ »

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

^22^21

 

 

 

 

»

OCj 1Otg 1

 

 

 

 

 

 

 

 

Sh

о

]^"а12а21>

 

ch-

---КаЦ«

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(4.1)

 

Sh у =

2 V а12а21ап а22,

у = “ +

ih

ch у = ап а22 +

а21а1г.

 

Для

фильтров на сосредоточенных элементах

(рис.

4.2)

матрица

Л-параметров

и характеристические

параметры имеют

вид

 

 

 

 

 

 

 

 

1

1

 

4

 

 

2

п

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 +

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

"1

_

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(4.2)

 

 

sh (у/2) =

V Z J bj4,

ch

(у/2) =

V 1+ Z aYb/4,

 

 

 

 

 

 

ch у = 1 +

Z J b!2,

w.т,п -

■Vza/Yb ( l + Z aYb/ 4 ) ± l l2,

 

где

wT п обозначены

характеристические сопротивления

полузвена

соответственно с Т- и П-образных сторон. При параллельном вклю­ чении УЭ внутреннее характеристическое сопротивление звена =

54

а Наружное аун=аУт. При последовательном включении УЭ —-

наоборот: внутренним характеристическим сопротивлением является w т, а наружным— w n .

Полузвеио дискретно-распределенного фильтра (рис. 4.4) пред­ ставляет собой каскадное соединение симметричного реактивного четырехполюсника с распределенными параметрами (ЧРП) и сосре­

доточенной комплексной проводимости Уь/2. ЧРП состоит из распре­ деленных по длине индуктивностей и емкостей (рис. 4.5) и характе-

Рис. 4.4. Схема полузвена дискретно-распределенного фильтра.

Рис. 4.5. Четырехполюсник с распределенными параметрами.

ризуется волновым сопротивлением рк и фазовой постоянной g/2.

Матрицы ЧРП и всего полузвена имеют вид

Г

В

\

В ~1

 

 

cos—

J ;pKsin —

 

.

1 .

g I

g

 

_ ' ^ T sln_2 J

C0ST

 

где

 

 

 

 

PK=

V% /CP,

g ^ < o V L 9CB -l,

(4.3)

Lp, Cp — распределенные по длине в ЧРП погонные индуктивно­ сти и емкости;

Г ■РкУъ

 

В

,

cos

g

1

2

sin ~2

~+

T

Уъ

 

g ,

i

g

Т

cos

2

H------ sin -

2

 

Рк

 

|. .

g n

! ^ SInT

1

 

1

g

j cos

2

Из матрицы (4.4) по формулам (4.1) определяются характеристиче­ ские параметры полузвена

-—рк

т

Рк

.

Y

В

j--j 1

=— ТП *

 

2

^ cos

„2 *

 

 

Y

ё

»

 

 

 

 

sh-^"— /П sin —

 

 

T = j

/

П = |

/

l + / N p

c t e - § - (4.5)

55

4.3.ФИЛЬТРЫ НИЖНИХ ЧАСТОТ

Схема полузвена фильтра нижних частот типа k при

наличии в последовательной и параллельной ветвях ак­ тивных сопротивлений Ra и Яь показана на рис. 4.6.

ОЛа 0Ма

 

Рис. 4.6. Схема ФНЧ типа k

0.50,

с потерями.

В соответствии с обозначениями

рис. 4.2 имеем

Za —

= j(x>La+ R a,

Yb=*jo)Cb + Gb и матрицу Л-параметров

 

 

1 — X2 + РаРь + jx (Ра +

P i ) j « » 0 Цх + Р а )

 

М :

Wо{jx + рь)

 

(4.6)

 

 

 

Здесь

 

 

 

X

(1)/а>ср, ®ср 2 / ]/"ЬдСъ,

ра— Ra/2w0,

 

 

Рь — 00j)/2Rb, oi)qУ La/Cb,

(4.7)

где x — относительная текущая частота; шСр — частота

среза фильтра без потерь; w0— низкочастотное волновое

сопротивление фильтра без потерь; ра,ь—-коэффициент потерь.

Подставляя (4.7) в (4.2), получим

sh = ] / — х 2-J- р0рь-ф-jx (р0 4- Рь), ch у = 1 — 2х24~ 2р0рь -f- / (ра -)- Рь), c h j = y i X2-)- РаРь -f- jx (ра-ф- Рь),

а»т. п = V (+ \ь)Щх + Рь) [1 — э? +

4 -Р аР ь 4-/-;С(11'а4-!Аь)]Ы= '

(4.8)

Полагая потери малыми,

из (4.8) на основании соот­

ношения [35]

 

 

a~'(Gb/2Cb +Ra/2La)d$ld(>),

 

где р— фазовая постоянная

звена фильтра

без потерь,

а — собственное затухание, можно получить приближен­

ные формулы

«^ (Р а + Ръ ) ! У ^ ~ х *, Р =

2 arcsine,

 

WlJ ~ w a{ \ - x T

m -

(4.9)

56

При этом делается допущение, что наличие сопротив­ лений R a и Яь несущественно сказывается на фазовой

постоянной и характеристических сопротивлениях в больщей части полосы пропускания.

Зависимости характеристических сопротивлений и фа­ зовой постоянной ФНЧ типа k без потерь от относитель-

0М„

\2Lim

±°,scbт

- X ----------О

Рис. 4.7. Зависимости характеристических параметров реактивного ФНЧ типа k от относительной частоты.

Рис. 4.8. Схема реактивного ФНЧ типа т.

ной частоты представлены на рис. 4.7. Расчет элементов фильтра производится по формулам

 

La= 2®o/ff>cp, Сь = 2/^оО)ср-

(4.10)

В связи

с тем, что полузвенья ФНЧ типа т

(т < 1)

(рис. 4.8)

используются для сбгласования передающих

линий с нагрузочными сопротивлениями, потери в этих фильтрах можно считать равными нулю. Матрица А -па­

раметров полузвена записывается в виде

1—х2

\jmxWb

 

1 — (1 — т2х 2)

 

(4.11)

a =

 

jmx

 

 

 

w0 [1 — (1 — m2) x 2\

 

 

где относительная частота х = (о/соСр,

частота среза

а ср,

низкочастотное характеристическое

сопротивление

хюц

определяются по формулам

(4.7), (4.10) для ФНЧ типа

k — прототипа ФНЧ типа т,

а величины индуктивностей

и емкостей, необходимые для реализации ФНЧ типа т

(рис. 4.8), находятся из соотношений

 

Lam^fflLaj Rbm~ (1

Z^a/4, Cbm~fflCb'

(4.12)

Характеристические

параметры определяются

форму­

лами

 

 

 

 

 

 

Y

=

/ Р ,

Р =

2\хтa r/ cУs i 1n

j c 3 ( 1 — m

2 ) ] ,

=

ш 0 1 / 1

д : 2 ,

гг?) х 2] /[У1 1— — х( 1.

 

 

 

 

 

 

(4.13)

Согласование в наиболее широкой полосе частот име­ ет место при т = 0,5—0,6. Зависимости характеристиче­ ских параметров реактивного ФНЧ типа т от относи­

тельной частоты представлены на рис. 4.9. Расчет эле-

ФНЧ типа т от относительной частоты при различных значениях т.

Рис. 4.10. Схема полузвена полосового трехэлемеитного фильтра с потерями.

ментов фильтра по заданным wQ, соср и т производится

по формулам

2mw0

7

1 — т2 w0

 

 

La m

’ Lbm~~~

“ еР ’

Cbm=

И>о»сР

- (4-14)

4.4.ПОЛОСОВОЙ ТРЕХЭЛЕМЕНТНЫЙ ФИЛЬТР

Схема полузвена полосового трехэлементного фильт­ ра с учетом сопротивлений потерь показана на рис. 4.10. Введем обозначения, аналогичные обозначениям в (4.7):

х =

о>/<г>о,

ш „ / У= ЬаС2 ъ,

<7п =

Шн/"о. (Оя=

1 /J/Lbc b,

 

 

(4.15)

р.а =

Яо/2ш0, ^ b = wa/2R b,

ЩУ La/Cbt

где х — относительная частота; соо и wо — соответственно

частота среза и низкочастотное волновое сопротивление ФНЧ k без потерь, получаемого из ПТФ при отсутствии

58

U ;

Qn'— параметр, характеризующий полосовые свойст­

ва

фильтра; юн— нижняя частота среза фильтра без

потерь, равная резонансной частоте параллельной ветви

фильтра;

и \хь — параметры потерь.

 

 

 

 

Используя (4.2), (4.3) и (4.15), нетрудно найти ма­

трицу Л-параметров полузвена

 

 

 

 

 

 

 

 

*4 — (х2

)

+

ы

ч

+ j

 

 

 

[«] =

4 У(14

-<?п

,

 

\l«M /*4ft»)

 

 

“2-------j

 

 

 

 

 

(4.16)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ay0

 

 

4 !Ч

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и характеристические

параметры

 

 

 

 

1/2

 

 

 

2

 

 

/

х2qi

 

 

ch -4г —

1—( Х - —

 

 

 

 

»

а )+^Ь+/( 14---т— 4 14*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(4.17)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

± 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

{ сЬ

 

 

 

Из (4.16),

(4.17)

как

частный

случай

при

qn = 0

 

(т. е.

Ьъ = оо,

coH= 0 ) вытекают матрица

(4.6)

и формулы ха­

рактеристических параметров ФНЧ типа k

(4.8).

Поэто­

му программа расчета на ЭЦВМ характеристик УРУ, построенных на ФНЧ k или ПТФ, может строиться на

базе соотношений (4.16), (4.17).

Полагая малое влияние потерь на характеристиче­ ские сопротивления и фазовую постоянную, находим при­ ближенные соотношения аналогично тому, как это сде­ лано для ФНЧ k,

 

[3= 2 arcsinj/".*:2— q2a ,

wT, n

= w 0( x l - jA v 2— ^ ) ( } / ’ 1— (-к2— q2J ) ** ■(4-18)

a = К

(** — q2a )jx + ць*1/ У (1 Xs - f q2a ) (x2— ^ ).

Верхнюю и нижнюю частоты среза можно опреде­ лить из равенства соответственно р'(соСрв) = я, Р(соСрн) = = 0, откуда следуют выражения для относительных ча­ стот среза

Х ср в юср з ! ю о = У 1 4 9 ц > л н = щсрн/що = <7и- ( 4 - ^ )

59

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ