книги / Справочник по электронным приборам

Комбинированная стабилизация. Схема с базовой, эмиттерной и коллекторной стабилизацией, имеющая соответственно все качества

транзисторных усилителей низкой частоты на сопротивлениях. Схема охвачена сильной обратной связью по переменному току со стороны эмиттера (#э) и коллектора (i?6) и имеет малые

частотные и нелинейные искажения в усили­

сколько раз температурное изменение тока коллектора / к больше, чем соответствующее

температурное изменение обратного тока кол­ лектора / ^

А/„

5т ~ д/к.

Величина температурной нестабильности зависит от величин элементов транзисторных схем и методов температурной стабилизации

рабочей точки. В простейших схемах при отсутствии температурной стабилизации рабочей точки нестабильность ST будет наибольшая:

мах температурной стабилизации рабочей точки при соответствую­ щем выборе элементов каскадов нестабильность будет наименьшая: А/к — А /Кв и £т — ST шим — 1*

ТРАНЗИСТОРНЫЕ СХЕМЫ С БОЛЬШИМ ВХОДНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ

Входное сопротивление транзисторного усилителя нагружает вы­ ходную цепь предыдущего каскада, шунтируя ее в диапазоне усили­ ваемых частот. Сильно шунтирующими эле­ ментами каскада по переменному току в основ­ ном являются: переход эмиттер — база гд б с

41

гают больших величин, токи базы также имеют большую величину, и базовая цепь транзистора сильно шунтирует источник сигнала.

Следовательно, увеличение входного сопротивления транзистора по переменному току можно получить, увеличив сопротивление или базовой цепи (эмиттерного перехода), или базового делителя (что нежелательно). Имеется несколько способов получения большого вход­

Р»

Если последний транзистор мощный, то предварительные тран­ зисторы могут быть маломощными, так как их коллекторные токи определяются величиной тока базы последующего транзистора.

Схема с обратной связью. В усилителях, имеющих базовые дели­ тели напряжения, предназначенные для температурной стабилизации рабочей точки транзистора, применяются схемы с обратной связью (рис. 19). Низкое входное сопротивление по переменному току в обыч­ ной схеме (рис. 17) определяется в основном двумя низкоомными цепями: сопротивлениями R t и R 2 и сопротивлением эмиттерного пере­ хода гэ б плюс Rq. При отсутствии базового делителя входное сопро­

тивление схемы определяется в основном только сопротивлением эмит­ терного перехода, величина которого для переменного тока равна гб Ф Ргэ* В случае применения базового делителя эмиттерный переход

сильно шунтируется сопротивлениями R x и Д2» которые соизмеримы с сопротивлением эмиттерного перехода.

42

Для устранения шунтирующего действия сопротивлений R t и R 2 в схему вводится дополнительное сопротивление R 3 (рис. 19). Через конденсатор большой емкости С3 переменный потенциал эмиттера подается на сопротивление R 3 в точку А . Так как переменные напря­ жения на базе и эмиттере синфазны, то к сопротивлению R 3 через конденсатор С3 приложено переменное напряжение, падающее на переходе эмиттер—база и равное разности U6„ — (U3 б^,). Обычно

это напряжение мало, порядка десятых долей вольта, поэтому и пере­ менный ток, проходящий через сопротивление R 3, относительно мал и равен

случае оказывается велико, хотя для постоянного тока базы остается прежним. В итоге сопротивление перехода эмиттер—база по перемен­ ному току возрастает.

На практике в усилителях низкой частоты с узкой полосой усили­ ваемых частот при небольших токах коллектора вместо входного со­ противления в несколько килоом при использовании описанной схемы можно получить входное сопротивление по переменному току порядка нескольких десятков и даже сотен килоом. В широкополосных усили­ телях низкой частоты (до 200 кгц) входное сопротивление по перемен­ ному току можно получить до 20—50 ком вместо 1—2 ком.

ШИРОКОПОЛОСНОСТЬ ТРАНЗИСТОРНОГО КАСКАДА НА СОПРОТИВЛЕНИЯХ

Приводимые в справочнике данные граничной частоты усиления по току /а относятся к схеме с общей базой при коэффициенте усиле­

ния в статическом режиме, равном примерно единице, и гарантированы для режима, указанного в «Электрических данных». Эти данные ха­ рактеризуют усилительные свойства только самого транзистора.

Для схемы с общим эмиттером граничная частота усиления умень­ шается в р раз:

fa

h

Например, если для транзистора указана граничная частота усиле­ ния по току /а , равная 2000 кгц, то в схеме с общим эмиттером при р =

= 40 граничная частота усиления

широкополосным будет транзистор, который имеет меньший коэф­ фициент усиления по току.

Величины /а и /р характеризует усилительные свойства только

самого транзистора в статическом режиме, а усилительные свойства транзисторного каскада, собранного на сопротивлениях, зависят от

43

рационального выбора величин сопротивлений схемы и от величины сопротивления источника сигнала.

Динамический коэффициент усиления каскада с общим эмиттером зависит в основном от величин коллекторного (i?K) и эмиттерного (/?э)

сопротивлений. Чем больше R K и чем меньше Лэ, тем больше дина­

мический коэффициент усиления каскада, но тем меньше динамиче­ ская полоса усиливаемых частот.

Широкополосность усилительного каскада с общим эмиттером, т. е. его граничная частота усиления /гр определяется отношением

Зная статическую величину граничной частоты усиления по току транзистора в схеме с общим эмиттером, можно с практической

точностью определить динамическую граничную частоту усиления ка­ скада /гр при заданном динамическом коэффициенте усиления каска­

да К, и наоборот:

К = Т~-> /0 = */гр-

/гр

Зависимость динамического коэффициента'усиления каскада с общим эмиттером от величин /?к и Дэ ориентировочно можно определить сле­

дующим образом:

В некоторых случаях коэффициент усиления по току (S приво­ дится для какой-либо одной заданной частоты и характеризуется модулем | р | — абсолютной величиной на этой частоте. На частотах, больших заданной в 2—3 раза, коэффициент усиления по току Р будет меньше модуля по величине также в 2—3 раза, т. е. обратно пропор­ циональным частоте. На частотах, меньших заданной в 2—3 раза, это соотношение выполняется с достаточной точностью, т. е. значение р увеличивается в 2—3 раза. На частотах, находящихся за пределами, в 2—3 раза меньшими модуля | р | или в 2—3 раза большими модуля | р |, величина р изменяется непропорционально частоте.

Частотные свойства транзисторов также характеризуются часто­ той генерации, т. е. той наибольшей (или предельной) частотой, на которой транзисторный .автогенератор генерирует устойчиво.

Для автогенерации необходимо условие, при котором коэффициент усиления по мощности превышает единицу, поэтому наибольшая ча­ стота' генерации транзистора равна наибольшей частоте усиления транзистора по мощности.

Под частотой генерации /ген понимается наибольшая частота уси­

ления по мощности, при которой коэффициент усиления транзистора по мощности уменьшается до единицы.

В общем случае ориентировочно /ген « /а . Для разных транзисторов наибольшая частота генерации /ген может быть равна, меньше или больше наибольшей частоты усиления по току /а .

44

Р аз д е л II ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

□ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □

ОООПРИЕМНО-УСИЛИТЕЛЬНЫЕ ЛАМПЫ

0,6 Ж 6 Б

46

Пентод 0,6Ж6Б является наиболее экономичным из ламп, выпу^ скаемых отечественной промышленностью. Его можно заменить лампой 0,6П2Б. При этом усиление каскада несколько возрастает, но возрас­ тает также и потребление энергии в цепи накала.

0Г6 П 2 Б

Пентод низкой частоты

Предназначен для усиления напряжения низкой частоты. Применяется в миниатюрных усилителях. Может быть использован

как сеточный детектор в экономичных миниатюрных радиоприемниках, а также как усилитель мощности низкой частоты для телефонов.

47

нее 35 мм. Диаметр выводов 0,4мм. Длина нелуженой части вывода от стекла не более 5 мм.

Динамический коэффициент усиления при со­ противлении в цепи анода 1 Мом, в цепи экранной сетки 3 Мом и переменном эффек­

тивном напряжении на первой сетке 10 лее . . . . 30

№ 12.

Ефимов В ., Магнитофоны «Днепр-5» и «Днепр-8», «Радио», 1955,

№7.

Иванов В ,, Батарейный магнитофон, «Радио», 1955, № 2.

1 А 1 П

Гептод-преобразователь

Предназначен для преобразования частоты.

Применяется в супергетеродинных приемниках и измерительной аппаратуре батарейного питания.

Катод оксидный прямого накала Работает в любом положении.

нальная); 7 — нить накала (плюс).

Выпускается в стеклянном пальчиковом оформлении. Срок службы не менее 1000 ч.

49

Цоколь 7-штырьковый. Рекомендуется плюс батареи накала сое­ динять со штырьком 7, минус батареи накала — со штырьком 1 и шас­ си, а сопротивление первой сетки подключать к штырьку 5.

ГОСТ 7708—55.

П р и м е ч а н и е . Лампа по третьей сетке (сигнальной) имеет удли­ ненную характеристику. Крутизну преобразования можно изменять, подавая на сигнальную сетку отрицательное напряжение до —10 в.

Во всеволновых приемниках хорошо работает преобразователь, собранный по трехточечной схеме с дросселем в цепи накала. Количе­ ство витков катодной секции катушки гетеродина (вывод — земля) подбирают в пределах 7—10% от количестЯа витков всей катушки (рис. 31). Высокочастотное напряжение на выводе катушки относи­ тельно шасси должно быть 0,6—0,7 в. При правильном режиме работы гетеродинной части преобразователя ток в цепи первой сетки должен быть 50—250 мка. Микроамперметр включают между средним выводом

* При работе в динамическом режиме. Гетеродинная часть работает по трех­ точечной схеме с сопротивлением в цепи первой сетки 100 ком. s

** При работе в режиме: напряжение на аноде гетеродина 45 в, напряжение на первой сетке 0.

50