- •А. В. Облиенко, с.А. Колодяжный, м.В. Облиенко основы проводной связи
- •Введение
- •Условные обозначения
- •Цели и задачи курса
- •Исторические сведения о развитии средств связи и их значение в деятельности пожарной охраны
- •Сообщение, сигналы и каналы связи
- •Виды управляющих сигналов:
- •Телеграфный управляющий сигнал.
- •Телевизионный управляющий сигнал.
- •Импульсный управляющий сигнал.
- •Виды модуляции
- •Общие сведения о полупроводниковых приборах
- •Радиоэлементы
- •Источники питания назначение источников питания
- •Первичные химические источники тока
- •Аккумуляторы
- •Основное понятие о звуке
- •Принцип передачи речи
- •Общее устройство телефонных аппаратов
- •Устройство телефонного капсюля:
- •Вызывные приборы. Назначение и устройство звонка переменного тока
- •Классификация телефонных аппаратов:
- •Станции и пульты оперативной связи
- •Пульт оперативной связи малой ёмкости набат
- •Основные технические данные
- •Пульт оперативной связи кодс 432
- •Основные функции пульта оперативной связи
- •Основные функции встроенной мини-атс
- •Цифровая станция оперативной связи цсос-2000
- •В состав цсос-2000 с пультами дежурного входят:
- •Коммутаторы административной связи.
- •Пульт тревожной сигнализации и оповещения органы управления
- •Громкоговорящие установки н азначение, устройство, ттх и принцип работы сгу-60
- •Установка сигнальная говорящая
- •Технические характеристики установки сигнальной громкоговорящей сгу-120-3 Стандарт
- •Назначение, устройство и ттх электромегафона эм-2
- •Специальное переговорное устройство спу-3а
- •Основы телеграфной и факсимильной связи
- •Телеграфные коды
- •Принцип факсимильной связи.
- •Заключение
- •Библиографический список
- •394006, Г. Воронеж ул. 20-летия Октября,84.
Виды модуляции
Модуляция – это процесс изменения одного или нескольких параметров радиочастотных колебаний под действием управляющего сигнала.
В зависимости от изменяющегося параметра различают: амплитудную, частотную и фазовую модуляции.
1. Амплитудно-модулированный сигнал – это р/частотные колебания, амплитуда которых изменяется во времени по закону управляющего сигнала звуковой частоты.
При амплитудной модуляции гармонического колебания воздействию подвергается амплитуда несущего сигнала, изменяемая во времени в соответствии с изменением передаваемого сигнала.
Сложный амплитудно-модулированный сигнал образуется путем наложения управляемого сигнала на несущие колебания. Все три колебания показывают характер изменения амплитуды сигнала во времени.
2. Частотно-модулированный сигнал – радиочастотные колебания, частота которых изменяется во времени по закону управляющего сигнала. В зависимости от величины управляющего сигнала, частота модулированных колебаний то возрастает, то уменьшается.
Рис. 2. Модулированные сигналы:
а – управляющий; б – несущий; в – амплитудно-модулированный;
г – фазово-модулированный; д – частотно-модулированный.
Общие сведения о полупроводниковых приборах
К полупроводниковым приборам относятся вещества, которые по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличаются от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и различных видов излучений.
В полупроводниковой электронике наибольшее применение получили элементы 4 группы таблицы Д. И. Менделеева – кремний Si, германий Ge. К полупроводникам относятся многие окислы металлов, например оксид цинка, закись меди.
Проводимость, осуществляемая за счет движения электронов, называется электронной проводимостью. Такие полупроводники называют полупроводниками n типа (отрицательный).
Проводимость, осуществляемая за счет движения дырок – дырочная проводимость. Полупроводники p типа (положительные).
Основным элементом полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход, или p-n переход.
Электронно-дырочным переходом называется область раздела двух частей полупроводника с различным типом проводимости.
Электронно-дырочные переходы получают методами диффузии или вплавливания соответствующих примесей пластины монокристаллического полупроводника n и р типа. В пластине полупроводника образуется две области. В области р концентрация дырок намного больше, чем в n-области, где они являются не основными. Для n-области, наоборот, концентрация электронов намного больше, чем в р-области, где они будут являться не основными. Вследствие разности концентрации носителей зарядов происходит перенос основных носителей через переход: дырки из р области переходят в n область, а электроны их n области диффундируют в р область. На некотором удалении от перехода происходит рекомбинация дырок и электронов. Вблизи перехода в полупроводнике n типа наблюдается избыток положительных зарядов, образованных неподвижными положительными ионами доноров, а в полупроводнике р типа – избыток отрицательных зарядов, образованных неподвижными отрицательными ионами акцепторов.
В результате вблизи перехода возникает пространственный заряд ионов, создающий электрическое поле на переходе и вызывающий появление потенциального барьера, который препятствует дальнейшему протеканию основных носителей после достижения состояния равновесия. При таком состоянии n область заряжена положительно относительно р области. Образованный в переходе запирающий слой делает невозможным протекание основных носителей зарядов и в то же время не препятствует протеканию через переход в противоположном направлении не основных носителей, т.е. дырок из n в р и электронов из р в n области
Рис. 3. электронно-дырочный переход