- •Электроника и микропроцессорная техника методические указания
- •200100.62 «Приборостроение»
- •3. Описание лабораторного стенда
- •4. Лабораторные задания и методические указания по и выполнению
- •4.1. Задание № 1. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода.
- •4.2. Задание № 2. Исследование вольтамперной характеристики стабилитрона.
- •4.3. Задание № 3. Исследование работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя.
- •5. Контрольные вопросы к лабораторным заданиям
- •Лабораторная работа № 2 исследование характеристик биполярного транзистора
- •1. Цель работы
- •2. Сведения, необходимые для выполнения работы.
- •3. Описание лабораторного чтенда
- •3.0. Задание № 0
- •4. Лабораторные задания и методические указания по их выполнению
- •5. Контрольные вопросы к лабораторным заданиям
- •Указания по оформлению отчета
- •Библиографичекий список
- •Содержание
- •Электроника и микропроцессорная техника методические указания
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
3. Описание лабораторного чтенда
В состав лабораторного стенда входят:
• Монтажная плата;
• Биполярный транзистор КТ3102Д;
• Набор резисторов номиналом 300 Ом и 10 кОм;
• Регулируемый источник питания;
• Цифровые мультиметры;
• Генератор. Двухканальный осциллограф;
• Соединительные провода.
3.0. Задание № 0
Запишите в отчет справочные данные исследуемого биполярного транзистора КТ3102Д и расположение выводов этого транзистора (цоколёвку).
КТ3102 (кремниевый транзистор, n-p-n).
Характеристики транзистора КТ3102Д.
• Структура n-p-n
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 30 В
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В
• Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 100(200) мА
• Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.25 Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 200-500
• Обратный ток коллектора <=0.015 мкА
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>150 МГц
• Коэффициент шума биполярного транзистора <=4 Д
Аналоги транзистора КТ3102Д
• 2N2484, 2N5209, 2SC945, BC453, BC521, BC521C, BC549A, BC549B, BCY59-х, MPS3707, MPS6512, MPS6513, MPS6514, MPS6515, 2N4124, 2SC458LGB, 2SC458LGC, 2SC458LGD, BC109BP, BC184A, BC239B, BC383B, BC384B
Цоколевка транзистора 2N4124
4. Лабораторные задания и методические указания по их выполнению
Соберите электрическую схему, изображенную на рис. 19.
Рис. 19. Электрическая схема
4.1. Задание № 1. Определение коэффициента биполярного транзистора по постоянному току.
4.1.1. Установите значения выходных напряжений источников питания и примерно равные указанным в таблице 4.1 и измерьте с помощью приборов PA1, PA2, PV1, PV2 соответствующие значения тока коллектора , тока базы , напряжения база-эмиттер
и напряжения коллектор-эмиттер . Полученные результаты запишите в таблицу 4.1.
Таблица 6
, В |
, В |
,мА |
, В |
, мА |
, В |
|
1,25 |
5 |
|
|
|
|
|
2,5 |
5 |
|
|
|
|
|
5 |
5 |
|
|
|
|
|
1,25 |
10 |
|
|
|
|
|
2,5 |
10 |
|
|
|
|
|
5 |
10 |
|
|
|
|
|
4.1.2. Вычислите по формуле (2.5) и запишите в таблицу 4.1 значения статического коэффициента усиления транзистора . Сделайте вывод о влиянии напряжения коллектор-эмиттер
на коэффициент усиления транзистора.
4.2. Задание № 2. Получение входной характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
4.2.1. Установите напряжение коллекторного источника питания , равным 5 В.
4.2.2. Изменяя напряжение базового источника питания примерно в пределе от 0 до 0,9 В устанавливать значения напряжения равным указаниям в таблице 4.2 и измерьте с помощью прибора PA1 соответствующие значения тока базы . Данные занесите в табл. 7.
Таблица 7
,В |
0 |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,4 |
0,5 |
0,6 |
0,7 |
0,8 |
0,9 |
,мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4.2.3. По результатам таблицы 4.2 построить график зависимости входной статической характеристики транзистора с ОЭ при
= const = 5В.
4.2.4. По входной характеристике при изменении тока базы в диапазоне от 10 мкА до 40 мкА определить дифференциальное входное сопротивление транзистора по формуле . Полученное значение запишите в отчет.
4.3. Задание № 3. Получение семейства выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
4.3.1. При плавном изменении напряжения на коллекторе транзистора от 0 до 10 В с помощью источника питания фиксированных значениях напряжения источника ЭДС базы = 0,6 В ; 0,74 В; 0,88 В; 1,02 В; 1,16 В и соответствующих фиксированных токах базы измерять значения тока коллектора транзистора. Данные занести в табл. 8 – 12.
Таблица 8
,В |
0,6 |
||||||||||
,мкА |
|
||||||||||
,В |
0 |
1,0 |
2,0 |
3,0 |
4,0 |
5,0 |
6,0 |
7,0 |
8,0 |
9,0 |
10 |
,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 9
,В |
0,74 |
||||||||||
,мкА |
|
||||||||||
, В |
0 |
1,0 |
2,0 |
3,0 |
4,0 |
5,0 |
6,0 |
7,0 |
8,0 |
9,0 |
10 |
,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 10
,В |
0,88 |
||||||||||
,мкА |
|
||||||||||
,В |
0 |
1,0 |
2,0 |
3,0 |
4,0 |
5,0 |
6,0 |
7,0 |
8,0 |
9,0 |
10 |
,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 11
,В |
1,02 |
||||||||||
,мкА |
|
||||||||||
,В |
0 |
1,0 |
2,0 |
3,0 |
4,0 |
5,0 |
6,0 |
7,0 |
8,0 |
9,0 |
10 |
,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 12
,В |
1,16 |
||||||||||
,мкА |
|
||||||||||
,В |
0 |
1,0 |
2,0 |
3,0 |
4,0 |
5,0 |
6,0 |
7,0 |
8,0 |
9,0 |
10 |
,мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4.3.2. По результатам табл. 8 – 12 построить графики зависимости выходных статических вольт - амперных с ОЭ: при = const.
4.3.3. Определить коэффициент передачи тока . Полученное значение запишите в отчет.
4.3.4. Выберите сопротивление коллектора равным = 300 Ом , а ЭДС коллекторного источника питания
= 5 В на оси абсцисс и точка на оси ординат.
4.3.5. Оцените по выходным характеристикам и линии нагрузки значения тока коллектора и тока базы . В рабочей точке, для которой . Полученные значения запишите в отчет.
4.4. Задание № 4. Установка рабочей точки транзисторного каскада с общим эмиттером.
4.4.1. Подключите к выводам транзистор Б-Э источник гармонического напряжения (генератор), к контрольным точкам КТ1 и КТ2 входы каналов 0 и 1 двухканального осциллографа.
Установите амплитуду напряжения на выходе генератора и величину напряжения источника ЭДС коллектора = 5 В (рис.20).
Рис. 20
4.4.2. Регулируя ЭДС источник смещения базы , установите значение тока базы , равное значению, полученному в п. 4.3.5. Измерьте и запишите в таб. 4.8 параметра статического режима транзисторного усилителя с общим эмиттером.
Таблица 13
, мкА |
, В |
, мА |
, В |
|
|
|
|
4.4.3. Плавно увеличивая амплитуду входного сигнала , получите на экране осциллографа максимальный неискаженный выходной сигнал. Скопируйте изображение выходного сигнала в отчет. Сопоставьте осциллограммы и сделайте вывод о соотношении фаз входного и выходного сигналов транзисторного каскада с общим эмиттером.
4.4.4. Определите по осциллограммам значения амплитуд входного X
и выходного сигналов. Для определения амплитуды сигналов используйте формулу: . Полученные результаты запишите в отчет.
Используя полученные значения амплитуды входного и выходного сигналов, определите по формуле (2.17) коэффициент усиления транзисторного каскада. Результат запишите в ответ.
Вычислите коэффициент усиления транзисторного каскада по формуле (2.18). Результат запишите в ответ. Сравните измеренное и рассчитанное значение коэффициента усиления. Объясните полученный результат.
4.4.5. Исследуйте, а влияет положение рабочей точки на работу транзисторного каскада с общим эмиттером. Для этого, регулируя напряжение ЭДС источника смещения базы , измените значение тока базы примерно на 30% от величины , полученной в разделе 4.3.5 сначала в сторону увеличения, а затем в сторону уменьшения. Пронаблюдайте характер искажения выходного сигнала. Скопируйте в отчёт изображение, полученное на экране осциллографа в обоих случаях. Объясните причину наблюдаемых искажений выходного сигнала.