1.2. Туннельная инжекция.

При приложении к затвору МДП-структуры больших величин напряжений в подзатворном диэлектрике возникает высокое значение напряжённости электрического поля. В этом случае величина потенциального барьера оказывается сравнима с дебройлеровской длиной волны электрона и возможна туннельная инжекция cвободных носителей из полупроводника в зону проводимости диэлектрика (рис. 3). Как и ранее выделим в фазовом пространстве {k,t} элемент объёма dK=dK_x, dK_y, dK_z вблизи значений волнового числа k, тогда число состояний dz в этом объёме будет:

(9)

число электронов dn в этом объёме

(10)

Будем считать, что туннельный ток обусловлен электронами, имеющими компоненту скорости V_x обладающими значениями энергии E и имеющими отличную от нуля при этом значении энергии величину коэффициента прозрачности D(Е)

Тогда

(11)

Подставляя (10) в (11) и пользуясь тем, что D(Е) зависит только от компоненты V_x получим:

(12)

Учитывая:

получаем:

(13)

Коэффициент прозрачности для туннелирования низкоэнергетических частиц через потенциальный барьер треугольной формы:

(14)

Подставляя это в выражение для тока и интегрируя получаем:

(15)

Здесь у выражает понижение потенциального барьера за счет эффекта Шоттки:

Здесь t(y) , (y) – функции параметра у слабо от него зависящие и табулированные в [z]. Энергетическая диаграмма показана на рис. 3.

Выражение (15) часто записывают в виде:

(16)

где А и E₀ – параметры, определяемые соотношением (15).

Для контакта Si–SiO₂ высота туннельного барьера Ф₀=3,2 эВ, ,m*=0.42m_e , Е₀=2,310⁸ В/см , А=10^–7 А/В².

1.1. Экспериментальная часть.

Порядок выполнения работы.

Часть 1.

Исследование механизма инжекции.

1. Рассчитать теоретическую зависимость I=f(U) для двух механизмов проводимости МДП-структур.

2. Поместить пластину на столик.

3. Установить зонд на электрод.

4. Подавая различные значения напряжений на образец, снять зависимость тока через структуру I=f(U_стр) в зависимости от приложенного напряжения.

5. Построить график зависимости I=f(U_стр) в координатах ln(I) от и ln(I)/E² от 1/E.

Примечание: Экспериментальная часть работы может быть выполнена с применением автоматизированной установки контроля параметров МДП-структур.

Определить механизм протекающего через структуру тока: происходит ли инжекция носителей в диэлектрик за счёт термоэлектронной эмиссии, либо за счёт туннелирования.

Часть 2.

Моделирование деградации порогового напряжения МДП–транзистора вследствии захвата горячих носителей.

При протекании постоянного тока через МДП структуру происходит накопление заряда на ловушках в диэлектрике, а также генерация новых ловушек. В связи с этим возникает необходимость определения пределов изменения порогового напряжения при известных параметрах центров захвата: количества типов ловушек, эффективной плотности, сечения захвата.

Для случая постоянного тока через структуру действительна кинетическая модель, в соответствии с которой захваченный в диэлектрике заряд равен:

Q = q _0i{1–exp[–_i (jt/q)]}. (1)

Захват заряда приводит к сдвигу напряжения плоских зон в соответствии с формулой:

V_FB= –(qt_ox/₀) _0i{1–exp[–_i (jt/q)]}, (2)

где N–количество типов ловушек;

n_0i – эффективная плотность данного типа ловушек (1/см²);

_i – сечение захвата данного типа ловушек; (см²);

j – плотность тока (А);

t – время инжекции (сек);

d_ox – толщина диэлектрика (см);

Программа моделирования позволяет рассчитать изменения напряжения плоских зон в соответствии с формулой (2) и представляет результаты в виде графика на экране монитора.

ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ:

Включить компьютер и загрузить Windows 95.

Запустить программу расчета к лабораторной работе.

Ввести данные и запустить расчет. При этом появится значение напряжения плоских зон V_FB, а в правой части экрана будет представлен график V_FB(t).

Изменяя входные данные, исследовать зависимость V_FB(t) для нескольких типов ловушек, при различных параметрах ловушек и уровнях тока инжекции (см. таблицу вариантов).

Результаты моделирования представить в виде графика V_FB(t)=f(t) при j=const,

По кинетическим кривым для случая ловушек одного типа рассчитать сечение захвата, предварительно представив результат в координатах от t.

N 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

J

t

U₀

_I

n₀

d_ox, 10 20 30 40 50 60 70 80 85 90

=3.8, ₀=8.8610^–14 Ф/см

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

1. Механизм инжекции носителей заряда в диэлектрик МДП структур.

2. Диапазон напряженностей электрического поля, в котором существенна инжекция путем туннелирования .

3. Механизм деградации пороговых напряжений.

4. Методика экспериментальной оценки сдвига порогового напряжения.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. В.А.Гуртов Электронные процессы в структурах МДП. Петрозаводск: 1984. 116 с.

2. Франц.В. Пробой диэлектриков Москва.: ИЛ. 1961. 76 с.

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

к лабораторным работам № 1—4

по дисциплине «Основы теории нажежности»

для студентов специальности 210107

«Электронное машиностроение»

очной формы обучения

Составители:

Акулинин Станислав Алексеевич

Минаков Сергей Алексеевич

В авторской редакции

Компьютерный набор С.А. Минакова

Подписано в печать 15.12.12.

Уч.-изд. л. 1,7. «С»

ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный

технический университет»