книги / Проектирование усилителей низкой частоты на биполярных транзисторах
..pdfСПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1.Жеребцов И.П. Основы электроники / И.П. Жеребцов. - 5-е изд. - Л.: Энергоатомиздат, 1990. - 400 с.
2.Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем / И.П. Степаненко. - 4-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергия, 1977. - 672 с.
3. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники |
учеб, пособие для |
вузов / И.П. Степаненко. - 2-е изд., перераб. и доп. - |
М.: Лаборатория ба |
зовых знаний, 2001. - 488 с. |
|
4. Апериодические усилители на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет / Под ред. Р.А. Валитова, А.А. Куликовского. - М.: Сов. радио, 1968. - 300 с.
5. Цыкина А.В. Электронные усилители учеб, пособие для техни кумов связи / А.В. Цыкина. - 2-е изд., пререраб. - М.: Радио и связь, 1982.
-2 8 8 с.
6.Петухов В.М. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Биполярные транзисторы средней и большой мощности низкочастотные : справочник: в 4 т. Т. 2 / В.М. Петухов. - 2-е изд., испр. - М.: ИП РадиоСофт, 2001. - 544 с.
7.Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам / В.Ю. Лавриненко. - 7-е изд., перераб. - Киев: Техшка, 1973. - 576 с.
8. Резисторы справочник / Под ред. И.И. Четверткова, В.М. Тере хова. - 2-е изд. - М.: Радио и связь, 1991. - 246 с.
Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию
Пермский государственный технический университет Кафедра электротехники и электромеханики
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
к курсовой работе по дисциплине «Физические основы электроники»
Тема: Расчёт усилителя низкой частоты на биполярных транзисторах
Вариант №
Студент: И.И. Петров Группа: ЭМ-02 Преподаватель: И.И. Иванов
Пермь 2006
Поз.
Обозна
чение
1
*1
R 2
Наименование |
Кол. |
Примечание |
2 |
3 |
4 |
Резисторы |
|
|
МЛТ-0,1 2 5 -6 8 кОм±Ю % |
1 |
|
МЛТ-0,1 2 5 -2 ,2 Ом±10 % |
1 |
|
Транзисторы
V T П4АЭ |
2 |
Изм. Лист |
№ документа Подп. |
Дата |
|
|
|
Разработал |
И.П. Павлов |
Схема 3Jпектриче- |
Лит. |
Лист |
Листов |
Проверил |
С.П. Сидоров |
ская при]нципиаль- |
к |
44 |
1 |
|
|
ная усил]ителя низ- |
|
ПГТУ |
|
Н.контр. |
|
кой част(л ы . Пере- |
|
ЭМ-00 |
|
Утвердил |
|
чень эл[ементов |
|
|
|
Порядок выбора резисторов в схеме усилительного каскада
Диапазон номинальных сопротивлений резисторов общего назначе ния 1 Ом-Ю МОм, номинальные мощности рассеяния 0,125-100 Вт, до пустимые отклонения сопротивления от номинального значения ±1; ±2; ±5;
±10; ±20% .
Для оценки свойств резисторов используются следующие основные параметры: номинальное сопротивление; допустимое отклонение величи ны сопротивления от номинального значения (допуск), номинальная мощ ность рассеяния, предельное напряжение, температурный коэффициент сопротивления, коэффициент напряжения, уровень собственных шумов, собственные емкость и индуктивность.
Номинальное сопротивление резистора RH- это электрическое со противление, значение которого обозначено на резисторе или указано в сопроводительной документации. ГОСТ 2825-67 устанавливает для рези сторов шесть рядов номиналов сопротивлений: Е6; Е12; Е24; Е48; Е96; Е192 (цифра указывает число номинальных сопротивлений в ряду). Число вые коэффициенты, умножаемые на любое число, кратное 10, для посто янных резисторов общего применения по наиболее применяемому на прак тике ряду Е24, имеют значения 1,0; 1,1; 1,2; 1,3; 1,5; 1,6; 1,8; 2,0; 2,2; 2,4; 2,7; 3,0; 3,3; 3,6; 3,9; 4,7; 5,1; 5,6; 6,2; 6,8; 7,5; 8,2; 9,1.
Допуск - максимально допустимое отклонение реальной величины сопротивления резистора от его номинального значения, которое выража ется в процентах.
Номинальная мощность рассеяния резистора Рн - это наибольшая мощность, которую резистор может рассеивать в течение гарантированно го срока службы при сохранении параметров в установленных пределах. Для нормальной работы резистора необходимо, чтобы мощность, выде ляемая на резисторе в данной электрической цепи, не превышала номи нальной мощности рассеяния: Рн > Рпотр или Рн> /2 • R.
Существуют различные обозначения резисторов. Наиболее широко применяемые металлопленочные лакированные теплостойкие резисторы обозначаются, например, МЛТ, ОМЛТ, С2-СЗ, С2-33 и т.д.
Пример расчета сопротивления резистора, выбора номинала и допус
тимой мощности рассеяния: |
|
|
|
д _ £ п -Ц>э = 24 -0,74 |
387,6-103 О м, |
||
ho |
60 1 (Г6 |
||
|
|||
ближайшим номиналом по ряду Е24 выбираем резистор сопротивлением R = 390 кОм. Мощность, потребляемая резистором,
PR= (60-10-6) ^ - 103 = 1,4 мВт.
На основании вышеприведенных расчетов выбран резистор, напри мер, марки С2-23, сопротивлением R = 390 кОм и номинальной мощно стью рассеяния Рн = 125 мВт (Рн » P R ), который обеспечивает надежную работу в схеме.
Более подробную информацию о резисторах можно получить в спра вочнике [8].
Тип тран Струк зистора тура
П210А |
р-п-р |
||
П210Б |
- « - |
||
П210В |
- « - |
||
П211 |
|||
П212 |
|
|
|
П212А |
- |
« - |
|
П302 |
|||
ПЗОЗ |
- |
« - |
|
ПЗОЗА |
- « - |
||
П304 |
- |
« - |
|
П306 |
- « |
- |
|
П306А |
- |
« |
- |
ГТ403А |
- « |
|
|
ГТ403Б |
- |
||
ГТ403В |
|
|
|
ГТ403Г |
- |
« |
- |
ГТ403Д |
- « |
- |
|
ГТ403Е |
|
|
- |
ГТ403Ж |
- « |
|
|
ГТ403И |
|
|
|
ГТ403Ю |
|
|
|
Биполярные транзисторы средней и большой мощности для УНЧ
^Ктах? |
|
^Кшах, |
^Кшах, |
|
|
Наличие статических |
/гр |
^21Э |
/ ко, мкА |
характеристик |
|||
Р К, т max? Вт |
|
В |
А |
|
|
в схемах с ОБ, ОЭ |
|
|
Средней мощности ]ИЧ[7] _____ _____________ ^------------------- .----------- |
||||
1,5; 60' |
100 кГц |
65 |
12 |
15 |
8 ма |
ОБ, ОЭ |
1,5; 45’ |
100 кГц |
65 |
12 |
10 |
15 ма |
ОБ, ОЭ |
1,5; 45* |
100 кГц |
45 |
12 |
10 |
15 ма |
ОБ, ОЭ |
0,75 |
1 МГц |
50 |
— |
50-150(200) |
50 (300) |
ОБ, ОЭ |
0,75 |
1 МГц |
70 |
— |
20-60(75) |
50 (300) |
ОБ, ОЭ |
0,75 |
1 МГц |
70 |
— |
50-150(200) |
50 (300) |
ОБ, ОЭ |
1; 10’ |
200 кГц |
35 |
- |
10 |
100(1500) |
ОЭ вых. |
1; 10' |
100 кГц |
60 |
— |
6 |
100(1500) |
ОЭ вых. |
1; 10' |
100 кГц |
60 |
- |
6 |
100(1500) |
ОЭ вых. |
1; 10' |
100 кГц |
60 |
- |
5 |
100(1500) |
ОЭ вых. |
1; 10' |
50 кГц |
60 |
- |
7-30 |
100(1500) |
ОБ, ОЭ |
1; 10' |
50 кГц |
80 |
- |
5-50 |
100(1500) |
ОБ, ОЭ |
Д оЗ' |
8 кГц |
45 |
1,25 |
20-60 |
50 |
ОБ, ОЭ |
Д оЗ' |
8 кГц |
45 |
1,25 |
50-150 |
50 |
ОБ, ОЭ |
ДоЗ' |
8 кГц |
60 |
1,25 |
20-60 |
50 |
ОБ, ОЭ |
ДоЗ' |
6 кГц |
60 |
1,25 |
50-150 |
50 |
ОБ, ОЭ |
Д оЗ' |
6 кГц |
60 |
1,25 |
50-150 |
50 |
ОБ, ОЭ |
Д оЗ' |
8 кГц |
60 |
1,25 |
30 |
50 |
ОБ, ОЭ |
ДоЗ' |
8 кГц |
80 |
1,25 |
20-60 |
50 |
ОБ, ОЭ |
Д оЗ’ |
8 кГц |
80 |
1,25 |
30 |
50 |
ОБ, ОЭ |
ДоЗ' |
8 кГц |
45 |
1,25 |
30-60 |
50 |
ОБ, ОЭ |
Тип тран Струк зистора тура
П4АЭ р-п-р (МП4А)
П4БЭ - « - (МП4Б) - « - П4ВЭ (МП4В)
П4ГЭ
(МП4Г)
П4ДЭ
(МП4Д)
П701 п-р-п П701А - « - П702 - « - П702А - « - П702Б КТ801А - « - КТ801Б КТ802А КТ803А КТ805А КТ805Б —« -
РКmax? |
|
^Ктах> |
^Кшах» |
|
|
|
Наличие статических |
/гр |
^21Э |
/ко, мкА |
характеристик |
||||
Р К, т шах> Вт |
|
В |
А |
|
|
|
в схемах с ОБ, ОЭ |
|
|
Большой МОЩНОСТИ НЧ [7] |
0,5 ма |
ОБ, ОЭ |
|||
1; 20' |
150 кГц |
50 |
5 |
5 (Кр = 20 дБ) |
|||
1; 20' |
150 кГц |
50 |
5 |
5 (Кр = 20 дБ) |
0,5 ма |
ОБ, ОЭ |
|
3; 25' |
150 кГц |
60 |
5 |
15-40 |
0,4 ма |
ОБ, ОЭ |
|
3; 25’ |
150 кГц |
60 |
5 |
Кр = 23 дБ |
0,4 ма |
ОБ, ОЭ |
|
3; 25' |
150 кГц |
35 |
5 |
10 (Кр = 20 дБ) |
0,4 ма |
ОБ, ОЭ |
|
3; 25' |
150 кГц |
35 |
5 |
10 (Кр = 20 дБ) |
0,4 ма |
ОБ, ОЭ |
|
3; 25' |
150 кГц |
50 |
5 |
15-30 |
0,4 ма |
ОБ, ОЭ |
|
3; 25' |
150 кГц |
50 |
5 |
Кр = 27 дБ |
0,4 ма |
ОБ, ОЭ |
|
3; 25' |
150 кГц |
50 |
5 |
30 (Кр = 30 дБ) |
0,4 ма |
ОБ, ОЭ |
|
3:25' |
150 кГц |
50 |
5 |
30 (Кр = 30 дБ) |
0,4 ма |
ОБ, ОЭ |
|
|
|
Большой мощности СЧ [71 |
100 |
|
ОЭ |
||
1; 10' |
20 МГц |
40 |
0,5 |
10-40,10-90 |
|
||
1; 10' |
20 МГц |
60 |
0,5 |
15-60, 15-120 |
100 |
|
ОЭ |
4; 40' |
— |
60 |
2 |
|
- |
|
ОЭ вых. |
4; 40' |
1 МГц |
60 |
2 |
25 |
5 |
ма |
ОЭ вых. |
4; 40' |
1 МГц |
60 |
2 |
10 |
2,5 ма |
— |
|
5' |
10 МГц |
80 |
2 |
15-50 |
10 |
ма |
ОБ вх. |
5' |
10 МГц |
60 |
2 |
30-150 |
10 ма |
ОЭ вых. |
|
50' |
10 МГц |
150(90) |
5 |
15 |
60 |
ма |
ОЭ |
60' |
20 МГц |
60 |
10 |
10-70 |
5 |
ма |
ОЭ |
30’ |
20 МГц |
60 |
5 |
15 |
15 |
ма |
ОЭ терм. |
30' |
20 МГц |
60 |
5 |
15 |
15 |
ма |
ОЭ терм. |
Тип тран Струк |
^Кгпах» |
/гр |
^ /с т а х , |
/стах, |
Н \ э |
/ко, мкА |
Наличие статических харак |
|||
зистора |
тура |
Р К. т шах» Вт |
В |
А |
теристик в схемах с ОБ, ОЭ |
|||||
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
Большой МОЩНОСТИ вч т |
10 |
мА |
|
|||
КТ902А п-р-п |
30' |
35 МГц |
60 |
5 |
15 |
ОЭ |
||||
КТ903А |
—« - |
30' |
120 МГц |
65 |
3 |
15-70 |
10 мА |
ОЭ |
||
КТ903Б |
- « - |
30' |
120 МГц |
65 |
3 |
40-180 |
10 мА |
ОЭ |
||
КТ904А |
—« — |
5' |
350 МГц |
60 |
0,8 |
10 |
1,5 |
мА |
ОЭ,ОБ вх. |
|
КТ904Б |
- « - |
5' |
300 МГц |
60 |
0,8 |
10 |
1,5 |
мА |
—« — |
|
Биполярные транзисторы средней и большой мощности низкочастотные [6]
Тип тран Струк зистора тура
КТ710А п-р-п 2Т819А —« - 2Т819Б - « - 2Т819В - « - 2Т819А2 - « - 2Т819Б2 - « - 2Т819В2 - « - КТ819А - « - КТ819Б —« — КТ819В - « - КТ819Г
РKmах? |
|
Лр. |
^Кгпах, |
/<тах» |
^21Э |
/ко, мкА |
Наличие статических харак |
|||
Р К, т шах» Вт |
МГц |
В |
А |
теристик в схемах с ОБ, ОЭ |
||||||
|
2 мА |
|||||||||
50' |
3-5-12 |
3000 |
5 |
3,5 |
|
ОЭ |
||||
3; 100' |
- |
« - |
100 |
15 |
20 |
- « - |
—« - |
|||
3; 100’ |
—« — |
80 |
15 |
20 |
—« - |
—« — |
||||
3; 100’ |
- |
« - |
60 |
15 |
20 |
- |
« - |
- |
« — |
|
1; 40' |
—« - |
100 |
15 |
20 |
- |
« - |
- |
« - |
||
1; 40' |
- |
« - |
80 |
15 |
20 |
- |
« - |
|
|
|
1; 40' |
- |
« - |
60 |
15 |
20 |
- |
« - |
—« - |
||
1,5; 60' |
- |
« - |
40 |
10 |
15 |
1 |
мА |
- |
« - |
|
1,5; 60' |
- |
« - |
50 |
10 |
20 |
1 |
мА |
- |
« — |
|
1,5; 60’ |
—« — |
70 |
10 |
15 |
1 |
мА |
- « - |
|||
1,5; 60' |
|
|
100 |
10 |
12 |
1 |
мА |
|
|
|
Тип транзи |
Струк |
РКшах? |
/гр» |
^Ктах> |
■^Ктах> |
^21Э |
/ко, мкА |
Наличие статических харак |
|||
стора |
тура |
т тах> Вт |
МГц |
В |
А |
теристик в схемах с ОБ, ОЭ |
|||||
|
|
|
|
||||||||
КТ819АМ п-р-п |
1,5; 60' |
3-5-12 |
40 |
15 |
|
15 |
1 |
мА |
о э |
||
КТ819БМ |
- « - |
2; 100’ |
|
50 |
15 |
|
20 |
1 |
мА |
—« - |
|
КТ819ВМ |
- « - |
2; 100’ |
|
70 |
15 |
|
15 |
1 |
мА |
- « - |
|
КТ819ГМ |
2; 100’ |
|
100 |
15 |
|
12 |
1 |
мА |
- « — |
||
КТ819А1 |
- « - |
2; 100’ |
- « - |
40 |
15 |
|
15 |
1 |
мА |
- « - |
|
КТ819Б1 |
- « - |
2; 100’ |
50 |
15 |
|
20 |
1 |
мА |
- « - |
||
КТ819В1 |
- « - |
2; 100’ |
- « - |
70 |
15 |
|
15 |
1 |
мА |
- « - |
|
КТ819Г1 |
2; 100' |
- « - |
90 |
15 |
|
12 |
1 |
мА |
- « - |
||
2Т826А |
п-р-п |
15' |
6 |
700 |
1 |
10-120 |
2 мА |
о э |
|||
2Т826Б |
—« — |
15' |
6 |
700 |
1 |
10-120 |
2 мА |
- « - |
|||
2Т826В |
- « — |
15' |
6 |
700 |
1 |
10-120 |
2 мА |
- « - |
|||
2Т826А-5 |
- « — |
15' |
6 |
700 |
1 |
10-120 |
2 мА |
—«— |
|||
КТ826А |
—«- |
15' |
6 |
700 |
1 |
10-120 |
2 мА |
- « - |
|||
КТ826Б |
—«— |
15' |
6 |
700 |
1 |
5 |
-300 |
2 мА |
- « - |
||
КТ826В |
15' |
6 |
700 |
1 |
5 |
-120 |
2 мА |
||||
2Т827А |
п-р-п |
125' |
4 |
100 |
20 |
750 |
-18000 |
3 мА |
оэ |
||
2Т827Б |
- « - |
125' |
4 |
80 |
20 |
750 |
-18000 |
3 мА |
- « - |
||
2Т827В |
|
125' |
4 |
60 |
20 |
750 |
-18000 |
3 мА |
|
||
2Т826А-5 |
- « - |
125' |
4 |
100 |
20 |
750 |
-18000 |
3 мА |
|
||
КТ827А |
125' |
4 |
100 |
20 |
750 |
-18000 |
3 мА |
- « - |
|||
КТ827Б |
—«— |
125' |
4 |
80 |
20 |
750 |
-18000 |
3 мА |
|||
КТ827В |
|
125' |
4 |
80 |
20 |
750 |
-18000 |
3 мА |
- « - |
||
Тип тран |
Струк |
||
зистора |
тура |
||
2Т831А |
п-р-п |
||
2Т831Б |
- |
« - |
|
2Т831В |
- |
« - |
|
2Т831Г |
|
|
|
2Т831В-1 |
|
|
|
2Т831Г-1 - « - |
|||
КТ864А |
п-р-п |
||
2Т882А |
п-р-п |
||
2Т882Б |
- |
« — |
|
2Т882В |
—« — |
||
2Т884А |
- |
« - |
|
2Т884Б |
- « — |
||
2Т708А |
р-п-р |
||
2Т708Б |
- |
« - |
|
2Т708В |
- |
« - |
|
КТ712А |
р-п-р |
||
КТ712Б |
|||
|
|
||
2Т818А |
р-п-р |
||
2Т818Б |
- |
« - |
|
2Т818В |
- |
« - |
|
2Т818А2 |
—« — |
||
2Т817Б2 |
|
|
|
2Т818В2 |
|
|
|
^Kmaxi |
л , . |
^Ктах» |
Летах, |
^21Э |
/ко, мкА |
Наличие статических харак |
|||
Р К, т maxi Вт |
МГц |
В |
А |
теристик в схемах с ОБ, ОЭ |
|||||
|
|
|
|||||||
1; 5’ |
4-50 |
35 |
2 |
25 |
-200 |
0,1-100 |
|
о э |
|
1; 5' |
4-50 |
60 |
2 |
25 |
-200 |
0,1-100 |
—« - |
||
1; 5’ |
4-50 |
80 |
2 |
25 |
-200 |
0,1-100 |
—« - |
||
1; 5’ |
4-50 |
100 |
2 |
20 |
-150 |
0,1-100 |
- |
« - |
|
1; 25' |
4-15 |
80 |
2 |
25 |
-200 |
0,1-100 |
|
|
|
1; 25* |
4-15 |
100 |
2 |
25 |
-200 |
0,1-100 |
- |
« - |
|
1,5; 100' |
15 |
200 |
10 |
40 |
-200 |
100 |
|
ОЭ |
|
1; 10' |
10 |
800 |
2 |
6 |
-25 |
0,2 мА |
|
ОЭ |
|
1; 10' |
10 |
600 |
2 |
6 |
-25 |
0,2 мА |
- |
« - |
|
1; 10' |
10 |
— |
2 |
6 |
-25 |
0,2 мА |
—« — |
||
1; 15' |
10 |
800 |
2 |
6 |
-25 |
0,2 мА |
|
|
|
1; 15' |
10 |
600 |
2 |
6 |
-25 |
0,2 мА |
—« — |
||
0,7; 5» |
3 |
100 |
2,5 |
500 |
— |
|
о э |
||
- « - |
3 |
80 |
2,5 |
750 |
— |
- |
« - |
||
—« — |
3 |
60 |
2,5 |
750 |
- « - |
||||
— |
|||||||||
1,5; 50’ |
3 |
200 |
10 |
500 |
1 мА |
|
о э |
||
1,5; 50' |
3 |
160 |
10 |
400 |
1 мА |
—« — |
|||
3; 100’ |
3 |
100 |
15 |
|
20 |
— |
о э |
||
3; 100' |
3 |
80 |
15 |
|
20 |
— |
- |
« - |
|
3; 100' |
3 |
60 |
15 |
|
20 |
_ |
- |
« - |
|
1; 40' |
3 |
100 |
15 |
|
20 |
— |
- |
« - |
|
1; 40' |
3 |
80 |
15 |
|
20 |
_ |
|
|
|
1; 40* |
3 |
60 |
15 |
|
20 |
- |
|
|
|