книги / Проектирование усилителей низкой частоты на биполярных транзисторах
..pdfТип тран |
Струк |
^Кшахз |
/гр» |
t^Kmax) |
■^Ктах» |
|
|
|
Наличие статических |
|
hi\3 |
/ ко, мкА |
характеристик в схемах |
||||||||
зистора |
тура |
^К ,т max? Вт |
МГц |
В |
А |
|||||
|
|
|
с ОБ, ОЭ |
|||||||
КТ818А |
р-п-р |
1,5; 60' |
3 |
40 |
10 |
15 |
1 |
мА |
о э |
|
КТ818Б |
- « - |
1,5; 60' |
3 |
50 |
10 |
20 |
1 |
мА |
- « — |
|
КТ818В |
- « ~ |
1,5; 60' |
3 |
70 |
10 |
15 |
1 |
мА |
|
|
КТ818Г |
1,5; 60' |
3 |
90 |
10 |
12 |
1 мА |
—« — |
|||
КТ818АМ |
- « - |
2; 100’ |
3 |
40 |
15 |
15 |
1 |
мА |
||
КТ818БМ |
- « - |
2; 100' |
3 |
50 |
15 |
20 |
1 |
мА |
- « - |
|
КТ818ВМ |
|
2; 100' |
3 |
70 |
15 |
15 |
1 |
мА |
|
|
КТ818ГМ |
- « ~ |
2; 100' |
3 |
90 |
15 |
12 |
1 |
мА |
- « - |
|
КТ818А1 |
100' |
3 |
40 |
15 |
15 |
1 |
мА |
|||
КТ818Б1 |
- « — |
100' |
3 |
50 |
15 |
20 |
1 |
мА |
- « - |
|
КТ818В1 |
- « - |
100' |
3 |
70 |
15 |
15 |
1 |
мА |
- « - |
|
КТ818Г1 |
100' |
3 |
90 |
15 |
12 |
1 |
мА |
|||
2Т825А |
р-п-р |
3; 125’ |
4 |
100 |
20 |
100-18000 |
1 |
мА |
оэ |
|
2Т825Б |
- « - |
3; 125’ |
4 |
80 |
20 |
150-18000 |
1 |
мА |
- « - |
|
2Т825В |
- « - |
3; 125' |
4 |
60 |
20 |
150-18000 |
1 |
мА |
|
|
2Т825А2 |
- « - |
1; 30' |
4 |
100 |
15 |
100-18000 |
1 |
мА |
|
|
2Т825Б2 |
- « - |
1; 30' |
4 |
80 |
15 |
150-18000 |
1 |
мА |
- « - |
|
2Т825В2 |
- « - |
1; 30' |
4 |
60 |
15 |
150-18000 |
1 |
мА |
||
2Т825А-5 |
- « - |
40; 125’ |
4 |
100 |
20 |
100-18000 |
1 |
мА |
- « - |
|
Тип тран |
Струк |
зистора |
тура |
КТ825Г |
р-п-р |
КТ825Д |
|
КТ825Е |
- « - |
2Т830А |
~ « - |
2Т830Б |
|
2Т830В |
- « - |
2Т830Г |
- « - |
2Т830В-1 |
- « ~ |
2Т830Г-1 |
—« — |
2Т836А |
|
2Т836Б |
|
2Т836В |
|
2Т836А-5 |
- « - |
2Т837А |
р-п-р |
2Т837Б |
- « - |
2Т837В |
|
2Т837Г
2Т837Д
2Т837Е
^Кшах> |
л , , |
^Ктах> |
^Ктах, |
|
|
Наличие статических |
|
^21Э |
/ко, мкА |
характеристик в схемах |
|||||
Р К, т шах? Вт |
МГц |
В |
А |
||||
|
|
с ОБ, ОЭ |
|||||
3; 125' |
4 |
90 |
15 |
750-25000 |
1 мА |
||
о э |
|||||||
3; 125' |
4 |
60 |
15 |
750-25000 |
1 мА |
|
|
3; 125' |
4 |
30 |
15 |
750-25000 |
1 мА |
|
|
1;5' |
4 |
30 |
2 |
25-55 |
0,1-100 |
|
|
1; 5' |
4 |
50 |
2 |
25-55 |
0,1-100 |
|
|
1; 5' |
4 |
70 |
2 |
25-55 |
0,1-100 |
|
|
1; 5' |
4 |
90 |
2 |
20-50 |
0,1-100 |
—« — |
|
1; 25' |
4 |
70 |
2 |
25-200 |
0,1-100 |
- « — |
|
1; 25' |
4 |
90 |
2 |
25-200 |
0,1-100 |
- « - |
|
0,7; 5' |
4 |
90 |
3 |
20-100 |
0,1 мА |
—« — |
|
0,7; 5' |
4 |
85 |
3 |
20-100 |
0,1 мА |
- « - |
|
0,7; 5’ |
4 |
60 |
3 |
20-100 |
0,1 мА |
|
|
0,025; 5' |
4 |
90 |
3 |
20-100 |
0,1 мА |
оэ |
|
1; 30’ |
1 |
80 |
8 |
15-120 |
0,15 мА |
||
1; 30' |
1 |
60 |
8 |
30-150 |
0,15 мА |
|
|
1; 30' |
1 |
45 |
8 |
40-180 |
0,15 мА |
|
|
1; 30' |
1 |
80 |
8 |
15-120 |
0,15 мА |
|
|
1; 30' |
1 |
60 |
8 |
30-150 |
0,15 мА |
|
|
1; 30' |
1 |
45 |
8 |
40-180 |
0,15 мА |
|
Тип тран |
Струк |
зистора |
тура |
2Т842А |
р-п-р |
2Т842Б |
|
2Т842А1 |
- « - |
2Т842Б1 |
|
КТ842А |
- « “ |
КТ842Б |
- « - |
КТ842В |
- « - |
КТ851А |
р-п-р |
КТ851Б |
- « - |
КТ851В |
р-п-р |
2Т860А |
|
2Т860Б |
- « - |
2Т860В |
—« — |
2Т883А |
р-п-р |
2Т883Б |
—« — |
-^Кшахз |
Л р . |
^TjCmax) |
•^Кшах» |
|
|
|
|
|
Наличие статических |
||
hi\3 |
/ко, мкА |
характеристик в схемах |
|||||||||
Р К, т шахз Вт |
МГц |
В |
А |
||||||||
|
|
1 |
мА |
с ОБ, ОЭ |
|||||||
3; 50' |
20 |
300 |
5 |
10-15 |
|
о э |
|||||
3; 50’ |
20 |
200 |
5 |
10-15 |
1 |
мА |
- |
« - |
|||
1; 30' |
10 |
300 |
5 |
6 |
-10 |
1 |
|
мА |
- |
« - |
|
1; 30' |
10 |
200 |
5 |
6 |
-10 |
1 |
|
мА |
- |
« - |
|
3; 50' |
20 |
300 |
5 |
|
15 |
1 |
мА |
- |
« - |
||
3; 50' |
20 |
200 |
5 |
|
15 |
1 |
мА |
- |
« - |
||
3; 100’ |
7 |
200 |
5 |
|
20 |
1 |
мА |
- « - |
|||
25' |
20 |
250 |
2 |
40 |
-200 |
|
100 |
ОЭ вх. |
|||
25' |
20 |
300 |
2 |
20 |
-200 |
500 |
|
|
|||
25' |
20 |
180 |
2 |
20 |
-200 |
500 |
|
ОЭ |
|||
1; 10' |
10 |
90 |
2 |
20 |
-160 |
0,1 |
мА |
|
|||
1; 10' |
10 |
70 |
2 |
25 |
-200 |
0,1 |
мА |
- |
« - |
||
1; 10’ |
10 |
40 |
2 |
40 |
-300 |
0,1 |
мА |
- « - |
|||
1; 10' |
20 |
300 |
1 |
10-18 |
0,1 |
мА |
|
о э |
|||
1; 10' |
20 |
250 |
1 |
10-18 |
0,1 |
мА |
- |
« — |
|||
Примечание: Ркшах - рассеиваемая коллекторная мощность биполярного транзистора без теплоотвода;
Р к т тах - то же самое с теплоотводом.
СУДАКОВ Анатолий Иванович
ПРОЕКТИРОВАНИЕ УСИЛИТЕЛЕЙ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Учебно-методическое пособие
Редактор Э.П. Полнякова Корректор И.Н. Жеганина
Лицензия ЛР № 020370
Подписано в печать 31.05.06. Формат 70x100/16. Набор компьютерный. Объем 4,75 п.л.
Тираж 250. Заказ № 70-673/2006.
Редакционно-издательский отдел Пермского государственного технического университета.
Адрес: 614600, Пермь, Комсомольский пр., 29
Отпечатано в Отделе электронных издательских систем ОЦНИТ Пермского государственного технического университета.
Адрес: 614600, Пермь, Комсомольский пр., 29, к. 113, тел. (342) 2-198-033