Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Транзисторные стабилизаторы напряжения

..pdf
Скачиваний:
11
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
4.38 Mб
Скачать

Увеличить коэффициент п можно также заменой резистора R\ источником постоянного напряжения (батареей Е, стабилитроном Д) или резистора R2 генератором постоянного тока (например, транзи­ стором, включенным по схеме с ОБ).

В схемах сравнения на рис. 16,а и 6 увеличение выходного на­ пряжения приводит к увеличению тока коллектора транзистора схе­ мы сравнения. В схеме на рис. 16,в увеличение входного напряжения приводит к уменьшению тока коллектора транзистора Т2. Это при-

Рис. 17. Схемы сравнения для UB — U0-

водит к необходимости построения усилителя сигнала рассогласова­ ния на двух транзисторах (в отличие от ранее рассмотренных) с тем, чтобы получить необходимую фазу управляющего воздейст­ вия для регулирующего транзистора. Достоинством схемы является возможность ее использования в стабилизаторах с выходным на­ пряжением, значительно превышающим опорное напряжение.

При включении стабилитрона в цепь эмиттера (рис. 16,6) на­

пряжение

на

коллекторе транзистора

усилителя

постоянного

тока

Т2 равно примерно UBU0, в то время как при обратном вклю­

чении (рис. 16,в) оно равно примерно

U0. Следовательно,

в

схеме

на рис. 16,6 при больших значениях

[7Н необходимо увеличивать

опорное напряжение U0, чтобы сохранить напряжение коллектора

малым. Так как обычно U0^ 6-f-10 В,

 

 

 

 

 

 

то схема на рис. 16,б может исполь­

 

 

 

 

 

 

зоваться при Uн^20 В.

схемах

 

 

 

 

 

 

 

Если

в

рассмотренных

 

 

 

 

 

 

сравнения принять Ri = 0, то получим

 

 

 

 

 

 

частный случай, при котором дели­

 

 

 

J-4—

I ь

тель

выходного

напряжения

будет

6

 

 

отсутствовать

(я= 1)

и выходное на­

 

 

\

 

ц(

пряжение

равно:

 

 

 

 

 

 

Г

 

 

Un Ро ~Ь ^ЭБ2 ~ <4>.

 

вс

 

Uo

L

 

 

Два варианта таких схем, разли­

 

 

 

 

 

 

 

 

чающихся

местом включения опорно­

 

 

 

 

 

го источника, приведены на рис. 17.

Рис.

18.

Схема

сравнения

Для обеспечения необходимого режи­

ма

стабилитрона

в

этих

схемах

для

Ур<

U о.

 

 

 

31

требуется дополнительный источник вспомогательного напряжения Uвс. Схема сравнения на рис. 17,6 находит большее распростране­ ние, поскольку ее можно применять в стабилизаторах с регулируе­ мым выходным напряжением, где с целью обеспечения постоянства тока, протекающего через стабилитрон, важно уменьшать изменяю-' щуюся часть тока источника опорного напряжения.

Встабилизаторах, для которых выполняется неравенство С/н<

<.U0, широкое применение находят схемы с так называемым инверс­ ным опорным напряжением, т. е. опорным напряжением, имеющим полярность, противоположную выходному напряжению (рис. 18).

Выходное напряжение в этой схеме равно:

Vo (1 — п) +

^ЭБ2

у н = -------------Г

где n — R2f{Rx+ # 2). Напряжение Un уменьшается с увеличением п и достигает минимального значения при п = 1 .

УСИЛИТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА

Усилители постоянного тока УПТ (усилители сигнала рассогла­ сования) в простых стабилизаторах напряжения обычно совмещают­ ся со схемой сравнения.

В схеме на рис. 16,6 транзистор Т\ является регулирующим

элементом, а в схему сравнения входят делитель на

резисторах R},

R2 и источник опорного напряжения

на резисторе R б

И стабилитро­

не Д. Разность опорного напряжения

U0 и части выходного напря­

жения U„ подается в цепь базы транзистора 7V

Следовательно,

цепь базы Т2 и соответственно весь транзистор Г2 следует считать схемой сравнения. В то же время в схеме по рис. 16,6 Т2 является еще и транзистором УПТ.

К УПТ стабилизаторов предъявляются высокие требования в части стабильности его параметров, так как - погрешности других элементов устраняются цепью обратной связи. Погрешность же, вносимая УПТ и вызванная изменением его параметров (в особен­ ности зависящих от температуры), должна быть сведена к мини­ муму. В УПТ могут использоваться транзисторы как р-п-р, так и п-р-п типов (табл. 3). При использовании многокаскадных УПТ целесообразно применение транзисторов обоих типов, так как в этом случае упрощается согласование каскадов. Последнее время в ка­ честве УПТ широко применяют линейные интегральные схемы (на­ пример, серии К 140),

Эффективность УПТ существенно зависит от величины и ста­ бильности коллекторного напряжения усилительного транзистора и повышается с их повышением. Поэтому питание коллекторной цепи транзистора Г2 входным нестабилизированным напряжением (рис. 16, 18) используется лишь в простейших схемах стабилизаторов. Обыч­ но для этой цели в схему вводятся дополнительные источники ста­ бильного напряжения. Такое напряжение удобно получить, напри­ мер, путем удвоения напряжения основной обмотки (в случае пита­ ния стабилизатора от выпрямителя), стабилизируя его кремниевым стабилитроном До (рис. 19). Если такой возможности нет, необхо­ димо применить дополнительный источник UBC (рис. 20).

Если регулирующий транзистор стабилизатора составной, то ста­ билитрон До целесообразно включать, как показано на рис. 20.

32

Такое включение позволяет увеличить крутизну коллекторного тока регулирующего элемента, а следовательно, повысить коэффициент стабилизации и уменьшить выходное сопротивление стабилизатора.

Для уменьшения погрешностей, вызванных влиянием темпера­ туры (и частично разбросом параметров усилительных транзисто­ ров), применяются дифференциальные схемы УПТ. Типовые схемы таких усилителей приведены на рис. 21.

Рис. 19. Получение дополнитель-

Рис. 20. Схема стабили-

ного напряжения для питания уси-

зации дополнительного

лителя.

напряжения.

Особенности дифференциальных усилителей рассмотрим на при­

мере

схемы, изображенной на

рис. 21,а. В этой схеме транзистор

Т2 используется в качестве обычного УПТ. На его базу подается

часть

выходного напряжения,

снимаемая с резистора R2 делителя

выходного напряжения, а на

эмиттер — опорное напряжение. Опор­

ное напряжение в данном

случае поступает не со стабилитрона

3 -3 2 5

33

03

 

 

 

 

Т а б л и ц а 3

4*-

 

 

 

 

Наименование параметров

Обозна-

Единица

Тип транзистора

 

 

 

чение

измерения

МП38А МП39Б

МП40

ГТ115А ГТ1ПБ КТ104А

 

 

МП38

Параметры постоянного тока: обратный ток коллекторного пе­

рехода при напряжении на кол­ лекторе и к , в

обратный ток эмиттерного пере­ хода при напряжении £/ЭБ, В

Режим измерения параметров: напряжение на коллекторе

ток коллектора

Усилительные параметры: коэффициент передачи тока

граничная частота коэффициента передачи тока

Предельные параметры:

напряжение коллектор—;база при х. х. в цепи эмиттера

^КБО

4>бо

*213

^КБ макс

мкА

. —

15/5

15/5

40/20

40/30

1/30

мкА

15/5

15/5

30/5

30/5

40/20

40/20

1/10

В

' 5

5

5

5

1

1

5

мА

1

1

1

1

25

1

1

_

25—55

45—100

20—60

20—40

20—80

20—80

9—36

мГц

2

2

0,5

1

1

5

5

В

15

15

10

10

20

30

30

напряжение коллектор — эмиттер

^ к э макс

В

15

15 '

15

15

20

20

30

 

 

 

при сопротивлении в цепи базы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

постоянный ток коллектора

макс

мА

20

20

40

40

30

30

50

 

 

 

ток коллектора в импульсном ре­

^Ки

мА

150

150

150

150

 

 

 

 

 

жиме

 

 

 

 

 

 

 

 

 

постоянная мощность, рассеивае­

р>

мВт

150

150

150

150

50

50

150

К макс

 

 

 

 

 

 

мая транзистором без теплоот­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

вода

Тепловые параметры:

 

 

®с

,+ 8 5

+85

+85

максимальная

температура пере­

Т макс

хода

 

 

 

 

 

 

 

минимальная

температура

пере­

Т мин

°с

—55

—55

—20

хода

 

 

 

 

 

 

 

тепловое сопротивление

пере­

^п.с

°С/мВт

0,2

0,2

0,2

ход— среда

 

 

 

 

 

 

 

+85

—20

о to

+45 +45 +120

—20 —20 —55

0,8 0,8 0,4

Тип перехода, материал

п-р-п, германий

р-п-р,

германий

р-п-р, кремний

 

со

3>

Наименование параметров

Обозна-

Единица

чение

измерения

Параметры постоянного тока:

 

мкА

обратный ток коллекторного пе­

Ыво

рехода при напряжении на кол­

 

 

лекторе и^, В

 

 

обратный ток эмиттерного пере­ хода при напряжении U3B, В

Режим измерения параметров: напряжение на коллекторе

ток коллектора

Усилительные параметры: коэффициент передачи тока

граничная частота коэффициента передачи тока

Предельные параметры:

напряжение коллектор — база при

[ЭБО мкА

В

и к к мА

Л21Э

fr мГц

В

^КБ макс

 

 

 

 

 

Г7родолжение

табл. 3

 

 

ft

Тип транзистора

 

 

 

 

 

 

 

 

МП111Б

i,КТЮ4Б

КТ104В

 

КТ203А

КТ203Б

МП111

МП111А

1/15

1/15

 

1/60

1/30

3/10

3/10

3/10

1/10

1/10

 

1/30

1/15

3/20

3/20

3/20

5

5

5

5

5

5

5

1

1

1

t

1

1

1

20—80

40—160

9

30—90

10—25

10—25

1545.

5

5

5

5

0,5

0,5

0,5

15

15

60

30

20

10

20

напряжение коллектор — эмиттер при сопротивлении в цепи базы

постоянный ток коллектора

ток коллектора в импульсном ре­ жиме

постоянная мощность, рассеивае­ мая транзистором без теплоот­ вода

^КЭ макс

макс

7Ки

р

К макс

В

15

15

60

30

20

10

20

мА

50

50

10

10

20

20

20-

мА

50

50

100

100

100

мВт

150

150

150

150

150

150

150

Тепловые параметры:

 

 

•С

 

+ 120

 

+150

 

 

 

максимальная

температура пере­

Т макс

+ 120

+ 150

+150.

+150

+ 150

хода

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

. минимальная

температура

пере­

^мин

•с

—55

—55

—60

—60

—55

—55

—55

хода

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тепловое сопротивление

пере­

Rn.c

•С/мВт

0,4

0,4

 

0,8

0,8

0,8

ход — среда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

__к

Тип перехода, материал

р-п-р, кремний

п-р- п, кремний

непосредственно, а через эмиттерный повторитель на

транзисторе

Гь в эмиттерную цепь которого включен нагрузочный резистор Rя.

Падение напряжения на этом резисторе и используется

в усилителе

в качестве опорного.

Известно, что для сохранения неизменного положения рабочей точки на коллекторной характеристике транзистора с ростом темпе­ ратуры напряжение смещения на эмиттерном переходе должно уменьшаться. Невыполнение этого требования приводит к допол­ нительному открыванию транзистора и увеличению его эмиттерного и коллекторного токов. В дифференциальном усилителе при условии неизменного опорного напряжения, подаваемого на вход эмиттерного повторителя, транзисторы Т\ и Т2 с ростом температуры будут открываться. Происходящее при этом возрастание эмиттерного тока транзисторов приводит к увеличению падения напряжения на рези­ сторе R3- В результате базы транзисторов становятся более положи­ тельными по отношению к плюсовой шине, что ограничивает возра­ стание их эмиттерных и коллекторных токов.

Напряжение на резисторе R3 изменяется в соответствии с тем­ пературными изменениями напряжения С?ЭБ обоих транзисторов Тх

и 2. Насколько уменьшится £/ЭБ, настолько же увеличится падение

напряжения на резисторе R3, и наоборот. Таким образом, путем подачи опорного напряжения на усилитель через эмиттерный повто­ ритель автоматически осуществляется необходимая • корректировка положения рабочей точки на коллекторных характеристиках тран­ зисторов при изменениях температуры.

Для улучшения стабилизации питание коллекторов усилитель­ ных транзисторов дифференциальных усилителей может осущест­ вляться от вспомогательных источников (аналогично схемам на рис. 19 или 20).

Дифференциальный усилитель, приведенный на рис. 21,6, может использоваться, как и усилитель по рис. 16,в, при больших выход­

ных напряжениях

(UB> 2U 0,

V К1~£-М- Дифференциальный усили­

тель на рис. 21,б

может быть

использован в случае UB^sU 0. Сле­

дует Заметить, что напряжение на резисторе R4 в этой схеме должно быть примерно на 1 В меньше минимального выходного напря­ жения. В противном случае коллекторные цепи УПТ необходимо подсоединять к дополнительному источнику.

Более сложные (два транзистора вместо одного) дифферен­ циальные УПТ имеют следующие преимущества перед простейшими схемами:

компенсируют температурный дрейф напряжения баз транзисто­ ров Т1 и Т2, что особенно важно при использовании источников опорного напряжения с малым температурным коэффициентом;

существенно уменьшают нестабильность выходного напряжения из-за более''''слабого влияния дифференциального сопротивления^ источника опорного напряжения.

Дальнейшего улучшения характеристик стабилизатора можно достичь применением в качестве УПТ высококачественных много­ каскадных усилителей. Отличительные особенности таких усилителей состоят в том, что в них наряду с широкой полосой пропускания частот усиливаемого сигнала, начинающихся от нулевых частот, реализуются высокая чувствительность, значительное входное сопро­ тивление и достаточно большие коэффициенты усиления. Однако попытки одновременно реализовать все перечисленные характери­

38

стики приводят к серьезному усложнению схем усилителей. Одно­ временно увеличивается опасность самовозбуждения стабилизатора при использовании в нем многокаскадных усилителей.

Непрерывное совершенствование элементной базы усилителей, обусловленное прогрессом электроники, приводит к пересмотру мно­ гих из установившихся взглядов на предельные возможности раз­ личных схем усилителей, что особенно заметно при сравнительном анализе характеристик УПТ в интегральном исполнении и анало­ гичных устройств на дискретных элементах. В настоящее время

Рис. 22. Принципиальная схема интегрального УПТ.

промышленностью - выпускается класс линейных интегральных ми­ кросхем, многие из которых с успехом могут использоваться в ка­ честве УПТ транзисторных стабилизаторов напряжения (табл. 4).

Остановимся более подробно на микросхеме типа 1УТ401, кото­ рая нашла достаточно широкое применение в стабилизаторах и представляет собой трехкаскадный УПТ с дифференциальным вхо­ дом. Ее принципиальная схема приведена на рис. 22. Общее число транзисторов в микросхеме девять. Транзисторы Т\ и Т2 образуют дифференциальный входной каскад, в эмиттерную цепь которого включен генератор тока, выполненный в виде стабилизатора тока на транзисторе Тз. Для компенсации влияния температуры на коллекторный ток транзистора Т3 вследствие изменения напряжения база — эмиттер используется транзистор ТА в диодном включении.

Транзисторы Т5 и Т6 входят в состав промежуточного дифферен­ циального каскада, осуществляющего дальнейшее усиление сигнала, й одновременно преобразуют симметричный выход дифференциаль­ ного каскада к одиночному выходному сигналу. Выходной каскад содержит генератор тока на транзисторе Г8, который одновременно

39

Наименование параметра

 

 

 

Тип микросхемы

 

 

 

К1УТ401А

К1УТ401Б

К1УТ402А

К1УТ402Б

К1УТ531 .

К1УТ771

 

 

 

Коэффициент усиления

 

400—4500

1300—12 000

20 000—200 000

3000—35 000

10*—10*

40—80

Диапазон рабочих частот,

МГц

02р

0—20

0—20

Напряжение питания, В

 

± 6 ,3

± 12,6

± 12,6

± 6 ,3

±15

± 6,3

Потребляемый ток, не более, мА

4,2

8,0

8,0

5,0

6,0

3,0

Входной ток, не более, мкА

8 ,

12

°,7

0,7

1,5

3,0

Разность

входных токов,

не бо­

3

3

0,5

0,5

0,5

'—

лее, мкА

 

 

 

 

 

 

 

Напряжение смещения нуля, не

± 1 0

± 1 0

± 1 0

± ю

± 7 ,5

± 1 0

более,

мВ

 

 

 

 

 

 

 

Напряжение выходного сигнала,

± 2,8

± 5 ,7

± 1 0

± 3

не менее, В

 

 

 

 

 

 

 

Входное

дифференциальное со­

25.10*

• 15.10»

2 -106

2 -106

10*

105

противление, Ом

 

 

 

 

 

 

 

Выходное сопротивление,

Ом

350

250

200

Средний

температурный

дрейф

20

■—

20

20

30

напряжения смещения, мкВ/вС