Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Устройство, эксплуатационно-техническое обслуживание и ремонт станционного оборудования радиорелейных линий связи

..pdf
Скачиваний:
12
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
10.76 Mб
Скачать

линией

со стрелкой,

которая у р-я-р-транзисторов направлена

к базе,

обозначенной

чертой.

На коллектор /э-л-р-транзистора всегда подается отрицательное по отноше­ нию к эмиттеру напряжение, а на коллектор я-р-я-транзистора — положитель­ ное.

Транзисторы широко применяют в схемах усилителей и гене­ раторов. Их можно использовать так же, как конденсаторы пере­ менной емкости с электронным управлением. Если на транзистор подать запирающее напряжение, то два его р-я-перехода можно рассматривать как пластины конденсатора, емкость которого за­ висит от значения запирающего напряжения; изменяя его, меня­ ют емкость конденсатора. Такие полупроводниковые приборы на­ зывают варикапами.

Существует большое количество других типов полупроводни­ ковых приборов, например полевые транзисторы, тиристоры, тун­ нельные диоды и т. д.

Физические принципы, на которых основана работа полевых транзисторов, были известны давно, однако их реализация встре­ тила существенные технические трудности, и только в 60-х годах полевые транзисторы начали применять в различных областях электроники.

В полевых транзисторах использован эффект воздействия поперечного элекрического поля на проводимость канала, по которому движутся носители элек­ трического заряда.

Полевые канальные транзисторы имеют ряд существенных достоинств, к которым прежде всего относятся большое входное сопротивление приборов, превышающее десятки миллиардов омов; большая устойчивость к проникающим излучениям (допускается уровень излучений в десятки тысяч раз больший, чем для биполяр­ ных транзисторов); малый уровень собственных шумов; малое влияние температуры на усилительные свойства. Видно, что эти свойства полевых транзисторов позволяют им успешно конкури­ ровать с биполярными транзисторами во многих областях техники, например в системах управления атомными реакторами, в спутни­ ках-ретрансляторах космической связи и др.

Полевые транзисторы изготовляют двух типов: с затвором в виде р-п-перехода и с изолированным затвором.

Устройство полевого транзистора с затвором в виде р-я-пере- хода схематически представлено на рис. 49. Основу прибора со­ ставляет слабо легированная (т. е. с очень небольшим количест­ вом примеси) полупроводниковая пластина р-типа /, к торцам которой приложено напряжение U, создающее ток стока /с через сопротивление нагрузки R. В полупроводниковой пластине этот ток обеспечивается движением основных носителей заряда, в рас­ сматриваемом случае — положительных.

Торец пластины, от которого движутся носители заряда, на­

зывается истоком И, торец, к которому движутся носители заря­ да,— стоком С.

В две противоположные боковые поверхности основной пласти­ ны вплавлены пластинки я-типа. На границах раздела пластин я- и р-типов возникают электронно-дырочные переходы с односто­ ронней проводимостью. К этим переходам в непроводящем на­ правлении приложено входное (управляющее) напряжение и, которое можно изменять, но при обязательном сохранении ука­ занной на рисунке полярности. Если управляющий сигнал изме­ няет полярность, то его накладывают на постоянную составляю­ щую, значение которой превышает амплитуду управляющего сиг­ нала. В выходной цепи эта постоянная составляющая отфильт­ ровывается, и остается только усиленный управляющий сигнал.

Впаянные пластинки я-типа образуют затвор. При указанной полярности напряжения на затворе образуется два слоя 2, обед­ ненных носителями заряда. Действительно, положительный по­ люс входа притягивает («отсасывает») свободные электроны из пластин я-типа, а отрицательный полюс входа притягивает такое же количество дырок из основной пластины (p-типа). Обедненные основными носителями области имеют малую проводимость, но между ними сохраняется канал p-типа с большой проводимостью.

Принцип действия полевого транзистора основан на том, что при изменении управляющего напряжения на затворе изменяется ширина обедненных слоев. С увеличением напряжения на затворе ширина обедненных слоев увеличивает­ ся, а поперечное сечение канала и его проводимость уменьшаются.

Таким образом, изменяя напряжение на затворе, можно ме­ нять ток через сопротивление нагрузки и выходное напряжение.

Работу полевого транзистора принято характеризовать зави­ симостью тока стока от напряжения между истоком и стоком при различных значениях напряжения на затворе. Эта зависимость (рис. 50) аналогична анодным характеристикам усилительной лампы.

и

Рис. 49. Схема полевого тран­

Рис. 50. Семейство харак­

зистора с затвором в виде

теристик полевого транзи­

р-л-перехода

стора с затвором в Виде

 

р-л-перехода

В интегральных микросхемах предпочтительнее полевые тран­ зисторы с изолированным затворм (рис. 51).

Основу прибора составляет пластина 7 полупроводника р-типа (например, кремниевая). На небольшом расстоянии друг от друга в основную пластину вплавляют донорную примесь я-типа. Затем пластину термически обрабатывают, в результате чего на ней на­ ращивается тонкий (0,1 мкм) слой 5 диоксида кремния, являю­ щегося хорошим изолятором.

На слой изолятора накладывают металлическую пластину 4 затвора, перекрывающую области донорной примеси.

Транзисторы с изолированным затвором чаще называют тран­ зисторами типа ' МДП (металл—диэлектрик—полупроводник) или типа МОП (металл—окисел—полупроводник). Упрощенно принцип его работы можно представить следующим образом: в отсутствие напряжения на затворе 3 области донорной примеси (области я-типа) разделены непроводящей прослойкой основной пластины. Область, соединенную с зажимом /, называют истоком, область, соединенную с зажимом 2,— стоком. Таким образом, цепь между истоком и стоком разомкнута.

При подаче на затвор положительного напряжения электроны вытягиваются из основной пластины и скапливаются под изоли­ рующей прослойкой 5. При определенной разности потенциалов между зажимом 3 и основной пластиной концентрация электро­ нов под диэлектриком превысит концентрацию дырок в этой об­ ласти и под диэлектриком образуется проводящий электронный канал 6, соединяющий исток и сток.

Проводимость этого канала, а следовательно, и ток стока мож­ но менять, изменяя управляющее напряжение на затворе. В рас­ смотренном случае проводящий канал между истоком и стоком индуцируется напряжением затвора.

Разновидностью МДП-транзисторов являются конструкции, в которых канал «встраивается» в процессе изготовления прибора путем введения соответствующих примесей. Напряжение затвора меняет концентрацию носителей и проводимость этого встроенного

канала.

 

Полевые транзисторы могут быть изго­

 

товлены и на основе пластины я-типа.

 

Первые промышленные образцы тирис­

 

торов появились около тридцати лет на­

 

зад. Довольно быстро эти приборы получи­

 

ли широкое распространение. К достоин­

 

ствам тиристоров относятся: малая масса

 

и габаритные размеры по сравнению с ана­

 

логичными ламповыми приборами, боль­

 

шой срок службы, высокий кпд, малая

Рис. 51. Схема полевого

чувствительность к вибрации и механичес­

ким перегрузкам, способность работать

транзистора с изолирован­

при низких прямых и высоких обратных

ным затвором

 

напряжениях, а также при очень больших для такого класса при­ боров токах, достигающих сотен ампер.

Основное свойство тиристора, обеспечивающее ему самые разнообразные применения в автоматике, электронике, электроэнергетике,— это способность на­ ходиться в двух устойчивых состояниях: закрытом и открытом. В закрытом со­ стоянии сопротивление тиристора составляет десятки миллионов ом и он практи­ чески не пропускает ток при напряжениях до тысячи вольт. В открытом состоя­ нии сопротивление тиристора незначительно.

Падение напряжения на нем не превышает одного вольта при прохождении токов, измеряемых десятками и сотнями ампер.

Переход тиристора из одного состояния в другое происходит за очень короткое время, практически скачком; это означает, что тиристор можно использовать как выключатель, не имеющий кон­ тактов (бесконтактный выключатель).

Среди тиристоров выделяют два вида: динисторы и тринисторы.

Динистор — это тиристор с двумя электродами (выводами). Переход динистора из одного состояния в другое осуществляется изменением значения или поляр­ ности напряжения на выводах.

Тринистором называется тиристор, снабженный третьим электродом, который называется управляющим. Управляющий электрод позволяет с помощью неболь­ шого сигнала управления в виде импульса напряжения перевести тринистор из закрытого состояния в открытое при неизменном заданном напряжении на ос­ новных электродах. Обратный переход из открытого состояния в закрытое с помощью управляющего напряжения невозможен.

Структурно тиристор состоит из четырех или пяти чередую­ щихся слоев с электропроводностью р- и n-типа. Пятислойный тиристор называют симметричным.

Вчетырехслойной структуре тиристора (рис. 52) имеется два р-п- и один л-р-перехода. Взаимодействие их приводит к тому, что вольт-амперная характеристика тиристора имеет сложный вид: на ней можно выделить не только участки положительного, но и

отрицательного сопротивления, что определяет замечательные свойства этого прибора.

Ранее отмечалось, что управляющий электрод позволяет толь­ ко включить тиристор. Для его выключения, т. е. перевода из от­

г

< Г "

Ш '

X и Ы

-TL

 

 

—г +

 

■о £ о*

а)

 

5)

Рис. 52. Структуры динистора (а ) и тринистора (б)

крытого состояния в закрытое, необходимо уменьшить ток, проходящий через прибор, до малых значений. В цепях пере­ менного тока это происходит естественным путем при смене полярности питающего напря­ жения. В цепях постоянного тока для обратного переключе­ ния тиристора требуются спе­ циальные устройства, которые обычно строятся на базе тран-

зисторов и практически не влияют на срок службы, кпд и другие характеристики тиристора.

Транзисторы и тиристоры оказались весьма эффективными при замене электронно-вакуумных устройств, их применение дало воз­ можность решить ряд новых задач в радиоэлектронике.

Как известно, во многих случаях цепи с одним и тем же функ­ циональным назначением могут быть собраны как на транзисто­ рах, так и на тиристорах. Использование современной элементной базы позволяет разработать и применить в новой радиоэлектрон­ ной аппаратуре наиболее эффективные и экономичные устройства.

Транзисторы и тиристоры применяют в проводной связи, в телевидении и радиолокации, в радионавигации, автоматике и телемеханике, в вычислительной и измерительной технике. Широ­ ко применяют их и в радиотехнике, в том числе и в радиорелейной связи.

Особой областью применения мощных и сверхмощных (на токи в тысячи ампер и напряжения в тысячи вольт) тиристоров явля­ ется электроэнергетика. Возможность создания малогабаритных, надежных и экономичных статических преобразователей любых параметров тока открывает большие перспективы для дальней­ шего совершенствования систем передачи и распределения элек­ троэнергии, управления электроприводом, например, антенн на­ земных станций радиорелейной спутниковой связи.

Использование статических преобразователей постоянного то­ ка в переменный позволило создать резервные источники беспе­ ребойного питания радиорелейных станций на основе дизельгенераторных агрегатов и аккумуляторных батарей без примене­ ния инерционных накопителей энергии (маховиков).

Замена электромашинных преобразователей (умформеров) статическими преобразователями позволяет существенно повы­ сить надежность питания отдельных блоков радиорелейной ап­ паратуры, кпд и экономичность питающих систем и упростить их эксплуатацию.

Условные графические обозначения некоторых полупровод­ никовых приборов представлены на рис. 53.

Маркируют диоды ц и ф р а м и и б у к в а м и . Первая цифра или буква обозначает полупроводниковый материал; цифра 1 или буква Г означают германий; цифра 2 или буква К — кремний; цифра 3 или буква А — арсенид галлия.

На втором месте ставят букву, означающую класс диода: Д — выпрямитель­

ный; А — СВЧ-диод; В — варикап; С — стабилитрон; И — туннельный диод.

Три последующие цифры харак­ теризуют тип или область примене­ ния прибора: если цифры лежат в пределах 101—399, то диод предназ­ начен для выпрямления переменного тока; если в пределах 401 —499, то для работы в высокочастот-

-W- -ень -и- -й-

а) 5) 6) г) д)

Рис. 53. Условные графические обо­

значения

полупроводниковых

диодов:

а — выпрямительного; б СВЧ;

в —ва­

рикапа;

г — стабилитрона; д — туннель­

 

ного

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 54. Условные

обозначения

 

 

 

 

 

 

полевых транзисторов и тиристо­

 

 

 

 

 

 

ров:

 

 

 

 

 

 

 

а — полевой транзистор с управляю­

 

 

 

 

 

 

щим р-л-переходом и каналом л-ти-

 

 

 

 

 

 

па; б — то же, с каналом p-типа; в

а)

5)

5)

г)

д)

е)

полевой МДП-транзистор с каналом

л-типа; г — то же,

с каналом р-

 

 

 

 

 

 

типа; д— динистор;

е — тринистор

ных и сверхвысокочастотных цепях; если в пределах 501—599, то для работы в импульсных схемах; диоды, маркируемые цифрами 601—699, используются в ка­ честве конденсаторов с регулируемой емкостью (варикапы).

Последняя буква указывает на некоторые конструктивные или другие особен­ ности диода (разновидность прибора).

Например, маркировка КС 196В расшифровывается следующим образом: кремниевый стабилитрон для схем выпрямления переменного тока, разновид­ ность В.

Условные обозначения транзисторов и тиристоров приведены на рис. 54.

Их также маркируют ц и ф р а м и и б у к в а м и : значение первой буквы или цифры такое же, как и для диодов: буква на втором месте указывает класс прибора: Т — биполярный транзистор, П — полевой транзистор, Н — динистор, У — тринистор; последующие цифры характеризуют мощность, диапазон частот и номер разра­ ботки прибора; буква на последнем месте указывает технологический тип при­ бора.

$13. Колебательные системы

Среди задач радиотехники важное место занимают создание и усиление электри­ ческих колебаний разных частот, а также выделение колебаний одной частоты или группы частот из множества колебаний других частот.

Эти задачи решаются за счет применения генераторов, усили­ телей, фильтров, в устройство которых всегда входят колебатель­ ные системы.

Простейшей колебательной системой с сосредоточенными параметрами явля­ ется колебательный контур, состоящий из катушки индуктивности и конденса­ тора.

Конденсатор и катушка могут быть соединены параллельно или последовательно по отношению к источнику энергии (рис. 55), называясь соответственно параллельный или последовательный колебательный контур.

Если колебательный контур подключить к источнику электри­ ческих колебаний какой-либо частоты /, то в нем возникнут коле­ бания этой же частоты. В этом случае говорят, что контур работает в режиме вынужденных колебаний. Наилучшие условия работы контура будут тогда, когда частота колебаний источника совпа­ дает с резонансной частотой контура:

где /р= l/(2nVZc).

В этом случае индуктивное сопротивление XL равно емкост­

\ J c _ J
°)
Рис. 55. Параллельный (a) и последо­ вательный (6) колебательные контуры

ному сопротивлению Хс_ Фазы напряжения на индуктивности и емкости в последовательном контуре отличаются почти на 180°, а в параллельном — почти на 180° отличаются фазы токов, протекающих через катушку ин­ дуктивности и конденсатор.

Режим резонанса для по­ следовательного контура назы­

вают резонансом напряжений, а для параллельного резонансом токов. При резонансе напряжений ток в цепи контура достигает максимального значения и ограничивается только активным со­ противлением контура и возможностями источника энергии. При резонансе токов максимальны токи в ветвях контура (IL, /с ), об­ щий же ток в цепи Iо минимален, так как сопротивление контура при параллельном включении достигает максимума.

Следует отметить, что при резонансе (и тока, и напряжения) сопротивление контура становится чисто активным, равным г для последовательного и р= дД / С для параллельного контуров. В ветвях параллельного контура при резонансе протекают токи, значения которых в Q раз превышают /о. Q добротность кон­ тура. В последовательном контуре то же можно сказать о напряже­ ниях UL и

Если колебательному контуру сообщить «электрический тол­ чок», т. е. вывести его из электрического равновесия, например воздействовав (кратковременно) на катушку внешним магнитным полем, то в контуре возникнут свободные электрические колеба­ ния с частотой fр. Эти колебания будут затухать и тем быстрее, чем меньше добротность контура Q. Для получения незатухаю­ щих колебаний надо в определенные моменты времени возобнов­ лять «электрические толчки», как это делают в генераторах.

В усилителях колебательные контуры используют в качестве нагрузки, где с их помощью лучше всего усиливаются колебания тех частот, которые соответствуют резонансной частоте контура или немного отличаются от нее.

Из формулы для резонансной частоты контура видно, что чем больше значение частоты, тем меньше должны быть значения L и С. Так, для частот свыше 300 МГц эти значения настолько малы, что конструктивно выполнить колебательный контур из катушки и конденсатора, смонтировать его и настроить практически невоз­ можно. Поэтому на частотах выше 300 МГц применяют колеба­ тельные контуры с распределенными параметрами отрезки ко­ аксиальных линий и волноводов.

В таких колебательных

контурах индуктивность и емкость распределены

по длине коаксиальной линии

(волновода).

§14. Контактные устройства

Контактные устройства — это такие электрорадиоэлементы, которые обеспе­ чивают прохождение тока за счет механического соединения (соприкосновения) двух металлических деталей — контактной пары — и прекращение тока при раз­ делении этих деталей.

Контактные устройства по принципу действия контактной пары бывают неразъемные, служащие для постоянного соединения или чрезвычайно редкого разъединения электрических цепей (запа­ янные, зажимные контакты и т. п.), разъемные, служащие для периодического соединения и разъединения обесточенных элект­ рических цепей (разъемы, соединители, ламповые панели), сколь­ зящие — для создания постоянного электрического контакта между двумя деталями, перемещающимися относительно друг друга (движки реостатов, потенциометров), и разрывные — для периодического замыкания (размыкания) и соединения (разъеди­ нения) электрических цепей с током (выключатели, переключа­ тели, реле, герконы). Условные графические обозначения контакт­ ных устройств показаны на рис. 56.

На схемах и в спецификациях контактные устройства обозначают кодом, со­ стоящим из букв и цифр: Р — разъем, Ш — штырь, Г — гнездо. Цифра, следую­ щая за буквой, означает место установки контакта: 1 — в приборах, 2 — в кабе­ лях, а буква, следующая за цифрой (Н, В), дополняет характеристику места установки (низкочастотный, высокочастотный). Далее указывают вариант испол­ нения 1—1,..., 1—30 и номер технических условий. Например, запись РШ1В — 1—2 0Ю0.364.002 ТУ означает — разъем штыревой высокочастотный, вариант исполнения 1—2, соответствует техническим условиям 0Ю0.364.002.

Конструкция контактного устройства (рис. 57) зависит от его функционального назначения, но во всех устройствах (кроме не­ разъемных) имеются пружина /, обеспечивающая необходимое контактное усилие, с которым соприкасаются элементы контакт­ ной пары, изоляционные элементы 5, элементы перемещения и фиксации 2, элементы защиты от воздействия окружающей среды, а также элементы крепления и включения в электрическую схему.

Одним из наиболее распространенных элементов схем связи является реле.

Реле — элемент, который обеспечивает скачкообразное изменение выходного сигнала при подаче на вход управляющего сигнала.

По существу реле разновидность усилителя, т. е. устройства, в котором маломощный входной сигнал управляет мощным выход­ ным сигналом.

а)

Рис. 56. Условные графические обозначения контактных устройств:

а замыкающий контакт; б — размыкающий контакт; в — штырь и гнездо разъемного соединения; г выключатель

Принципы

работы

реле

р

разнообразны.

Рассмотрим

 

электромагнитное реле, дей­

 

ствие которого основано на

 

перемещении

контактов

под

 

действием механической

си­

 

лы, создаваемой электромаг­ Рис. 57. Конструкция разрывного разомк­

нитом. При всем разнообра­

нутого (а ) и замкнутого (б) контакта

зии конструкций электромаг­

 

нитных реле в них можно выделить общие детали, с помощью кото­ рых реализуется принцип их работы.

На сердечнике из электротехнической стали располагается обмотка, по которой проходит ток управления. Сердечник с об­ моткой образуют электромагнит, притягивающий подвижный якорь. При обесточении электромагнита якорь под действием пру­ жины возвращается в исходное положение. С якорем связаны контакты, которые, перемещаясь, входят в соприкосновение с не­ подвижными контактами, приваренными к упругим пластинкам из фосфористой бронзы. Все металлические детали крепятся на эбо­ нитовом (или из другого непроводящего материала) основании. На этом же основании расположены зажимы, один из которых электрически соединен с неподвижным контактом, а другой — с подвижным. Вместо зажимов от контактов могут быть выведены пронумерованные или обозначенные различным цветом провода.

Реле срабатывает (замыкает или размыкает контакты) при определенном значении тока в обмотке электромагнита. Это зна­ чение называется током срабатывания. Для получения надеж­ ного контакта обмотку сердечника реле питают током, который в 3—4 раза превышает ток срабатывания.

Время срабатывания реле определяется скоростью нарастания тока в обмотке сердечника и временем движения якоря. Обычно оно равно сотым или десятым долям секунды.

Ток, при котором якорь под действием пружины отрывается от сердечника называется током отпускания.

Вследствие гистерезиса магнитной системы реле ток отпуска­ ния оказывается в несколько раз меньше тока срабатывания.

Электромагнитное реле можно сделать чувствительным к по­ лярности напряжения, подводимого к обмотке сердечника. Это достигается некоторым усложнением конструкции и подмагничиванием сердечника с помощью встроенного постоянного магнита. При этом управляющее напряжение положительной полярности вызывает замыкание одной пары контактов, при изменении по­ лярности напряжения якорь отклоняется в противоположную сторону и замыкает другую пару контактов. Такое реле называ­ ется поляризованным.

В практике нередко возникает необходимость включать элек­ трические цепи в определенном порядке, последовательно во вре-

R

/

Рис. 58. Схема реле времени

5)

Рис. 59. Герметичный кон­ такт, управляемый посто­

янным магнитом

мени. Эта задача решается с помощью реле, контакты которого замыкаются не сразу после подачи управляющего напряжения, а через некоторое время, превышающее' время срабатывания реле.

Реле, у которого замыкание (размыкание) контактов происходит с необходи­ мой задержкой, называется реле времени.

Возможная схема реле времени изображена на рис. 58. При подаче управляющего напряжения £/„х на вход цепи напряжение на конденсаторе С повышается постепенно, по мере его зарядки. Обмотка реле Р подсоединена параллельно конденсатору, поэтому реле сработает, когда напряжение конденсатора достигнет опре­ деленного значения. Время срабатывания можно регулировать, изменяя значения R и С.

Еще одна разновидность реле — магнитоуправляемые кон-

такты, заключенные в герметичный корпус (герконы) (рис. 59). В стеклянную ампулу 1 впаяны две пластины 2 из магнитомяг­ кого материала, покрытые тонким слоем металла с высокой элек­ тропроводимостью. Ампула во избежание окисления контактов заполнена инертным газом. Пластины, обладающие определен­ ной механической упругостью, монтируют таким образом, что ме­ жду их контактирующими концами остается зазор (рис. 59, а). Если к геркону поднести постоянный магнит 3 (рис. 59, б), то пла­ стины намагничиваются и притягиваются друг к другу.

Вместо постоянного магнита можно использовать обмотку 1, размещенную на ампуле 2 (рис. 60). При подаче в обмотку управ­ ляющего тока возникает магнитное поле и через пластинки 3 за­ мыкается магнитный поток. Намагниченные таким образом пла­ стинки притягиваются, образуя контактное соединение.

Чтобы реле работало на размыкание контактов, на ампуле 1 монтируют постоянный магнит который замыкает контакты 3 в отсутствие управляющего сигнала (рис. 61). Катушка 2 намотана так, что ее магнитное поле направлено встречно магнитному по­ лю постоянного магнита. При подаче в катушку управляющего тока магнитные поля компенсируются и пластины расходятся под действием упругих сил.

70

Соседние файлы в папке книги