Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Технологическое проектирование микросхем СВЧ

..pdf
Скачиваний:
9
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
15.12 Mб
Скачать

Х арактеристика плат,

М арш рут изготовления

Э Р К и МЭИ СВЧ

тонкопле­

толстопле­

 

ночные

ночные

М н о г о п л а т н ы е к о н с т р у к ц и и

 

- рамочные с пайкой плат на титановую пла­

 

 

стину с последующей установкой их на общее

 

 

основание и установкой его в алюминиевый

 

1 1 а

корпус

 

- рамочные с пайкой п лат на титановые

 

 

экранные перегородки с последующей установ­

 

116

кой их в корпус из титанового сплава

 

- чаш ечные с пайкой п лат на рамки и меха­

 

11в

ническим закреплением их на дне корпуса

 

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Бушмимский И М ., Гудков А .Г ., Д ерганее В.Ф . Конструкторское проектирование микросхем СВЧ / Под ред. И.П. Бушминского. М.: Издво МГТУ нм. Н .Э. Баумана, 1991.

Бушмимский И М ., Морозов Г .В . Технология гибридных интеграль­ ных схем СВЧ. М.: Высш. ш к., 1980.

Красов В .Г ., Петраускас Г. Б ., Чермоэубов Ю .С . Толстопленочная технология в СВЧ-микроэлектронике. М.: Радио и связь, 1985.

М икроэлектронные устройства СВЧ / Под ред. Г.И . Веселова. М.: Высш. шк., 1988.

Филатов И М ., Бакрумов О .А ., Панасенко П .В . М икроэлектронные СВЧ-устройства / Под ред. Л.А . Коледова. М.: Высш . ш к., 1987.

П редисловие.

 

g

В ведение...............

 

«-

Глава Î, Элементы и микросхемы СВЧ

g

1.1 . Терминология и классификация МЭИ С В Ч .

g

1 .2 . Линии передачи С В Ч .

 

29

1.3. Диэлектрические м атериалы микрополосковых плат

3 4

1.4. Полупроводниковые ИС СВЧ

 

42

Глава 2. Конструктивно-технологические свойства

 

тонкопленочных элементов и многослойных

 

структур

 

58

2 .1 . Общая характеристика процессов осаждения пленок в вакууме

59

2 .2 . Влияние технологических параметров осаждения на свойства

 

металлических пленок4и многослойных проводниковых

 

с т р у к т у р ............

 

67

2.3. Влияние технологических параметров осаждения на свойства

 

резистивных и диэлектрических п л ен о к .....................

86

Глава 3. Конструктивно-технологические свойства

 

толстопленочных элементов.......................................

110

3.1. Состав, структура и свойства паст

ПО

3.2. Технологические процессы получения толстопленочных

 

эл ем ен то в ....................................................................................................

 

116

3.3. Влияние технологических параметров на свойства

 

толстолленочных элементов

. . .

130

Глава 4- Технологические процессы формирования

 

топологии пленочных элементов

153

4.1. Формирование фоторезистивной маски . .

155

4.2. Травление . . .

 

164

4.3. Электрохимическое осаждение

 

176

Глава 5. Технологические процессы и точность размерной

 

обработки подложек

 

181

5.1. Способы разделения подложек . .

 

182

5.2. Способы получения отверстий

 

192

Глава 6. Способы улучш ения электрических параметров

 

пленочных элементов

 

197

6 .1 . Конструктивные способы . . .

 

199

6 .2 . Технологические способы. . .

. . . . . . .

199

6.3. Выбор стратегии доводки электросопротивления пленочных

 

резисторов . .

 

215

Глава 7. М етоды формирования конструктивно-технологиче­

 

ских свойств сборочно-монтажны х соеди н ен и й .

218

7.1. Монтаж ЭР К и полупроводниковых приборов и

 

соединительных элементов.

 

219

7.2. Корпусирование .

 

236

7.3. Герметизация корпуса и проверка герметичности

247

Глава 8. М ЭИ СВЧ как объект производства

265

8 .1 . Характеристика конструкций МЭИ СВЧ .

266

8 .2 . Материалы МЭИ СВЧ и способы их обработки . . .

273

8.3. Технологическое оборудование .

 

281

8.4. Технологические маршруты изготовления МЭИСВЧ . . .

285

8.5. Состав и квалификация ИТР и рабочих..............

286

8 .6 . Производственные и технологические среды .

294

8.7. Технологическая документация

 

302

Глава 9. Влияние условий эксплуатации на изменение

 

свойств элементов М ЭИ

СВЧ ..............

307

9.1. Процессы, приводящие к ухудшению свойств пленочных

 

элементов и структур

 

308

9.2. Изменение характеристик пленочных элементов при

 

эксплуатации

 

316

9.3. Влияние состава воздушной среды на электрические и

 

эксплуатационные свойства элементов .

327

Заключение . .

 

334

П рилож ения.

 

336

I. Составы растворов для травления некоторых материалов .

336

II.Состав газов и характеристика систем травления некоторых материалов, применяемых в производстве ГИС и

полупроводниковых ИС СВЧ . . .

337

III. Составы электролитов и растворов, применяемых

 

для осаждения металлов и сплавов в производстве ГИС С В Ч .

338

IV. Состав и техническая характеристика основного

 

технологического оборудования, используемого в

 

производстве М ЭИ С В Ч .......................................

340

V. Х арактеристика конструкций плат и МЭИ СВЧ и рекомендации

 

по выбору м ар ш р у та их изготовления.....................

349

Список литературы .

352

Бушминский Игорь Петрович Морозов Георгий Валерьевич

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ

ПРОЕКТИРОВАНИЕ МИКРОСХЕМ СВЧ

Редактор Н .Е. Овчеренко Художник С.С. Водчиц Корректор О. В, Калаш никова

Компьютерная верстка В.И . Товст оног

Оригинал-макет подготовлен в Издательстве МГТУ им. Н.Э. Баумана

Лицензия ЛР №020523 от 25.04.97. Подписано в печать 08.02.2001.

Формат 60x90Vie. Печать офсетная. Гарнитура Computer Modern. Бумага офсетная №1.

Уел. печ. л. 22,25. Уч.-изд. л. 22,03. Тираж 1000 экз. Заказ 4748

Издательство МГТУ им. Н. Э. Баумана. 107005, Москва, 2-я Бауманская, 5.

Отпечатано в Производственно-издательском комбинате ВИНИТИ, 140010, г. Люберцы, Московской обл., Октябрьский пр-т, 403.

Тел. 554-21-86

ISBN 5-7038*1687-4

Соседние файлы в папке книги