Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Силовые полупроводниковые приборы

..pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
20.44 Mб
Скачать

Таблица 5.8. Характеризующие параметры диодов

Параметр

Д133-400;

Д143-630;

Д253-1600

Д 133-500;

Д143-800;

-

Д 133-800

Д143-1000

Импульсное прямое напряжение UFM , В, не более (Tj = 25 “С, IF = 3,14 IFAут)

Пороговое напряжение V (Fo ь В, не более Ю II 3

Дифференциальное сопротивление ту, мОм, не более (Т} = Tjm)

Повторяющийся импульсный обратный ток

IRRM, «А, не более (7} = Tjm. UR = VRRM)

Заряд восстановления Q„. мкКл, не более

(T j= T Jm,

lF = IFAVm, t/j* =

100 В,

diF/dt =

= —5 А/мкс,

I, > 500 мкс)

 

 

Время

обратного восстановления

irr, мкс,

не более (условия, как для Qrr)

 

Тепловое

сопротивление

переход —корпус

Rthjc-> °С/Вт, не более (постоянный ток)

Тепловое

сопротивление

переход—анод-

ный вывод корпуса RfhjcAy °С/Вт, не более (постоянный ток)

Тепловое сопротивление переход —катод- ный вывод корпуса RthJCK*°С/Вт, не более (по­ стоянный ток)

Вероятность безотказной работы за 25000 ч Масса, кг, не более

2,1,

2,1;

1,5

1,7;

1,7,

 

1,6

1,55

 

1,0,

1,0;

1,0

1,0;

1,0;

 

1,0

0,9

 

0,95;

0,65;

0,12

0,57;

0,32;

 

0,27

0,26

 

50;

50;

100

50;

50;

 

50

75

 

1400;

1500;

1200

1000,

1200,

 

600

700

 

40,

40;

30

35;

35;

 

25

30

 

0,045

0,034

0,022

0,08

0,065

0,044

0,1

0,07

0,044

 

0,97

 

0,22

0,30

0,60

Таблица 5.9. Рекомендуемые охладители и нагрузочная

способность

днодоп

 

 

lFAVm- А, при

 

 

Тип диода

Тип

Га = 40°С и

 

 

 

 

Rfhcb

С/Вт

охладителя

естественном

 

 

 

скорости

 

 

 

охлаждении

воздуха 6 м/с

 

Д 133-400

0143-150

130

320

0,015

Д 133-500

0143-150

180

450

0,015

Д 143-630

0243-150

240

480

0,01

Д 133-800

0143-150

230

590

0,015

Д 143-800

0243-150

320

650

0,01

Д143-1000

0243-150

400

820

0,01

Д253-1600

0153-150

430

980

0,005

101

Рнс.

S.15. Предельные прямые

характеристики диодов при Т, = 25 °С

(1) и

 

 

Т, = Tjm (2):

 

а -

Д133-400; б - Д133-500; в -

Д133-800; г - Д143-630; д - Д143-800; е -

Д143-

 

1000; ж - Д253-1600

 

102

Рис. S.17. Зависимость времени обратного восстановления t„, or

скорости

спада прямого тока - diF j dt при 7} = Tjm, UR = 100 В, IF = IFAVm

для всех

типов диодов § 5.3

 

Рис. 5.18. Зависимость заряда восстановления Qrr* от скорости сиада ирямого тока — dif/dt при 7) = Тщ, и ц 100 В, If = fFA Vm Дли всех типов дио­ дов $ 5.3

103

тока 1р$м от

длительности

иерегрузки t

при

Т , - 25 “С

(/) и Т, = Т,„

(2),

а - Д 133-400,

6 —Д133-500;

V u u f i f - » Ь :

д-Д 143-800,

е -

«-Д133-800;

г -

Д143-630,

Д143-1000; ж — Д253-1600

Рис. 5.20. Переходные тепловые со­ противления иереход - корпус

(5) и переход-среда tJa при ско­ ростях охлаждающего воздуха 0 м/с (/), 3 м/с (2), 0 м/с (3) п 12 м/с (4): а — Д 133-400, Д 133-500 и Д133-800 (охладитель 0143-150); б —Д 143-630, Д143-800 и Д143-1000 (охладитель 0243-150); в —Д253-1600 (охлади­

тель 0153-150)

104

5.4. ДИОДЫ ТИПОВ BIO, В25, В50, В200, В320

Диоды типов BIO, В25, В50, В200, В320 (ТУ 16-529.765-73) * пред­

назначены для электротехнических и

радиоэлектронных

устройств

в цепях постоянного и переменного

тока частотой до

500 Гц.

Диоды выпускаются в климатических исполнениях УХЛ и Т, кате­ гории размещения 2 по ГОСТ 15150-69 и ГОСТ 15543-70 и допускают эксплуатацию при температуре окружающей среды от —60 до +45 °С. Диоды допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне ча­ стот 1 —100 Гц с ускорением 49 м/с2 и многократных ударов длитель­

ностью 2—15 мс с ускорением 147 м/с2.

 

 

 

 

 

Анодом диодов является гибкий вывод, катодом —медное основа­

ние.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Предельно

допустимые

значения

параметров диодов приведены

в табл. 5.10, характеризующие параметры —в табл.

5 11, типы

реко-

 

Таблица 5 10

Предельно допустимые значеппя

параметров диодов

 

 

 

 

Параметр

 

 

 

В10

В25

В50

В200;

 

 

 

 

 

 

 

В320

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Повторяющееся

импульсное

обратное

 

150--1600

 

 

напряжение 2/ддд/, В (диапазон темпера-

 

 

 

 

 

тур от T]mm до TJm, импульсы напряже-

 

 

 

 

 

ния

однополупериодные

синусоидальные

 

 

 

 

 

t =

10 мс, / =

50

Гц)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Максимально допустимый средний пря-

10

25

50

 

200;

мой

ток

IfAVm,

А

(Тс =

100° С,

ток

од-

 

 

 

 

320

нолупериодный

синусоидальный,

угол

 

 

 

 

 

проводимости

Р = 180°, / = 50 Гц)

 

16

40

 

 

 

Действующий

прямой

ток

IFR M S> а

80

 

320,

(/= 5 0 Гц)

 

 

 

 

 

 

 

0,6

0,99

 

 

500

Ударный неповторяющийся прямой

ток

2,2

 

6,6

IFSM * кА (ток однополупериодный си-

 

 

 

 

 

нусоидальный, одиночный импульс t = 10 мс,

 

 

 

 

 

UR = 0,

Tj = 25 °С)

 

 

 

 

 

0,55

0,9

 

 

 

То же

при Tj =

TJm

°С:

 

 

 

2,0

 

6,0

Температура

перехода,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

максимально

допустимая

Tjm

 

 

 

140

 

 

 

минимально

допустимая

Tjmin

 

 

-50*

 

 

Температура

хранения,

°С:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

максимально

допустимая

Tstgm

 

 

 

60

 

 

 

минимально

допустимая

Tstgmm

 

 

-50*

 

 

Крутящий момент, Н м

 

 

 

10

10

40

 

50;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

60

* Для В200 —минус 60 °С.

мендуемых охладителей и нагрузочная способность диодов —в табл. 5.12, зависимости параметров от различных условий —на рис. 5.22—5.27, габаритные и присоединительные размеры диодов —на рис. 5.21.

* В новых разработках не применять.

105

Рис. 5.21. Габаритные н установочные размеры диодов BIO, В25, В50, В200, В320, мм

Размер

в ю

В25

В50

В200

В320 •

D

0 2 4

030,5

035,5

045,5

0 6 0

 

Е

22

27

32

41

55

 

I

45

60

65

95

120

 

М

10

10

14,5

24

24

 

N

14

16

15

15

20

 

О

100 + 10

125 + 12

150+15

250 + 25

250

+ 25

Т

04,3+°>3

06,4+°.36

08 ,4 + 0.36

010,5 +0’43

010,5+0,43

W

М8

М10

М20 х 1,5

М20 х 1,5

М30 х 1,5

Рис. 5.22.

Пре­

дельные

прямые

характеристики

диодов

при

Tj =

= 25 °С (/) и

Tj =

= Tjm

(2):

а -

В10; б —В25; в - В50; г —В200; д — В320

106

Рис. 5.23. Зависимости допустимой амплитуды ударного иеповторяющегося тока IF SM от длительности импульса tt при T j—25 °С (/) Н Tj = Tjm

UR =0:

а - В10; б - В25; в - В50; г - В200, В320

Рис. 5.24. Зависимости допустимой амплитуды ударного иеповторяющегося

тока IF S M от длительности

перегрузки

t

при

Tj = 25 °С (/) и T j= T jm (2),

UR

=0,8 UR R m , /

= 50 Гц:

а - В10; б

- В25; в -

В50; г -

В200, В320

107

Рис. 5.25. Зависимости времени обратного

восстановления

t„

от скорости

слада

прямого тока —dipldt при

T j — Tjm , t/д =100

В:

а - В10; 6 —В25;

в - В50, г - В200;

d -

В320, 1 - 1р =

0,5

IFAVm; 2 -

 

IF = IFAVm’>3 - I p

=

1,5 IFA Vm

 

 

Рис. 5.26. Зависимости

заряда восстановления

Q „ от скорости спада

прямого

тока —d ip ld t при Т} = Tjm,

UR = 100 В:

 

а-В Ю ; 6-В 25; в -

В320; г-В200;

д -

В50; 1 - 1 р = 0,5 IFAvml

2 - J p =

 

= h A V m : з -

Ip=

1,5 IpAVm

 

108

Рис. 5.27. Переходные тепловые сопротивления переход —корпус а - В10; б - В25; в - В50; г - В200; д - В320

109

 

 

 

Таблица 5 11 Характеризующие параметры диодов

 

 

 

 

 

Параметр

 

 

 

В10

В25

В50

В200;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В320

Импульсное прямое напряжение URM, В,

1,35

1,35

1,35

1,35,

не

более

(7) = 25°С, IF = 3,14 iFAVm)

 

 

 

 

1,60

Пороговое напряжение 1}(Т0)-> В»

не

0,9

0,9

0,9

0,92;

более ( 7 ) = TJm)

 

 

сопротивление

 

12,7

5,0

2,54

1,08

Дифференциальное

гг,

0,684,

мОм, не более ( 7 ) = Tjm)

 

 

 

 

 

 

0,50

Повторяющийся

импульсный

обратный

5

5

5

8,

ток

IR R M ,

мА.

не

более

 

(Tj = Tjm

 

 

 

20

UR = UR R M )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Заряд восстановления Qrr, мкКл, не

40

120

270

300;

более (T j= T jm,

IF = IFA Vm,

UR = 100

В,

 

 

 

500

dif/dt = —5 А/мкс,

(, > 50 мкс)

 

 

 

 

 

 

Время обратного восстановления tn ,

7

10

15

15;

мкс, не более (условия как для Qrr)

 

 

 

15

Тепловое сопротивление переход-корпус

1,5

1,0

0,6

0,13;

Rthja °С/Вт, не более (постоянный ток)

 

0,97

 

0,09

Вероятность

безотказной

работы

за

 

 

 

10000 ч

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Масса,

кг,

не

более

 

 

 

 

0,045

0,084

0,19

0,46;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,8

Таблица

5.12.

Рекомендуемые

охладители и иагрузочпаи способность

диодов

 

 

 

 

 

 

Тип

 

IF AVm, А, при

Та = 40 °С и

 

 

 

Тнп диода

 

 

 

естественном

скорости

^thcfo

°С/Вт

 

 

охладителя

 

 

 

 

 

 

 

 

охлаждении

воздуха 6 м/с

 

 

 

ВЮ

 

 

 

ОМ-001

 

 

 

10

 

0,05

 

В25

 

 

 

ОМ-002

 

 

-

25

0,04

 

В50

 

 

 

ОА-049

 

 

 

-

60

0,03

 

В200

 

 

 

0171-80

 

 

-

160

0,02

 

В320

 

 

 

ОА-016

 

 

 

200

0,01

5.5. ДИОДЫ ТИПОВ В2-320, В500, В800, В2-1600

Диоды (ТУ 16-529.903-74)* предназначены для применения в ста­ тических преобразователях электроэнергии, а также в цепях постоян­ ного и переменного тока различных силовых установок частоты до

500Гн.

Диоды выпускаются в климатических исполнениях У, категории

размещения 2 и Т, категории размещения 3 (В2-1600, кроме того, ХЛ2) по ГОСТ 15150-69 и ГОСТ 15543-70 и допускают эксплуатацию при температуре окружающей среды от -50 (-60 для В2-1600) до +45°С. Диоды допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне ча­ стот 1 —100 Гц с ускорением 49 м/с2 (9,8 м/с2 для В2-1600) и много-

* В новых разработках не применять.

110