книги / Силовые полупроводниковые приборы
..pdfТаблица 5.8. Характеризующие параметры диодов
Параметр |
Д133-400; |
Д143-630; |
Д253-1600 |
Д 133-500; |
Д143-800; |
||
- |
Д 133-800 |
Д143-1000 |
Импульсное прямое напряжение UFM , В, не более (Tj = 25 “С, IF = 3,14 IFAут)
Пороговое напряжение V (Fo ь В, не более Ю II 3
Дифференциальное сопротивление ту, мОм, не более (Т} = Tjm)
Повторяющийся импульсный обратный ток
IRRM, «А, не более (7} = Tjm. UR = VRRM)
Заряд восстановления Q„. мкКл, не более
(T j= T Jm, |
lF = IFAVm, t/j* = |
100 В, |
diF/dt = |
|
= —5 А/мкс, |
I, > 500 мкс) |
|
|
|
Время |
обратного восстановления |
irr, мкс, |
||
не более (условия, как для Qrr) |
|
|||
Тепловое |
сопротивление |
переход —корпус |
||
Rthjc-> °С/Вт, не более (постоянный ток) |
||||
Тепловое |
сопротивление |
переход—анод- |
ный вывод корпуса RfhjcAy °С/Вт, не более (постоянный ток)
Тепловое сопротивление переход —катод- ный вывод корпуса RthJCK*°С/Вт, не более (по стоянный ток)
Вероятность безотказной работы за 25000 ч Масса, кг, не более
2,1, |
2,1; |
1,5 |
1,7; |
1,7, |
|
1,6 |
1,55 |
|
1,0, |
1,0; |
1,0 |
1,0; |
1,0; |
|
1,0 |
0,9 |
|
0,95; |
0,65; |
0,12 |
0,57; |
0,32; |
|
0,27 |
0,26 |
|
50; |
50; |
100 |
50; |
50; |
|
50 |
75 |
|
1400; |
1500; |
1200 |
1000, |
1200, |
|
600 |
700 |
|
40, |
40; |
30 |
35; |
35; |
|
25 |
30 |
|
0,045 |
0,034 |
0,022 |
0,08 |
0,065 |
0,044 |
0,1 |
0,07 |
0,044 |
|
0,97 |
|
0,22 |
0,30 |
0,60 |
Таблица 5.9. Рекомендуемые охладители и нагрузочная |
способность |
днодоп |
|||
|
|
lFAVm- А, при |
|
|
|
Тип диода |
Тип |
Га = 40°С и |
|
|
|
|
|
Rfhcb |
С/Вт |
||
охладителя |
естественном |
|
|||
|
|
скорости |
|
||
|
|
охлаждении |
воздуха 6 м/с |
|
|
Д 133-400 |
0143-150 |
130 |
320 |
0,015 |
|
Д 133-500 |
0143-150 |
180 |
450 |
0,015 |
|
Д 143-630 |
0243-150 |
240 |
480 |
0,01 |
|
Д 133-800 |
0143-150 |
230 |
590 |
0,015 |
|
Д 143-800 |
0243-150 |
320 |
650 |
0,01 |
|
Д143-1000 |
0243-150 |
400 |
820 |
0,01 |
|
Д253-1600 |
0153-150 |
430 |
980 |
0,005 |
101
Рнс. |
S.15. Предельные прямые |
характеристики диодов при Т, = 25 °С |
(1) и |
|
|
Т, = Tjm (2): |
|
а - |
Д133-400; б - Д133-500; в - |
Д133-800; г - Д143-630; д - Д143-800; е - |
Д143- |
|
1000; ж - Д253-1600 |
|
102
Рис. S.17. Зависимость времени обратного восстановления t„, or |
скорости |
спада прямого тока - diF j dt при 7} = Tjm, UR = 100 В, IF = IFAVm |
для всех |
типов диодов § 5.3 |
|
Рис. 5.18. Зависимость заряда восстановления Qrr* от скорости сиада ирямого тока — dif/dt при 7) = Тщ, и ц — 100 В, If = fFA Vm Дли всех типов дио дов $ 5.3
103
тока 1р$м от |
длительности |
иерегрузки t |
при |
Т , - 25 “С |
(/) и Т, = Т,„ |
(2), |
а - Д 133-400, |
6 —Д133-500; |
V u u f i f - » Ь : |
д-Д 143-800, |
е - |
||
«-Д133-800; |
г - |
Д143-630, |
Д143-1000; ж — Д253-1600
Рис. 5.20. Переходные тепловые со противления иереход - корпус
(5) и переход-среда tJa при ско ростях охлаждающего воздуха 0 м/с (/), 3 м/с (2), 0 м/с (3) п 12 м/с (4): а — Д 133-400, Д 133-500 и Д133-800 (охладитель 0143-150); б —Д 143-630, Д143-800 и Д143-1000 (охладитель 0243-150); в —Д253-1600 (охлади
тель 0153-150)
104
5.4. ДИОДЫ ТИПОВ BIO, В25, В50, В200, В320
Диоды типов BIO, В25, В50, В200, В320 (ТУ 16-529.765-73) * пред
назначены для электротехнических и |
радиоэлектронных |
устройств |
в цепях постоянного и переменного |
тока частотой до |
500 Гц. |
Диоды выпускаются в климатических исполнениях УХЛ и Т, кате гории размещения 2 по ГОСТ 15150-69 и ГОСТ 15543-70 и допускают эксплуатацию при температуре окружающей среды от —60 до +45 °С. Диоды допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне ча стот 1 —100 Гц с ускорением 49 м/с2 и многократных ударов длитель
ностью 2—15 мс с ускорением 147 м/с2. |
|
|
|
|
||||||||||
|
Анодом диодов является гибкий вывод, катодом —медное основа |
|||||||||||||
ние. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Предельно |
допустимые |
значения |
параметров диодов приведены |
||||||||||
в табл. 5.10, характеризующие параметры —в табл. |
5 11, типы |
реко- |
||||||||||||
|
Таблица 5 10 |
Предельно допустимые значеппя |
параметров диодов |
|
||||||||||
|
|
|
Параметр |
|
|
|
В10 |
В25 |
В50 |
В200; |
||||
|
|
|
|
|
|
|
В320 |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Повторяющееся |
импульсное |
обратное |
|
150--1600 |
|
|
||||||||
напряжение 2/ддд/, В (диапазон темпера- |
|
|
|
|
|
|||||||||
тур от T]mm до TJm, импульсы напряже- |
|
|
|
|
|
|||||||||
ния |
однополупериодные |
синусоидальные |
|
|
|
|
|
|||||||
t = |
10 мс, / = |
50 |
Гц) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Максимально допустимый средний пря- |
10 |
25 |
50 |
|
200; |
|||||||||
мой |
ток |
IfAVm, |
А |
(Тс = |
100° С, |
ток |
од- |
|
|
|
|
320 |
||
нолупериодный |
синусоидальный, |
угол |
|
|
|
|
|
|||||||
проводимости |
Р = 180°, / = 50 Гц) |
|
16 |
40 |
|
|
|
|||||||
Действующий |
прямой |
ток |
IFR M S> а |
80 |
|
320, |
||||||||
(/= 5 0 Гц) |
|
|
|
|
|
|
|
0,6 |
0,99 |
|
|
500 |
||
Ударный неповторяющийся прямой |
ток |
2,2 |
|
6,6 |
||||||||||
IFSM * кА (ток однополупериодный си- |
|
|
|
|
|
|||||||||
нусоидальный, одиночный импульс t = 10 мс, |
|
|
|
|
|
|||||||||
UR = 0, |
Tj = 25 °С) |
|
|
|
|
|
0,55 |
0,9 |
|
|
|
|||
То же |
при Tj = |
TJm |
°С: |
|
|
|
2,0 |
|
6,0 |
|||||
Температура |
перехода, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
максимально |
допустимая |
Tjm |
|
|
|
140 |
|
|
|||||
|
минимально |
допустимая |
Tjmin |
|
|
-50* |
|
|
||||||
Температура |
хранения, |
°С: |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
максимально |
допустимая |
Tstgm |
|
|
|
60 |
|
|
|||||
|
минимально |
допустимая |
Tstgmm |
|
|
-50* |
|
|
||||||
Крутящий момент, Н м |
|
|
|
10 |
10 |
40 |
|
50; |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
60 |
* Для В200 —минус 60 °С.
мендуемых охладителей и нагрузочная способность диодов —в табл. 5.12, зависимости параметров от различных условий —на рис. 5.22—5.27, габаритные и присоединительные размеры диодов —на рис. 5.21.
* В новых разработках не применять.
105
Рис. 5.21. Габаритные н установочные размеры диодов BIO, В25, В50, В200, В320, мм
Размер |
в ю |
В25 |
В50 |
В200 |
В320 • |
|
D |
0 2 4 |
030,5 |
035,5 |
045,5 |
0 6 0 |
|
Е |
22 |
27 |
32 |
41 |
55 |
|
I |
45 |
60 |
65 |
95 |
120 |
|
М |
10 |
10 |
14,5 |
24 |
24 |
|
N |
14 |
16 |
15 |
15 |
20 |
|
О |
100 + 10 |
125 + 12 |
150+15 |
250 + 25 |
250 |
+ 25 |
Т |
04,3+°>3 |
06,4+°.36 |
08 ,4 + 0.36 |
010,5 +0’43 |
010,5+0,43 |
|
W |
М8 |
М10 |
М20 х 1,5 |
М20 х 1,5 |
М30 х 1,5 |
Рис. 5.22. |
Пре |
|
дельные |
прямые |
|
характеристики |
||
диодов |
при |
Tj = |
= 25 °С (/) и |
Tj = |
|
= Tjm |
(2): |
а - |
В10; б —В25; в - В50; г —В200; д — В320
106
Рис. 5.23. Зависимости допустимой амплитуды ударного иеповторяющегося тока IF SM от длительности импульса tt при T j—25 °С (/) Н Tj = Tjm (Д
UR =0:
а - В10; б - В25; в - В50; г - В200, В320
Рис. 5.24. Зависимости допустимой амплитуды ударного иеповторяющегося
тока IF S M от длительности |
перегрузки |
t |
при |
Tj = 25 °С (/) и T j= T jm (2), |
UR |
=0,8 UR R m , / |
= 50 Гц: |
||
а - В10; б |
- В25; в - |
В50; г - |
В200, В320 |
107
Рис. 5.25. Зависимости времени обратного |
восстановления |
t„ |
от скорости |
||
слада |
прямого тока —dipldt при |
T j — Tjm , t/д =100 |
В: |
||
а - В10; 6 —В25; |
в - В50, г - В200; |
d - |
В320, 1 - 1р = |
0,5 |
IFAVm; 2 - |
|
IF = IFAVm’>3 - I p |
= |
1,5 IFA Vm |
|
|
Рис. 5.26. Зависимости |
заряда восстановления |
Q „ от скорости спада |
прямого |
||
тока —d ip ld t при Т} = Tjm, |
UR = 100 В: |
|
|||
а-В Ю ; 6-В 25; в - |
В320; г-В200; |
д - |
В50; 1 - 1 р = 0,5 IFAvml |
2 - J p = |
|
|
= h A V m : з - |
Ip= |
1,5 IpAVm |
|
108
Рис. 5.27. Переходные тепловые сопротивления переход —корпус а - В10; б - В25; в - В50; г - В200; д - В320
109
|
|
|
Таблица 5 11 Характеризующие параметры диодов |
|
|||||||||
|
|
|
|
Параметр |
|
|
|
В10 |
В25 |
В50 |
В200; |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
В320 |
Импульсное прямое напряжение URM, В, |
1,35 |
1,35 |
1,35 |
1,35, |
|||||||||
не |
более |
(7) = 25°С, IF = 3,14 iFAVm) |
|
|
|
|
1,60 |
||||||
Пороговое напряжение 1}(Т0)-> В» |
не |
0,9 |
0,9 |
0,9 |
0,92; |
||||||||
более ( 7 ) = TJm) |
|
|
сопротивление |
|
12,7 |
5,0 |
2,54 |
1,08 |
|||||
Дифференциальное |
гг, |
0,684, |
|||||||||||
мОм, не более ( 7 ) = Tjm) |
|
|
|
|
|
|
0,50 |
||||||
Повторяющийся |
импульсный |
обратный |
5 |
5 |
5 |
8, |
|||||||
ток |
IR R M , |
мА. |
не |
более |
|
(Tj = Tjm |
|
|
|
20 |
|||
UR = UR R M ) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Заряд восстановления Qrr, мкКл, не |
40 |
120 |
270 |
300; |
|||||||||
более (T j= T jm, |
IF = IFA Vm, |
UR = 100 |
В, |
|
|
|
500 |
||||||
dif/dt = —5 А/мкс, |
(, > 50 мкс) |
|
|
|
|
|
|
||||||
Время обратного восстановления tn , |
7 |
10 |
15 |
15; |
|||||||||
мкс, не более (условия как для Qrr) |
|
|
|
15 |
|||||||||
Тепловое сопротивление переход-корпус |
1,5 |
1,0 |
0,6 |
0,13; |
|||||||||
Rthja °С/Вт, не более (постоянный ток) |
|
0,97 |
|
0,09 |
|||||||||
Вероятность |
безотказной |
работы |
за |
|
|
|
|||||||
10000 ч |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Масса, |
кг, |
не |
более |
|
|
|
|
0,045 |
0,084 |
0,19 |
0,46; |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,8 |
Таблица |
5.12. |
Рекомендуемые |
охладители и иагрузочпаи способность |
диодов |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
Тип |
|
IF AVm, А, при |
Та = 40 °С и |
|
|
||
|
Тнп диода |
|
|
|
естественном |
скорости |
^thcfo |
°С/Вт |
|||||
|
|
охладителя |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
охлаждении |
воздуха 6 м/с |
|
|
||
|
ВЮ |
|
|
|
ОМ-001 |
|
|
|
10 |
|
0,05 |
||
|
В25 |
|
|
|
ОМ-002 |
|
|
- |
25 |
0,04 |
|||
|
В50 |
|
|
|
ОА-049 |
|
|
|
- |
60 |
0,03 |
||
|
В200 |
|
|
|
0171-80 |
|
|
- |
160 |
0,02 |
|||
|
В320 |
|
|
|
ОА-016 |
|
|
|
— |
200 |
0,01 |
5.5. ДИОДЫ ТИПОВ В2-320, В500, В800, В2-1600
Диоды (ТУ 16-529.903-74)* предназначены для применения в ста тических преобразователях электроэнергии, а также в цепях постоян ного и переменного тока различных силовых установок частоты до
500Гн.
Диоды выпускаются в климатических исполнениях У, категории
размещения 2 и Т, категории размещения 3 (В2-1600, кроме того, ХЛ2) по ГОСТ 15150-69 и ГОСТ 15543-70 и допускают эксплуатацию при температуре окружающей среды от -50 (-60 для В2-1600) до +45°С. Диоды допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне ча стот 1 —100 Гц с ускорением 49 м/с2 (9,8 м/с2 для В2-1600) и много-
* В новых разработках не применять.
110