Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Элементы и устройства систем низких и сверхвысоких частот

..pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
20.11.2023
Размер:
5.41 Mб
Скачать

Рис.3

На регистре данных устанавливается значение адреса для соответствующего модуля. Производится запись в регистр ИР23 и МИ битом CR0. Далее выставляется зна­ чение непосредственно для контакта МК, которое по схеме блока прозвонки передается на все МК. Запись адреса контакта в регистры ИР23 на МК и запись в ре­ гистры синхронизируется битом CR1. Адрес контакта за­ дается первыми шестью битами регистра. Шестой бит

подключен к выходу

сравнивающей логики

ИП1 (микросхе­

ма D2) . На первые три входа А1 - АЗ микросхемы под­

ключены данные с МИ

о номере платы, на

входы В1 - ВЗ

подключены контакты 18-20 разъема XI, на которых схе­ мой блока прозвонки сформирован позиционный адрес мо­ дуля. Если адреса совпадают, то при записи в регистр на выходе шестой бит будет иметь значение логической единицы. Это будет признаком выбора модуля.

Биты 3-5 подключены к адресам ключей, а 0-2 под­ ключены к дешифратору. Дешифратор определяет, какой из ключей должен работать. Выходы дешифратора подклю­

чены к логике

ЛИ1

(2И) .* На вторые

входы

логик подает­

ся шестой бит

с регистра

(признак

выбора

модуля). Вы­

ходы логик подключены к разрешающим входам ключей.

сле­

Таким образом,

выбор

контакта

осуществляется

дующими данными:

 

 

- 3 бита; адрес

вы­

адрес платы -

3 бита; адрес ключа

хода ключа - 3 бита;

Выходы ключей подключены к разъемам DRB37F. К этим разъемам и подключается контролируемое устройство, с помощью специальных кабелей, которые изготавливаются в зависимости от контролируемого устройства.

Каждый МК содержит 16 ключей КР590КН6. Эти ключи переключают один из восьми входных каналов на один

выходной,

в зависимости от

адреса на

выходах АО - А2.

Микросхема

имеет

разрешающий

вход,

высокий

уровень

которой переводит

ее входы

и

выход

в третье

состоя­

ние. Микросхемы работают попарно. Одна осуществляет образование цепи с эталонным сопротивлением или зем­ лей, а другая подключает контакт к МИ.

ЛИТЕРАТУРА

1.Design - in reference manual. Data converts/ Ampli­ fiers, Special linear products, Support components. Analog Devices 1994.

2.Уотсон Д. 500 практических схем на ИС: Пер. с англ.

-М.: Мир, 1992, 376 с.

3.Аванесян Г.Р. Левшин В.П. Интегральные микросхемы

ТТЛ, ТТЛШ: Справочник. - М. : Машиностроение, 1993. - 256с.

УДК 621.365.5 С .Г .Калганова

B .А .Лаврентьев

C. К.Слепцова

УСТАНОВКА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ

МОДИФИЦИРУЮЩЕГО СВЧ И ТЕПЛОВОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ

НА ИССЛЕДУЕМЫЕ ОБЪЕКТЫ

 

Широко известно применение СВЧ энергии для термо-'

обработки диэлектриков с потерями

[1] . В то же время

не

исследуется

материаловедческий

аспект применения

СВЧ

энергии в

технологических целях. В лучшем случае

математические вопросы решались для конкретных техни­

ческих задач,

но системного подхода к

проблеме изуче­

ния

свойств

диэлектриков,

побывавших

в СВЧ электро­

магнитном поле,

до сих пор

нет.

 

воздействия

СВЧ

Установлено

наличие модифицирующего

электромагнитного поля

на диэлектрики

без их за­

метного нагрева [2] . Если рассматривать традиционную термообработку, как модифицирующее воздействие на об­ рабатываемый объект, то можно вести речь о едином ме­ тодологическом подходе к любому технологическому СВЧ воздействию, как к модифицирующему.

Такой подход может быть реализован как в рамках теоретических, так и экспериментальных исследований, взаимно дополняющих друг друга. Что касается методов и средств экспериментальных исследований термического СВЧ воздействия, то они изложены в работе [1] . Моди­ фицирующее СВЧ воздействие, относящееся к разряду не­ теплового, на полимерные материалы разного технологи­ ческого назначения исследовалось на установках ди­ электрического нагрева на базе камеры со стоячей вол­ ной. Подобного типа камеры позволили установить нали­ чие нетеплового модифицирующего воздействия, однако они не дают возможность исследовать влияние режимов и параметров СВЧ воздействия (таких, как мощность СВЧ колебаний, ориентация обрабатываемого объекта относи­ тельно вектора напряженности электрического поля Е ),

а также совместного воздействия СВЧ и традиционного теплового воздействия.

Для проведения исследований модифицирующего СВЧ воздействия на диэлектрики разработана модульная кон­ вейерная установка комбинированного СВЧ и теплового

воздействия

на исследуемые объекты с регулировкой

уровня и продолжительности процесса

(рис.1).

Основными

элементами установки

являются источник

СВЧ энергии,

СВЧ и тепловой модули.

 

Рис.1. Структурная схема модульной автоматизированной конвей­ ерной установки комбинированного СВЧ и теплового воздейст­ вия: 1- электропривод транспортной ленты теплового модуля; 2~ тепловой модуль; 3- электрокалорифер; 4- воздуховод; 5-

иифракрасные

нагреватели;

б- транспортная

лента теплового

модуля; 7- электропривод

модуля СВЧ; 8- измеритель

отражен­

ной

мощности;

9-

измеритель

падающей мощности; 10-повороты;

11-

регулируемый

аттенюатор;

12-согласующий

вентиль;

13СВЧ

генератор; 14источник питания СВЧ генератора; 15-блок

управления; 16-иэмеритель прошедшей

мощности; 17-СВЧ модуль;

18транспортная лента СВЧ модуля

 

 

 

Источник СВЧ энергии собран

на

магнетроне

марки

М147 с максимальной мощностью 5

кВт

и частотой

2450

МГц. Источник питания снабжен выпрямителем и фильт­ ром, что позволяет обеспечить устойчивый непрерывный режим работы магнетрона’. Подбор оптимальной частоты СВЧ воздействия на объект обработки представляет са­ мостоятельный научный интерес. Однако частота 2450 МГц была выбрана по причинам:

-во-первых, это одна из трех (433, 915 и 2450 МГц) разрешенных международными соглашениями и чаще всего используемых частот для применения в технологических целях;

-во-вторых, применение других частот (433 и 915 МГц), потребовало бы применение на этапе исследования больших объемов (расходов) опытных образцов диэлек­ трика .

Что касается мощности, то выбран один из наиболее мощных источников энергии на частоте 2450 МГц. Для

обеспечения надежной работы магнетрона (стабильная выходная мощность, отсутствие затягивания частоты) на выходе магнетрона используется ферритовый вентиль, развязывающий СВЧ генератор и СВЧ модуль по отражен­ ной волне.

Регулировка СВЧ мощности осуществляется плавно с помощью тиристорного преобразователя и регистрируется по величине анодного тока. Точная установка заданной СВЧ мощности осуществляется с помощью переменного ат­ тенюатора, на базе связанных прямоугольных волноводов сечением 45x90 мм с двумя балластными калориметриче­ скими нагрузками в боковом волноводе.

На входе в СВЧ модуль имеется два калиброванных направленных ответвителя с термистерными головками в боковых коаксиальных волноводах, предназначенных для измерения падающей и отраженной мощности.

СВЧ модуль представляет собой отрезок прямоуголь­ ного волновода сечением 45x90 мм с волноводными пово­ ротами на его концах. К одному повороту подключается

выходной фланец направленного ответвителя, для изме­ рения проходящей мощности, а к фланцу другого волно­ вода коаксиальная калориметрическая нагрузка, позво­ ляющая измерять прошедшую через СВЧ модуль мощность калориметрическим методом. Для проведения этих изме­ рений установка снабжена водным расходомером, термо­ парами, измеряющими температуру на входе и выходе балластной нагрузки с соответствующей системой инди­ кации .

Весь СВЧ модуль пронизывает транспортная лента из радиопрозрачного материала, расположенная горизон­ тально параллельно узкой стенке волновода так, чтобы

находящийся на ней объект находился в середине

широ­

кой стенки волновода.

 

 

Транспортная лента приводится в движение с помощью

регулируемого электропривода,

позволяющего

менять

скорость движения ленты.

 

 

Для предотвращения СВЧ излучения в окружающее про­

странство из СВЧ модуля на входе

и выходе транспорт­

ной ленты установлены специальные

шлюзы.

 

Последовательно с СВЧ расположен тепловой модуль, представляющий собой туннельную печь, в которой воз­ можен подвод теплоты к обрабатываемому объекту от на­ гревателей с инфракрасным излучением и с помощью вы­ нужденной конвекции, для чего тепловой модуль снабжен

элекарокалорифером. Обрабатываемый объект

перемещает­

ся на транспортной ленте аналогично,

как

в СВЧ

каме­

ре, с отдельным регулируемым электроприводом.

регу­

Установка имеет пульт управления,

позволяющий

лировать скорость перемещения транспортных лент, за­ давать и измерять температуру воздушного потока и температуру инфракрасных нагревателей в тепловом мо­

дуле, температуру поверхности обрабатываемого

объек­

та, фиксировать показания

падающей,

отраженной

и про­

шедшей мощности.

установка

комбинированного

Модульная конвейерная

СВЧ и теплового воздействия на исследуемые объекты с регулировкой уровня и продолжительности процесса по­ зволяет :

- исследовать влияния режимов модифицирующего СВЧ воздействия электромагнитного поля на объекты разного

агрегатного состояния и

формы (жидкие, вязкие, твер­

дые, в том числе сыпучие,

ленточные, объемные);

-фиксировать измерение характеристик технологиче­ ских свойств исследуемого объекта при тепловом, нете­ пловом и комбинированном воздействии;

-проводить сопоставление последствий теплового, конвективного и лучистого, и СВЧ воздействий на ис­ следуемый диэлектрик.

Комплексное исследование модифицирующего воздейст­ вия СВЧ электромагнитных колебаний дают возможность определить не только наличие специфического нетепло­ вого воздействия СВЧ излучения на конкретные диэлек­ трики, но и спрогнозировать его применение в техноло­ гических процессах промышленного масштаба. В связи с этим актуальным являются разработка теории и конст­ рукций нового класса СВЧ электротехнологических уста­ новок, модифицирующего воздействия на объект обработ­ ки.

 

ЛИТЕРАТУРА

 

1. Архангель ский Ю . С . СВЧ электротермия.-

Саратов:

Сарат. гос. техн. ун-т, 1998.

 

2. Калганова С.Г.,

Морозова М.Ю., Слепцова С.К. Влия­

ние СВЧ электромагнитных колебаний на свойства по-

ликапроамидных

нитей.. //Электромеханика,

электро­

технологии и электроматериаловедение. Тр. V Межд.

конф. МКЭЭЭ-2003, Крым. Алушта, 2003. -

М . : МЭИ

(ТУ), 2003, 4.1,

С.62-66.

 

УДК 621.372

А.А.Тереюьев

 

Е.М.Ильин

 

А.Б.Леванде

 

И.К.Гурьев

МНОГОВОЛНОВАЯ МОДЕЛЬ МАГНЕТРОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ, УЧИТЫВАЮЩАЯ ВОЗБУЖДЕНИЕ НЕРАБОЧИХ ВИДОВ КОЛЕБАНИЙ

Магнетронные усилители, такие, как амплитрон и УПВМ, находят широкое применение в радиоэлектронной аппаратуре. Описание физических процессов в этих при­ борах является достаточно сложной задачей, строгое решение которой не описывается простыми аналитически­ ми соотношениями. Наиболее полную информацию могут дать численные модели, основанные на методе крупных частиц [1] . Но и в строгих численных моделях удается учесть взаимодействие электронного потока с основной

волной

(рабочим видом). В

то же время

многие

физиче­

ские

эффекты, наблюдаемые

в реальных усилителях, свя­

заны

с

возбуждением других

(паразитных)

видов

колеба­

ний.

 

описании численной

модели, в которой

одновре­

При

менно учитывается существования в усилителях несколь­ ких видов колебаний, за основу взяты соотношения чис­ ленной одноволновой модели магнетронных усилителей [2,3]. Данная модель была выбрана в качестве основы, поскольку позволяет учитывать процессы электронно­ волнового взаимодействия во всем междуэлектродном пространстве прибора, а также трехмерную неоднород­ ность электрических и магнитных полей. Кроме того, она апробирована на многих типах приборов и дает хо­

рошее

соответствие с экспериментальными данными [4].

В

дополнение к модели [2,3] предлагается учитывать

ВЧ волны, распространяемые не только от входа к выхо­ ду, но в обратном направлении (от выхода ко входу). Это необходимо для корректного описания возбуждения

паразитных

видов, обусловленных процессами отражения

от выхода и

переотражения от входа прибора.

Основная идея моделирования конкуренции, разных ви­ дов в усилителе заключается в следующем. Существова­

ние каждого вида

анализируется независимо друг от

друга:

для каждого вида решаются уравнения взаимодей­

ствия.

Однако, при

решении уравнения движения учиты­

вается суперпозиция полей всех видов. При этом высо­ кочастотные поля каждого вида стремятся сформировать

электронные спицы в

своей фазе,

а электронный

поток,

в свою

очередь,

наводит ВЧ токи

разных видов.

Таким

образом,

связь

между

различными

видами осуществляется

через электронный поток. Виды колебаний могут отли­ чаться частотой, направлением распространения волны, уровнем затухания в ЗС, фазовым сдвигом, сопротивле­

нием

связи ЗС, и уровнем входного сигнала.

В

основу модели положено предположение, что в на­

чальный

момент

времени в

приборе существует

некоторый

распределенный

по объему

случайным образом

простран­

ственный

заряд

(обычно до 10% брюллиеновского). Да­

лее,

на

каждом

временном шаге для каждой крупной час-

тицы

с

координатами

составляются

уравиения движения с учетом действующих электростати­

ческих

и магнитных полей, сил пространственного заря­

да и

поля ВЧ волны. Результатом решения уравнения

движения являются новые координаты частиц в виде сме­ щения за временной шаг моделирования (x+dx>y+dy,z+dz). После этого решаются уравнения возбуждения и опреде­ ляются наведенная ВЧ мощность и прочие выходные ха­ рактеристики. Процесс моделирования длится до тех пор, пока значения выходных характеристик не переста­ нут меняться со временем (при этом наблюдается незна­ чительная флуктуация относительно среднего уровня).

За положительное направление азимутальной коорди­ наты принимается направление, совпадающее с движением электронного потока. Таким образом, в УПВМ и ультроне основной вид распространяется в положительном направ­ лении, а в УОВМ и амплитроне - в отрицательном.

Для решения уравнений движения необходимо знать распределение суммарного ВЧ поля, которое можно пред­ ставить в виде суперпозиции ВЧ полей каждого вида ко­ лебаний:

где п количество учитываемых ВЧ волн, Vt - амплитуда i-ой волны, у, ~ «горячее» значение постоянной распро­ странения i-ой волны, a>t - круговая частота i-oro ви­ да, 0t{xtytzj) - потенциал ВЧ поля i-ro вида в точке

(*,y,z), где находится чартица в момент времени t с на­

чала

моделирования, D=ln(Ra/Rk)

расстояние анод-

катод

в нормализованных координатах.

Ф'(у,г)

поправка

к распределению ВЧ поля с учетом аксиально-радиальной неоднородности вследствие трехмерности пространства взаимодействия.

Уравнения возбуждения решаются независимо для каж­

дого

вида колебаний

в

каждом

секторе те[1..М], где М

- количество разбиений по азимутальной координате:

 

 

Jim

 

 

+ V„

+ v „ £ ,“- l ],

 

 

1реал

= £ т -^'£'»‘+ v a y ^ L , + ▼■«■%»]»

 

 

Jim

где

Nm -

количество

«крупных» частиц, попавших в сек­

тор

m,

v„_ =

v w=

dt

vHZ=

- изменение положения

 

 

dt

у

dt

 

л-й частицы за шаг моделирования dt, q0 - заряд одной частицы, А- азимутальная длина сектора,

V- J y

СН(У""У) Id0' cosOox-o,/),

{

‘"sh(ylmD)

d y )

 

d0'

 

 

EL, =— -cosO'(x-fi>(/)

E> =y

IiAi ^

+<P' cos(jlx -m ll) ,

У""[ s K y lmD)

EL,=-\r,K ch(y,„y) |d0 ' sin(^x-a>(0 , nh(r,„D) dy

d0'

EL, =- ~dz-sm(y,x-0)lt).

На каждом временном шаге для всех видов колебаний определяется распределение ихамплитуд и «горячих» постоянных распространения в пространстве взаимодей­ ствия (от входа к выходу).

 

 

Г,»=Г,

У/ГЧ., для прямой волны,

ГД6

£/(0

о+- Щ .

UIU =Ulna .

у/мат п

V,.=Ulmtl+

\

, Уш=Гю+--^-~~ для обратной,

где

иш =[/,„,

Ul(l=Ulma.

Щ ш

 

При этом Ula, UiekU амплитуды i-го сигнала на вхо­

де и -выходе прибора соответственно, yiQ - «холодное»

значение постоянной распространения, RCB i - сопротив­

ление связи, <Xi ~ коэффициент затухания в замедляющей системе i-го вида колебаний.

По предлагаемой методике было разработано про- х'раммное обеспечение, позволяющее проводить анализ возбуждения одновременно нескольких видов колебаний. Б качестве проверки адекватности модели и иллюстрации ее 'возможностей были рассчитаны зависимости выходной мощности от анодного напряжения двух видов колебаний (основного и низковольтного) в амплитроне с учетом их конкуренции. Результаты расчетов для трех значений «холодной» постоянной распространения на паразитном виде - 8, 7.75 и 7.5. представлены на рис.1. Для ос­ новного вида «холодная» постоянная распространения равна 7. При расчете предполагалось, что на входе ос­ новной и низковольтный вид имеют одинаковые значения амплитуд.

Рис 1. Зависимости

выходной

мощности от анодного напряжения

с учетом конкуренции двух видов колебаний с постоянными

распространения

равными

(а)

- 7

у основного вида и 7.5 - у

низковольтного,

(б) - 7

и 7.75,

(в) - 7 и 8, соответствен­

но. Черным цветом изображена выходная мощность основного вида, серым - низковольтного. Сплошной жирной линией выде­ лена область устойчивого усиления

Соседние файлы в папке книги