книги / Элементы свербольших интегральных схем

Изоляция

Изоляция

U-образными

углубленным

канавками

окислом

Минимальное расстояние между элементами, мкм

3

5

Напряжение изоляции, В:

50

25

пробой

перехода ................................................

области .

прокол

каналоограничительной

50

7

Удельная

емкость

боковых стенок,

фФ/мкм .

0,15

0,9

Емкость

коллектор — подложка для транзистора

20

80

малых

размеров,

ф Ф .........................................

Поскольку в структуре с U-образной канавкой исключен р+-п+ переход

между скрытым

-слоем и каналоограничительной областью,

характерный для

структуры с

углубленным окислом

(рнс. 5.18,6),

повышается

как напряжение

92.

Joint special issue on GaAs IC’s./Ed. by J. E. Davey, J. G.

Oakes. — IEEE

93.

Trans., 1982, v. ED-29, N 7,

p. 1029— 1142.

Goronkin

H., Birrittella M.

S., Seelbach W. C. at al. Backgating and light

sensivity

in ion-implanted

GaAs integrated circuits. — IEEE

Trans., 1982,

переходе: Свойства и применения. — Микроэлектроника, 1982,

т. 11,

вып. 3,

с. 195—207.

a gaz

d’elect-

95. Linh N. Т., Delagebeaudeuf D.f Delescluse Р. et al.. Transistor

rons bi-dernensional: applications

en hyperfrequence et en logique

ultra-rapi-

96.

de. — Rev. Techn. Thomson-CSF,

1983, v. 15, N 1, p. 155— 181.

density. —

New device structures and III—V materials will boost chip speed,

97.

Electron. Design, 1983, v. 31, N 2, p. 47—50.

AlGaAs — GaAs

two

dimensio­

Delagebeaudeuf

D., Linh N. T. Metal — (n)

nal electron gas

FET. — IEEE Trans., 1982,

v. ED-29, N 6, p.

955—960.

102.

инжекционным питанием. — М.: Сов. радио, 1977. — 247 с.

Лохстрох Я. Приборы и схемы для

(С) БИС на биполярных транзисто­

103.

рах.— ТИИЭР, 1981, т. 69, № 7, с. 47—61.

Райс Д. Создание высококачественных цифровых БИС и СБИС по техно­

104.

логии «Изопланар-S ».— Электроника,

1979, т. 52, № 25, с. 35— 41.

Орликовский А. А. Перспективы быстродействующих биполярных интеграль­

ных схем. — Микроэлектроника, 1981,

т. 10, вып. 3, с. 195—205.

107.

self-aligned

bipolar circuits. — IEEE J.,

1982,

v.

SC-17, N 5,

p. 925— 931.

Nagata

M.,

Okada Y. The potential for bipolar

V LSI.— Jap. J. Appl. Phys.,

108.

1982, v. 21,

Suppl. 21— 1, p. 21—25.

logic (I2L ) .—

Mulder

C.,

Wulms H. E. J. High speed integrated injection

109.

IEEE J.,

1976, v. SC-11, N 3, p. 379—385.

by P.

R. Gray. — IEEE J.,

Special

issue on integrated injection logic./Ed.

110.

1977, v. SC-12, N 2, p. 90— 212.

transistor with

Nakamura T., Miyazaki T., Takahashi S. at al. Self-aligned

sidwell

base

electrode. — IEEE J., 1982, v. SC-.17, N

2, p.

226—230.

111.

Sakai

T., Yamamoto Y.t Kobayashi Y. at al. A 3-ns I-kbit RAM using

super

self-aligned

process technology. — IEEE

J., 1981,

v. SC -16,'N

5, p. 424—429.

112. Yamauchi H., Nikaido T., Nakashima T. at. al. Ons 8 x 8 multiplier

LSI

using

super self-aligned process technology. — IEEE J., 1983, v. SC-18, N

1, p. 204—

113.

210.

Isaac R. D., Solomon P. M. at al. Self-aligned bipolar transistors

Ning T. H.,

for high-performance and

low-power-delay

VLSI. — IEEE

Trans.,

1981,

v. ED-28, N 9, p. 1010— 1013.

for

high

114. Tamakai Y.,

Kure T., Shiba T. at al. U-groove isolation technology

density

bipolar LSI’s .— Jap.

J. Appl.

Phys.,

1982,

v. 21,

Suppl.

21— 1,

115.

p. 37—40.

P. Достижения в области полупроводниковых приборов

и ИС

Берисфорд

на международной конференции по электронным приборам

1982

г. — Элек­

троника, 1982, т. 55, № 25, с. 37—48.

элементах

инжекционной логики. — М.:

Радио и связь,

1984. — 232 с.

*17. Joint special issue on very large

scale

integration/Ed.

by

P. Chatterjee,

R. Oakley,

M. Watanabe. — IEEE

J., 1985, v. SC-20, №

1, p.

1— 462.