Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

практическая _резонанс

.pdf
Скачиваний:
2
Добавлен:
20.11.2023
Размер:
603.7 Кб
Скачать

Найдите значения максимумов напряжений на катушке индуктивности и конденсаторе для всех 3 случаев и обратите внимание на их смещение при увеличении\уменьшении добротности.

Аналогичным образом посмотрите, как изменяются АЧХ и ФЧХ при изменении ёмкости конденсатора от 30 до 70 нФ при шаге 20 нФ, а также при изменении индуктивности от 3,6 мГн до 7,6 мГн с шагом 2 мГн.

Распечатайте эти кривые для отчёта.

Задание 3. Рассчитать АЧХ и ФЧХ параллельного резонансного контура (резонанс токов) со следующими значениями аналоговых элементов

L = 5,6 мГн; С = 0,05 мкФ; R1 = 11 Ом ; R12=47 Ом.

I

R 1

 

 

 

 

 

R 2

 

 

 

 

 

 

4

2

3

V 1

L

 

C

 

 

 

IL

1

IC

R 1 2

Рис.7

 

Обратите внимание, что последовательно с конденсатором включен резистор R2=1 Ом. Это сделано с целью разделить емкости и индуктивности при машинном вычислении.

Предварительно с помощью калькулятора грубо определим вторичные параметры:

ω рез =

1

 

=

1

 

= 106

 

= 5,98.104

LC

5,6.10−3 *5.10−8

56*5

 

 

 

 

 

 

Или

Fрез =5,98.104 2π =9,52.103 =9,52кГц

ρ = LC = 1,1.105 = 334Ом

Q = ρ R = 27,83 (значение активного сопротивления в контуре R1+R2=12 Ом)

ω1, 2 = ω рез (1± 12Q) = 9691 (9349) Гц

С помощью маркёров можно определить резонансную частоту

ωрез=9511 Гц (расчётное значение 9520 Гц) и границы полосы пропускания

ω1=9329 Гц и ω2=9676Гц (расчётные 9349 и 9691 Гц)

Отсюда измеренная добротность Q=ωрез/Δω=27,84 (расчётное значение 27,83). Характеристическое сопротивление ρ=Q.R=334 (расчётное 334).

Распечатайте эти кривые для дальнейшего использования при аналоговом моделировании в лаборатории

Результат приведён рис.8

6.000m

4.800m

3.600m

2.400m

1.200m

0.000m

90.000

45.000

0.000

-45.000

-90.000

rezonans_para_laba.CIR

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IL

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7.000K

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8.400K

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9.600K

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10.800K

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12.000K

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

13.000K

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Left

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Right

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Delta

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Slope

 

i(4,2) (A)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.635m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.011m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-2.624m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-328.037n

 

i(1,0) (A)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.793m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.348m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-444.304u

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-55.538n

 

i(4,3) (A)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.847m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.358m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.511m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

313.875n

 

F (Hz)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6.000K

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

14.000K

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8.000K

1.000

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9.327K,45.429

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9.504K,672.591m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7.000K

8.400K

9.600K

10.800K

12.000K

13.000K

 

Left

Right

Delta

 

Slope

B ph(v(4))-ph(v(1,0))

45.429

672.591m

-44.757

 

-252.768m

F (Hz)

9.327K

9.504K

177.066

 

1.000

 

Задание 4.

С помощью подпрограммы Stepping посмотрите, как изменяются АЧХ и ФЧХ при изменении добротности. Для этого в выпадающем окне этой подпрограммы введите изменение значения R1 от 4 до 20 Ом при шаге 4 Ом.

Определите вторичные характеристики для крайних случаев.

Ввиду большой добротности токи в ветвях реактивных элементов можно не выводить, но уменьшить вертикальные пределы для общего тока. Обратите внимание на то, что значения резонансной частоты по ФХЧ не совпадает со значением по АЧХ, причём, чем ниже добротность, тем больше. Постарайтесь это объяснить.

Аналогичным образом посмотрите, как изменяются АЧХ и ФЧХ при изменении ёмкости конденсатора от 30 до 70 нФ при шаге 20 нФ, а также при изменении индуктивности от 5,1 мГн до 6,1 мГн с шагом 0,5 мГн. Для более качественного вида кривых можно несколько увеличить вертикальный предел.

Распечатайте эти кривые для отчёта.

Задание 5. Множественный резонанс.

Как следует из теории, общим условием резонанса является равенство нулю мнимых частей проводимости/сопротивления нагрузки. То есть, сколько найдётся пар реактивных элементов в цепи, столько будет резонансов.

В графическом редакторе соберите схему с одним конденсатором и двумя индуктивностями, так называемую схему «множественного резонанса». С=0,05 мкФ; L1=6,7 мГн; L2=3,4 мГн; R1=5 Ом; R2=5 Ом; R12=47 Ом.

I

C

3

4

R 1

 

 

 

R 2

25

V 1

L 1

L 2

 

 

IL

1

IC

R 1 2

Рис.9. Схема для изучения множественного резонанса.

Исходя из теории, мы должны ожидать появления двух резонансов – резонанса напряжений в цепочке CL2 и резонанса токов в контуре C(L1+L2). Резонансная частота цепочки CL2

f рез

=

1

 

=

1

 

 

= 106

 

 

 

= 12,21.104

Гц

LC

3,4.103 *5.108

2π

34*5

 

 

2π

 

 

2π

 

 

 

 

 

 

Резонансная частота цепочки C (L1+L2)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f рез

=

1

 

 

=

1

 

 

 

= 10

6

 

 

 

= 7,08.104

Гц

LC

 

10,1.103 *5.108

2π

101*5

 

 

2π

 

 

2π

 

 

 

 

25.000m

 

 

 

rezonans_many_laba.CIR

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20.000m

 

 

 

 

 

 

 

15.000m

 

 

 

 

 

 

 

10.000m

 

 

 

 

 

 

 

5.000m

 

 

 

 

 

 

 

0.000m

4.000K

6.000K

8.000K

10.000K

12.000K

14.000K

16.000K

 

 

 

Left

 

Right

Delta

Slope

 

i(1,0) (A)

 

9.671m

 

4.774m

-4.897m

-272.058n

 

F (Hz)

 

2.000K

 

20.000K

18.000K

1.000

90.000

 

 

 

 

 

 

 

45.000

 

 

 

 

 

 

 

0.000

 

 

7.084K,-1.205

 

12.204K,-90.656m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-45.000

 

 

 

 

 

 

 

-90.000 4.000K

6.000K

8.000K

10.000K

12.000K

14.000K

16.000K

 

 

 

Left

 

Right

Delta

Slope

 

B ph(v(3))-ph(v(1,0))

 

-1.205

 

-90.656m

1.114

217.646u

 

F (Hz)

 

7.084K

 

12.204K

5.120K

1.000

Рис. 10 АЧХ и ФЧХ для схемы с множественным резонансом.

 

 

Как видно из расчётов, добротность резонанса напряжений меньше, чем резонанса токов, поскольку в первом случае обмен реактивной энергией идёт через резистор R1=47 Ом, а во втором случае через 2 резистора по 5 Ом.

Распечатайте эти кривые для использования их в аналоговом моделировании.

Используя подпрограмму Stepping, посмотрите, как меняется местоположение резонансов при изменении С от 0,03 мкФ до 0,07 мкФ при шаге 0,02 мкФ

L1 от 4,7 мГн до 8,7 мГн при шаге 2 мГн

L2 от 2,4 мГн до 4,4 мГн при шаге 1 мГн

R1 от 2 Ом до 18 Ом с шагом 8 Ом (участвует в одном резонансе) R2 от 2 Ом до 18 Ом с шагом 8 Ом (участвует в обоих резонансах) R12 от 35 Ом до 65 Ом с шагом 15 Ом (участвует в одном резонансе) Сделайте распечатки графиков для отчёта.

Аналоговое моделирование резонансных электрических цепей в лаборатории.

Аналоговое моделирование электрических цепей проводится на специальных лабораторных стендах, оснащенных генераторами гармонического сигнала, измерительными приборами и набором аналоговых элементов.

Задание 6. Моделирование схемы с последовательным включением элементов.

Соберите схему изображенную на Рис. 5.

Пользуясь АЧХ и ФЧХ , полученными при машинном моделировании, проведите измерения падения напряжения на аналоговых элементах R(13,14,15), L8, C(4,5,6), а также измерения разности фаз между входным напряжением и током в контуре (напряжение на R).

Эти измерения можно проводить с помощью только осциллографа. Однако при этом нужно перебирать схему таким образом, чтобы элемент, на котором проводится измерение падения напряжения, был присоединен к «земле». Методика измерения разности фаз аналогична использованной методике в лабораторной работе №1. Рекомендуется собрать схему таким образом, чтобы к «земле» был присоединен резистор, для того чтобы можно было провести на нём измерения амплитуды и разности фаз с помощью осциллографа. Одновременно на каждой частоте можно проводить измерения падения напряжения с помощью вольтметра на катушке индуктивности и конденсаторе.

В начале работы, изменяя частоту генератора, определите экспериментальным образом резонансную частоту контура и границы полосы пропускания. Проведите измерение частот, при которых напряжения на реактивных элементах достигают максимального значения, FL и FC, Далее проведите измерения падений напряжения на аналоговых элементах при разных частотах, таким образом, чтобы у вас получилось по 5-6 измерений с каждой стороны в полосе пропускания. Для представления полученных значений можно использовать предварительно распечатанные АЧХ и ФЧХ (согласовав при этом масштаб данных).

При их отсутствии данные можно занести в таблицу

 

 

 

 

 

Fрез

F1

F2

FL

FC

…..

…..

…..

……

Частота,

расч.

 

 

 

 

 

 

 

 

Гц

экспер

 

 

 

 

 

 

 

 

UR, B

расч.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

экспер

 

 

 

 

 

 

 

 

UL, B

расч.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

экспер

 

 

 

 

 

 

 

 

UC, B

расч.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

экспер

 

 

 

 

 

 

 

 

Рекомендуемое входное напряжение 1 В.

Задание 7. Моделирование схемы с параллельным включением элементов.

Соберите схему изображенную на Рис. 7.

Пользуясь АЧХ и ФЧХ , полученными при машинном моделировании, проведите измерения падения напряжения на аналоговых элементах R12 и R1, а также измерения разности фаз между входным напряжением и током в контуре (напряжение на R12). Методика измерения разности фаз аналогична использованной методике в лабораторной работе №1.

При моделировании рекомендуется использовать генератор Г3-109. Рекомендуется собрать схему таким образом, чтобы к «земле» был присоединен

резистор R12 , для того чтобы можно было провести на нём измерения амплитуды и разности фаз с помощью осциллографа. Одновременно на каждой частоте можно проводить измерения падения напряжения с помощью вольтметра на резисторе R1.

В начале работы, изменяя частоту генератора, определите экспериментальным образом резонансную частоту контура и границы полосы пропускания по ФЧХ.

Определите добротность контура и сравните её с расчётным значением.

Для представления полученных значений можно использовать предварительно распечатанные АЧХ и ФЧХ (согласовав при этом масштаб данных). Рекомендуемое входное напряжение 3 В.

Задание 8. Моделирование схемы с «множественным» резонансом.

Соберите схему изображенную на Рис. 9.

С(4,5,6)=0,05 мкФ; L1=6,7 мГн; L2=3,4 мГн; R1=11 Ом; R2=0; R12=47 Ом. Пользуясь АЧХ и ФЧХ , полученными при машинном моделировании, проведите измерения падения напряжения на аналоговых элементах R12 , а также измерения разности фаз между входным напряжением и током в контуре (напряжение на R12). Методика измерения разности фаз аналогична использованной методике в лабораторной работе №1.

При моделировании рекомендуется использовать генератор Г3-109. Рекомендуется собрать схему таким образом, чтобы к «земле» был присоединен

резистор R12 , для того чтобы можно было провести на нём измерения амплитуды и разности фаз с помощью осциллографа.

В начале работы, изменяя частоту генератора, определите экспериментальным образом резонансные частоты контура и соответствующие полосы пропускания.

Для представления полученных значений можно использовать предварительно распечатанные АЧХ и ФЧХ (согласовав при этом масштаб данных). Рекомендуемое входное напряжение 3 В.

Дополнительные задания по машинному моделированию.

Задание 9. «Безразличный» резонанс.

Взадании 3 была определена резонансная частота при условии, что R1=R2=0. Во всяком случае, при моделировании выполнялось условие (R1+R2)L/C.

Вобщем случае резонанс токов наступает при равной мнимой проводимости ветвей. То есть

 

ωL

 

 

=

 

 

1/ωC

 

 

 

 

 

 

 

2

2 2

R2

2

+1/

ω

2

C

2

 

 

 

 

R1 + ω

L

 

 

 

 

 

 

Отсюда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ω = ωрез

 

L / C R12

 

 

 

 

 

 

 

 

L / C R22

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При R1=R2 условие резонанса достигается при w=wрез..

 

 

 

 

 

 

Но при L/C=R12 =R22

(r=R1=R2) возникает неопределённость ω = ω рез

0

0

Физически это означает, что резонанс получается при любой частоте.

 

 

 

Проверим этот вывод.

Всхеме по заданию 3 увеличим значения сопротивления до 334 Ом.

Врезультате характерный вид ФЧХ выродится практически в прямую линию, а ток источника будет практически нулевым, хотя без учёта реактивных элементов он должен быть вдвое больше.

Аналогичный результат получается и при резонансе напряжений (задание 1). Для этого нужно установить параллельно реактивным элементам резисторы номиналом 334 Ома.

 

 

3

3

4

 

 

R 1

 

I

5

6

e

-4

 

 

1

 

L

2

 

 

 

 

V 1

C

5

e -8

3

3

4

R

2

 

 

 

 

3

R

4 7

Обратите внимание, что ток вдвое больше, чем он был бы без учёта реактивных элементов.

Задание 10. Индукционный нагрев.

Накапливаемая при резонансе в колебательном контуре реактивная энергия может быть использована в различных технологических процессах. Одним из таких процессов является индукционный нагрев проводящего материала, помещенного в переменное магнитное поле катушки индуктивности. Это может быть нагрев металлической болванки или трубы на производстве, или нагрев кастрюли на кухне, поставленной на плоскую спираль катушки индуктивности, или местный прогрев участка человеческого тела в медицине с использованием, как магнитного поля катушки, так и электрического поля конденсатора.

В индукционном нагреве проводящего материала используется только часть реактивной энергии захватываемой объёмом материала. Поэтому частоту

резонансного контура ωрез =2πFрез подбирают из условия, что величина скин-слоя D будет равна или меньше поперечного линейного размера нагреваемого образца.

D = ρ πμ0 μF < L (метры).

Для моделирования процесса индукционного нагрева в схему последовательного колебательного контура по заданию 1 внесём добавочное активное сопротивление, характеризующее активные потери за счёт захвата части магнитного потока в катушке индуктивности.

I

1

C 5 e -8

V 1

R

1 1 0

2

 

 

3

3

0

L

1

R

1

 

e -4

 

 

5

6

 

 

3

Резистор R1 моделирует активные потери, которые нагревают образец, помещаемый в магнитное поле катушки индуктивности. Выведем ФЧХ на резисторе R, мощность, выделяемую на резисторе R1 (pd(R1)) и мощность накапливаемую в конденсаторе С (ps(С)). С помощью подпрограммы Stepping изменим номинал резистора R4 в значениях 330, 530 и 730 Ом.

90.000

 

 

 

rezonans_indpower1_laba.CIR R1=330...930

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

45.000

 

 

 

 

 

 

 

0.000

 

 

 

 

 

 

 

-45.000

 

 

 

 

 

 

 

-90.000

5.000K

6.000K

8.000K

10.000K

12.000K

14.000K

15.000K

 

ph(v(3)) (Degrees)

 

 

 

 

 

F (Hz)

3.000m

 

 

 

 

 

 

 

2.400m

 

 

 

 

 

 

 

1.800m

 

 

 

 

 

 

 

1.200m

 

 

 

 

 

 

 

0.600m

 

 

 

 

 

 

 

0.000m

5.000K

6.000K

8.000K

10.000K

12.000K

14.000K

15.000K

 

pd(r1) (W)

 

 

 

 

 

 

F (Hz)

10.000m

 

 

 

 

 

 

 

8.000m

 

 

 

 

 

 

 

6.000m

 

 

 

 

 

 

 

4.000m

 

 

 

 

 

 

 

2.000m

 

 

 

 

 

 

 

0.000m

5.000K

6.000K

8.000K

10.000K

12.000K

14.000K

15.000K

 

ps(c) (W)

 

 

 

 

 

 

F (Hz)

Видно, что выделяемая в резисторе R1 энергия растёт по мере превышения его значения характеристического сопротивления контура. Причём этот рост в основном происходит на участке добротности равной 2-3. При этом величина выводимой активной энергии составляет примерно 30% от энергии, накапливаемой в конденсаторе.

Рассмотренную выше модель можно немного усложнить, если ввести магнитную связь между магнитным полем в катушке и магнитным полем вихревых токов, возникающим (индуцированным) в нагреваемом образце. Это представляется трансформатором, первичная обмотка которого образована витками индуктора с индуктивностью L1, а вторичная обмотка - это один короткозамкнутый виток в теле нагреваемого образца с толщиной равной примерно толщине скин-слоя D (индуктивность L2).

Доля мощности, выделяемая в резисторе R4, возрастает по мере увеличения коэффициента связи обмоток К. Обратите внимание, что при отношении индуктивностей 100:1 значение резистора R4, соответствующего характеристическому сопротивлению контура, также уменьшается в 100 раз. Это называется «приведением обмоток» и данный вопрос будет рассмотрен в теме «Трансформаторы».

Задание 11. Резонанс в магнитно-связанных колебательных контурах.

В радиотехнике часто применяются колебательные контуры с индуктивностями L1 и L2, которые объединены общим магнитным потоком.

Степень магнитной связи характеризуется взаимной индуктивностью М (индуктивность общего магнитного потока) или вторичным параметром

k = M L1L2 , называемым коэффициентом связи.

R 1

C 1

M

R 2

 

 

C 2

V 1

L1

L2

 

 

K 1

Примем что С1=С2; L1=L2; R1=R2

Решение системы уравнений составленных по второму правилу Кирхгофа приводит к следующему (нормализованному на V1) значению напряжения на С2

(см. Л.А. Бессонов. Теоретические основы электротехники. Электрические цепи. М., Гардарики, 2002, стр.126)

UC 2 =

 

 

 

 

 

 

M C

 

 

 

 

 

 

 

 

2

æ

 

1 ö2

æ

 

1 ö

 

2

 

2

 

 

 

 

 

 

 

R

 

- ç

ωL -

 

÷

+ j2Rç

ωL -

 

÷

+ ω

 

M

 

 

 

 

 

 

 

 

 

è

 

ωC ø

è

 

ωC ø

 

 

 

 

Если перейти к вторичным параметрам

ωрез, d=1/Q, k, ε=1-ω2/ωрез2

и учесть, что при малых отклонениях ω от ωрез можно считать ω2L2=ωрез2L2 то можно получить следующее выражение

UC 2

=

k

 

k 2 + d 2 - ε

2 - j2ε × d

 

 

При k>d имеются 3 экстремума: минимум при ε=0, т.е. ω =ωрез

два максимума при ε1,2 = ±k 2 d 2

При k<d имеется только один максимум при ε=0. Для машинных расчётов немного дополним схему

Соседние файлы в предмете Физика