2. Маршрутный процесс формирования мдп ис
Рисунок
2.1 – КМДП-структура ИС
Маршрут изготовления
КМОП ИС с p-карманом:
1.
Подготовка исходной пластины.
2.
Формирование
маски для легирования карманов
(Окисление 0,1 мкм -ФЛ №1 Окисление 0,05
мкм).
3. Ионное
легирование B
бором.
4. Разгонка
кармана: Окисление + Отжиг, ЖХТ SiO2
до Si.
5.
Формирование областей (n+-стоки, исток)
и (p+- стоки, исток):
ФЛ
№2
+ И.л. фосфором (n+
-
стоки,
исток) + ФЛ №3
+ И.л. бором (p+
- стоки,
исток) + Осаждение SiO2.
6.
Предварительное
окисление.
7.
ЖХТ SiO2 - предварительного окисла.
8.
Окисление под затвор (d=350-450 Å).
9.
Избирательное
травление SiO2 под контакты к истокам и
стокам.
10.
Формирование затворов: ФЛ №4+ПХТ
Si*
+ Окисление
(«спейсеры»).
11.
Формирование первого уровня металлизации:
ФЛ №5 + ПХТ SiO2
в окнах + напыление Al+Si
(сток, исток) и Mo
(затвор) + ФЛ №6 (металл) + ЖХТ Al+Si
[2].
Список использованных источников
[1]
Бескорпусная герметизация ИС [Электронный
ресурс] Режим доступа:
https://mynameisgyry.narod.ru/3-5.html
[2]
Технология интегральной электроники:
учебное пособие по дисциплине
«Конструирование и технология изделий
интегральной электроники» для студентов
специальностей “Проектирование и
производство РЭС”, ”Электронно-оптические
системы и технологии” / Л.П. Ануфриев,
С.В. Бордусов, Л.И. Гурский [и др.]; / Под
общ. ред. А.П. Достанко и Л.И. Гурского. –
Минск: «Интегралполиграф», 2009. – с.: ил.