- •Раздел 1. Полупроводниковые приборы.
- •Тема 1.2. Полупроводниковые резисторы.
- •Тема 1.3. Контактные явления в полупроводниках
- •Характеристика – 1;
- •Какое включение источника внешнего напряжения, по отношению к p-n-переходу, представлено на рисунке 1.22?
- •Прямое;
- •Тема 1.4. Полупроводниковые диоды.
- •Кремниевого;
- •Кремниевого;
- •Кремниевого;
- •Фоторезистора;
- •Фоторезистора;
- •Тема 1.5. Биполярные транзисторы.
- •Тема 1.6. Полевые транзисторы
- •Тема 1.7. Тиристоры
- •Варикап;
- •Тема 1.8. Фотоэлектронные и оптоэлектронные приборы.
- •Раздел 2.Устойства отображения информации.
- •Тема 2.1. Электронно-лучевые трубки.
- •Тема 2.2. Буквенно-цифровые индикаторы.
- •Раздел 3. Электронные устройства и их защита.
- •Тема 3.1. Выпрямители.
- •Тема 3.2. Сглаживающие фильтры.
- •Тема 3.3. Стабилизаторы.
- •Раздел 4. Основы микроэлектроники.
- •Тема 4.1. Элементы интегральных микросхем.
- •Раздел 5. Усилительные устройства.
- •Тема 5.1. Основные параметры и характеристики усилительных устройств.
Электронная техника. Т е с т ы . гр. 9ТВ-21
Раздел 1. Полупроводниковые приборы.
Тема 1.1. Физические основы электронной техники.Одна ковалентная связь действует в пределах:
Одного атома;
Двух атомов;
Трех атомов;
Четырех атомов.
В одной ковалентной связи занято не более:
Одного электрона;
Двух электронов;
Трех электронов;
Четырех электронов.
Какой атом называется ионом?
Только тот атом, который потерял собственный электрон.
Только тот атом, который присоединил дополнительный электрон.
Атом, как потерявший собственный электрон, так и присоединивший дополнительный электрон.
Какая энергетическая диаграмма, из трех показанных на рис. 181, принадлежит полупроводнику?
Рисунок - 1;
Рисунок - 2;
Рисунок – 3.
У какого материала зона проводимости отделена от валентной зоны узкой запрещенной зоной?
У проводника.
У полупроводника.
У изолятора.
Почему с увеличением температуры увеличивается проводимость полупроводникового кристалла?
Увеличивается количество пар свободных носителей заряда.
Увеличивается длина свободного пробега электронов.
Увеличивается ширина запрещенной зоны.
Как влияют примесные ионы в полупроводнике на процесс образования свободных носителей заряда?
Облегчают процесс.
Затрудняют процесс.
Не влияют.
Какой из приведенных ниже элементов используют при изготовлении полупроводников в качестве основы?
Бор – B.
Индий – In.
Алюминий – Al.
Германий – Ge.
Какой из приведенных ниже элементов используют при изготовлении полупроводников в качестве основы?
Фосфор – P.
Кремний – Si.
Сурьма – Sb.
Мышьяк – As/
Какие носители зарядов являются основными в кристаллах кремния и германия при внесении в них донорной примеси?
В кристалле кремния – электроны, в кристалле германия – дырки.
В кристалле кремния – дырки, в кристалле германия – электроны.
В обоих кристаллах (кремния и германия) – электроны.
В обоих кристаллах (кремния и германия) – дырки.
Какие носители зарядов являются основными в кристаллах кремния и германия при внесении в них акцепторной примеси?
В кристалле кремния – электроны, в кристалле германия – дырки.
В кристалле кремния – дырки, в кристалле германия – электроны.
В обоих кристаллах (кремния и германия) – электроны.
В обоих кристаллах (кремния и германия) – дырки.
Что является свободными носителями заряда в полупроводнике типа n?
Электроны.
Дырки.
Электроны и дырки.
Что является свободными носителями заряда в полупроводнике типа p?
Электроны.
Дырки.
Электроны и дырки.
Тема 1.2. Полупроводниковые резисторы.
Графическое изображение, какого из полупроводниковых резисторов, представлено на рисунке 3.52?
Терморезистор:
Варистор;
Фоторезистор.
Какой из полупроводниковых резисторов, представлен его условным графическим изображением, на рисунке 1.14?
Терморезистор:
Варистор;
Фоторезистор.
Графическое изображение, какого из полупроводниковых резисторов, представлено на рисунке 1.15?
Терморезистор:
Варистор;
Фоторезистор.
Вольтамперная характеристика, какого из полупроводниковых резисторов, представлена на рисунке 1.14?
Терморезистора:
Варистора;
Фоторезистора.