- •Теоретический минимум к лабораторному практикуму по физике твердого тела
- •1. Элементы квантовой механики
- •1.1. Гипотеза де Бройля. Волновые свойства вещества
- •1.2. Соотношение неопределенностей
- •1.3. Уравнение Шрёдингера
- •1.4. Смысл пси-функции
- •Туннельный эффект
- •1.6. Состояние электрона в атоме. Квантовые числа
- •1.7. Принцип Паули
- •2. Элементы квантовой статистики
- •2.1. Некоторые сведения из квантовой статистики
- •2.2. Вырожденный электронный газ в металлах
- •3. Элементы физики твердого тела
- •3.1. Понятие о зонной теории твердых тел
- •3.2. Металлы, полупроводники, диэлектрики
- •3.3. Собственная проводимость полупроводников
- •3.4. Примесная проводимость полупроводников
- •3.5. Контакт электронного и дырочного полупроводников (р-n переход)
- •3.6. Светодиоды
- •3.7. Фотопроводимость полупроводников
- •Библиографический список
- •Теоретический минимум к лабораторному практикуму по физике твердого тела
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
3. Элементы физики твердого тела
3.1. Понятие о зонной теории твердых тел
В этой теории твердое кристаллическое тело рассматривается как строго периодическая структура, в которой ионы создают электрическое поле. Задача состоит в описании поведения электронов в этом поле.
Рассмотрим «процесс образования» твердого тела из N изолированных атомов. Пока атомы изолированы, т.е. находятся друг от друга на макроскопических расстояниях, они имеют совпадающие схемы энергетических уровней (рис. 3.1). Причем, энергетические уровни в изолированном атоме зависят от главного n и орбитального ℓ квантовых чисел и вырождены по квантовым числам mℓ и ms . Заполнение уровней электронами осуществляется в каждом атоме независимо от заполнения аналогичных уровней в других атомах. По мере сближения атомов между ними возникает все усиливающееся взаимодействие, которое приводит к изменению положения уровней. Вместо одного одинакового для всех N атомов уровня возникает N очень близких, но не совпадающих уровней, образующих энергетическую зону (рис. 3.2).
Если энергетический уровень имел в изолированном атоме (2ℓ + 1)-кратное вырождение по значению mℓ, то соответствующая ему энергетическая зона будет состоять из N (2ℓ + 1) подуровней, на каждом из которых может находиться не более двух электронов с антипараллельными спинами.
Рассмотрим этот вопрос подробнее:
А) Пользуясь соотношением неопределенности для энергии и времени, оценим естественную ширину энергетических уровней электронов в атомах, находящихся в возбужденных состояниях. Время пребывания атома в возбужденном состоянии τn совпадает со временем нахождения электрона в этом состоянии и составляет примерно 10-8 с, так что τn ≈ 10-8 с, отсюда
.
Эта ширина значительно меньше, чем расстояние между уровнями энергии изолированного атома, равное ≈ 1 эВ.
|
|
Рис. 3.1 |
Рис. 3.2 |
Б) В кристаллах расстояние между атомами столь мало (L ~ d ~ 10-10 м), что происходит перекрытие их электрических полей. Потенциальные кривые, ранее разграничивающие соседние атомы, теперь частично накладываются друг на друга (рис. 3.2). Из рисунка видно, что при сближении атомов происходит понижение и сужение потенциального барьера для валентных электронов атомов. В этих условиях существенную роль играет туннельный эффект, в результате которого электрон «уходит» от атома и становится принадлежностью всего кристалла, т.е. в определенном смысле свободным.
В) Для упрощения вычислений будем считать, что потенциальный барьер имеет прямоугольную форму (рис. 3.3). Тогда прозрачность барьера можно вычислить по формуле:
.
Для рассматриваемого случая толщина потенциального барьера м.
Тогда, при , расчет прозрачности барьера приводит к результату .
Найдем частоту ν просачивания невалентного электрона сквозь потенциальный барьер. Число ударов электрона о стенки барьера за единицу времени , где V – скорость движения электрона в атоме, имеющая примерное значение V ≈ 106 м/с. Ширину d потенциальной ямы, в которой находится электрон, примем равной 10-10 м. Частоту просачивания электрона сквозь потенциальный барьер определим по формуле
.
Подставив числовые значения всех величин, получим с-1. Среднее время жизни τ валентного электрона в данном атоме есть величина обратная частоте ν:
.
Рис. 3.3
Из сравнения τ с τn видно, что τ в этом случае уменьшается на семь порядков по сравнению с временем нахождения валентного электрона в возбужденном состоянии изолированного атома. При таких значениях τ не имеет смысла говорить о принадлежности валентных электронов к определенным атомам. Они становятся «обобществленными», коллективизированными и образуют квантовый газ. Эти электроны могут перемещаться по всему кристаллу.
Г) Найдем расширение энергетического уровня электрона, связанное с резким уменьшением времени жизни в результате взаимодействия атомов в кристалле.
По соотношению неопределенностей
.
Узкий энергетический уровень валентного электрона в изолированном атоме расширяется в кристалле в широкую полосу – зону разрешённых значений энергии электронов шириной порядка нескольких электрон-вольт (рис. 3.4). Разрешённые энергетические зоны 1 отделены друг от друга зонами 2 запрещённых значений энергии электронов (рис. 3.5).
|
|
Рис. 3.4 |
Рис. 3.5
|
|
|
Разрешённая зона тем шире, чем больше энергия электрона на соответствующем уровне в изолированном атоме. Возможные значения энергий электронов в пределах разрешённой энергетической зоны квантованы, т.е. дискретны, а общее число их конечно.
Д) Для электронов внутренних оболочек атомов вероятность туннельного перехода электрона от одного атома к другому оказывается очень малой. Это связано с уменьшением прозрачности потенциального барьера, в результате чего частота ν просачивания электрона сквозь потенциальный барьер становится ничтожно малой. Например, для невалентного электрона атома натрия в основном состоянии частота просачивания сквозь потенциальный барьер основного состояния , что соответствует среднему времени жизни такого электрона у данного атома лет. Следовательно, электроны внутренних оболочек атомов в кристаллах также прочно связаны со «своими» атомами, как и в изолированных атомах. Энергетические уровни этих электронов в кристалле такие же узкие, как и в отдельно взятом атоме.
Итак, можно выделить следующие главные причины расщепления отдельных энергетических уровней в зоны и заселения зон электронами при объединении атомов в кристалл:
снятие вырождения по магнитному орбитальному квантовому числу ml;
снятие перестановочного вырождения по N, где N– число атомов в кристалле;
уменьшение высоты и ширины потенциального барьера, разделяющего соседние атомы, приводящее к увеличению коэффициента прозрачности барьера – туннельный эффект;
изменение времени пребывания электрона у отдельного атома с 10-8с до 10-15с и соответствующего расширения уровня в зону шириной ΔE~2эВ вследствие действия соотношения неопределённостей ΔEΔt≥ħ.