книги / Микропроцессорные гибкие системы релейной защиты
..pdf3.4. КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ БАЗА ПЕРСПЕКТИВНЫХ РЗ
Обеспечение минимальных габаритов при разработке перспектив ных устройств РЗ возможно преимущественно за счет использования специальных методов компоновки как интегральных микросхем (по лупроводниковых, гибридных), так и специальных технологических кристаллов, к которым относятся базовые матричные кристаллы (БМК). Однако повышение плотности упаковки микросхем выдвигает свои проблемы, из которых наиболее серьезными являются увеличение удельного количества выделяемого тепла и числа внешних выводов, снижение выхода годных кристаллов.
Конструктивно БМК представляет собой сформированную заранее матрицу ячеек с группами нескоммутированных между собой элемен тов. Специализация матричной БИС осуществляется с помощью несколь ких уровней металлизированных межсоединений на заключительной ста дии изготовления. На основе одного БМК возможно изготовление мно жества БИС путем замены фотошаблонов. Дополнительным преимуще ством БИС на основе БМК по отношению к МП является упрощение цикла проектирования программных средств [76]. Весь процесс разра ботки БИС на основе БМК от составления технического задания до по лучения работоспособных опытных образцов может занять всего не сколько недель, в то время как отладка программных средств и комп лексная наладка системы могут растянуть время проектирования даже простой микросхемы на несколько месяцев. Эффективность использо вания БМК в системах с относительно небольшим объемом производства на основе сравнения различных способов реализации специализирован ного контроллера показана в табл. 3.7 [77].
При проектировании изделий на основе БМК часто не полностью ис пользуются логические вентили матрицы и выводы кристалла. Избы точные элементы могут использоваться для повышения надежности путем резервирования отдельных узлов систем. Кроме того, эта возмож ность позволяет в ряде случаев аппаратно реализовать некоторые функ ции, которые обычно выполняются процедурно. При этом не только существенно (в 10-100 раз) возрастает быстродействие, но и упрощает ся отладка ПО, вследствие чего дополнительно сокращается цикл проек тирования систем РЗ. В базовых кристаллах для реализации цифровых БИС со степенью интеграции около 1000 вентилей используются обычно однородные ячейки. Элементы интерфейса располагаются на периферии кристалла. Матрицы с неоднородными ячейками применяются для пост роения цифровых (со степенью интеграции около 10 000 вентилей) и цифро-аналоговых БИС.
Для упрощения проектирования и сокращения сроков разработки БИС на основе БМК широко применяются библиотечные наборы типо вых функциональных элементов. Вся информация о топологии фраг ментов хранится в банках данных систем автоматизированного проек-
91
|
Т а б л и ц а |
3.7 |
|
|
Плата с ИС |
БИС на осно |
Заказная (спе |
Показатель |
со средней |
ве БМК |
циализирован |
|
степенью |
|
ная) БИС |
|
интеграции |
|
|
Число кристаллов |
50 |
1 (1000 вен |
1 (850 венти |
|
|
тилей) |
лей) |
Использование логических вен |
95 |
85 |
100 |
тилей, % |
323 |
13 |
13 |
Площадь схемной платы, см2 |
|||
Затраты на разработку, |
10-20 |
20-30 |
50-100 |
тыс. долл. |
40-75 |
20-90 |
15-90 |
Стоимость компонентов (крис |
|||
таллов) , долл. |
20-50 |
4-10 |
4 -12 |
Стоимость тестирования и сбор |
|||
ки, долл. |
10-16 |
10-16 |
36-48 |
Время разработки, нед. |
|||
Общая стоимость в расчете на |
|
|
|
узел при объеме производства |
|
|
|
(числе узлов), долл.: |
180 |
200 |
|
250 |
- |
||
2500 |
100 |
90 |
60 |
25 000 |
80 |
50 |
60 |
250 000 |
65 |
30 |
30 |
2 500 000 |
— |
25 |
20 |
тирования (САПР) и используется в процессе создания матричной БИС. Применяются следующие способы организации ячеек матрицы БМК. На основе элементов ячейки может быть сформирован один вентиль —ба зовый логический элемент, выполняющий элементарную функцию, например НЕ, И-НЕ, ИЛИ—НЕ с разветвлениями по выходам. Для реа лизации более сложных функций используется несколько ячеек. На основе ячейки может быть сформирован любой функциональный узел библиотечного набора. Типы элементов ячейки и их число определяются электрической схемой самого сложного функционального узла. Дан ный способ построения ячеек базового кристалла позволяет упростить САПР БИС. При использовании БМК в качестве элементной базы РЗ библиотечный набор должен обеспечить реализацию составных частей РЗ. В состав библиотечного набора могут входить как простые логичес кие элементы типа И—НЕ, ИЛИ—НЕ, так и достаточно сложные узлы, широко применяемые в РЗ, например различные триггеры, регистры, счетчики, мультиплексоры, усилители, элементы выдержки времени, сумматоры, схемы сравнения, пороговые элементы и др.
На рис. 3.14 приведена схема БМК, эквивалентного по сложности 1500 вентилям. Кристалл содержит нескоммутированные базовые вен тильные ячейки и сформированные ФУ. Сдвиговые регистры, имеющиеся
92
Аналоговый квадрат
Рис. 3.14. Состав и расположение элементов в БМК
на кристалле, могут использоваться не только для построения устройств, но и для функционального контроля в различных точках кристалла. Например, БМК фирмы Motorolla (США) представляет собой кристалл на основе матрицы ячеек Macrocell. Помимо вентилей каждая ячейка матрицы содержит несколько транзисторов и резисторов связи. Соеди няя элементы матрицы заданным образом, можно создать логический макрос с малой или средней степеною интеграции. Макросы могут пред ставлять собой стандартные логические элементы (сдвоенные триггеры,
93
одноразрядные сумматоры и т.д.), способные выполнять по пять различ ных логических функций. Матрица Macrocell состоит из 4 основных ячеек, 32 интерфейсных и 26 выходных ячеек [76].
Проектирование функциональных узлов РЗ на основе БМК с исполь зованием библиотечных наборов существенно упрощает процесс разра ботки, так как проектирование идет на функциональном уровне, что позволяет проектировать схему даже вручную в течение нескольких дней. Срок разработки и запуска в производство БИС на основе БМК, содержащей 570 инверторов, составил менее полугода, а полученная БИС заменила 32 ИМС малой и средней степени интеграции [76]. Срав нительная характеристика временных затрат на проектирование функ ционального узла средней сложности приведена в табл. 3.8.
Качество разработки зависит от наличия САПР для каждого типа БМК, которая включает библиотеку макроэлементов и ряд программ, помогающих проектировать и проверять схему. При этом САПР БМК предусматривает следующие этапы: разбиение логической функции, выданной заказчиком, на части, удовлетворяющие ограничениям базо вого кристалла по числу и типам элементов, числу внешних выводов, выполняемой логической функции с использованием библиотеки эле ментов кристалла; автоматическое размещение элементов и трассиров ка соединений между ними с возможностями оптимизации вручную; изготовление комплекта фотошаблонов, необходимых для создания соединений; автоматический контроль готовых БИС. Система автомати зации проектирования заметно ускоряет разработку и упрощает взаимо действие между проектировщиком и изготовителем. Организации-раз работчики базовых кристаллов представляют в распоряжение заказчи ка необходимое программное обеспечение для проектирования БИС на основе БМК.
Изделия на основе БМК находят в настоящее время все возрастающий спрос. Так, в США с 1980 по 1985 г. их сбыт возрос в 10 раз. Все ведущие
Т а б л и ц а |
3.8 |
|
|
|
Продолжительность этапа проекти |
||
Этап |
рования, мес |
|
|
Метод ’’базового |
Функциональный |
||
|
|||
|
кристалла” |
метод |
|
Разработка электрической схемы |
_ |
2-5 |
|
Разработка фотошаблонов |
1-2 |
2-5 |
|
Производство фотошаблона |
1 |
1 |
|
Производство кристаллов ИС |
0,5-1 |
1-2 |
|
Тестовая проверка |
0,5-1 |
1-2 |
|
Возможные переработки |
- |
3-5 |
|
Запуск в серийное производство |
1 |
3-5 |
|
Общее время проектирования |
4 -6 |
13-25 |
94
фирмы-разработчики микроэлектронной техники ведут разработку БМК. Отечественной промышленностью в настоящее время налажен выпуск БМК на основе КМДП-, И2Л- и ЭСЛ-технологий. Характеристи ки некоторых из них приведены в табл. 3.9.
Учитывая, что для выполнения базовой ячейки необходимо четырешесть вентилей, с помощью БМК К1806ВП1, например, можно выпол нить разработку функционального модуля, содержащего 450-650 ба зовых ячеек. Такой кристалл наиболее подходит для реализации функ циональных модулей РЗ с гибкой структурой и цифровых реле защиты средней сложности. На основе БМК начали проектировать дополнитель ные БИС МПК. Так, БИС К1801ВП1 включает в себя 600 ячеек и стан дартных элементов, в том числе 80 усилительных, 40 периферийных и 480 схем И—НЕ, ИЛИ—НЕ и различных триггеров. На основе БМК этого типа реализованы БИС управления динамической памятью (К1801ВП1030), БИС управления последовательным вводом-выводом (К 1801ВП1035), БИС управления параллельным интерфейсом (К 1801ВП1-033, 034) и др. На БМК большой функциональной мощности проектируют ся даже специализированные МП, БИС коммутаторов и ПЗУ.
Одно из направлений в разработке микросхем повышенного уровня интеграции базируется на гибридной технологии, использующий бескорпусные ИМС малой степени интеграции и пленочную технологию их сое динения на диэлектрической подложке. Бескорпусные ИМС по сравне нию с корпусными аналогами меньше по объему и массе примерно в 70 раз, а по занимаемой площади - в 30 раз. Под гибридной микроэлек троникой понимается сборка активных и пассивных микрокомпонентов на соединительных подложках различных типов. По мере миниатюриза ции и повышения плотности упаковки гибридные схемы становятся все более сложными и нередко выполняют функции законченных уст ройств в одном корпусе. Метод гибридизации открывает широкие воз можности комплексного использования тонко- и толстопленочных эле ментов, разнообразных компонентов и кристаллов, пленочных много слойных коммутационных плат для создания сложных устройств в ви де гибридных БИС (ГБИС). Применение ГБИС в РЗ поможет в значи
тельной мере |
решить |
ряд проблем, возникших в связи с разработкой |
||||
|
|
Т а б л и ц а 3.9 |
|
|
|
|
Тип БМК |
Техноло |
Число вен |
Напряже |
Время пе |
Температур |
|
гия |
тилей |
ние пита |
реключе |
ный диапазон, |
||
|
|
|
ния, В |
ния, нс |
° с |
|
К1806ВП1 |
КМОП |
1500 |
5 ± 10% |
10-20 |
-6 0 |
- +85 |
К1515ХМ1 |
КМОП |
3200 |
5 |
5 |
-6 0 |
- +85 |
К1520ХМ1 |
ЭСЛ |
300 |
4,5 ±5% |
0,7 |
- 1 0 - + 2 5 |
|
К1521ХМ1 |
ЭСЛ |
300 |
5,2+5% |
0,15 |
- 1 0 - +25 |
95
устройств РЗ на полупроводниковых элементах: повышение надежно сти и живучести; обеспечение электромагнитной совместимости путем естественной экранизации (ГБИС размещается, как правило, в стандарт ном металлическом корпусе); упрощение технического обслуживания и регламентных работ в процессе эксплуатации защиты в целом. Одна ко необходимо обратить внимание на то обстоятельство, что в ГБИС очень сложно реализовать регулируемые аналоговые элементы.
Главным критерием при разработке устройств РЗ и выборе элемент ной базы должна оставаться надежность —функциональная и аппаратная. С этой позиции разработчик устройств РЗ в составе специализирован ных ГБИС должен иметь простые реле с одной подведенной величиной (ток, напряжение и т.п.), выполненные на основе полупроводниковых ИМС малой степени интеграции и позволяющие реализовать простые РЗ систем электроснабжения без использования процедурно программиру емых элементов. При этом защиты могут обладать и параметрической гибкостью (самонастройка уставок), и алгоритмической гибкостью (самоорганизация за счет избыточности, повышающая живучесть систе мы РЗ). Кроме того, в состав специализированных ГБИС должны вхо дить: измерительные преобразователи входных электрических и неэлек трических величин с унифицированным (для ввода в АЦП) сигналом, резистивные высокоточные делители напряжения для переключения уставок, однокристальные резервированные микроЭВМ и ряд других компонентов. При этом надежность самих бескорпусных полупроводни ковых ИМС должна обеспечиваться за счет многократного резервирова ния их структуры, что выполнимо в БМК и интегральных системах на пластине. Разработчики аппаратуры на основе анализа схем РЗ с уче том их дальнейшего развития должны сформировать минимальный функционально полный набор типовых ФУ для последующей их реали зации в виде специализированных ГБИС. Это позволяет разработчику модернизацию конкретной аппаратуры данного класса сводить к опре делению состава типовых ГБИС и их соединений, обеспечивающих вы полнение РЗ требуемых функций. Обновление состава типовых ГБИС будет производиться только при достаточном технико-экономическом обосновании, например при расширении функций аппаратуры или суще ственном обновлении элементной базы.
Анализ развития цифровой элементной базы РЗ показывает, что оно идет прежде всего по пути повышения степени интеграции ИМС, которые могут решать сколь угодно сложные и разнообразные алгоритмы пере работки информации. Вместе с тем ИМС высокой степени интеграции имеют ряд недостатков, осложняющих их разработку, изготовление и применение. Например, возрастание удельной рассеиваемой мощности при увеличении степени интеграции требует принятия специальных мер по обеспечению теплоотвода, а при удельной мощности выше 20 Вт/см2 — применения принудительного охлаждения. Естественным следствием повышения уровня интеграции являются удорожание и ус-
96
ложнение ремонтных работ, что порождает ряд проблем, органически присущих устройствам с плотным размещением элементов [78]. При повышении плотности упаковки усиливается электромагнитная связь между элементами, что снижает помехоустойчивость системы. Возника ют трудности и при изготовлении для ИМС малых по размерам корпу сов с большим числом выводов, что существенно сдерживает увеличение степени интеграции микросхем. Применение ГБИС до определенной степени сокращает объем, занимаемый в устройстве РЗ электронной схе мой, что позволяет уменьшить габариты аппаратуры и использовать для повышения надежности резервирование как внутри корпусов ГБИС, так и отдельных ГБИС на печатной плате.
В последнее время плодотворно развивается идея создания ’’систем на пластине” [8]. Такой подход сочетает в себе положительные качества микроэлектронной технологии и схемотехники, потенциальные возмож ности МПС с перестраиваемой структурой, принципы обеспечения надеж ности. Интеграция на целой пластине (ИЦП), с помощью которой пыта ются достичь новых, более высоких уровней миниатюризации, является технологией, области применения которой еще не определены. В то же время основные концепции этой технологии нельзя считать совершенно новыми. Первые попытки получить ИЦП-системы относятся к 60-м годам. Фирма Treelogy sistem (США) одной из первых стала уделять внимание созданию функционально законченных сложных устройств по концепции ИЦП, базируясь на том, что ИЦП обладает достаточно малой чувствительностью к дефектам технологического процесса благодаря резервированию. В случае появления дефекта в какой-либо схеме ее место занимает резервная. Надежность любого интегрального прибора, герметизированного в отдельный корпус, повышается при условии, что число выводов в системе сокращается.
Первым практическим внедрением концепции ИЦП явилась система IBM3081, выполненная на БМК, состоящих из 704 логических венти лей и 121 контакта. Сто и более таких кристаллов монтируются rta ке рамической подложке, содержащей 33 слоя межсоединений, которая герметизируется в теплопроводный модуль, являющийся по сути гиб ридной СБИС. Собственно блок обработки IBM3081 имеет 16 каналов и содержит 26 модулей. В настоящее время создание подложек к таким модулям является задачей наивысшей технологической трудности. Интегрирование кристаллов на одну пластину позволяет значительно снизить потери полезного пространства, уменьшить паразитные емкости, суммарную потребляемую мощность и число межсоединений, что приво дит к увеличению быстродействия и надежности. При конструировании ИЦП-систем необходимо предусмотреть возможность исправления де фектов схемы или включение средств обеспечения отказоустойчивости. Отказоустойчивость предполагает наличие резервирования или обеспе чение ремонтопригодности, т.е. возможность вмешательства в процесс изготовления, что должно повысить процент годных БИС.
97
В период с 1965 по 1970 г. фирма TI (CIlLV) разрабатывала концеп цию дискретной разводки. Пластина подразделялась на отдельные функ циональные узлы. В процессе изготовления ее испытывали с целью выявления годных узлов, из которых с помощью ЭВМ компоновали за тем ИЦП-систему. При такой схеме изготовления каждой пластине дол жен соответствовать свой набор фотошаблонов, организующих межсое динения на подложке. Существовавший в те годы уровень производства и САПР не позволял реализовать концепцию ИЦП на приемлемом техни ческом уровне. В 1980 г. в США вновь вернулись к разработке данной концепции при создании проекта СБИС с изменяемой конфигурацией межсоединений при проектировании ОЗУ и электрически программиру емых ПЗУ. Так, из 192 сформированных на пластине ячеек, состоящих из четырех 10-разрядных счетчиков и регистров сдвига, выбирают 64 ра ботающие (130000 транзисторов). Из семи американских и японских эк спериментальных ИЦП-систем в 1984 г. пять явились системами памяти.
Следуя такой концепции, можно реализовать блок управления гиб кой РЗ, обладающей повышенной живучестью, на основе однотипных многофункциональных перестраиваемых узлов. В качестве многофунк ционального цифрового узла могут быть использованы, например, циф ровые интеграторы, рассмотренные выше. В настоящее время процесс изготовления любого устройства требует разнотипных территориально удаленных и разобщенных производств: изготовление микросхем; изготовление печатных плат; монтаж изделий, характеризующийся большим объемом ручного труда. Концепция ИЦП позволяет присту пить к созданию гибких РЗ на основе однородных структур, например цифровых интеграторов. Это дает возможность кардинально упростить технологию производства готового изделия при той же плотности упа ковки базового элемента БИС. В процессе такого производства кроме других преимуществ обеспечивается возможность существенного сниже ния отходов дорогостоящих полупроводниковых материалов, резкого уменьшения габаритов и потребляемой мощности законченного изде лия, создания полностью автоматизированного цикла выпуска готового изделия, причем выпускаемого на одном производстве. Однако следует отметить, что в этом случае возрастает роль мощных САПР на этапе производства. Создание систем на ИЦП требует проведения больших объемов исследований. По оценкам специалистов, к концу 80-х годов должны появиться ИЦП, конкурентоспособные со СБИС массового производства. В настоящее время областью применения ИЦП являются ЗУ и системы обработки сигналов.
Взаключение следует отметить, что внедрение гибридной технологии
впроцесс изготовления устройств РЗ и соответствующее расширение номенклатуры высоконадежных бескорпусных ИМС позволяет сущест венно повысить технический уровень РЗ (от простых реле до сложных систем РЗ с перестраиваемой архитектурой) и, что главное, сократить сроки обновления техники.
98
Г л а в а ч е т в е р т а я
МИКРОПРОЦЕССОРНЫЕ РЗ С ПРОЦЕДУРНЫМ ПРОГРАММИРОВАНИЕМ
4.1. ПРЕДПОСЫЛКИ ПЕРЕХОДА К РЗ С ПРОЦЕДУРНЫМ ПРОГРАММИРОВАНИЕМ
В настоящее время для управления электроэнергетическими объек тами в аварийных режимах ЭВМ используются весьма ограниченно, что обусловлено в основном высокими требованиями к надежности систем РЗ. Структура каждой системы РЗ зависит от особенностей соот ветствующего объекта. Это вынуждает проектировать систему РЗ для конкретного объекта из отдельных реле или в виде типовых панелей защиты. Опыт проектирования унифицированных систем РЗ с аппарат ной реализацией алгоритмов на базе дискретных компонентов и ИМС с малой степенью интеграции, у которых адаптация системы защиты к конкретному объекту осуществляется до ввода РЗ в эксплуатацию из менением набора функциональных блоков, показал, что возникают трудности при организации контроля и Диагностики такой системы. Требование высокой надежности удовлетворяется созданием весьма сложных систем контроля, диагностики и резервирования. Указанные трудности могут быть преодолены переходом на новую элементную ба зу — большие ИМС, в том числе МП. Особое значение имеет переход к программной реализации функций управления и защиты с помощью МП.
Существует противоречие между производителем и потребителем ре лейной аппаратуры. Первый стремится к созданию универсальных и уни фицированных средств, что повышает технико-экономическую эффек тивность производства за счет уменьшения номенклатуры выпускаемых устройств РЗ, роста объема и специализации производства, более широ кой автоматизации производственных процессов и как следствие сниже ния себестоимости устройств. С другой стороны, состав функций, пара метры, алгоритмы РЗ зависят не только от типа электрооборудования объекта (генератор, трансформатор, ЛЭП), но и от его параметров
(мощности, напряжения |
и др.), а также от параметров внешней ЭЭС |
и характера связей с ней |
[79]. Следовательно, для электроэнергетичес |
ких объектов, особенно крупных (например, турбогенераторы единой серии, мощные силовые трансформаторы и -автотрансформаторы), с точки зрения потребителя РЗ необходима разработка индивидуальной системы МПРЗ. До настоящего времени это противоречие решалось пу тем обеспечения высокой степени заводской готовности РЗ объекта, т.е. проектированием РЗ в виде комплекса отдельных автономных устройств. Эти устройства РЗ связаны в комплекс лишь совместным функционированием на одном объекте. Каждое из них защищает от од ного или нескольких видов КЗ из всего множества повреждений. Подоб ные комплексы проектируются на базе электромеханических реле,
99
микроэлектронных аналоговых и аналого-цифровых устройств РЗ. Наряду с высокой живучестью они обладают параметрической гиб костью, но имеют весьма ограниченную алгоритмическую и функцио нальную гибкость. Эти свойства обычно реализуются ручной настройкой
иперестройкой, что является причиной значительной доли отказов функ ционирования устройства РЗ. Возможности автоматического контроля
идиагностики в таких комплексах ограничены. Можно предположить,
что аналого-цифровые устройства и системы РЗ с аппаратной реализа цией функций в дальнейшем будут иметь распространение лишь для за щиты объектов с несложными алгоритмами и простым обслуживанием. Для сложных электроэнергетических объектов с большим числом внеш них связей и переменными режимами работы, постепенные отказы ко торых приводят к многочисленным и разнообразным повреждениям, при использовании комплексов устройств РЗ оправдан переход к МПРЗ
[2, 40].
В настоящее время РЗ ориентирована на выявление, локализацию и ликвидацию КЗ и ненормальных режимов. Однако в большинстве случа ев КЗ, особенно на крупных энергообъектах (генераторах, силовых трансформаторах и т.д.) в объединенных ЭЭС, являются следствием постепенных отказов, возникающих по мере выработки ресурса обору дования. Известно, что увеличение времени профилактических ремонтов на энергоблоках снижает длительность аварийных ремонтов. Поэтому актуальна диагностика предаварийного состояния энергообъекта, в том числе его электрической части, что позволит предупредить или сущест венно уменьшить размеры и последствия КЗ и ненормальных режимов. Очевидно, что диагностика предаварийных состояний требует контро ля значительно большего числа параметров и характеристик (в том числе и неэлектрических) защищаемого оборудования, значительных объе мов информации и реализации алгоритмов идентификации в многомер ных пространствах состояний. Существующие наиболее сложные РЗ (ДФЗ, ДЗТ, дистанционные РЗ) идентифицируют состояние 03 в «-мер ном пространстве параметров. Предаварийная диагностика (на началь ной стадии развития повреждения) в большинстве случаев (но не во всех) снимет проблему быстродействия РЗ, поскольку 03 будет выво диться для восстановления до возникновения КЗ или ненормального режима. Ясно, что реализация такого подхода требует использования средств РЗ с абсолютной гибкостью, способных перерабатывать и хра нить в течение длительного времени значительные объемы информаций о состоянии 03. Практически в настоящее время это означает использо вание МП-средств с энергонезависимой памятью.
Для управления крупными энергообъектами используются АСУТП, ориентированные на применение СМ и ЕС ЭВМ, поэтому в перспективе РЗ следует рассматривать как подсистему таких АСУТП. Существующие системы РЗ имеют весьма слабые связи с АСУТП. Например, на блочном щите энергоблока и центральном щите электростанции имеется лишь
100