Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Физические основы электроники

..pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
11.91 Mб
Скачать

y /////////////////S M ^

Реальный сиг­ нал, в отличие от идеального, облада­ ет ограниченным спе­ ктром, так как выше определенного номе­ ра амплитуда этих гармоник настолько мала, что ими мож­ но пренебречь.

Шириной спект­ ра называется ин­

тервал (на шкале частот), в котором размещается ограничен­ ный спектр. Ограничение спектра производят исходя из до­ пустимого искажения сигнала.

Допустим, что мы имеем последовательность импульсов (рис. 9.6, а). Если t» = tn, то имеются только нечетные гармо­ ники. Если Ги Ф tn, то сигнал содержит как четные, так и не­ четные гармоники.

Для примера возьмем, что tн = tn. Тогда ряд Фурье полу­ чит следующий вид:

Щ ) = UI2 + (2U/n) sin Ш + (2Штг) sin +

+ (2C7/51C) sin 5©/ +...,

(9.12)

(2U/n) sin со/ — 1-я гармоника; (2(//Зя) sin Зол — 3-я гармоника; (2U/5n) sin 5cof — 5-я гармоника.

Чем выше гармоника, тем меньше амплитуда. При сум­ мировании 1, 3 и 5-й гармоник получается импульс, похожий на исходный (см. рис. 9.6, б).

Прямоугольный импульс с достаточной точностью мож­ но воспроизводить, если возьмем сумму 1, 3, 5 и 7-й гармо­ ник. Если для воспроизведения прямоугольного импульса по допустимым искажениям достаточно 1-й и 3-й гармоник, то мы будем говорить, что ширина спектра — Д/ = 3/; если дос­ таточно 1, 3 и 5-й гармоник, то ширина спектра — Af= 5/.

г

Рис. 9.7

 

Iк '/ / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / Л

 

9.2. Работа транзистора

 

в импульсном режиме

 

В импульсных устройствах обычно при­

 

меняется схема включения транзистора с ОЭ.

 

В импульсном режиме, как правило, откры­

 

тый транзистор работает в режиме насыще­

 

ния, а закрытый — в режиме отсечки. В ре­

 

жиме отсечки напряжение смещения на обоих

переходах — эмитгерном и коллекторном — отрицательное (£Лб < 0 и i/кб < 0), и через переходы протекает отрицательный ток (рис. 9.7, а).

а

 

о

V b

о

К

Рис. 9.8

V ///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////S //.

Обратный ток эмиттера пренебрежимо мал по сравнению с обратным током кол­ лектора. Ток базы имеет обратный знак, а по абсолютному знаку равен току /ко.

Врежиме отсечки цепь эмиттера можно считать разомкнутой, а транзистор пред­

ставлять эквивалентным генератором тока /ко (рис. 9.7, б).

Вреокиме насыщения на обоих переходах напряжения смещения положительны (t/бэ > 0 и 1/кб > 0) и через них проте­ кают прямые токи. Такой режим можно получить при доста­ точно большом токе базы /бн (рис. 9.8, а).

Действительно, при увеличении тока базы увеличивается ток коллектора и падение напряжения на сопротивлении R K.

Напряжение коллектор—база равно:

Uкв — Ек + IKR K+ t/бэ« -Е к + B h R x + 1/бэ.

(9.13)

При выполнении неравенства B h > E J R K напряжение (Лев становится положительным. Это неравенство часто называют критерием насыщения, а относительное превышение тока базы по сравнению с током насыщения /бн степенью насыщения:

JV= 1б__[бн_

■^бн

Напряжение, которое необходимо приложить между ба­ зой и эмиттером транзистора для достижения определенной степени насыщения при заданном коллекторном токе, назы­ вается напряжением насыщения база— эмиттер Uбэн. Ток кол­ лектора в режиме насыщения определяется параметрами внешней схемы и называется током насыщения'.

/кн — ВН п,

9 15

 

( . )

/кн

(9.16)

Напряжение между коллектором и эмиттером насыщен­

ного транзистора t / к э н обычно весьма мало,

U*w < 0,1 В, по­

этому г/кэн« Ек.

В режиме насыщения в базе накапливается избыточный заряд неосновных неравновесных носителей: Q= Q-QrV.

На семействе выходных характеристик для схемы с ОЭ режим насыщения соответствует левому крутому участку, где ток коллектора не зависит от тока базы. Так как напряжения 6 / к э н , U K6 и t / б э н в режиме насыщения малы, то все три электро­ да насыщенного транзистора можно считать короткозамкну­ тыми и представлять транзистор в виде единой эквипотенци­ альной точки (рис. 9.8, б).

9.3.Логические элементы

иреализация логических функций

Основными базовыми элементами являются логические схемы «И», «ИЛИ», «НЕ» и триггер. Схемы «И», «ИЛИ», «НЕ» составляют функционально полную систему для проек­ тирования ЭВМ. С их помощью можно реализовать любую логическую функцию. Рассмотрим схемы, реализующие опе­ рации двухзначной логики (комбинационные схемы).

М 8

СпeUfиальныи

Симбол

Рис. 9.9 ////у//////////////////////////////////////////////////////////////////////////////;///////////////////////////////;//////////?

Схема «И» (схема совпадения). Условное обозначение при­ ведено на рис. 9.9. Реализует логическое умножение (конъюн­ кцию ) двух или более логических значений и имеет не менее 2-х входов.

II

АВ = АВ

А В АВ

0 0 0

(9.17)

1 0 0

0 1 0

1 1 1

Схема «ИЛИ». Условное обозначение - лизует логическое сложение (дизъюнкцию).

и

vВ = А +В

АВ А +В

0 0 0

(9.18)

1 0 I

0 1 1

1 1 1

Специальный

симбол

Схема «НЕ» (инвертор). Условное обозначение — на рис. 9.11. Инвертор — это одновходовая схема, которая формиру­ ет выходной сигнал в виде инверсии входного сигнала, т.е. если на входе 0, на выходе 1, когда на входе 1, на выходе 0.

Схема «ИЛИ—НЕ» (операция Пирса). Является комби­ нацией схемы «ИЛИ» и инвертора и осуществляет инверсию результата схемы «ИЛИ» (рис. 9.12).

А

v В

Y

= А

+

в

А

В

А + В

А

+

в

0

0

0

 

1

 

0

1

1

 

0

 

1

0

1

 

0

 

1

1

1

 

0

 

Нетрудно убедиться непосредственной проверкой, что

Y - А + В = А^В.

(9.20)

Отсюда следует, что операцию «ИЛИ—НЕ» можно реа­ лизовать другой схемой (рис. 9.13).

Z////W/////////////////////////////////////////S////////////////////*

 

А

- О

-

 

 

 

Схема «И—НЕ»

(опе­

 

А* В

 

 

рация Шеффера)

состоит

ь

Ъ

из элемента «И»

и

инвер­

тора и осуществляет инвер­ сию результата схемы «И».

Связь между выходом У и входами А и В записывают сле-

дующим образом:

 

У = А В ,

(9.21)

где А-В читается как «инверсия A -В». Условные обозначения схемы «И—НЕ» представлены на рис. 9.14.

А

В

А В

А В

0

0

0

1

1

0

0

1

0

1

0

1

1

1

1 инверсия

0

Операцию «И—НЕ» можно реализовать другой схемой

(рис. 9.15), так как

 

__ _ _

 

 

 

У = А В= A v B .

(9.22)

«Исключающее ИЛИ» (сумма по модулю 2) — эту опера­ цию называют операцией несовпадения. Единица на выходе системы будет только тогда, когда на одном входе системы 1, а на другом — 0. Условные обозначения схемы «исключаю­ щая ИЛИ» представлены на рис. 9.16.

Таблица входов А, В и выхода У = А Ф В схемы «исклю­ чающее ИЛИ»:

А

А * в

В

Рис. 9.14

А

В

А ® В

 

0

0

0

 

0

1

1

(9.23)

1

0

1

 

1

1

0

 

Связь между выходом А ® В схемы и входами А и В опи­ сывается соотношением:

А 0 В = В )v ( I В ).

(9.24).

Схема реализации операции «исключающее ИЛИ» пред­ ставлена на рис. 9.17. В этом случае для реализации операции «исключающее ИЛИ» используются 5 элементов (HEi, НЕг, И|,И2, ИЛИ).

При проектировании цифровых схем приходится решать задачу минимизации, т.е выбора схемы, состоящей из мини­ мального числа базовых элементов. На примере схемы «иск­ лючающее ИЛИ» рассмотрим, как можно минимизировать число элементов схемы. Минимизация выполняется с помо­ щью основных соотношений Булевой алгебры. Выражение (9.24) можно преобразовать следующим образом:

А Ф В = АВ v A B v A A v ВВ = ( j v в \ а V В)= (A V В ^ Г в);

(9.25)

так как АА =0;BB =0;A B = A v B .

Схема «исключающее ИЛИ» для этого случая представ­ лена на рис 9.18.

А

ФХ>/>@В

=4 А® 8

В

В

Рис. 9.16 '///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////WW"1''

Рис. 9.17

9.4.Оифференцирующие

иинтегрирующие цепи

Дифференцирующие цепи. RC-цепь с постоянной времени, которая намного меньше длительности входного импульса, называется дифференцирующей (рис. 9.19).

Ток через конденсатор С связан с напряжением на нем дифференциальной зависимостью

ic = A

(9.26)

Чтобы воспользоваться результатом дифференцирования, нужно создать напряжение, пропорциональное току ie. Это име-

Рис. 9.18 '//////////////////////У///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////,

 

v e

 

U b

* 0

^бы х

f i ­

 

 

Рис. 9.19

'//////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////,

ет место в цепи, в которой выходное напряжение снимается с резистора R:

dur

du

Мвых = icR - CR - г - = х

(9.27)

dt

dt

где x = CR — постоянная времени цепи.

Однако напряжение на входе этой цепи, которое должно подвергаться дифференцированию, отличается от ис. Оценим

погрешность, обусловленную их разностью:

 

 

—_ ^(^вх ^вых)

du„

- х -

du.

Ывъа — X

= т

х-

(9.28)

dt

dt

dt

 

dt

Первый член правой части этого равенства — полезный результат дифференцирования, второй член — ошибка. Она уменьшается с уменьшением х (при этом одинаково уменьша­ ется и полезный результат) и отсутствует ошибка при dutmldt = 0, т.е. когда иВых = U = const (в частности, когда иВых = 0).

Отсутствие ошибки при иВых = U = const объясняется тем, что в этом случае напряжение на конденсаторе (ис = Ивх - U) изменяется по тому же закону, что и мВых, поэтому:

 

duc

d(uBX- U) dut

 

dt

dt

(9.29)

 

dt

du.

du..

 

(9.30)

ТОГДа Квых = x ^ £ -

= x-

 

dt

dt