книги / СВЧ-энергетика. Генерирование. Передача. Выпрямление
.pdfВнашем частном случае, если взаимодействие излучения
сатомной или ионной системой протекает в течение вре
мени Д/ и испускается энергия на частоте, близкой к л>0, то частоту излучения нельзя определить с точностью, большей 1/2лД*. Следовательно, спектральная линия долж на иметь некоторую ширину
Ду ^ 1/2теД/.
Приведем несколько примеров однородного уширения спектральной линии. Предельную ширину линии атом ной системы называют собственной шириной спектраль ной линии. Уширение спектральной линии связано с про цессом излучения. Любая излучающая система взаимо действует с полем излучения, которое она создает, и это взаимодействие возмущает систему так, что ее энер гия становится неопределенной в пределах
Д Е ^ М ^ я , |
(17) |
где Ап было введено выражением (4). Таким образом, время существования системы на /г-м энергетическом уровне при условии спонтанных переходов можно опре делить как
тд— 1/Аг |
(18) |
Аналогично этому выражение |
|
^,«=1 /4 » |
(19) |
определяет время существования системы на п-м уровне при условии спонтанных переходов на т - й уровень.
Второй пример однородного уширения— это уши рение, связанное с соударениями или давлением в газе. Если атом газа взаимодействует с полем излучения, то длительность излучательного взаимодействия может быть ограничена частотой, с которой другие атомы соударяются с данным атомом. Эта частота соударенийопределяет среднее время тс между соударениями для данного атома, и ширина спектральной линии для уровня п данного атома будет
^пт = |
1/2тгтс |
|
(20) |
при условии, что поле излучения резонирует |
по отноше |
||
нию к переходу 1УП----> |
Уширение спектральной ли |
||
нии, обусловленное соударениями, |
относится |
к однород |
Неоднородное уширение спектральной линии в отли чие от однородного является характеристикой атомов или ионов в ансамблях. Если в ансамбле содержится в сумме N атомов одного рода, но вследствие действия некоторого механизма эти N атомов можно разделить на большое число К подансамблей, таких, что Nп атомов, входящих в д-й ансамбль, все имеют один и тот же спектр энерге тических уровней и этот спектр не резко изменяется при переходе от одного ансамбля к другому, то любая линия спектров поглощения или излучения всего ансамбля будет представлять собой суперпозицию однородно уширенных спектральных линий всех поданбамблей. Таким образом, если нормализованную линию излучения п-го подансамб ля записать в виде §п (V— уп), где Vп — центральная ча стота линии, то линия излучения всего ансамбля запи шется в виде
8 ('>—'>«)= АТ" 12 мп8„ (*—О- |
(21) |
В качестве примеров неоднородного уширения мы рас смотрим доплеровское уширение в газе и уширение, обус ловленное несовершенством кристаллической решетки. Если атом, находящийся в покое, излучает вблизи цен тральной частоты V0, то при движении к наблюдателю (приемнику) со скоростью V его излучение будет проис ходить на частоте V,,!1 + (с/с)], а при удалении от наблю дателя — на частоте. г0[1 — (с/с)], где с/с — доплеровский сдвиг частоты. Но в газе, имеющем температуру Т, ве роятность того, что скорость атома составляет с точ ностью до с/г) скорость V относительно наблюдателя, имеет вид
/<в>Л - ( - е т Г “ Р ( т ? ) Л - |
(22) |
где т — масса атомов газа. Таким образом, форму спек тральной линии для газа, имеющего температуру Г, можно представить выражением
8 (V - V » ) * " |
(-Ш Г ) е х р ( “ [ |
! ] * ) * • |
(23) |
Здесь
(24)
— доплеровская ширина спектральной линии на уровне, где интенсивность вдвое ниже максимальной.
Наконец, рассмотрим уширение, обусловленное не совершенством решетки. Обратимся снова к фиг. 2. Мы уже установили, что вследствие эффекта Штарка спектр энергетических уровней иона Сг+3 зависит от электриче ского поля, создаваемого соседними ионами О"2. В свою очередь это поле сильно зависит от относительных поло жений ионов Сг+3 и О-3. Следовательно, если ориентация
и структура хромо-кислородного комплекса |
меняются |
в кристалле рубина от точки к точке, то ясно, |
что даже |
в отсутствие тепловых колебаний спектральные линии хрома будут уширены и причиной этого уширения яв ляются неоднородности в кристалле. Распределение пара метров по различным точкам кристалла носит случай ный характер, и поэтому распределение центральной частоты V, испускаемой таким неоднородным ансамблем, можно записать в виде
4(11 — |
2 ■). (25) |
(А'О2 |
|
где у0 — центральная частота в точке максимальной интен сивности неоднородно уширенной спектральной линии, т. е. «центр» центральной частоты, а Лу — ширина такой спектральной линии на уровне, где интенсивность вдвое меньше максимальной. При этих условиях выражение для нормализованной формы спектральной линии рас сматриваемого излучательного перехода принимает вид
4 (у — Ур)в 1п 2 |
■ )• (26) |
(А*)3 |
Подводя итоги, можно, следовательно, сказать, что спектральные линии всех изолированных атомов, ионов и молекул однородно уширяются в результате взаимодей ствия с полем излучения. В ансамбле эти линии обычно дополнительно уширяются вследствие таких однородных эффектов, как тепловое или ударное уширение, и таких
неоднородных эффектов, как доплеровское уширение н уширение, обусловленное дефектами кристалла.
Г. Излучательные взаимодействия в ансамблях атомов или ионов. Рассмотрим теперь взаимодействие излучения с ансамблями связанных электронов на примере экспери мента, задачей которого является наблюдение излучения такого ансамбля. Блок-схема эксперимента представле на на фиг. 3. Свет от монохроматического источника
Монохроматор |
Ячейка с образцом |
|
оптика |
Ф ]| г. 3 . С хем а |
эк сп ер и м ен та д л я н аблю дени я линии по |
глощ ения |
в ан сам бл е с в я за н н ы х эл е к тр о н о в . |
пропускается через коллиматор и ячейку, содержащую образец с исследуемым ансамблем. Излучение погло щается в образце, и ослабленный пучок света фокусирует ся на фотоприемник. В действительности световой пучок ослабляется не только из-за поглощения в образце, но и вследствие ряда других факторов, таких, как отражение и рассеяние на поверхностях оптических элементов схе мы, .на ‘входной и выходной поверхностях образца, а также нз-за рассеяния в ансамбле и атмосфере. Чтобы упростить изложение, мы будем рассматривать ниже только -процесс поглощения излучения в ансамбле, а действием всех остальных факторов -пренебрежем.
Если откачать ячейку, используемую для исследова ния образца, то окажется, что в пределах -области, где выход монохроматора и характеристики приемника не зависят от частоты, выходной сигнал приемника также не зависит от частоты. В этих условиях мы можем опреде лить интенсивность потока излучения на .входе ячейки. Если теперь заполнить ячейку ансамблем атомов или ионов и исследовать частотную зависимость сигнала на
выходе приемника, мы найдем, что на выходе приемника представлен спектр линий поглощения, центры которых образуют некоторую последовательность центральных ча стот. Типичная характеристика одной из этих спектраль ных линий приведена на фиг. 4.
Ф и г. 4. Типичная линия поглощения.
Влияние газа в ячейке можно описать законом сле дующего вида:
—й! (у; х) = / (V; х) а (у) М х, |
|
или |
|
I ( у ; х) йч = / (у, 0) ехр [—а ( у) я] йч. |
(27) |
В свою очередь а{ч) можно выразить следующим об разом. Рассмотрим ансамбль, содержащий N атомов или ионов в единице объема. Линия поглощения этих атомов
соответствует переходу между уровнями |
и IV2 > \УХ. |
Предположим теперь, что при л(ЦРь |
атомов |
в |
единице объема верхний уровень энергии находится в |
||
пределах |
относительно №2, а |
нижний уровень — |
|
в |
пределах |
<Шг относительно |
Предположим далее, |
что в данном |
подансамбле часть атомов |
имеет энергию |
в интервале |
а остальные /2 = 1 — |
имеют энергию |
в интервале |
Тогда число атомов на каждом из уров |
|
ней можно записать в виде |
|
|
|
|
(28) |
|
ХШ %. |
(29) |
Эти выражения можно представить и в более удобной форме
и |
= /,0 (И7„ Ь г1) Ш ф п |
(30) |
|
|
|
|
|
йИг= !гО {^ъ НЧ1)<Ш1< у21. |
(31) |
||
С учетом уравнений (13) и (14) получим |
|
||
—< И ( у 2г, А')й ч п = (Ьп/с) й х [ й Ы |
2б211/ (»и ,л). |
(32) |
|
Сравнивая выражения (32) и (27), |
находим |
|
|
а 0 Г „ V ) Й Г , = |
( Ь / с ) < ? ( Г „ у ) [ / А , - / А Л |
|
|
откуда |
|
|
|
кМ = |
(Ь/с) Л^О (V) [ДВ12—/2В21]. |
(33) |
|
Здесь |
|
|
|
а(ч)~Ы -х§0(№ 1,ч)с№г1 |
(34) |
описывает нормализованную форму спектральной линии для рассматриваемого перехода. Так как обычно V мало меняется в пределах ширины спектральной линии, урав нение (33) можно записать в виде
а ( V ) = |
( К / с ) N 0 (V ) [ / А |
. - / А , ] , |
( 3 5 ) |
||
где г0 — частота, |
на |
которой (/(V) |
максимально. |
|
|
Наконец, воспользовавшись уравнениями (7) и (10), |
|||||
уравнение (35) |
представим так: |
|
|
||
“ « " 1 |
^ |
( 1 9 |
|
(36) |
|
где |
|
|
|
|
|
Л4 = ДЛГ, |
ЛГя= /2ЛГ = (1-Л)ЛГ. |
|
Поскольку
^ С? ( V ) ^ = 1 ,
можно выразить О(л>0) как обратную ширину спектральной линии
О Ы ~ 1/Д*.
Тогда величина затухания на единицу длины в максимуме
линии поглощения становится равной |
|
|
|||||
а (-'о) = |
Л'с8 |
/ й |
\ |
^ |
[8гН1 — е1М \ |
||
8я^ |
У й |
) |
тД-' |
\ |
йЛГ |
/ ’ |
|
где т = 1/Лох. |
Или в |
более |
простой |
форме |
|
||
где |
|
« Ы |
= —«оЧ. |
|
(37) |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
!==^ Ш |
/ |
(38) |
|
0 8ятД\> \ ^ |
|
|
И |
|
|
|
|
|
|
(39) |
При условии |
= ^2, которым мы ради простоты будем |
пользоваться и далее, выражения (38) и (39) принимают форму
а0 = N1^/вятДу, к] = (40)
Уравнение (37) является одним из основных для опи сания квантовых электронных генераторов.
Д. Инверсия населенностей и усиление. Для двухуров
невой системы при условии |
= & формула (3) упрощает |
||
ся, и мы получаем |
|
ехр (—Ь/кТ)]'1 |
|
= |
[1 + |
(41) |
|
и |
|
|
(42) |
Ы2 = N ехр (—Ь/кТ) [1 + ехр(-Ь/кТуК |
|||
Объединяя эти выражения |
с (39), находим |
|
|
|
ехр ( — Ду/кТ) — 1 |
|
|
а М = |
— ао ехр ( — к^/кТ) + 1 ’ |
|
|
откуда в случае термодинамического равновесия |
|
||
4 = |
ехр ( — Ьп/кТ) — 1 ^ л |
(43) |
|
ехр ( — кч/кТ) + 1 |
На частотах V в видимой области спектра при комнат
ной температуре Т /IV ^ |
3-10' 19 дж и кТ = |
4-10' 31 дж. |
|||
Тогда |
Н фТ « |
75, |
|
ехр (—НфТ) « 0 |
|
|
|
|
|||
и г] = |
—1, а а(у0) |
= а |
0. Следовательно, для |
ансамблей, |
находящихся в состоянии теплового равновесия, величи на а ^ 0) всегда положительна, и такой ансамбль всегда поглощает излучение. Поэтому ячейка с газом всегда ве дет себя в таких условиях как поглотитель. Если же при воздействии какого-либо фактора равновесие системы на рушается и создается ситуация, при которой Л^2 > Л^, тогда (поскольку *»] > 0) а ^ 0) становится отрицательной величиной, а сама ячейка по отношению к переходу на
частоте г0 становится усилителем. Следовательно, |
если |
||
в |
ансамбле |
можно достичь инверсии населенностей |
|
(А^а |
> Л'ь а |
> 0), поле излучения можно усилить |
путем |
генерирования в ансамбле вынужденного излучения. Процесс, в результате которого достигается такая инвер
сия населенностей, называется |
накачкой. |
1. Оптическая накачка. При оптической накачке ин |
|
версия населенностей на двух |
уровнях XVх и ХУ2 > ХУх |
достигается в результате воздействия на ансамбль интен сивным потоком облучения, резонансным по отношению к переходу между уровнем \^1 (или некоторым более низ ким уровнем XV0< XVг) и уровнем XV3 > XV2. Этот вид накачки наиболее широко используется в твердотельных лазерах, таких, как лазер на рубине, на стекле с присад ками неодима или на железо-иттриевом гранате с присад ками неодима. Рубин является типичным представителем трехуровневых материалов. Расположение энергетических уровней в таком материале схематическипоказано на фиг. 5, а. Вспомогательный уровень XV3 показан очень широким, так как время жизни иона на этом уровне очень мало и составляет 10~10 сек или меньше. Уменьшение энергии атомов этого уровня происходит главным обра зом за счет, безызлучательного перехода на метастабильный уровень с энергией №2, время жизни на этом уровне в рубине приблизительно равно 10“3 сек. Поскольку пе
реход 1Р’з ----> 1Г2 происходит очень |
быстро, очевидно, |
что для инвертирования населенностей |
на уровнях (2, 1) |
интенсивность накачки |
на частоте чр должна быть такой', |
|
при которой скорость |
перехода с уровня ^ на уровень |
|
превышала бы скорость спонтанного излучения \/т1 |
||
при переходе с |
на |
В рубиновых лазерах необхо |
димая накачка осуществляется мощной импульсной ксе ноновой лампой, расположенной вместе с рубиновым стержнем внутри хорошо отражающего экрана.
Стекло, активированное неодимом, является предста вителем четырехуровневых материалов. В общем случае
а |
б |
Ф и г. 5. Схема процесса оптической накачки в трехуровне вой (а) и четырехуровневой (б) средах.
для таких материалов нижний лазерный уровень ^ расположен настолько выше основного уровня 1^0, что населенность уровня в условиях теплового равновесия при комнатной температуре во много раз меньше населен ности основного уровня. Процесс накачки, как и в трех уровневом лазере, происходит через уровень накачки ИР3, характеризующийся малым временем жизни. Уменьшение энергии атомов на этом уровне происходит очень быстро главным образом путем безызлучательных переходов на метастабильиый уровень \У2. Как и в предыдущем слу чае, желаемой инверсии населенностей можно достичь, если скорость перехода с уровня 1^0 на уровень 1^3, обусловленного накачкой, превысит скорость спонтан ного излучения при переходе с №2 на 1^. Примечательно,