Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Транзисторы

..pdf
Скачиваний:
8
Добавлен:
13.11.2023
Размер:
25.57 Mб
Скачать

ТРАНЗИСТОР МП113

 

 

 

 

ПАРАМЕТРЫ

 

 

 

 

при

температуре

окружающей

среды

Гс= + 2 0 ± 5 °С

 

 

 

1. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

 

 

Определение

 

Обозна­

 

Един.

 

Величина

 

 

 

 

 

 

чение

 

изм.

 

мин.

|

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент

усиления

 

 

 

 

 

 

 

 

по току

 

 

 

h2i6

 

 

 

Q H

 

|45]

Граничная

частота усй-

 

 

 

Мгц

 

 

 

ления по

току

 

f fl2\6

 

|i.o |

 

3

 

 

2. ПАРАМЕТРЫ ИНВЕРСНОГО ВКЛЮЧЕНИЯ

 

при

температуре

окружающей

среды

7'с= + 2 0 ± 5 °С

 

 

 

Обозна­ Един.

Величина

Режим измерений

Определени

 

 

 

 

 

 

чение

 

изм.

мин.

макс.

и к

('б)

/

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в

ма

Мгц

Коэффициент уси­

 

 

 

 

 

 

 

0,27

ления

 

Л21э/

 

 

0.05

1.8

5

1

Напряжение

кол­

 

 

 

 

 

 

 

 

лекторэмиттер

 

 

 

 

 

 

 

 

в режиме насы­

 

 

 

 

 

 

 

 

щения

при

 

 

 

 

 

 

0

 

яг„ = оо

 

^кэн/

Мв

3.5

 

 

 

 

 

 

 

 

(0.5)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений МП111А.

ТРАНЗИСТОР МП113А

 

 

ПАРАМЕТРЫ

 

 

при

температуре

окружающей

среды

Тс= -f20±5° С

Определение

Обозна­

Един.

 

Величина

 

 

чение

изм.

мин.

| макс.

 

 

 

 

Коэффициент усиления

^21Э

 

ш и

[75]

по току

 

Граничная

частота уси­

 

Мгц

|1.0|

3

ления по

току

21б

200

400

600

800

Ибэ-мв

Типовые

входные

характеристики

транэисто-

ров МП111 — МП113 для схемы с общим эмиттером

h 21a^T c ) 1.4

W 20°c )

1,2

1

0.8

0.6

0,4

0 +20 +40 +60 +80 +100 +120

-6 0 -40 -2 0

TJ,°C

* Кбо>мка

Типовая зависимость тока коллекторного перехода транзисто­ ров МП111—МП113 от температуры окружающей среды

Типовая зависимость коэффициента усиления но току транзисто- ров МП111—МП113 от тока эмиттера

Типовые выходные характеристики транзисторов МП111—МП113 для схемы с общей базой / к=/(С/кб)

Транзисторы кремниевые р-л-р сплавные МП114—МП116

А. Общие и конструктивные данные

/ . О сн овное н а зн а ч е н и е

Усиление и генерирование электрических колебаний низких частот.

2 . Г а б а р и т н ы й ч ер т еж и р а сп о л о ж ен и е вы водов

Вывод базы электрически соединен с корпусом транзистора.

3 . К о н с т р у к т и в н ы е д а н н ы е

Вес транзистора (макс.) Высота корпуса (макс.) Диаметр баллона (макс.) .

Диаметр фланца корпуса (макс.) Длина выводов (мин.)

Диаметр выводов (мин.)

2 г

8 м м

8,5 »

11,7

40

0.5

Транзистор заключен в герметичный холодносварной корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.

4.

У ст ой ч и вост ь п р о т и в

вн е ш н и х

в о зд е й с т в и й

 

Диапазон

температур

окружающей

среды

.

—55 -5- +100° С

Атмосферное

давление .

 

.

 

. от

2,7 «104 до

3 • 105 н/м 2

Относительная

влажность

при+ 40±5°С

 

 

 

98%

Термоциклирование

в

диапазоне

температур

 

—55 ч- +100° С

Постоянные ускорения

(макс.)

 

 

 

 

 

25

g

Многократные

удары

(макс.)

 

 

 

 

 

75

g

Вибрация

в диапазоне

от

10 до 600 гц(макс.)

 

 

7,5

g

 

 

5 . К л а с с и ф и к а ц и о н н ы е п а р а м е т р ы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Величина для транзисторов

 

Наименование параметра

Обозна­

Едип.

 

 

 

 

 

 

чение

изм.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

МШИ

МП115

МП116

 

Максимальная

частота

 

 

 

 

 

 

 

 

коэффициента переда­

 

Мгц

0,1

 

од

0.5

 

чи тока

 

 

 

 

21б

 

 

Коэффициент

передачи

 

 

9

 

9ч-45

15-*-100

тока

 

 

 

 

/*21Э

 

 

Максимально

допусти­

 

 

 

 

 

 

 

 

мое напряжение

кол­

 

 

 

60

 

30

15

 

лектор-база

 

 

 

^кбо

в

 

 

 

 

 

 

6. Т е п л о в ы е п а р а м е т р ы

 

 

 

 

 

Определение

 

 

 

Обозна­

 

Един.

Величина

 

 

 

 

 

чение

 

изм.

Наибольшая

температура

перехода

 

^макс

 

°с

+130

 

Наименьшая

температура

перехода

 

^мин

 

°с

—55

 

Тепловое

сопротивление

переход —

^пс

 

°с

0.5

 

окружающая среда

 

 

 

 

 

МвТ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

■ ■ ■

~1 г

Б. Электрические параметры и данные

ТРАНЗИСТОР МП114

/. М а к с и м а л ь н о д о п ус т и м ы е д а н н ы е

при температуре окружающей среды Гс= —55-т—f-ЮО0 С

1. МОЩНОСТИ (мет)

 

Определение

 

Обозначение

Величин

Мощность, рассеиваемая транзистором без

 

теплоотвода

при давлении

окружающей

 

среды до 50 мм рт. ст.

 

Р,п

11501

То же, при

 

 

Pm

11501

То же, при 7,с= + 100°С

 

Pm

и

При повышении Тс от

+70° С до

+100°С допустимая мощ-

ность снижается по линейному закону.

 

 

 

2. ТОКИ (ма)

 

 

 

Определение

 

Обозначение

Величина

Постоянный ток коллектора в режиме

1 м

усиления

 

 

m

Постоянный ток коллектора в режиме пе­

50

реключения при насыщении

 

Im m

 

3. НАПРЯЖЕНИЯ (в)

 

 

Определение

 

Обозначение

Величин

11апряжение

коллектор — база при хх

в

 

цепи эмиттера при 4-70° С

 

Uкбо

Гм-

 

 

 

 

Продолжение

 

 

Определение

Обозначение

Величина

Го же, при

+100° С

Uкбо

|3 0 |

Напряжение

коллектор — эмиттер

при со­

 

противлении

в цепи базы не

более

 

2000 ом при

+70° С

''к э *

|бо]

То же, при

+100° С

UKSR

Напряжение

эмиттер — база

во всем диа­

пазоне температур

Уэбо

м

и

7 /. Н а ч а л ьн ы е т оки ( м к а )

при температуре окружающей среды 7'с= + 2 0 ± 5 °С

Величина

Определение

Обозна­

чение

Ток

коллекторного

перехода при хх

 

 

 

в

цепи эмиттера

и

6/,< = 5 в

Асбо

0.005

0.5

То же, при Uн= 30 в

 

 

По]

То

же* при

6Л,=30 в

и Г* = + 100° С

1кбо

20

140Э |

Ток эмиттерного перехода при хх в

 

 

 

цепи коллектора

и 0=Ь в

/эбо

0,005

0.5

То же,

при

t/a—IO в

 

 

Щ

 

 

 

 

 

 

 

То

же,

при

6Л>= 10 в

и Т°с*100° С

^эбо

20

12001

 

 

 

/ // . У с и л и т е л ь н ы е п а р а м е т р ы

 

 

 

 

 

ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА

 

 

 

 

 

а) ПАРАМЕТРЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ

 

 

при

JTc= -f20±5СС,

UH=5

в, /э=1

ма и

/=270

гц

 

 

 

 

Обозна

Един.

 

Величина

Определение

 

 

 

 

ченпе

ИЗМ.

мин.

 

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

Входное

сопротивление

 

^иб

ОМ

35

 

13001

Коэффициент

обратной

h X2t

0.3-ю ~3

3 ю -3

связи

по

напряжению

Коэффициент

передачи

 

 

 

0,96

тока

 

 

 

 

Л21б

 

 

Выходная

проводимость

h226

мксим

0.7

3,31

Входное

сопротивление

 

Лц9

ом

1000

2000

Коэффициент

обратной

 

1.3-10"3

14•10—3

связи

по

напряжению

л 129

Коэффициент

передачи

 

 

 

24

тока

 

 

 

 

h2\9

N

 

Выходная

проводимость

Л2гЭ

мксим

10

40

 

б) ПРЕДЕЛЬНЫЕ И ГРАНИЧНЫЕ ЧАСТОТЫ (Мгц)

 

 

 

 

при ? с= + 2 0 ± 5 °С ,

£/к= 5 в,

/ в= 1

ма

 

 

 

 

Определеш1е

 

Обозна*

Величина

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

Граничная

 

частота

коэффициента

 

 

 

передачи тока

 

 

/*2|б

т

1.1

Предельная

частота

коэффициента

 

 

 

передачи

тока

 

 

/ т

 

0,083

0.92

 

 

в) ЕМКОСТЬ И СОПРОТИВЛЕНИЕ БАЗЫ

 

 

 

при

температуре окружающей

среды

7° = +20 ±5° С

 

 

 

 

Обозна­

Един.

Величина

Режим измерений

Определение

мин.

макс.

ик

/

 

 

 

чение

изм.

 

 

 

 

 

 

 

 

в

ма

кгц

Емкость

коллекторного

 

 

40

80

5

0

465

перехода

 

 

/

пф

Сопротивление базы

 

ОМ

50

1000

5

1

0,270

 

ч

 

 

IV . П а р а м е т р ы и н в е р с н о го в к л ю ч е н и я

 

 

при

7° = +20±5°С ,

UH=5

в,

/,< = 1 ма и /=270

гц

 

 

 

Определение

 

 

Обозна­

Един.

 

Величина

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

изм.

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент передачи тока

 

 

Л21э I

 

од

2,5

Крутизна характеристики

 

 

У2\э1

ма

 

15

 

 

в

 

Граничная

 

частота

коэффициента

 

Мгц

 

__

0,3

усиления

 

 

 

 

fh2l6 I

 

коллектор — эмиттер

в

 

 

Напряжение

 

 

 

 

 

режиме

насыщения

при

Кц=оо,

 

 

 

 

 

/ б=3 ма

 

 

 

 

 

^кэн /

мв

 

2

ТРАН ЗИ СТО Р М П 115

1. НАПРЯЖЕНИЯ (в)

при температуре окружающей среды 7 С= 60-4-+120° С

Определенле

Обозначение

Величина

Напряжение коллектор — база

при хх в

цепи

эмиттера 7 с< + 7 0 ° С

^кбо

То же,

при 7°< + Ю 0°С

и кй0

Напряжение коллектор — эмиттер при со­ противлений в цепи базы не более

Тзо1 Q H

2000 ом при 7°

< + 7 0 ° С

U KaR

То же, при 7,°<Д

-100°С

"«SR

]зо| П Ц