книги / Транзисторы
..pdf
|
|
|
|
2. ПАРАМЕТРЫ |
|
|
|
|
|
|
||
при температуре |
окружающей |
среды Г° = +20±5°С |
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
Величина |
Режим измерений |
|||||
Определение |
|
Обозна |
Един. |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
чение |
пзм. |
|
макс. |
|
'к |
/ 9 |
'б |
/, |
|||
|
|
|
|
|
в |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
ма |
ма |
ма |
ги, |
|
Коэффициент |
передачи |
|
— |
|
|
5 |
|
1 |
1000 |
|||
тока |
|
|
|
/*21Э |
|
1451 |
|
|||||
Входное сопротивление |
h2\6 |
ОМ |
— |
13001 |
30 |
|
1 |
1000 |
||||
Сопротивление |
насыще |
|
ом |
|
|
|
20 |
|
4 |
|
||
ния |
|
|
|
г нас |
|
|50). |
— |
— |
— |
|||
Ток коллекторного |
пе |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
рехода при хх в цепи |
|
мка |
|
1101 |
15 |
|
— |
|
— |
|||
эмиттера |
|
|
|
^кбо |
- |
|
— |
|||||
Остальные данные, параметры и режимы, измерения не отли |
||||||||||||
чаются от данных, |
параметров |
и режимов |
измерения |
МП 114. |
|
|||||||
|
|
|
ТРАНЗИСТОР МП116 |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
1. НАПРЯЖЕНИЯ (в) |
|
|
|
|
|
|||
|
|
Определение |
|
|
Обозначение |
|
Величина |
|||||
Напряжение |
коллектор — база |
при хх в |
|
|
|
|
пц |
|
||||
цепи эмиттера Тс = +70° С |
|
|
^кбо |
|
|
|
||||||
То же, при Тс — + 100° С |
|
|
|
^кбо |
|
|
10 |
|
||||
Напряжение |
коллектор — эмиттер при |
со |
|
|
|
|
|
|
||||
противлении |
в |
цепи |
базы |
не более |
|
|
|
|
пи |
|
||
2000 ом при |
|
+70° С |
|
|
^кзН |
|
|
|
||||
То же, при Г° = + 100°С |
|
|
|
V K3R |
|
|
пи |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
2. НАЧАЛЬНЫЕ ТОКИ (мка) |
|
|
|
|
|
||||
при |
температуре |
окружающей |
среды Г с = +20±5°С |
|
||||||||
|
Определение |
|
|
Обозначе |
|
Величина |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
ние |
мин. |
|
макс. |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Начальный |
ток |
коллекторного |
пере |
|
|
|
|
|
|
|
||
хода при хх в цепи эмиттера при |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Un —5 в и Тс =+20°С |
|
^кбо |
0,005 |
0,5 |
||||||||
Продолжение
|
|
|
Определение. |
Обозначе |
Величина |
||
|
|
|
ние |
мни. | |
макс. |
||
|
|
|
|
|
|
||
То |
же, |
при |
£/,с= 10 в |
^кбо |
— |
\Щ |
|
То |
же, |
при |
£/и = 10 в |
и Г^*= + 100°С |
Асбо |
15 |
14001 |
Начальный |
ток эмиттерного перехо |
|
|
|
|||
да при хх в цепи |
коллектора при |
|
_ |
|
|||
£/эб= 10 в и Т°с = +20°С |
/вбо |
щ |
|||||
То же, при V»0= 5 в и Тс = + 100° С |
^вбо |
0,005 |
| 2001 |
||||
|
|
|
3. ПАРАМЕТРЫ ПРЯМОГО ВКЛЮЧЕНИЯ |
|
|||
|
|
при |
7с = + 20± 5°С , Uu=5 |
в, / в = 1 лш, |
/=270 |
|
|
|
|
|
|
Обозна |
Един. |
Величина |
|
|
|
Определение |
|
|
|||
|
|
чение |
изм. |
|
|
||
мин.
Входное |
сопротивление |
^ и б |
ом |
||
То же, |
при |
£У,< = 15 в, |
|
— |
|
/ э= 1 ма |
|
|
|
||
Коэффициент |
обратной |
|
— |
||
связи |
по |
напряжению |
^ |2 б |
||
Коэффициент |
передачи |
|
— |
||
тока |
|
|
|
^ 2 |б |
|
Выходная |
проводимость |
Л 2гб |
МКСим |
||
Входное |
сопротивление |
^11Э |
ом |
||
Коэффициент |
обратной |
|
— |
||
связи |
по |
напряжению |
^12Э |
||
Коэффициент |
передачи |
|
— |
||
тока |
|
|
|
h%о |
|
Выходная |
проводимость |
^2 29 |
мксим |
||
|
35 |
|
— |
СО о |
со 1 О |
0,938
0.7
1000
1.5 - 10“ 3
пц
15
80
|з о о |
4 - 1 0 '3
0,99
2
2-500
20 П О '3
11001
50
Продолжение
|
|
|
|
Един. |
Величина |
|
Определение |
Обозначение |
|
|
|||
изм. |
мин. |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
Граничная |
частота |
ко |
|
|
|
|
эффициента |
передачи |
Мгц |
|
2.0 |
||
тока |
|
|
/Л 21б |
105] |
||
Предельная |
частота |
ко |
|
|
|
|
эффициента |
передачи |
|
|
|
||
тока в схеме с общим |
|
|
|
|||
эмиттером |
/т |
Мгц |
0,415 |
1,66 |
Сопротивление базы |
/ |
ом |
150 |
1500 |
гб |
4. ПАРАМЕТРЫ ИНВЕРСНОГО ВКЛЮЧЕНИЯ
при температуре окружающей среды Тс = + 2 0 ±5° С
Определение
Коэффициент передачи тока
Крутизна характеристи ки
Граничная частота ко эффициента усиления
Напряжение |
коллек |
|
тор — эмиттер |
в |
ре |
жиме насыщения |
при |
|
Обозна |
Един. |
чение |
изм. |
Л21э / |
|
^21э / |
МВ |
в |
|
Л21б / |
Мгц |
^кэн / |
м в |
|
Величина |
Режим измерений |
|||
мин. |
макс. |
------- |
ма |
кги, |
|
('б) |
/ |
||
|
|
1 |
|
|
2 |
4 |
5 |
1 |
0,27 |
— |
— |
5 |
1 |
0,27 |
_ |
_ |
5 |
1 |
_ |
|
— |
— |
* ео© |
|
|
|
|
||
Остальные данные н параметры не отличаются от данных и параметров МП 114.
я 2 |
c o < 0 * d |
—- |
o a |
o < |
o * > c « |
|
|
- |
*-•> |
О- |
О» |
о• |
о |
||
о
характеристики транзисторов МП114—МП116 |
с общей базой при температуре окружающей |
среды +100° С: |
------ типовая зависимость, |
------границы 80-процентного разброса |
Входные |
для схемы |
|
|
|
Входные характеристики транзисторов МП114—МП116 |
для схемы с общей базой при температуре окружающей |
среды -Ь‘20±5° С: ------ |
типовая зависимость, |
------границы 80-процентного разброса |
Типовые выходные характеристики транзисторов МП114, МП115 для схемы с oGimist эмиттером при температуре окружающей среды -[ 2)° G ± 5° С
Типовые выходные характеристики транзисторов МП114, МП115 для схемы с общим эмиттером прн температуре окружающей среды -f 100° С
Зависимость обратного тока коллекторного перехода транзисторов МП114, МП113, МП116 от температуры окружающей среды
Типовая зависимость коэффициента передачи тока транзисторов ЛШ114—МП116 от температуры окружающей среды
з
CS
я
а>
и2
2£§
&g s
в 2 S
2 шт
Я МЭ
л «со
S S3
U«,,«
Начальный участок выходных характеристик транзисторов МП114, МП115 для схемы с общим эмиттером
------ типовая зависимость,
------границы 80-проценгного разброса