Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Транзисторы

..pdf
Скачиваний:
8
Добавлен:
13.11.2023
Размер:
25.57 Mб
Скачать

/// . П а р а м е т р ы

м а л о г о

с и г н а л а

Т°с = + 20±5° С, Uк = 20

в, / э= 2,5

жа и f=270 гц

Определение

Обозна-

Един.

ченне

ИЗМ.

Входное

сопротивление

^ 11 б

ож

Коэффициент

обратной

 

 

связи по напряжению

^12б

Коэффициент

передачи

 

 

тока

 

 

Л 2 |б

Выходная

проводимость

^22б

м к с и м

Входное

сопротивление

^пэ

о м

Коэффициент

обратной

 

связи по напряжению

Л 12Э

Коэффициент

передачи

 

 

тска

 

 

^213

Выходная

проводимость

^22Э

 

 

 

Величина

МИН.

 

макс.

 

25

 

35

00 О

О

п 1

4- 10“ 3

0,933 0,963

0.73,5

500 1000

1.5- 10"3 1 0 .10"3

ПаГ|

п и

7.5

 

 

/У .

Ч аст от ы и в р е м е н а п е р е к л ю ч е н и я

 

 

 

при 7'с= +20±5°С ,

£/к= 20 <?,

/ э = 2,5 жа

 

 

 

 

 

Обозна­

Един.

Величина

 

 

Определение

/

 

 

чение

И З М .

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

Граничная

частота

ко­

 

 

 

эффициента

передачи

Мгц

10,21

0,60

тока

 

 

 

f Л 21б

Предельная

частота

ко­

 

 

 

эффициента

передачи

Мгц

 

 

тока

 

 

 

0,166

0.5

Время

переключения

 

 

 

при £/,«=*30 в

/,< =

 

 

 

=25

жа

(генератор

мксек

 

тока

на входе)

^нер

1Ь51

 

 

 

V. Е м к о ст ь и со п р о т и в л ен и е б а з ы

 

 

 

 

 

при 7,° = +20±5°С ,

UK=20

в,

/=0,5 Мгц

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Величина

Режим

 

 

 

 

Обозна­

Един.

 

измере­

 

Определение

 

 

 

 

чение

изм.

 

мин.

макс.

ний

 

 

 

 

 

 

 

 

'»•

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ма

Емкость

 

коллекторного

 

 

 

 

20

70

0

перехода

 

с к

пф

 

Сопротивление базы

i

 

ОМ

 

160

2.5

г б

 

 

 

 

VI. Н а п р я ж ен и я в

р еж и м е

н а с ы щ е н и я

(в)

 

 

 

при 7’°= +20±5°С,

/к =300 ма, /о = 100 ма

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Величина

 

 

 

Определение

 

 

Обозна­

 

 

 

 

 

 

 

чение

 

 

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Напряжение

коллектор — эмиттер

^кэн

0,2

 

0.350

То же при

/ к= 100 ма и к„ = 2

 

 

 

 

10.25/

Напряжение эмиттер — база

 

^бэн

0.5

 

0.9 '

То же при

/к = 100 ма и /с„= 2

 

 

 

 

г а

 

 

 

ТРАНЗИСТОР М П 25А

 

 

 

 

 

 

 

ПАРАМЕТРЫ

 

 

 

 

при 7'° = +20±5°С,

UK= 20 в, / к=2,5

лиг, /=270

гц

 

Определение

Обозна­

Един.

Величина

 

 

 

чение

изм.

мин.

 

масс.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Входное

сопротивление

^119

ОЛ/

500

 

1000

Коэффициент

передачи

^21б

 

 

0,952

0,975

тока

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент

передачи

^219

 

 

|20]

 

щ

тока

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выходная

проводимость

/*22Э

макс.

5

 

40

Напряжение

эмиттер-

 

 

 

 

 

 

 

база в

режиме насы­

 

 

 

 

 

 

 

щения

при /„=100 ма,

 

 

в

 

 

г а

/с,i=2

 

 

 

^ бэн

____

 

 

 

 

 

 

ТРАНЗИСТОР МП25Б

 

 

 

 

 

ПАРАМЕТРЫ

 

 

при Тс= + 20±5°С ,

//,<=20

в, / к= 20 ма, f=270

 

 

 

 

 

 

Обозна-

Един.

Величина

Определение

 

 

 

 

 

 

ченне

изм.

мни.

макс.

 

 

 

 

 

 

 

Входное

сопротивление

^11Э

ОМ

600

1600

Коэффициент

передачи

 

_

0,968

87

тока

 

 

 

 

^21б

Коэффициент

передачи

 

_

щ

 

тока

 

 

 

 

Ь2\ъ

|80]

Выходная

проводимость

^22Э

макс.

6

20

Граничная

частота

ко­

 

 

 

 

эффициента

передачи

 

Мгц

0,5

1.0

тока

 

 

 

 

/Л21б

Граничная

частота

ко­

 

 

 

 

эффициента

передачи

 

Мгц

0,42

0,84

тока

 

 

 

 

Напряжение

эмиттер —

 

 

 

 

база в

режиме

насы­

 

 

 

 

щения при

/,< =

100 ма

 

в

 

и /сн= 2

 

 

 

 

^бэн

Ш

 

 

 

 

 

 

 

 

Остальные данные и параметры не отличаются от данных и па ра метров МП25Б.

ТРАНЗИСТОР МП26

1. МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ

при температуре окружающей среды Тс = —55 ч- +60° С

 

Определение

 

 

Обозначение

Величин

Напряжение

коллектор — база при

хх

в

[то]

цепи эмиттера

 

 

f/кбо

Напряжение

коллектор — эмиттер

при

со­

 

противлении в цепи базы

не

более

гг™?

500 ом

 

 

 

U кэR

1701

Напряжение

эмиттер — база при

хх

в

це­

[то]

пи коллектора

 

 

^эбо

2.НАЧАЛЬНЫЕ ТОКИ (мка)

при температуре окружающей среды Гс =»+ 20±5° С

Определение

Обозна­

чение

Ток

коллекторного

перехода

при

хх

2

в цепи эмиттера С/Кб=35 в

^кбо

То же, при Uкб = 70 в

 

Л<бо

5

То же при Тс = 4-60° С

 

Л<бо

Ток

эмнттерного

перехода

при

хх

 

в

цепи коллектора U0б =70 в

^эбо

2

Величина

макс.

60

1 75'1

1500/

Сл

3.ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА

при Т°с= +20±5°С, £/к= 35 в, / э= 1,6 лш и /«=270

Величина

Определение

Обозна­

Един.

чение

И З М .

мин. макс.

Входное

сопротивление

Лцб

O.W

Коэффициент

обратной

/*12б

 

связи

по

напряжению

Коэффициент

передачи

^2j6

 

тока

 

 

 

 

 

 

 

 

Выходная

проводимость

^22б

мксим

Входное

сопротивление

^ 1 1 Э

ом

Коэффициент

обратной

h\2s

 

связи

по напряжению

25

ОО О

о

со

 

1

 

0,933

0,7

500

1 со

ю

о

35

4 - 1 0 " 3

0,963

13.5

1000

12 • 1 0 "*

 

Обозна­

Един.

 

Величина

Определение

 

 

чение

изм.

 

макс.

 

 

 

 

Коэффициент передачи

^219

Из]

Щ

тока

 

 

 

 

Выходная проводимость

^22Э

мксим

60

4. ГРАНИЧНЫЕ ЧАСТОТЫ И ВРЕМЕНА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ

при температуре окружающей среды 7,с=»20±5°С

 

 

 

 

 

Величина

Режим

 

 

 

Обозна­

Един.

 

 

измерения

Определение

 

 

 

 

чение

изм.

 

 

 

 

 

 

 

 

мин.

 

о

 

 

 

 

 

 

 

ма

Граничная

частота

ко­

 

 

 

 

 

эффициента

передачи

Мгц

0.2

0,6

35

 

тока

 

 

fh 21б

1.5

Граничная

частота

ко­

 

 

 

 

 

эффициента

передачи

Мгц

0.166

0.5

35

1.5

тока

 

 

Время

включения

 

 

 

 

 

(генератор

тока

на

 

 

 

 

 

входе)

 

 

^вкл мксек

f l s ]

30

25

 

 

б. ЕМКОСТЬ И СОПРОТИВЛЕНИЕ ВАЗЫ

 

 

 

при Тс +20±5° С,

Uxс= 35 в,

0,5 Мгц

 

 

 

 

 

 

 

 

Величина

Режим

 

 

 

Обозна­ Един.

 

измере­

Определение

 

 

 

ния

чение

изм.

 

 

 

 

 

 

 

 

мин.

макс.

/9> ма

Емкость

коллекторного

пф

 

15

|50|

0

перехода

 

 

 

Сопротивление

базы

ОМ

1601

1.5

ТРАНЗИСТОР МП26А

1. МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ (в)

при температуре окружающей

среды

о

 

 

Гс= —55-^4-60° С

 

Определение

 

 

 

 

Обозначение

Величина

Напряжение

коллектор — база

при

хх в

 

 

|70]

цепи эмиттера

 

 

 

 

 

^кбо

Напряжение

коллектор — эмиттер при

со­

 

 

 

противлении в цепи

базы

не

более

 

 

 

500 ом

 

 

 

 

 

 

и «ЭР

1701

Напряжение

эмиттер — база при

хх

в

це­

 

 

 

пи коллектора

 

 

 

 

 

^эбо

|7 0 ]

 

 

2. ПАРАМЕТРЫ

 

 

 

при Тс= + 2 0 ± 5 °С,

£/к= 35 в,

/0=1,5

ма и / —270 гц

 

 

 

Обозна­

Един.

Величина

Определение

 

 

 

чение

 

изм.

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

 

Входное сопротивление

 

^11Э

 

ОМ

500

1200

Коэффициент

передачи тока

^21б

 

0,952

0,975

Коэффициент передачи тока

Л21Э

 

Ш

Щ

Выходная проводимость

 

/г2гэ

 

мксим

4

30

Напряжение

эмиттер—база

в

 

 

 

 

 

ГМ

режиме насыщения при / э=

 

 

 

в

 

= 0,1 а и /с„=2

 

^бэн

 

0.2

ТРАНЗИСТОР МП26В

1. МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ (в)

при температуре окружающей среды Тс = —5 5 6 0 ° С

 

Определен

 

 

Обозначение

Величина

Напряжение

коллектор — база

при

хх

в

170 |

цепи эмиттера

 

 

^кбо

Напряжение

коллектор — эмиттер при

со­

 

противлении в цепи базы

не

более

 

500 о,и

 

 

 

 

И

Напряжение

эмиттер — база при хх

в

це­

I 70I

пи коллектора

 

 

^эбо

 

 

 

 

 

2. ПАРАМЕТРЫ

при Тс= 4 -20±5°С,

1/к= 35 в,

/ к=1,5 ма

Определение

 

Обозна­

Един.

 

чение

изм.

Входное

 

сопротивление

^119

ОМ

Коэффициент

передачи

h2\t

 

тока

 

 

 

 

Коэффициент

передачи

 

 

тока

 

 

 

 

^119

_

 

 

 

 

 

Граничная

частота

ко­

 

 

эффициента

передачи

 

Мгц

тока

 

 

 

 

21б

Граничная

частота

ко­

 

Мгц

эффициента

передачи

Напряжение

эмиттер

 

 

база

в

режиме насы­

 

 

щения

при 0,1

а и

 

 

Кц= 2

 

 

 

 

^6Э„

в

и /=270 гц

Величина 1

мин. махе.

600 1600

0,968 0,987

Ш%|8 0 |

105| 1,0

0,42 0,83

м

-II К Э “ £

- -ООв

О

0,1

0,2

0,3

и бэ,в

Типовые входные характеристики транзисторов МП25—МП25Б

а) для схемы с общей базой, б) для схемы с общим эмиттером

б

10

16

20

26

30

36

и Кэ/В

Типовые выходные характеристики транзисторов МГ125

Зависимость максимально допустимого напряжения транзисторов МП25—МП25Б от сопротивления в базе

---- типовая зависимость,

— границы 80*процентиого разброса

Зависимость коэффициента передачи тока транзисторов МП25—МП26Б от тока коллектора

Зависимость коэффициента передачи тока транзисторов МП25—МП25Б от темпера*, туры окружающей среды.