книги / Транзисторы
..pdfДлина |
выводов |
(мнн.) |
*3 ММ |
|
Диаметр выводов |
(мин.) |
I * |
||
В |
отличие |
от |
ранее выпускавшихся транзисторов |
П4А—П4Д, |
в корпус транзисторов П4АЭ—П4ДЭ введен металлический экран для защиты кристалла от выплесков металла, возникающих при герметизации.
4. У к а з а н и я по э к с п л у а т а ц и и
При работе транзисторы следует крепить к теплоотводам.
При работе транзисторов в условиях механических воздействнз более 2 g их необходимо крепить за корпус.
5. У с т о й ч и во с т ь п р о т и в в н е ш н и х во зд е й с т в и й
Диапазон |
температур |
корпуса |
|
—55 ч- +60° С |
|
Давление |
окружающей |
среды |
|
2,7 • 103 — 3 • 10* |
|
|
|
|
|
|
м1 |
Относительная влажность при |
+40° С |
9 5 -9 8 % |
|||
Термоциклированне |
в диапазоне |
температур |
—55-*- + 60°С |
||
Постоянные ускорения |
(макс.) |
|
75 g |
||
Ударные |
ускорения |
(макс.) |
|
75 g |
|
Вибрация в диапазоне частот 10ч -600 гц |
7.5 g |
||||
(макс, |
ускорение) |
|
|
||
6. К л а с с и ф и к а ц и о н н ы е п а р а м е т р ы
Наименование параметра
Коэффициент усиления по току
Напряжение |
коллек |
тор — эмиттер |
макси |
мально допустимое |
|
Напряжение |
коллек |
тор — эмиттер |
при /б = |
с=0,3д, /,< = 2а |
|
ЕГ |
a |
|
Величина для транзисторов |
|
||
£2 |
|
|
||||
се |
|
|
|
|
|
|
S |
X |
|
|
|
|
|
СО |
|
|
|
|
|
|
о |
S |
П4АЭ |
П4БЭ |
П4ВЭ |
П4ГЭ |
ГНДЭ |
о |
е* |
|||||
О |
UJ |
|
|
|
|
|
^Z21Э |
|
> 5 |
15-7-40 |
10 15-т-ЗО |
> 3 0 |
|
^КЭО |
в |
50 |
60 |
35 |
50 |
50 |
U кэн |
в |
— |
< 0 .5 |
< 0 .5 |
< 0 .5 |
< 0 .5 |
7. Т еп л о вы е п а р а м е т р ы |
|
|
|
Определение |
Обознач. |
Едим. |
Величина |
нзм. |
|||
Наибольшая |
температура |
перехода |
|
f |
°с |
1+ 8 5 1 |
|||
|
|
|
|
|
|
Лмакс. |
|
||
Наименьшая |
температура |
перехода |
|
f мин. |
°с |
| - 5 5 | |
|||
Тепловое |
сопротивление |
переход — |
|
Рпк |
°с |
1О 1 |
|
||
корпус |
|
|
|
|
|
вт |
| 2 | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Б. Электрические параметры и данные |
|
|
|||||||
|
|
ТРАНЗИСТОР |
|
П 4А Э |
|
|
|
||
|
|
/. М а к с и м а л ь н о д о п у с т и м ы е д а н н ы е |
|
|
|||||
|
|
|
1. МОЩНОСТИ (вт) |
|
|
|
|||
при |
температуре окружающей |
среды Тс« —55 - к +60° С |
|
||||||
|
|
Определение |
|
|
Обознач. |
Величина |
|||
Постоянная |
мощность, рассеиваемая |
тран |
|
|
|
||||
зистором без теплоотвода |
|
|
|
Р щ |
и з |
|
|||
Постоянная |
мощность, рассеиваемая |
тран |
|
||||||
|
|
|
|||||||
зистором с теплоотводом |
|
|
|
P m |
щ |
|
|||
То же, при |
О |
|
|
|
|
|
|
|
|
7’К*=+50°С |
|
|
|
|
Р тТ |
j j s j |
' |
||
|
|
|
|
|
|
|
|||
При |
температуре корпуса свыше |
+40° С |
мощность |
Рт сни |
|||||
жается в соответствии с формулой |
|
|
|
|
|
||||
|
|
Рт = |
0,5 (8 0 -7 * 3 . вт. |
|
|
|
|||
Для |
транзисторов остальных групп |
Р т = 3 вт\ Рт *=25 вт и |
при |
||||||
Тк свыше |
+40° мощность Рт снижается по формуле |
|
|
||||||
|
|
Рт “ |
0,5 (90 — 7" °), вт. |
|
|
|
|||
|
2. ТОКИ (а) |
|
|
|
при |
температуре окружающей среды Т = —55-5-+70° С |
|
||
|
Определение |
Обознач. | |
Величина |
|
Постоянный ток коллектора в режиме |
|
|
|
|
усиления |
Acm |
1 5 |
] . |
|
Ток базы |
|
^бт |
[Щ |
|
При |
температуре окружающей среды |
свыше +60° С |
ток |
спи- |
жается по формуле 7Km= l,lVr 80—Г°, а.
а. НАПРЯЖЕНИЯ (в)
(постоянные и импульсные)
при температуре окружающей среды Т°с= —60->+70° С
|
|
Определение |
Обознач. |
Величина |
Напряжение |
коллектор — база при |
хх в |
|
|
цепи эмиттера |
<Лсбо |
|6 0 | |
||
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
при |
— |
|
Лб < |
15 ом |
^КЭR |
|_50| |
|
То же, |
при |
Яб<500 од и /?э < 15 |
ом |
|4 0 | |
Напряжение эмиттер — база |
и эбо |
{50j |
||
//. Начальные токи (ма)
о
|
при температуре |
окружающей |
среды Та |
= + 20±5° С |
|||
|
Определение |
|
|
Обознач. | |
|
Величина |
|
|
|
|
мин. |
| макс. |
|||
Ток |
коллекторного |
перехода при |
хх |
|
|
|
|
в |
цепи эмиттера |
при |
(7кб = 10 |
в |
^кбо |
0,05 |
Г05| |
То же, при £/ко = 5 0 |
в |
|
|
Асбо |
0,5 |
10 |
|
Ток |
коллекторного |
перехода |
при |
|
3 |
Ц о] |
|
У?б = 0 и UKэ= 5 0 в |
|
|
Асэк |
||||
|
|
|
|
|
|
|
Продолжение |
|
|
|
|
Определение |
|
Обозиач. |
Величина |
||
|
|
|
|
мни. |
макс. |
|||
|
|
|
|
|
|
|
||
Ток эмиттерного перехода при хх в |
|
|
|
|||||
цепи |
коллектора |
и £/бэ=10 в |
I960 |
0.1 |
0.6 |
|||
То же, при £7бЭ=50 в |
|
I эбо |
0.5 |
15 |
||||
|
|
|
III. Усилительные параметры |
|
||||
|
при |
температуре |
окружающей |
среды |
7° = +20 ±5° С |
|||
|
Определение |
|
Обозиач. |
Един. |
Величина |
|||
|
|
|
|
|||||
|
|
пзм. |
мни. |
макс. |
||||
|
|
|
|
|
|
|
||
Коэффициент |
усиления |
|
|
|
|
|||
по току в схеме с |
|
|
|
|
||||
общим эмиттером |
при |
|
|
ПО |
|
|||
£/Кэ=10 |
в, 1к= 2а, |
|
|
|
||||
/= 1 кгц |
|
|
|
^21» |
|
20 |
||
Коэффициент |
усиления |
|
|
щ |
|
|||
по |
мощности |
при |
|
дб |
|
|||
/ „=1 |
а, |
С/,(=26 |
в |
Км |
|
|||
Коэффициент |
нелиней |
|
|
|
ГЦ] |
|||
ных |
искажений |
при |
|
|
|
|||
/,( = 1 |
о, |
£/,(=*26 |
в |
К/ |
% |
|
||
Граничная |
частота |
уси |
|
|
|
|
||
ления |
по |
току |
при |
|
|
|
|
|
Uн=Ю |
в, |
/,(=2 |
а |
fhti6 |
кгц |
11501 |
700 |
|
ТРАНЗИСТОР П4ВЭ
ПАРАМЕТРЫ
при температуре окружающей среды 7° = +20 ±5° С
Един. Определение Обознач. изм.
Величина
мин. макс.
Напряжение |
коллек |
в |
|
— |
тор — база |
1Гкбо |
|
||
Напряжение |
коллек |
|
|
|
тор — эмиттер |
при |
в |
|
|
/?б<15 ом |
^кэR |
m |
— |
Определение
То же, при |
/?б-< 500 ом |
и R0 < 1 5 |
ом |
Напряжение эмиттер — база
Обратный ток коллек торного перехода при Un6= Ю в
Ток коллекторного пе рехода при Uко= 60 в
Коэффициент усиления по току
Коэффициент усиления по мощности
Коэффициент нелиней ных искажений
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при / к= 2 a, / G=0,3 а
Един. Обознач. мзм.
|
в |
Uэбо |
в |
^кбо |
ма |
^кэк |
ма |
^219 |
. |
/См |
дб |
* / |
% |
|
|
и кэн |
в |
Продо.гжение
Величина
мин. | макс.
1~50~| _
_
М
0.051 м 1
1,5 |
G O |
|
|
п и |
R o j |
щ |
_.. |
_ |
П о] |
0,25 |
m |
Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли чаются от данных, параметров и режимов измерений П4АЭ.
ТРАНЗИСТОР П4ВЭ
|
|
ПАРАМЕТРЫ |
|
|
|
при температуре |
окружающей |
среды |
Г0 = + 20±5° С |
|
|
Определение |
Обознач. |
Един. |
Величина |
||
|
|
||||
пзм. |
мпн. | |
макс. |
|||
|
|
|
|
||
Напряжение |
коллек |
|
в |
Щ |
|
тор — база |
|
^кбо |
|
||
Напряжение |
коллек |
|
|
|
|
тор — эмиттер |
при |
|
в |
н о |
|
/?б < 15 ом |
|
|
— |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Продолжение |
|
|
Определение |
Обозна- |
Един. |
Величина |
||||
|
|
|
|
||||||
|
|
чеине |
изм. |
мин. |
| макс. |
||||
|
|
|
|
|
|
||||
Напряжение |
|
коллек |
|
|
|
||||
тор— эмиттер |
и |
при |
|
|
|
||||
/?б ^ |
500 ом |
R0 |
|
|
|
||||
< |
15 ом |
|
|
|
" к * |
в |
и з |
|
|
Напряжение |
эмиттер — |
в |
|
— |
|||||
база |
|
|
|
|
и*6о |
н и |
|||
Обратный |
ток |
коллек |
|
|
|
||||
торного |
перехода |
при |
|
|
|
||||
(Jиб —10 в |
|
|
^кбо |
ма |
0,05 |
Ш |
|||
Ток |
коллекторного |
пе |
|
|
|
||||
рехода при кз в цепи |
|
|
|
||||||
эмиттер — база и |
при |
|
|
|
|||||
Uкэ= 35 в |
|
|
Лсэк |
ма |
1.5 |
[ Ю |
|||
Коэффициент |
усиления |
|
|
|
|||||
по току |
|
|
|
Л219 |
|
[ю ] |
32 |
||
Напряжение |
насыщения |
|
|
|
|||||
при |
/ к= 2 |
а |
и |
U = |
в |
|
|
||
=0,3 |
а |
|
|
|
^КЭН |
0,25 |
10.51 |
||
|
Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли |
||||||||
чаются |
от |
данных, параметров и |
режимов |
измерений |
П4АЭ. |
||||
|
|
|
|
|
|
ТРАНЗИСТОР П4ГЭ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ПАРАМЕТРЫ |
|
|
|
|
|
при |
температуре окружающей среды |
О |
|
||||
|
|
Гс = + 20 ±5° С |
|||||||
|
|
Определение |
Обозна |
Един. |
Величина |
||||
|
|
|
|
||||||
|
|
чение |
изм. |
мин. |
макс. |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Ток |
коллекторного |
пе |
|
|
|
||||
рехода при хх в цепи |
|
|
|
||||||
эмиттера |
при |
Uuee |
ма |
0,05 |
|
||||
= 10 в |
|
|
|
^кбо |
0.4 | |
||||
Ток |
коллекторного |
пе |
|
|
|
||||
рехода при кз в цепи |
|
|
|
||||||
эмиттер — база |
и |
при |
ма |
1.5 |
[20] |
||||
Uиэ=50 |
в |
|
|
^кэк |
|||||
Продолжение
|
|
Определение |
|
|
Обозна- |
Един. |
Величина |
|
|||
|
|
|
|
ченне |
изм. |
мин. |
1 |
макс. |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Коэффициент |
усиления |
|
|
__ |
|
___ |
|||||
по току |
|
|
|
|
/*2|Э |
|
|J5J |
|
|3 0 | |
||
Коэффициент |
усиления |
|
дб |
|
|
|
|||||
по мощности |
|
|
Ки |
W \ |
|
|
|||||
Коэффициент |
нелиней |
|
|
|
|
|
|||||
ных искажений |
|
|
'</ |
% |
|
|
и |
||||
Напряжение |
насыщения |
|
|
|
|
|
|||||
при |
|
/ к= 2 |
а |
и |
/о = |
|
|
|
|
|
|
=0,3 |
а |
|
|
|
|
U кэп |
в |
0,25 |
|0 .5| |
||
Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли |
|||||||||||
чаются от данных, параметров и режимов |
измерений П4АЭ. |
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
ТРАНЗИСТОР П4ДЭ |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
ПАРАМЕТРЫ |
|
|
|
|
|
|
при, |
температуре |
окружающей среды Т°0 = + 2 0 ±5° С |
|
||||||
|
|
Определение |
|
Обозна |
Един. |
Величина |
|||||
|
|
|
чение |
изм. |
мин. |
! |
макс. |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Ток |
коллекторного |
пе |
|
|
|
|
|
||||
рехода при хх в цепи |
|
|
|
|
|
||||||
эмиттера |
при |
£/кб = |
|
ма |
0,05 |
|
10.41 |
||||
= 10 в |
|
|
|
|
Кбо |
|
|||||
Ток |
коллекторного |
пе |
|
|
|
|
|
||||
рехода при кз в цепи |
|
|
|
|
|
||||||
эмиттер — база |
и |
при |
|
ма |
1.5 |
|
м |
||||
Uкэ=50 |
в |
|
|
|
I К9К |
|
|||||
Коэффициент |
усиления |
|
— |
|
|
70 |
|||||
по |
току |
|
|
|
|
/*219 |
Гзо~| |
|
|||
Коэффициент |
усиления |
|
дб |
|
|
— |
|||||
по мощности |
|
|
Км |
н о |
|
||||||
Коэффициент |
нелиней |
К/ |
% |
— |
|
По] |
|||||
ных искажений |
|
|
|||||||||
Напряжение |
насыщения |
|
|
|
|
|
|||||
при |
/ к=2 |
а |
и |
/ G= |
и КЗИ |
в |
0,25 |
|
щ |
||
=0,3 |
а |
|
|
|
|
|
|||||
1 Остальные данные, |
параметры |
и режимы измерений не отли |
|||||||||
чаются от данных, параметров и режимов |
измерений |
П4АЭ. |
|
||||||||
Типовые выходные характеристики транзисторов П4ВЭ в схеме с общим эмиттером
О |
10 |
20 |
30 |
40 |
50 |
|
|
|
|
UKe,B |
|
Типовые |
выходные |
характеристики |
транзисторов |
ГМГЭ |
|
|
в схеме с общим эмиттером |
|
|||
Типовые выходные характеристики транзисторов 114ДЭ в схеме с общим эмиттером