книги / Транзисторы

иКТ801.

А.А. Розановой — справочные листы на транзисторы ГТ322,

ГТ403А—403И, КТ602, КТ802, ГТ804 и КТ805.

К. М. Брежневой — справочные листы на транзисторы МП20-21, МП25-26, МП39-41, МП114—116.

С. В. Суповым — справочные листы на транзисторы П5, П27—28, П29-30, МП111-113 и П504—505.

В справочнике использованы результаты исследований транзи­ сторов в инверсном включении, проведенных Д. В. Игумновым, и зависимости параметров мощных транзисторов от различных усло­ вий, полученные Д. Н. Воротниковой.

Авторы выражают благодарность А. С. Козыреву, Б. А. Боро­ дину и В. В. Нархову за ценные советы, замечания и поправки многих данных транзисторов, сделанные ими при просмотре рукописи.

Просьба все замечания и пожелания по книге присылать по адресу: Москва-центр, Чистопрудный бульвар, 2, издательство «Связь».

При этой температуре полупроводник приобретает собственную проводимость и структура транзистора (р-п-р или п-р-п) практи­ чески перестает существовать. Процесс обратим: транзистор при остывании приобретает вновь все свои свойства.

акс для кремния колеблется в пределах +150-^-+200° С, для

германия — в пределах + 8 0 -f- + 100° С. Во втором случае:

— при тепловом пробое

г д е ^ з 0— максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер

при обрыве в цепи базы при +25° С, Uкэо— заданная величина напряжения,

первую очередь, разрушающими механическими усилиями, возни­ кающими между отдельными элементами транзистора при его охла­ ждении.

Тепловые сопротивления

Количество тепла <2выд, выделяемое в транзисторе (на его пе­ реходах), и количество тепла Q0TB — отводимое, определяются из­ вестными из теплотехники соотношениями:

Тп — температура перехода, °С;

вода, в справочные данные включается Rac для мощных транзисто­

ров /?пи.

Формула (4) показывает полную аналогию между тепловыми и электрическими процессами. Тепловое сопротивление аналогично электрическому сопротивлению, разность температур — разности по­ тенциалов и нагревающая мощность — электрическому току.

Тепловые постоянные и теплоемкости

В нестационарном импульсном режиме аналогия между тепло­ выми и электрическими процессами может быть продолжена. Ре­ шение уравнений распространения теплового потока показывает, что падение температуры по участкам транзистора во времени опи­ сывается теми же экспонентами, что и падение напряжения вдоль линии, состоящей из большего (теоретически бесконечного) числа элементов, каждый из которых состоит из параллельного соедине­ ния сопротивления и емкости. Экспериментально снятые кривые

остывания Тп (t) полностью подтверждают это положение. Поэтому

для расчета тепловых процессов может быть использована эквива­ лентная схема — электрический аналог, содержащая элементы из параллельных соединений тепловых сопротивлений RT и теплоемко­ стей Ст. Естественно, чем больше число элементов этой схемы, тем точнее расчеты. Однако для инженерных целей оказывается при­ годной только двухэлементная схема (рис. 1). Трехэлементная схема

Максимально допустимые токи

Постоянные токи

Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме усиления определяется по ф-лам (6), (7) и (8) и равен

Если в справочном листе нет специальных данных по фксимально допустимым токам базы /бт, /бит и эмиттера / этп И /эпт» их следует считать равными соответствующим токам коллектора.

Импульсные токи

Факторами, ограничивающими импульсные токи в транзисторе, являются:

1) разогрев (Т'макс) и снижение усиления (/121эмин), эти фак­

торы действуют во всех без исключения транзисторах и во всех случаях на сравнительно длинных по времени импульсах не очень больших амплитуд;

2) разогревы различных локальных объемов в результате рез­ кого возрастания плотностей токов по периметру и в центре эмит­ тера, так называемого вторичного пробоя и других явлений, дей­ ствующих не во всех транзисторах и не во всех случаях, на срав­ нительно коротких импульсах достаточно больших амплитуд.

Для расчета импульсных токов принимаются во внимание толь­ ко первые два фактора, действующие регулярно.