книги / Электромеханические аппараты автоматики
..pdf5.3. ЖИДКОСТНЫЕ (ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЕ) ДАТЧИКИ
Действие этих датчиков (рис. 5.7) основано на изменении сопротивления электропроводящей жидкости (электролита) при взаимном перемещении электродов или дополнительных экранирующих пластин либо при изменении геометрических
размеров |
и форм сосуда. Так, на |
рис. 5.7, а показан |
||
дифференциальный датчик |
с неподвижными электродами |
|||
1, 3 и |
подвижным 2. |
Перемещение |
электрода |
2 на |
расстояние |
х увеличивает |
зазор 8 и |
уменьшает |
зазор |
между электродами 2, 3. Дифференциальный датчик с пе ременной площадью перекрытия показан на рис. 5.7,6. При повороте подвижной пластины на угол а изменяются площади перекрытия между подвижной и неподвижными пластинами. Дифференциальный датчик с переменной пло щадью погружения показан на рис. 5.7, в. Перемещение х одной из пластин в одну сторону вызывает перемещение другой пластины в противоположную. В соответствии с этими перемещениями изменяются погружаемые площади электродов. Трубчатый датчик рис. 5.7, г предназначен для измерения усилий или перемещений. С изменением приложенных к датчику
усилий резиновая |
трубка |
7 растягивается или |
сжимается. |
В соответствии |
с этим |
изменяется длина / |
и сечение |
канала, заполненного электролитом или ртутью. Диффе ренциальный датчик, предназначенный для измерения угла
Рис. 5.7. Электролитические датчики:
а — с переменным |
межэлектродным |
зазором; б — с |
переменной площадью |
перекрытия |
|
зазора; |
в — с переменной глубиной |
погружения; г — с переменными длиной |
и сечением |
||
канала; |
д — дифференциальный электролитический; |
1— 5 — электроды; 6 — газовый изо |
|||
ляционный пузырь; |
7 — резиновая трубка |
|
|
наклона основания а относительно горизонтальной плоскости, показан на рис. 5.7, д. Отклонение от горизонтального по ложения вызывает перемещение газового пузыря 6 и изменение распределения сопротивлений между электродами 3 — 5. Во избежание электролиза такие датчики используются только в цепях переменного тока. Электрическое сопротивление электролита зависит от его концентрации и температуры.
Температурный коэффициент электролитов велик и при номинальной температуре составляет для кислот 0,016; ос нований 0,019; солей 0,024 °С-1
Сопротивление датчика
R= l/G , |
(5.18) |
где G— электрическая проводимость |
электролита. |
Электрическую проводимость G определяют построением картины электрического поля и суммированием проводимостей отдельных трубок. Если размеры сосуда существенно больше размеров электродов и расстояния между ними, можно ис пользовать формулы для магнитной проводимости воздушных
зазоров |
[14, 15]. Если |
|
|
|
|
8 |
|
где 8— расстояние |
между электродами; |
S — площадь их вза |
|
имного |
перекрытия, |
то |
|
|
|
G xyS/b, |
(5.19) |
где у — удельная электрическая проводимость жидкости.
В качестве электропроводной жидкости используется ртуть (для датчиков трубчатого исполнения на рис. 5.7,г) и элек тролиты. Перемещение электродов связано с необходимостью преодоления вязкого трения среды электролита.
При этом к подвижному электроду прикладывается меха
ническое усилие |
|
|
|
PMX* K K Sv, |
(5.20) |
где К — коэффициент, |
учитывающийформу |
электрода; р„— |
коэффициент вязкости |
электролита; S — площадь, перпендику |
|
лярная направлению движения; v — скорость |
перемещения эле |
|
ктродов. |
|
|
5.4. ДАТЧИКИ КОНТАКТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ И КОНТАКТНЫЕ
Работа датчиков контактного сопротивления (рис. 5.8) осно вана на зависимости переходного сопротивления RKот действу ющего на чувствительный элемент механического усилия сжатия:
RX= R0 + K/PMX= R0 + K0/Al, |
(5.21) |
Рис. 5.8. Датчики контактного сопротив ления и контактные:
а — угольный столбик; б — тензометрический датчик; в — датчик вращающего момента Л/вр; г — дифференциальный; д — контактный
Рис. 5.9. |
Характеристики датчиков |
кон |
|
|
|
|
|
|||||
тактного |
сопротивления |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
где |
RQ— сопротивление |
сплошного материала |
контактов, |
не |
||||||||
подвергающегося |
сжатию; |
К, |
К0— постоянные |
коэффициенты; |
||||||||
Рмх— механическое усилие |
сжатия |
чувствительного |
элемента; |
|||||||||
А/— деформация |
чувствительного |
элемента. |
элемент в |
ви |
||||||||
На |
рис. 5.8, а |
показан |
|
чувствительный |
||||||||
де |
угольного |
столбика, |
а |
на рис. 5.8,6— г |
дифференциаль |
|||||||
ные |
датчики |
на |
его основе. |
Угольные столбики |
набирают |
ся из угольных шайб или дисков. Материалом служит электродный уголь сопротивлением (0,3 н-1) • 10“4 Ом • м, графит
или керамика с графитовым заполнителем. |
Толщина шайб |
|
0,5 — 3,5 мм. Размеры шайб рассчитываются |
из |
допустимых |
значений механического усилия (6,5 *106 Па) |
и |
превышения |
температуры по (5.14). На рис. 5.9 показаны характеристики таких датчиков.
Погрешности датчиков контактного сопротивления возника ют из-за наличия гистерезиса (1— 2%) и влияния температуры на сопротивление и размеры столба. Такие датчики применя ются в качестве выходных органов регуляторов напряжения,
стабилизаторов напряжения, датчиков переменных усилий, малых перемещений, момента, вибрации, ускорений.
Для контроля размеров деталей и отбраковки изделий по геометрическим размерам применяются контактные датчики, которые могут быть со скользящими контактами и с изменя ющимся зазором между контактами (см. рис. 5.8,д). В датчиках первого типа с токопроводящей пластиной соприкасается один или несколько скользящих контактов. При перемещении пла стины относительно контактов на заданную величину элект рическая цепь между контактами замыкается.
Если размер перемещаемой в направлении х детали находит ся в допускаемых пределах, то средний контакт не замыкается ни с верхним, ни с нижним контактами. При недопустимом отклонении размера замыкается верхний или нижний контакт.
Точность и надежность контактных датчиков зависит от работы контактной системы. Дугообразование должно быть исключено. Коммутируемая контактами мощность должна быть не более 100— 150 мВт. Материалом контактов служат сплавы палладия с иридием, вольфрама с рением. Контактное нажатие составляет 0,03 Н. Минимальная погрешность 1— 2 мкм.
5.5. ТЕНЗОДАТЧИКИ
Проволочные тензодатчики являются безынерционными устройствами и используются для преобразования малых (5 — 50 мкм) механических деформаций в электрический сигнал. Одна из распространенных конструкций омического тензодат чика представляет собой проволоку, накладываемую в виде спирали 1 с размерами А, В на полосу 2 папиросной бумаги (рис. 5.10). Сверху наклеивается второй слой папиросной бумаги либо наносится лаковая пленка. Тензодатчик наклеивается на поверхность деформируемой детали так, чтобы прямолинейные участки проволоки растягивались или сжимались в соответ ствии с деформацией детали. Изменение сопротивления про
волоки возникает из-за |
изменения |
геометрических размеров |
и удельного сопротивления материала при деформации. |
||
Чувствительность тензодатчика |
[78 ] |
|
|
ДЛ/Л |
(5.22) |
|
д //г |
|
|
|
|
где AR, А/— изменения сопротивления R тензодатчика и длины |
||
Ы А . Для проволоки из |
Константина Sx, 2. |
Так как изменение сопротивления AR/R составляет доли процента, необходимо значительное усиление сигнала, тщатель ная нулевая настройка и температурная компенсация. Для усиления сигнала применяются усилители переменного тока-
214
Рис. 5.11. Наклеиваемые (а) и ненаклеиваемые (б, в) омические тензодатчики
Для температурной компенсации применяются: измеритель ные мосты с одинаковыми датчиками в плечах; термопары, один из спаев которой наклеен на контролируемую деталь вместе с датчиком; составные датчики из двух материалов с разными температурными коэффициентами.
Вместо металлической проволоки может быть использована фольга или полупроводники круглого или плоского сечения. В качестве полупроводников используются аморфные композиции (бакелит, шеллак, канифоль и мел, тальк, кварцевая пыль с графитом, углем, сажей) или кристаллические (германий, сурьмянистый индий, арсенид галлия, кремний, фосфид индия). Подвод тока к полупроводниковому датчику осуществляется через тонкие (0,1 мм) проводники из никеля, серебра, золота. Срок службы таких датчиков— до 5 • 106 циклов деформаций. Характе ристики датчика нелинейны. Для линеаризации характеристик датчики с различными видами нелинейности включают в смежные плечи моста, создают предварительные механические напряжения, используют собственную нелинейность измерительной схемы.
По конструктивному выполнению существуют наклеиваемые и ненаклеиваемые датчики. Наклеиваемые представляют собой
тонкие эластичные изоляционные пластины, внутри которых располагаются тензочувствительные элементы. Для измерения усилий наклеиваемые датчики используют совместно с раз личными упругими элементами (рис. 5.11). Упругие элементы
могут |
быть |
кубическими, цилиндрическими, сложной |
формы |
|||
и т. д. |
На |
рис. 5.11, а |
упругий |
элемент |
выполнен |
в виде |
параллелепипеда, на который наклеены тензодатчики. |
|
|||||
Для измерения давления и вращающих моментов датчики |
||||||
наклеивают |
на мембраны и валы. Погрешность измерений |
|||||
с помощью |
этих датчиков не превышает |
0,15— 1%. |
|
|||
В |
ненаклеиваемых |
датчиках |
(рис. 5.11,б,в) проволока из |
константана или другого высокоомного сплава наматывается на изоляторы, укрепленные на взаимно перемещающихся деталях. С учетом механической прочности усилие, которое необходимо приложить к пучку из п проволок длиной / для
их деформации на величину А/, равно |
[78] |
, =п nd2 „Д/ |
(5.23) |
~ Г е 7 ' |
|
где d —диаметр проволоки; Е — модуль упругости проволоки. Дифференциальные тензодатчики выполняются из двух пучков проволоки, намотанных с предварительным натягом, поскольку усилие Рмх может как увеличивать, так и уменьшать
натяжение.
Преимуществом ненаклеиваемых тензодатчиков является отсутствие поперечной тензочувствительности (в направлении, перпендикулярном деформации), и ничтожно малый гистерезис характеристики. Для измерения усилий ненаклеиваемые датчики монтируются на упругих элементах.
5.6. ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ И ТЕРМОДАТЧИКИ
Способность проводников и полупроводников изменять свое удельное сопротивление р под действием температуры Т ис пользуется для построения термодатчиков. В термодатчиках используются терморезисторы, представляющие собой рези сторы с явно выраженной зависимостью R(T).
В качестве проводниковых материалов используются медь, сталь, никель, платина в виде ленты или тонкой проволоки, намотанной на пластинчатом, цилиндрическом, крестообразном каркасе из слюды, фарфора, кварца.
В качестве полупроводниковых материалов используются оксиды, сульфиды, нитриды и карбиды металлов, изготавлива емые прессованием измельченного очищенного материала Обычно терморезисторы выполняются в виде бусинок, таб леток, цилиндров, на концах которых укрепляются электроды.
216
’Рис. 5.12. Температурная (а) и вольт-амперная {в) характеристики термисторов
^косвенного подогрева
Иногда они располагаются в вакуумированном или заполнен ном инертным газом стеклянном баллоне.
Для полупроводникового |
терморезистора |
||
|
|
|
(5.24) |
тде В — коэффициент, |
зависящий от |
вида полупроводникового |
|
материала; Т — температура |
полупроводника. К ; Т0— началь |
||
ная температура полупроводника, К ; |
рда — удельное сопротив |
||
ление полупроводника |
при |
Т -* оо; |
а — температурный коэф |
фициент полупроводника. |
|
|
Температурная характеристика R (Т) терморезистора опреде ляется экспериментально (рис. 5.12,я). Важной характеристикой терморезистора является ВАХ 0(1) при Т0 = const. Кроме обычных термисторов с а< 0 (кривая 1) существуют терморези сторы с а > 0 (позисторы). Характеристика позистора изображена кривой 2 на рис. 5.12, я. С уменьшением температуры термистора его ВАХ располагается на графике выше (рис. 5.12,6).
Различают терморезисторы прямого и косвенного подогре ва. В первом случае подогрев осуществляется током, протека ющим через терморезистор. При косвенном подогреве внутри или снаружи терморезистора располагается подогреватель, через который протекает ток /п. Подогреватель изготовляется из вольфрамовой проволоки, намотанной на керамическую трубку. Характеристики терморезистора с косвенным подогре вом изображены на рис. 5.13. Температурная характеристика тем выше, чем больше ток через терморезистор (рис. 5.13,я); ВАХ тем выше, чем больше ток подогревателя (рис. 5.13,6).
По характеристикам определяется коэффициент тепловой
связи цепей |
терморезистора |
и подогревателя, учитывающий |
|
влияние на |
температуру терморезистора |
протекающего по |
|
нему тока / |
и тока подогревателя /п: |
|
|
|
Х т = |
А /„ /Д /, |
(5.25) |
Рис. 5.13. Температурные (а) и вольт-амперные {б) характеристики термистора
косвенного подогрева
где |
|
|
|
|
|
А/„ = /„2 - 1 „1 |
при /= const; |
|
|
|
Д /= /2 —/j |
при /п= const. |
|
|
Значения Д/п и Д/ берутся при одном й том же изменении |
||||
сопротивления |
|
|
|
|
|
|
AR = R 1- R 2, |
|
|
/ 1; 12, /п1, /п2— токи |
терморезистора и подогревателя, |
соот |
||
ветствующие |
сопротивлениям |
и R2 (рис. 5.13, а). |
|
|
У терморезистора с косвенным подогревом различают |
||||
постоянные |
времени |
нагрева |
ттр — при подогреве |
током |
/ и ттп— при подогреве током подогревателя. При применений терморезисторов в термодатчиках ток I не должен создавать заметного разогрева терморезистора. При этом терморезистор должен работать на восходящей ветви ВАХ. Для включения датчика применяются мостовые и дифференциальные схемы.
Терморезисторы могут использоваться в качестве датчиков вакуума, скорости и направления потока жидкости или газа, поскольку в зависимости от этих параметров изменяется коэффициент теплоотдачи Кто и положение ВАХ на графике. При включении терморезисторов в плечи измерительного моста баланс моста зависит от температуры потока.
Особым случаем является работа терморезистора в релей ном режиме. Для этой цели применяются терморезисторы, ВАХ которых имеет явно выраженный максимум.
На |
рис. 5.14, а, в показаны схемы |
включения терморезисто |
ров в |
релейном режиме. Если Ix, |
Ux— изменяющиеся ток |
и падение напряжения на терморезисторе, то семейство ВАХ может быть представлено рис. 5.14,6. Чем ниже температура терморезистора, тем выше ВАХ. Положение ВАХ нагрузки при срабатывании показано сплошной линией, а при отпуска нии— штриховой. Статическая релейная характеристика 1Х(Т)
218
/Г
о
|
Рис. 5.14. Термисторы |
в релейном |
режиме: |
||
|
а, |
в, г варианты |
схем |
включения: и, |
д — характеристики |
показана |
на |
рис. 5.14, 6, |
где |
показаны |
температуры срабатыва- |
н и я Т’сраб |
и |
отпускания |
Готп. |
|
Терморезисторы в релейном режиме используются в качест ве датчиков уровня (рис. 5.14,в), стабилизаторов напряжения, управляемых реостатов, пусковых резисторов для микродвига телей, устройств защиты от обрыва цепи (рис. 5.14,г) [78].
5.7. МЕХАНОТРОНЫ
Принцип действия электронных и ионных датчиков пере мещений и усилий — механотронов (рис. 5.15) основан на изменении характеристик электронных и ионных ламп при перемещении их электродов. Механотроны изготовляются в ви де одинарных и сдвоенных диодов и триодов с подвижными анодами, катодами и вспомогательными электродами. Меха нотроны с подвижными сетками применяются редко из-за слишком высокой чувствительности, вызывающей нестабиль ность их характеристик. На рис. 5.15, я показана мостовая схема включения механотрона на основе ионного диода. На рис. 5.15,6 дана его характеристика вход-выход.
Под действием усилия Рмх перемещаются стеклянные или металлические мембраны или гофрированные трубки, связанные с электродами лампы. Известны конструкции, в которых перемещение электрода осуществляется магнитным полем. Механотроны применяются для измерения вибраций, ускорений, давлений, деформаций и т. д. Чувствительность
+ |
— |
■О |
о- |
|
U |
|
Рис. 5.15. Механотроны |
механотронов составляет от 500— 25 кВ/см до нескольких |
киловольт на 1 мм. Питание схем осуществляется переменным током с частотой 0,1 — 10 МГц. Диапазон рабочих температур от —40 до +75 °С. Баллоны ионных ламп заполняются инертным газом (обычно неоном).
Основные преимущества механотронов заключаются в вы сокой чувствительности и малой потребляемой мощности. Основные недостатки — в необходимости источника высокоча стотного напряжения и в хрупкости стеклянного баллона. Более подробные сведения о механотронах приведены в [79].
5.8. ИНДУКТИВНЫЕ И ТРАНСФОРМАТОРНЫЕ ДАТЧИКИ
5.8.1. Индуктивные датчики
Действие индуктивных датчиков основано на изменении индуктивности под влиянием входной величины (перемещения, усилия). Индуктивность L обмотки датчика согласно (2.11) выражается равенством
L = w2AM= w2/ZM,
где Лц, ZM— магнитная проводимость и полное магнитное сопротивление магнитной цепи,
^ |
= ч/(* сТ+ Л5)2 + х 2; |
(5.26) |
||
Rcr= ll{ ^ S CT); Rs= 1/Л5; |
хп = Р„/((оФ2); |
Ца = ЦгЦ0; |
|
|
здесь RCT— магнитное |
|10 = 4 я • 10-7 Гн/м, |
|
|
|
сопротивление стальных |
участков |
маг |
||
нитной цепи; Rs— магнитное |
сопротивление воздушных |
зазо |
ров; .vM— реактивное магнитное сопротивление магнитной цепи,
обусловленное потерями мощности |
на вихревые токи и ги |
|||
стерезис; Рст— потери мощности в |
стали |
на вихревые токи |
||
и гистерезис; |
Ф—действующее значение |
магнитного |
потока; |
|
SCT— сечение |
стального участка магнитной цепи; ца, |
цг— аб |
||
солютная и |
относительная магнитные проницаемости |
стали. |
220