Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Электромеханические аппараты автоматики

..pdf
Скачиваний:
6
Добавлен:
20.11.2023
Размер:
13.11 Mб
Скачать

5.3. ЖИДКОСТНЫЕ (ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЕ) ДАТЧИКИ

Действие этих датчиков (рис. 5.7) основано на изменении сопротивления электропроводящей жидкости (электролита) при взаимном перемещении электродов или дополнительных экранирующих пластин либо при изменении геометрических

размеров

и форм сосуда. Так, на

рис. 5.7, а показан

дифференциальный датчик

с неподвижными электродами

1, 3 и

подвижным 2.

Перемещение

электрода

2 на

расстояние

х увеличивает

зазор 8 и

уменьшает

зазор

между электродами 2, 3. Дифференциальный датчик с пе­ ременной площадью перекрытия показан на рис. 5.7,6. При повороте подвижной пластины на угол а изменяются площади перекрытия между подвижной и неподвижными пластинами. Дифференциальный датчик с переменной пло­ щадью погружения показан на рис. 5.7, в. Перемещение х одной из пластин в одну сторону вызывает перемещение другой пластины в противоположную. В соответствии с этими перемещениями изменяются погружаемые площади электродов. Трубчатый датчик рис. 5.7, г предназначен для измерения усилий или перемещений. С изменением приложенных к датчику

усилий резиновая

трубка

7 растягивается или

сжимается.

В соответствии

с этим

изменяется длина /

и сечение

канала, заполненного электролитом или ртутью. Диффе­ ренциальный датчик, предназначенный для измерения угла

Рис. 5.7. Электролитические датчики:

а — с переменным

межэлектродным

зазором; б — с

переменной площадью

перекрытия

зазора;

в — с переменной глубиной

погружения; г — с переменными длиной

и сечением

канала;

д — дифференциальный электролитический;

1— 5 — электроды; 6 — газовый изо­

ляционный пузырь;

7 — резиновая трубка

 

 

наклона основания а относительно горизонтальной плоскости, показан на рис. 5.7, д. Отклонение от горизонтального по­ ложения вызывает перемещение газового пузыря 6 и изменение распределения сопротивлений между электродами 3 — 5. Во избежание электролиза такие датчики используются только в цепях переменного тока. Электрическое сопротивление электролита зависит от его концентрации и температуры.

Температурный коэффициент электролитов велик и при номинальной температуре составляет для кислот 0,016; ос­ нований 0,019; солей 0,024 °С-1

Сопротивление датчика

R= l/G ,

(5.18)

где G— электрическая проводимость

электролита.

Электрическую проводимость G определяют построением картины электрического поля и суммированием проводимостей отдельных трубок. Если размеры сосуда существенно больше размеров электродов и расстояния между ними, можно ис­ пользовать формулы для магнитной проводимости воздушных

зазоров

[14, 15]. Если

 

 

 

8

 

где 8— расстояние

между электродами;

S — площадь их вза­

имного

перекрытия,

то

 

 

 

G xyS/b,

(5.19)

где у — удельная электрическая проводимость жидкости.

В качестве электропроводной жидкости используется ртуть (для датчиков трубчатого исполнения на рис. 5.7,г) и элек­ тролиты. Перемещение электродов связано с необходимостью преодоления вязкого трения среды электролита.

При этом к подвижному электроду прикладывается меха­

ническое усилие

 

 

 

PMX* K K Sv,

(5.20)

где К — коэффициент,

учитывающийформу

электрода; р„—

коэффициент вязкости

электролита; S — площадь, перпендику­

лярная направлению движения; v — скорость

перемещения эле­

ктродов.

 

 

5.4. ДАТЧИКИ КОНТАКТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ И КОНТАКТНЫЕ

Работа датчиков контактного сопротивления (рис. 5.8) осно­ вана на зависимости переходного сопротивления RKот действу­ ющего на чувствительный элемент механического усилия сжатия:

RX= R0 + K/PMX= R0 + K0/Al,

(5.21)

Рис. 5.8. Датчики контактного сопротив­ ления и контактные:

а — угольный столбик; б — тензометрический датчик; в — датчик вращающего момента Л/вр; г — дифференциальный; д — контактный

Рис. 5.9.

Характеристики датчиков

кон­

 

 

 

 

 

тактного

сопротивления

 

 

 

 

 

 

 

 

где

RQ— сопротивление

сплошного материала

контактов,

не

подвергающегося

сжатию;

К,

К0— постоянные

коэффициенты;

Рмх— механическое усилие

сжатия

чувствительного

элемента;

А/— деформация

чувствительного

элемента.

элемент в

ви­

На

рис. 5.8, а

показан

 

чувствительный

де

угольного

столбика,

а

на рис. 5.8,6— г

дифференциаль­

ные

датчики

на

его основе.

Угольные столбики

набирают­

ся из угольных шайб или дисков. Материалом служит электродный уголь сопротивлением (0,3 н-1) • 10“4 Ом • м, графит

или керамика с графитовым заполнителем.

Толщина шайб

0,5 — 3,5 мм. Размеры шайб рассчитываются

из

допустимых

значений механического усилия (6,5 *106 Па)

и

превышения

температуры по (5.14). На рис. 5.9 показаны характеристики таких датчиков.

Погрешности датчиков контактного сопротивления возника­ ют из-за наличия гистерезиса (1— 2%) и влияния температуры на сопротивление и размеры столба. Такие датчики применя­ ются в качестве выходных органов регуляторов напряжения,

стабилизаторов напряжения, датчиков переменных усилий, малых перемещений, момента, вибрации, ускорений.

Для контроля размеров деталей и отбраковки изделий по геометрическим размерам применяются контактные датчики, которые могут быть со скользящими контактами и с изменя­ ющимся зазором между контактами (см. рис. 5.8,д). В датчиках первого типа с токопроводящей пластиной соприкасается один или несколько скользящих контактов. При перемещении пла­ стины относительно контактов на заданную величину элект­ рическая цепь между контактами замыкается.

Если размер перемещаемой в направлении х детали находит­ ся в допускаемых пределах, то средний контакт не замыкается ни с верхним, ни с нижним контактами. При недопустимом отклонении размера замыкается верхний или нижний контакт.

Точность и надежность контактных датчиков зависит от работы контактной системы. Дугообразование должно быть исключено. Коммутируемая контактами мощность должна быть не более 100— 150 мВт. Материалом контактов служат сплавы палладия с иридием, вольфрама с рением. Контактное нажатие составляет 0,03 Н. Минимальная погрешность 1— 2 мкм.

5.5. ТЕНЗОДАТЧИКИ

Проволочные тензодатчики являются безынерционными устройствами и используются для преобразования малых (5 — 50 мкм) механических деформаций в электрический сигнал. Одна из распространенных конструкций омического тензодат­ чика представляет собой проволоку, накладываемую в виде спирали 1 с размерами А, В на полосу 2 папиросной бумаги (рис. 5.10). Сверху наклеивается второй слой папиросной бумаги либо наносится лаковая пленка. Тензодатчик наклеивается на поверхность деформируемой детали так, чтобы прямолинейные участки проволоки растягивались или сжимались в соответ­ ствии с деформацией детали. Изменение сопротивления про­

волоки возникает из-за

изменения

геометрических размеров

и удельного сопротивления материала при деформации.

Чувствительность тензодатчика

[78 ]

 

ДЛ/Л

(5.22)

 

д //г

 

 

где AR, А/— изменения сопротивления R тензодатчика и длины

Ы А . Для проволоки из

Константина Sx, 2.

Так как изменение сопротивления AR/R составляет доли процента, необходимо значительное усиление сигнала, тщатель­ ная нулевая настройка и температурная компенсация. Для усиления сигнала применяются усилители переменного тока-

214

Рис. 5.11. Наклеиваемые (а) и ненаклеиваемые (б, в) омические тензодатчики

Для температурной компенсации применяются: измеритель­ ные мосты с одинаковыми датчиками в плечах; термопары, один из спаев которой наклеен на контролируемую деталь вместе с датчиком; составные датчики из двух материалов с разными температурными коэффициентами.

Вместо металлической проволоки может быть использована фольга или полупроводники круглого или плоского сечения. В качестве полупроводников используются аморфные композиции (бакелит, шеллак, канифоль и мел, тальк, кварцевая пыль с графитом, углем, сажей) или кристаллические (германий, сурьмянистый индий, арсенид галлия, кремний, фосфид индия). Подвод тока к полупроводниковому датчику осуществляется через тонкие (0,1 мм) проводники из никеля, серебра, золота. Срок службы таких датчиков— до 5 • 106 циклов деформаций. Характе­ ристики датчика нелинейны. Для линеаризации характеристик датчики с различными видами нелинейности включают в смежные плечи моста, создают предварительные механические напряжения, используют собственную нелинейность измерительной схемы.

По конструктивному выполнению существуют наклеиваемые и ненаклеиваемые датчики. Наклеиваемые представляют собой

тонкие эластичные изоляционные пластины, внутри которых располагаются тензочувствительные элементы. Для измерения усилий наклеиваемые датчики используют совместно с раз­ личными упругими элементами (рис. 5.11). Упругие элементы

могут

быть

кубическими, цилиндрическими, сложной

формы

и т. д.

На

рис. 5.11, а

упругий

элемент

выполнен

в виде

параллелепипеда, на который наклеены тензодатчики.

 

Для измерения давления и вращающих моментов датчики

наклеивают

на мембраны и валы. Погрешность измерений

с помощью

этих датчиков не превышает

0,15— 1%.

 

В

ненаклеиваемых

датчиках

(рис. 5.11,б,в) проволока из

константана или другого высокоомного сплава наматывается на изоляторы, укрепленные на взаимно перемещающихся деталях. С учетом механической прочности усилие, которое необходимо приложить к пучку из п проволок длиной / для

их деформации на величину А/, равно

[78]

, =п nd2 „Д/

(5.23)

~ Г е 7 '

 

где d —диаметр проволоки; Е — модуль упругости проволоки. Дифференциальные тензодатчики выполняются из двух пучков проволоки, намотанных с предварительным натягом, поскольку усилие Рмх может как увеличивать, так и уменьшать

натяжение.

Преимуществом ненаклеиваемых тензодатчиков является отсутствие поперечной тензочувствительности (в направлении, перпендикулярном деформации), и ничтожно малый гистерезис характеристики. Для измерения усилий ненаклеиваемые датчики монтируются на упругих элементах.

5.6. ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ И ТЕРМОДАТЧИКИ

Способность проводников и полупроводников изменять свое удельное сопротивление р под действием температуры Т ис­ пользуется для построения термодатчиков. В термодатчиках используются терморезисторы, представляющие собой рези­ сторы с явно выраженной зависимостью R(T).

В качестве проводниковых материалов используются медь, сталь, никель, платина в виде ленты или тонкой проволоки, намотанной на пластинчатом, цилиндрическом, крестообразном каркасе из слюды, фарфора, кварца.

В качестве полупроводниковых материалов используются оксиды, сульфиды, нитриды и карбиды металлов, изготавлива­ емые прессованием измельченного очищенного материала Обычно терморезисторы выполняются в виде бусинок, таб­ леток, цилиндров, на концах которых укрепляются электроды.

216

’Рис. 5.12. Температурная (а) и вольт-амперная {в) характеристики термисторов

^косвенного подогрева

Иногда они располагаются в вакуумированном или заполнен­ ном инертным газом стеклянном баллоне.

Для полупроводникового

терморезистора

 

 

 

(5.24)

тде В — коэффициент,

зависящий от

вида полупроводникового

материала; Т — температура

полупроводника. К ; Т0— началь­

ная температура полупроводника, К ;

рда — удельное сопротив­

ление полупроводника

при

Т -* оо;

а — температурный коэф­

фициент полупроводника.

 

 

Температурная характеристика R (Т) терморезистора опреде­ ляется экспериментально (рис. 5.12,я). Важной характеристикой терморезистора является ВАХ 0(1) при Т0 = const. Кроме обычных термисторов с а< 0 (кривая 1) существуют терморези­ сторы с а > 0 (позисторы). Характеристика позистора изображена кривой 2 на рис. 5.12, я. С уменьшением температуры термистора его ВАХ располагается на графике выше (рис. 5.12,6).

Различают терморезисторы прямого и косвенного подогре­ ва. В первом случае подогрев осуществляется током, протека­ ющим через терморезистор. При косвенном подогреве внутри или снаружи терморезистора располагается подогреватель, через который протекает ток /п. Подогреватель изготовляется из вольфрамовой проволоки, намотанной на керамическую трубку. Характеристики терморезистора с косвенным подогре­ вом изображены на рис. 5.13. Температурная характеристика тем выше, чем больше ток через терморезистор (рис. 5.13,я); ВАХ тем выше, чем больше ток подогревателя (рис. 5.13,6).

По характеристикам определяется коэффициент тепловой

связи цепей

терморезистора

и подогревателя, учитывающий

влияние на

температуру терморезистора

протекающего по

нему тока /

и тока подогревателя /п:

 

 

Х т =

А /„ /Д /,

(5.25)

Рис. 5.13. Температурные (а) и вольт-амперные {б) характеристики термистора

косвенного подогрева

где

 

 

 

 

 

А/„ = /„2 - 1 „1

при /= const;

 

 

Д /= /2 —/j

при /п= const.

 

Значения Д/п и Д/ берутся при одном й том же изменении

сопротивления

 

 

 

 

 

AR = R 1- R 2,

 

/ 1; 12, /п1, /п2— токи

терморезистора и подогревателя,

соот­

ветствующие

сопротивлениям

и R2 (рис. 5.13, а).

 

У терморезистора с косвенным подогревом различают

постоянные

времени

нагрева

ттр — при подогреве

током

/ и ттп— при подогреве током подогревателя. При применений терморезисторов в термодатчиках ток I не должен создавать заметного разогрева терморезистора. При этом терморезистор должен работать на восходящей ветви ВАХ. Для включения датчика применяются мостовые и дифференциальные схемы.

Терморезисторы могут использоваться в качестве датчиков вакуума, скорости и направления потока жидкости или газа, поскольку в зависимости от этих параметров изменяется коэффициент теплоотдачи Кто и положение ВАХ на графике. При включении терморезисторов в плечи измерительного моста баланс моста зависит от температуры потока.

Особым случаем является работа терморезистора в релей­ ном режиме. Для этой цели применяются терморезисторы, ВАХ которых имеет явно выраженный максимум.

На

рис. 5.14, а, в показаны схемы

включения терморезисто­

ров в

релейном режиме. Если Ix,

Ux— изменяющиеся ток

и падение напряжения на терморезисторе, то семейство ВАХ может быть представлено рис. 5.14,6. Чем ниже температура терморезистора, тем выше ВАХ. Положение ВАХ нагрузки при срабатывании показано сплошной линией, а при отпуска­ нии— штриховой. Статическая релейная характеристика 1Х(Т)

218

о

 

Рис. 5.14. Термисторы

в релейном

режиме:

 

а,

в, г варианты

схем

включения: и,

д — характеристики

показана

на

рис. 5.14, 6,

где

показаны

температуры срабатыва-

н и я Т’сраб

и

отпускания

Готп.

 

Терморезисторы в релейном режиме используются в качест­ ве датчиков уровня (рис. 5.14,в), стабилизаторов напряжения, управляемых реостатов, пусковых резисторов для микродвига­ телей, устройств защиты от обрыва цепи (рис. 5.14,г) [78].

5.7. МЕХАНОТРОНЫ

Принцип действия электронных и ионных датчиков пере­ мещений и усилий — механотронов (рис. 5.15) основан на изменении характеристик электронных и ионных ламп при перемещении их электродов. Механотроны изготовляются в ви­ де одинарных и сдвоенных диодов и триодов с подвижными анодами, катодами и вспомогательными электродами. Меха­ нотроны с подвижными сетками применяются редко из-за слишком высокой чувствительности, вызывающей нестабиль­ ность их характеристик. На рис. 5.15, я показана мостовая схема включения механотрона на основе ионного диода. На рис. 5.15,6 дана его характеристика вход-выход.

Под действием усилия Рмх перемещаются стеклянные или металлические мембраны или гофрированные трубки, связанные с электродами лампы. Известны конструкции, в которых перемещение электрода осуществляется магнитным полем. Механотроны применяются для измерения вибраций, ускорений, давлений, деформаций и т. д. Чувствительность

+

■О

о-

 

U

 

Рис. 5.15. Механотроны

механотронов составляет от 500— 25 кВ/см до нескольких

киловольт на 1 мм. Питание схем осуществляется переменным током с частотой 0,1 — 10 МГц. Диапазон рабочих температур от —40 до +75 °С. Баллоны ионных ламп заполняются инертным газом (обычно неоном).

Основные преимущества механотронов заключаются в вы­ сокой чувствительности и малой потребляемой мощности. Основные недостатки — в необходимости источника высокоча­ стотного напряжения и в хрупкости стеклянного баллона. Более подробные сведения о механотронах приведены в [79].

5.8. ИНДУКТИВНЫЕ И ТРАНСФОРМАТОРНЫЕ ДАТЧИКИ

5.8.1. Индуктивные датчики

Действие индуктивных датчиков основано на изменении индуктивности под влиянием входной величины (перемещения, усилия). Индуктивность L обмотки датчика согласно (2.11) выражается равенством

L = w2AM= w2/ZM,

где Лц, ZM— магнитная проводимость и полное магнитное сопротивление магнитной цепи,

^

= ч/(* сТ+ Л5)2 + х 2;

(5.26)

Rcr= ll{ ^ S CT); Rs= 1/Л5;

хп = Р„/((оФ2);

Ца = ЦгЦ0;

 

здесь RCT— магнитное

|10 = 4 я • 10-7 Гн/м,

 

 

сопротивление стальных

участков

маг­

нитной цепи; Rs— магнитное

сопротивление воздушных

зазо­

ров; .vM— реактивное магнитное сопротивление магнитной цепи,

обусловленное потерями мощности

на вихревые токи и ги­

стерезис; Рст— потери мощности в

стали

на вихревые токи

и гистерезис;

Ф—действующее значение

магнитного

потока;

SCT— сечение

стального участка магнитной цепи; ца,

цг— аб­

солютная и

относительная магнитные проницаемости

стали.

220