Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Электромеханические аппараты автоматики

..pdf
Скачиваний:
6
Добавлен:
20.11.2023
Размер:
13.11 Mб
Скачать

На указанных соотношениях основаны способы реализации индуктивных датчиков: а) с переменным числом витков и»; б) с изменяющейся магнитной проницаемостью ра (магнитоуп­ ругие, подмагничиваемые постоянным током); в) с переменным воздушным зазором или его площадью (сопротивлением /?5); г) с переменным реактивным магнитным сопротивлением .хц, изменяющимся с помощью перемещающегося электромагнит­ ного экрана или короткозамкнутого витка.

5.8.1.1. СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ИНДУКТИВНЫХ ДАТЧИКОВ

Чаще всего индуктивные датчики включаются в дифферен­ циальные или мостовые схемы, обеспечивающие большое относительное изменение выходного сигнала и расширение линейной зоны характеристики. Конструкция дифференциаль­ ного индуктивного датчика содержит два плеча мостовой схемы в виде двух индуктивностей (ш = 2), изменяющихся в противоположных направлениях. В схемах на рис. 5.16 обозначены: Z0— сопротивление обмотки датчика в равновес­ ном состоянии мостовой схемы; AZ— изменение сопротивления обмотки датчика в результате перемещения якоря х; Z

Рис. 5.16. Схемы включения и характеристики индуктивных датчиков:

о — мостовая с одним регулируемым плечом; 6 — дифференциальная; в — дифференциальная

четырехобмоточного датчика;

— с выходом

на постоянном токе;

с)— дифференциальная

с питанием от трансформатора со средней

точкой; е, ж — дифференциальная фазочув­

ствительная; з — характеристика

схем а ж \

и — характеристика

схемы ^

сопротивление противоположных неизменяемых плеч мостовой схемы; U2— выходное напряжение датчика; Ul — напряжение источника питания. В качестве нерегулируемых плеч мостовой схемы используются:

активные сопротивления R = const;

вторичная обмотка трансформатора со средней точкой; два одинаковых дросселя с обмоткой, имеющей среднюю точку; дифференциальный индуктивный датчик такого же типа,

воспринимающий ту же входную величину (т = 4); такой датчик может быть установлен вне места измерения и не воспринимать входную величину (т = 2). В последнем случае он может служить задатчиком нулевой точки характеристики; две дополнительные обмотки, намотанные параллельно основным на тех же магнитопроводах (т = 4). Такой четырехоб­ моточный датчик имеет удвоенную чувствительность по срав­ нению с двухобмоточным, но требует удвоенного количества линий связи. Для получения максимального значения U2max

сопротивления всех плеч моста должны быть одинаковы. Значение Ux ограничено допустимыми значениями превыше­

ния температуры обмоточного провода и магнитной индукции в магнитопроводе. Допустимое превышение температуры опре­

деляется

по (5.14),

где

вместо

I 2R подставляется

значение

 

 

 

 

т

 

 

 

 

 

 

Л, = ХЛ2Л ,+РСТ,

(5-27)

 

 

 

 

1

 

 

где /,,

Л, — ток

и

активное

сопротивление /-й

обмотки;

P QT— потери мощности

в стальных участках магнитопровода.

Для магнитной индукции в стальных участках магнито­

провода

должно

выполняться

условие

 

я

-

Ц

тах

4,44SCT/ w s’

где Bs— индукция насыщения

материала магнитопровода.

Обычно Втах= (0,4 ч-1,0) Тл.

 

5.8.1.2. ИНДУКТИВНЫЕ ДАТЧИКИ С ПЕРЕМЕННЫМ ЧИСЛОМ ВИТКОВ

Чаще всего изменение числа витков осуществляется с по­ мощью щетки, скользящей по контактам или по зачищенным от изоляции виткам обмотки. При этом индуктивность L из­ меняется ступенчато. При переходе щетки с витка на виток они не должны закорачиваться друг на друга, поскольку в этом случае уменьшается индуктивность из-за появления реактивной составляющей магнитного сопротивления

*Ц = ЮИ’к/г,

(5.28)

Рис. 5.17. Индуктивный датчик с ем­ костным переключателем витков

Л

ж

где wK, г— число и активное сопротивление короткозамкнутых витков.

Такие датчики из-за конструктивных и эксплуатационных недостатков нашли ограниченное применение.

При работе на высокой частоте могут быть использованы растягиваемые обмотки в виде пружин с переменным шагом, намотанные неизолированным проводом. Кроме того, применя­ ются индуктивные датчики с емкостным переключателем витков (рис. 5.17, переключатель обведен штриховым кон­ туром). Датчик состоит из подвижной обкладки 1 и непо­ движных обкладок 2, к каждой из которых подключена одна из отпаек 3 обмотки L. Обкладка 1 механически соединена с контролируемым объектом, а электрически— с обмоткой wl трансформатора Т, автотрансформатором и измерительной схемой, состоящей из усилителя и измерительного прибора 4. При перемещении контролируемого объекта возникает емкостная связь обкладки 1 с различными обкладками 2, т. е. изменяется число витков обмотки датчика L, включенных в разные плечи измерительной схемы. Порог чувствительности датчика при активной длине в 1м составляет 2,5-Ю-4 мм, нелинейность характеристики 1,5 -10-3% .

5.8.1.3. МАГНИТОУПРУГИЕ ДАТЧИКИ

Действие этих датчиков основано на свойстве ферромаг­ нитных материалов изменять магнитную проницаемость при упругих деформациях. Датчик содержит обмотку с замкнутым магнитопроводом, деформирующимся под действием внешних усилий. Полное магнитное сопротивление датчика определяется по (5.26) при /?5 = 0.

Магнитоупругие свойства датчика характеризуются отно­ сительной чувствительностью по деформации 5 и по механичес­ кому напряжению Sa:

Рис. 5.18. Магнитоупругие

датчики:

 

 

 

 

а, б,

« — с магнитонроводом

из стали

или

феррита;

г — дифференциальный; д — с

крестообразным расположением обмотки; е— наклеиваемый тензодатчик;

ж — изменение

магнитных свойств в зависимости от механического напряжения

 

где

а — внутреннее

механическое

напряжение в

материале

магнитопровода; Е — модуль

упругости

материала

магнито-

провода.

Различают продольную (векторы <г и В совпадают по направлению) и поперечную (векторы а и В взаимно перпен­ дикулярны) чувствительность. Поперечная чувствительность в общем случае не равна продольной.

Для магнитопровода используются ферриты, никель, пер­ маллой, сплавы никеля с другими материалами и др. Магнитопроводы, работающие на сжатие в продольном направлении, выполняются сплошными или шихтованными. Шихтованные магнигопроводы обеспечивают повышенную стабильность ра­ боты на растяжение.

Рис. 5.19. Компенсация напря­ жения разбаланса крестообраз­ ного датчика

На рис. 5.18 показаны конструкции магнитоупругих дат­ чиков. Большей чувствительностью обладает датчик с кресто­ образным расположением обмоток (рис. 5.18, д), действие ко­ торого основано на различии между поперечной и продольной чувствительностью материала магнитопровода. Под воздейст­ вием внешнего усилия вертикальная составляющая магнитной проницаемости изменяется сильнее, чем горизонтальная. Тео­ ретически при механической силе Рмх = 0 (рис. 5.18,0) магнитная связь между первичной и вторичной обмотками отсутствует, поэтому напряжение U2 на выходе датчика должно быть равным нулю. Однако практически возникает напряжение разбаланса U20^0. Для его компенсации применяются раз­

личные схемы, одна

из которых изображена на рис. 5.19. При

Рмх^ 0

магнитный

поток сцепляется

с

двумя обмотками

(рис. 5.18, <?)

и выходное

напряжение

U20= 0.

 

 

Температурная погрешность магнитоупругих датчиков не

превышает

0,5%.

Частота

напряжения

источника

питания

/=50-ь20 000 Гц.

 

 

 

 

 

 

 

 

Недостатками магнитоупругих датчиков является относи­

тельно

невысокая

точность

и

гистерезис

характеристики

(0,5-И ,5%). Повышение

стабильности

характеристик

достига­

ется отжигом материала

магнитопровода

и снижением меха­

н и ч е с к и х

напряжений до

15— 20%

от

предела

упругости.

Магнитоупругие датчики применяются для измерения боль­

ших усилий (нажатия прокатных валков, массы

вагонов и т. д.)

и деформаций в деталях конструкций. Основное

их преимущест­

во— большая выходная мощность

(на

2 — 3 порядка больше,

чем у проволочных тензодатчиков

гой

же массы).

5.8.1.4. РАЗНОВИДНОСТИ ИНДУКТИВНЫХ

ДАТЧИКОВ

Индуктивность L индуктивного датчика рассчитывается по (2.11) с учетом (2.5). При входном перемещении в индуктивном датчике изменяется воздушный зазор 5 или площадь его поперечного сечения Ss (рис. 5.20). Датчики с 8 = var применя­ ются для измерения малых перемещений (от долей микрометра до 3— 5 мм). Датчики с S=var имеют достаточную линейность характеристик при относительно больших перемещениях л\

п_п_п_п гт_п_п

^ л р р

J vj J

Рис. 5.22. Индуктивный датчик с зубчатыми полюсными наконечниками

противлением используется экранирующее действие проводника на магнитное поле за счет индуктируемых вихревых токов [80]. Экранирующий эффект возрастает с ростом частоты питающего напряжения. Большинство таких датчиков рас­ считано на частоты до десятков МГц. Для изменения ин­ дуктивности применяются:

1) короткозамкнутые витки или обмотки, перемещающиеся (рис. 5.23,я) вдоль стержня магнитопровода. Значение лм опре­ деляется по (5.28);

2) электропроводящая пластина, вводимая в зазор маг­ нитопровода (рис. 5.23,6) или расположенная около плоской катушки (рис. 5.23,в).

Применяются мостовые, дифференциальные (рис. 5.16) и ре­ зонансные схемы включения таких датчиков. Преимущества

Рис. 5.23. Датчики с

.vM= var:

— с электропроводящей пластиной

а —с короткозамкнутым

витком У;

этих датчиков заключаются в высокой чувствительности и малых габаритах. Недостатки заключаются во влиянии на характеристи­ ки датчиков индуктивностей и емкостей линий связи и чувствите­ льности к близко расположенным металлическим массам.

5.8.2. Трансформаторные датчики

В трансформаторных датчиках (рис. 5.24) изменяется маг­ нитная связь между обмотками. Напряжение вторичной об­ мотки определяется по (2.16). Напряжение питания определяется исходя из допускаемых значений индукции Втах в магнитопроводе и превышения температуры обмоток. В таких датчиках отсутствует гальваническая связь между напряжением питания и вторичной обмоткой.

Существуют разнообразные конструкции трансформаторных датчиков (рис. 5.24).

Рис. 5.24. Трансформаторные датчики:

а -одинарньГ; б, в — дифференциальные; г — выходная характеристика для а и б

228

Для

конструкции

5.24, а

 

U i= U \ + U1;

I= U J{z' + z " ) = U \lz \

где

 

 

 

 

z' = z\

z"«(oL = coiv i A; A= p056/28.

Тогда

 

 

U\ = Ul z"l(: + z"): U2= U \ и-2/и’, =

 

 

 

Wl\ l+ mVjii0s J

Для

конструкции

рис. 5.24,6

 

Hi = U'[ + U\\

Цг= и'1 - Ц ”г=— Ш.\-Ц\).

 

 

 

VI'j

Отношение напряжений

U \IU '[^L '/L " = Л'/Л" = 575',

поэтому

H2lHi — w2(5" —5')/w1(5" + 5'),

откуда

и2 = и 1 IV2 ( 5 " - 5 ' ) / W 1 (5" + 5').

Вконструкции рис. 5.24, в при перемещении якоря изменя­ ется распределение магнитного потока во вторичных обмотках. Если число витков на единицу перемещения

w0 = w2/x,

то

5.8.3. Индуктивные и трансформаторные датчики больших перемещений

Датчики больших (до нескольких метров) перемещений строятся так, что выходной сигнал изменяется не непрерывно, а периодически, совершая десятки и сотни периодов колебаний за полное перемещение хтах контролируемого органа. При­ мером такого датчика является индуктосин (рис. 5.25). На подвижной и неподвижной стеклянных пластинах выполнены петлевые обмотки. На неподвижной пластине расположена однофазная выходная обмотка EF, на подвижной— двухфазная АВCD. Между пластинами имеется воздушный зазор 5^0,1 мм. При взаимном перемещении пластин взаимоиндуктивность между обмотками изменяется по синусоидальному закону. Питание схемы осуществляется двумя напряжениями,

АВ CD

°-) _______________________ В)

Рис. 5.25. Элементы индуктосина: неподвижная (а) и подвижная (б) пластины;

магнитная связь между обмотками (<?)

сдвинутыми между собой на 90° и подаваемыми на двухфазную обмотку АВ — CD. При перемещении подвижной пластины в выходной обмотке индуктируется ЭДС, фаза ср которой зависит от взаимного расположения пластин:

 

2я ,

 

Ф = — (х+т ш),

 

где х а ш— составляющая

перемещения;

/ш— шаг обмотки;

п— число шагов обмотки,

приходящееся

на перемещение.

Существуют индуктосины с угловым перемещением выход­ ной обмотки. Другим примером датчика больших перемещений является винтовой трансформаторный датчик (рис. 5.26). Он

Рис. 5.26. Винтовой трансформаторный датчик:

1 — обмотка головки; 2 — двухзаходный

винт с бифилярной обмоткой;

3 — токосъемный

механизм