Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Пермский национальный исследовательский политехнический университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

книги / Проектирование источников электропитания устройств связи

..pdf

Скачиваний:

Добавлен:

12.11.2023

Размер:

11.05 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 1415 / 2015 16 17 18 19 20 > Следующая >>>

Зная величины Я3апс, Язаи, определяем величину сопротивле ния Яв:

Яв^Язапв Язап-

(5.93)

Величину Ьмкоста Сзап определяем, исходя из величины At/3aп. Для стабилизатора, работающего в режиме широтно-импульс

ной модуляции, величина Сзап-

		Цшх. макс ^0 макс —(			вых.	макс<с)2.
	Qau > ■
		/о A Uэап {R t UQмакс + ^ вь1Х макс т?зап)
Для релейного стабилизатора величина Сзац определяется из
выражения
	^зап <?- TTj		ip л - и	р	77/	\	(5 .9 4 )
		“ о зап (Ав т и вых. мнн «зап/Оо макс,)
Транзистор Т2 выбираем, исходя из величин максимального
коллекторного тока /к2 макс,			максимального напряжения коллектор—
эмиттер	Uкэ2 макс и	максимальной		мощности		ЛомаксМаксималь
ный ток	коллектора	Т2 равен запирающему				току базы транзисто

ра Т1 (/к2макс=/бзи). Максимальное напряжение Uкэгмакс равно максимальному напряжению на емкости Сзап плюс напряжение ба за Т112-—эмиттер Ти. Если приближенно считать, что за время им пульса регулирующего транзистора емкость Сзап полностью заря жается, то величина UK 2 макс равна:


t/K.9		2 макс « ^°макс/ 3ап + и в л и нас + t/б.» 12 нас,		(5.95)
где t/б.э и		R t Т" 7?зап
	: t /к .э 11 насi t /б .э 12 нас t/к.э 12 нас-
Мощность транзистора			Т2 определяется в основном мощностью,
рассеиваемой	в	режиме	насыщения, и мощностью, рассеиваемой

в интервале рассасывания транзистора Ти. В -интервале рассасы вания транзистора Тп транзистор Т2 работает в линейном режиме ч его мощность равна произведению максимального тока на мак

симальное	напряжение. Величина		Романе		приближенно равна:
к 1 макс	^ к . э 2 нас “	Y M H H ) +	^ к .э 2	макс	2 макс ^расс 11 fo макс» (5 .9 6 )
	Re
где U K э2 нас — напряжение		насыщения		транзистора Т 2\ /рас с п —
время рассасывания транзистора Гп, определяется из (5.82).

Из (5.36) определяем Р ПреД. Если Рк2 макс>Рпред, то необходимо применить радиатор или использовать транзистор на большую мощность. Диод Д4, предназначенный для форсированного запи рания транзистора Ти, выбирается, исходя из величины запираю

щего тока /бз и-	(5.90) определяем минималь
Р а с ч е т с х е мы рис. 5.336. Из
ное напряжение на емкости Сзап— Uзап мин-		Задавшись, как показа
но ранее, приращением напряжения	на	конденсаторе A U 3an, из
(5.91) определяем величину U3a„Cp=Uдв.		Зная ток базы транзи

стора Т12, равный		/к 12 макс Ь/В\2мин,	выбираем	ориентировочно тип
диодов и	определяем их количество: пд5 = ^дб/^дпр/где				^ д Пр —
прямое	падение	напряжения на	диоде	при токе,	равном
/к 12 макс b/Bi2 мни. Величину емкости			С агт можно приближенно оп
ределить из следующих выражений:

для стабилизатора, работающего в режиме шц/ротно-импульс- ной модуляции:

Г	.	/	^вых.мин \
			г/омакс )
	3аП^	"дб^Дб^зап/о

для релеиного стаоилизатора:

^Д5 m

^зап ^

"Д5 ^Д5 ^вых.мин

где /?Д5 — сопротивление одного диода, определяется из вольтамлерной характеристики (рис. 5.35).

Найдем сопротивление Re'

Re --		(^ J мин — .э11 нас — ^ к .э 12 нас			^Д б) ^ 1 2 мнн	(5.97)
Re --
Транзистор	Т2 выбираем		также,	как и для схемы рис. 5.33а, по
максимальным		значениям	тока,	напряжения и		мощности:
U к.э 2 макс ^		^Д 5 У к.э 11	нас £7к.э 12 naci		^к 2 макс ^	I б.з 11 •

ид

Рис. 6.35. Определение
СОПрОТШ.ВЛеН'ИЯ			Rn	по
вольта мперчюн			характе-
р-ист.ике		/		^Д1	Рис.	5.36. Схема усилителя		IH триггера
		диода I	\|/?д = ~ —
		\		7Д1	импульсного		стабилизатора	'напряжен,»я
	Величина мощности Якгмакс определяется из (5.96). Диод Д4
выбирается так же, как и для схемы рис. 5.33а.								напряже
ние	Расчет	схемы		рис. 5.33в.	Из	(5.90)	определяем
	запирающего источника U3ап= ^запмин. Величину							сопротивле
ния	Re найдем		из	(5.97), считая £/дб = 0. Найдем величину сопро
тивления		Rorр:

Догр ^ (^зап

^7к.э 2 нас)//б. з 11*

ТранзистЪр Т2 выбираем			по	максимальным значениям тока
Л:2 макс, напряжения £ /к э 2		макс И МОЩНОСТИ /^к2						макс*
^к 2 Макс ^ ^б. з 11
^к.э^макс “ ^зап+ и кл1 1нас + UK.a12 пас								I
Р К 2 мо^с = t/к.,2 макс			+		U ™	(1 -	у	м11н) +
			Afl
+	2 макс /к 2 макс /расе 11 /омакс*
Расчет усилителя и триггера (рис. 5.36).								1. Учитывая, что ток
коллектора	транзистора	Т2	не		должен		превышать величины
/ к2 макс = /б з п ,	определяем максимально возможную величину то
ка базы Т2— /б2 макс!
	I62 макс =/,к 2 нас/ в ,					макс		(5.98)

Определив величину /б2макс, необходимо убедиться, что транзи стор Т2 находится в режиме насыщения в то время, когда закры ты транзисторы Т\\, Т,2. Для этого необходимо выполнение сле дующих неравенств:

для схемы рис. 5.33	а, б
	иОмакс.
/б 2 макс мнн
	Re	(5.99)
для схемы рис. 5.33	в	(5.99)
для схемы рис. 5.33	в
	U p макс	U з г
/б 2 макс &2 мнн ^		Roi р
	R P +	Roi р

Определяем величину сопротивления резистора /?3. Величина Rz для некоторых типов транзисторов указывается в справочной ли тературе. Если величина Rz в справочнике не указана, принимаем /?з = 0,5ч-2 ком. Найдем величину сопротивления резистора:

/?4=	(5.100)
	2 макс “

Величину Uбэ2 определяем по входной характеристике транзи стора Т2— 1б=$(ибэ) при Пк —0 и токе базы, равном /бгмакс.

Определяем максимальные значения тока и напряжения кол лектора транзистора Г3:

	3 макс ~ ^ 0 макс/R A	(5.101)
	и к .э 3 макс ^ U Q макс	(5.101)
	и к .э 3 макс ^ U Q макс

Мощность, рассеиваемая транзистором Г3, в основном опоеделяется мощностью, рассеиваемой в области насыщения:

Р * Змакс ~	А4	(1 — YM„H)t/к.,. 3 нас,	(5.102)
	А4

где умни определяется из (5.67).

Параметры некоторых типов туннельных диодов

Т А Б Л И Ц А 5.7

По	.величинам /из макс, £Л<з макс, Ркз макс	выбираем туп транзисто
ра Г3.	Из (5.36) определяем предельную	мощность Рпрсд и прове

ряем выполнение -неравенства ЯпРед>Л<знас. Выбрав транзистор -и определив по -справочнику его параметры, определяем ‘минималь

ный ток базы транзистора Г3, необходимый для	егс/насыщения:
3 мин ^ ^кЗ макс/^3 мин»	(5.103)

Величина сопротивления резистора Rs определяется аналогич но /?з- В рассматриваемых схемах стабилизаторов/вместо обычного триггера на транзисторах применена комбинированная схема триг гера на туннельном диоде Дз в сочетании с транзистором Г4. В от личие от обычной схемы на транзисторах, эта схема имеет мень шее число элементов и более стабильно -работает при повышенных температурах. Для повышения быстродействия триггера в схеме желательно использовать маломощные -высокочастотные транзи сторы в сочетании с импульс ными туннельными диода ми (рис. 5.37).

			Тип			£/„. »	^ Р Р ’ в
			диода		'п	£/„. »	^ Р Р ’ в
					'п
			АИ301А	.? 2 ± 0 ,4	> 8	0.18	> 0,6 5
			АИ301Б	* 5 ± 0 ,5	>8	0,18	> 0 ,8 5
			АИ301В ,	5+0,5^	> 8	0,18	> 1,0 0
			АИ301Г	1 0 ± 1 ,0	> 8	0,18	> 0 ,8 0
			ГИ304А	4,8	>5	< 0,075	> 0 ,4 4
			ГИ304Б	5,2	> 5 < 0 ,0 7 5		> 0,4 4
			ГИ305А	9,6	> 5	< 0,085	> 0,4 5
Рис. 5.37. Вольтамперная		ха	ГИ305Б	10,4	> 5 < 0 ,0 8 5		> 0,4 5
рактеристика	туннельного	дио
да
Туннельный диод характеризуется следующими основными па
раметрами:	/п — пиковый		ток (величина	тока,	соответствующая
максимуму	вольтамперной		характеристики); / в — ток впадины

(величина тока, соответствующая минимуму вольтампер-ной харак теристики); и п — напряжение пика '(при пиковом токе); UB— на пряжение впадины (напряжение на диоде, соответствующее току впадины); (/рр— напряжение раствора, определяется при токе /п по второй восходящей ветви характеристики (табл. 5.7).

В триггере туннельный диод включен параллельно переходу ба за—эмиттер Г4, что позволяет получить на входной характеристи ке триггера участок с отрицательным сопротивлением.

Построение входной характеристики триггера осуществляется сложением входной характеристики транзистора Г4 при напряже

нии на его коллекторе, равном нулю, и характеристики туннель ного диода. Сложение осуществляется по оси токов (рис. 5.38).

Триггер управляется током. При увеличении входного тока триг гера до величины /т макс напряжение на его входе скачками увели


чивается ДО веЛИ'Ч'ЩНЫ иТ макс. На
эту же вел!И1Ч\|И1ну скачком увели
чится	Н!а1П(ряжен1И1е 0аза—эмиттер
rrpaiH3Hicrpotpai Г4,			npiH	этом токи
его базы 1и коллектора -резко воз-
растут. При ум'0ньш1е)Н1И1и входно
го тока триггера			до	вел'ичи1ны
/тмин (нат-ряжения ina 'входе триг
гера, а соответстве1Н1НЮи на .пере
ходе	база1—эмиттер транзистора
Т4 «резко уменьшаются,				что inpm-
ВОД1ИТ к 'резкому уменьшению то
ков базы и .коллектора Т4.					Рис. 5.38. Построение -входной харак
П о р я д о к		- расчета т р и г			терасушки триггера':
г ера .	Определяем минимальную				1 — входная характеристика триг
величину тока		коллектора Т4, не			гера; 2 — входная характеристика
обходимую для		насыщения тран			П; 3 — характеристика туннельного
					диода

зистора 7V

	* К 4 мин МНИ	1бл мин 4	- - ^ ) .			(5 .1 0 4 )
где t/б эз	определяется -из входной характеристики			Г3	при	напря
жении коллектора, равном нулю, и при токе базы,				равном		/ бзмнн-
Ориентировочно из [27]		выбираем	транзистор	по	величине
/к4 мин мин	и t/Kэ4 макс= t/Bbixмакс. 'Выбираем тип туннельного					диода

(табл. 5.7). 'В схеме триггера обычно применяются импульсные туннельные диоды с наименьшей величиной напряжения пика (t/n) и с пиковым током /п, равным 2-т-5 ма. Строим входную характе

ристику триггера (рис.			5.38). По входной характеристике				опреде
ляем ток	базы	транзистора		Т4 /б4макс> токи /тмакс» /т мин»			напря
жения t/т макс,		Uт МИН-
Для насыщения транзистора Т4 величина его тока коллектора
/к4 макс должна		быть	меныпр врпи11.Ины /G4 манс^4 мшь			Величиной
/к4 макс задаемся из условия
		4 МИНмин		‘К4 макс	^64 макс ^4 мин-
Необходимо		при этом^ учесть, что Лчмакс должен быть намно
го больше	максимальной			величины	обратного тока	коллектора

/ко4 макс и меньше предельно допустимого тока для выбранного ти па транзистора. Определяем величину сопротивления резистора: R&zzUвыхмаксДк4макс. Определив величину Иг, необходимо убедить

ся, что ток коллектора транзистора		7V-/К4МИН при	минимальном
выходном напряжении	стабилизатора больше /К4 мин мин, т. е.
4	ИНН~^ВЫ*.МНнД?8	/к4мИНМНН‘	(5.105)

Мощность, рассеиваемая транзистором Г4:

Р кК 4 макс ^ /к 4 макс ^ к .э 4 нас (1 Тмин)

(5.106)

Величина Ломакс должна быть меньше предельней мощности гранзистора ТА.

Расчет усилителя и схемы сравнения (рис. 15.36). 1. Из (5.43) определяем величину опорного напряжения U01f

Из справочника или приложения П5.2 вырираем стабилитрон с ближайшим меньшим напряжением стабилизации и записываем его основные параметры: t/CT\ттн(в), UCTlMaiJ(e) — минимальное и

максимальное	напряжения стабилизации; гсц(ом) — динамическое
сопротивление;	Л мин, 1 \ м а к с ( м а ) — минимальный и 'максимальный

токи через стабилитрон; у Ст 1 м ак с(л ш /°С )— максимальный темпера


турный коэффициент.						Ту—/к у маис ра
2. Максимальный ток коллектора транзистора
вен /т макс-	Максимальное напряжение коллектор—эмиттер тран
зистора Ту'.	Uкэумакс = Uвых макс		^ CTI мин. Максимальная мощность,
рассеиваемая		транзистором,	определится		как	произведение
По току	/к у макс, напряжению			UKэ у макс	И МОЩНОСТИ Рк у Мам
выбираем тип транзистора Ту.				величину	сопротивления рези
3. Из (5.49),		(5.50) определяем

стора Рп и максимальный ток через стабилитрон /ст1 макс- Величи

на	/ с п макс не должна превышать предельно допустимого значе
ния	тока /1 макс, указанного в паспортных данных на выбранный

стабилитрон.

4. Расчет сравнивающего делителя аналогичен расчету дели теля в транзисторных линейных стабилизаторах. Задаемся током делителя. Принимаем / Дс л = (5-т-10) ма. Из выражения (5.51) най дем значения минимального и максимального коэффициентов пе

редачи	делителя аМпн,	а Макс. Из	(5.52)	определим величину	сум
марного	сопротивления	делителя:	Raej-i=Ri+'Rn + R2- Используя
(5.53), (5.55) определим величины Ri, R u				Rn-	Ми
5. Максимальный ток коллектора Ту—/ К ум ак с равен / т м а к с .
нимальный ток коллектора Ту—/ Кум нн				равен /тм и н . Зная макси

мальное и минимальное значения тока коллектора Ту, определим

токи базы / б у макс 'И /б у мин-

(5.107)

где ру— коэффициент усиления транзистора Ту по току в схеме с общим эмиттером.

Определим изменение тока базы транзистора Ту:

(5.108) Зная А/су, найдем величину изменения напряжения на базе

(5.109) где AUтр — порог срабатывания триггера, приведенный ко входу

усилителя Ту\ J?\,xy— входное сопротивление транзистора Ту в схе ме с общим эмиттером (определяется из входной характеристики Ту при и кФ0)\ r\ii—динамическое сопротивление стабилитрона.

6. Температурный коэффициент стабилизатора зависит в основ ном от температурных коэффициентов стабилитрона и перехода база—эмиттер транзистора Ту. Для компенсации температурного дрейфа рассмотренных схем при положительном ТКН стабилитро на в верхнее плечо\ делителя включают стабилитроны или диоды в прямом направлении. Термокомпенсация рассчитывается так же, как и для схемы 5.13а (параграф 5.4).

Определение амплитуды управляющих импульсов и расчет ус коряющей цепочки релейного стабилизатора. 1. В стабилизаторах, работающих в режиме широтно-импульсной модуляции, необходи мо определить минимальную величину амплитуды управляющего

•си гнала	Uупр т-
При пилообразном воздействии амплитуда зависит от приведен
ного порога триггера Д£/тр		и	от длительности импульса и	паузы
регулирующего транзистора.
Величина UyuVm определяется из выражений:
	^упрm^		A U.тр
	^упрm^		2 7*
	^упрm^		A U.тр
	^упрm^		2(1 7макс)
			2(1 7макс)
у.мпн, ум акс определяются из		(5.67). Из полученных значений U y n v m
возьмем	наибольшее.	релейного типа для увеличения		частоты
2.	В стабилизаторах	релейного типа для увеличения		частоты

автоколебаний используется ускоряющая J?9, Сг цепочка. Если пос тоянная времени фильтра стабилизатора больше постоянной вре мени цепи t#9, С1, то частота стабилизатора в основном будет опре деляться величинами емкости С\ и сопротивления /?9.

Определив из (5.68) величины пг и 2Дt/Tp, из (5.109)	найдем
произведение Д9С
/?9С ,=т/(2Д 6Гр).	(5.110)

Величина сопротивления резистора Rg должна выбираться таким образом, чтобы выполнялись неравенства:

2 (U0 мин ^вых.макс) (^вх.у “I” Ру rdi)

2 A U.тр

(5.111)

^ ^вых.мин (Я„х.у + Ру r<h)

RQ^ ""

2 AU тр

Расчет основных параметров схем стабилизаторов. 1. Для опре деления коэффициента стабилизации схемы рис. 5.27, работающей в режиме широтно-импульсной модуляции, найдем величины откло

нения выходного напряжения от номинального значения при мак симальном и минимальном значениях входного напряжения Д'^выхь

Д U пых 2*

Д ^вых 1	^уп р т ( ^	^ УминУа		\|
Д ^вых 2 “	^уп р m (1	^ Умакс)/а		I
где (Уупрт — амплитуда управляющего			сигнал?,		а — коэффициент
передачи делителя;	г 1 __	^ст 1	мин ~h ^ст 1		макс
^вых

Определяем абсолютную величину изменения выходного напря жения:

IД ^вых| ^ |Д ^вых 1 Д ^вых г|*

Коэффициент стабилизации определяем из выражения

is ^ (Up макс ^ 0 мин) ^вых

Внутреннее сопротивление стабилизатора

__	2 ( Я д Р1 + R ii нас + R i) U упр m
г‘ ~	и ^

г д е ^ д Р1— активное сопротивление обмотки дросселя; ^?цнас — ди намическое сопротивление транзистора Гм в режиме насыщения.

Коэффициент полезного действия стабилизатора		при	макси
мальном входном напряжении и максимальном токе нагрузки
^вых 1н. макс			(5.112)
А ы х Л).макс + А 11 + Рд,2+ Р Др1 + Р к12 +	P R

где Pul\| — мощность, рассеиваемая транзистором	Гп;	Рдг— мощ
ность, рассеиваемая диодом Д 2\ Адр1 — потери.в	дросселе;		Рк\2 —

мощность, рассеиваемая	транзистором Т\2\ Рю — мощность,				рас
сеиваемая сопротивлением Ri.			(5.83), (5.84), подставив в указан
Величину Аш определяем из
ные выражения умин. Величину			Рк\2	определяем из (5.85), а	вели
чину Рд*> — из (5.88).
Величины РдР1 и РR7 найдем из выражений:
р	/v 12		р
А Др1 ~		1н.макс А Др1
				(5.113)
P R I =		^н.макс		YMHH

2. Для релейного стабилизатора рис. 5.26 коэффициент стаби лизации и внутреннее сопротивление определяются из выражений:

Кс	Д U0Аых	_А ___.	’	(5.114)
	а д Аых	2 д ^;Р
ДА ы х _____ 2 Д А р (Ядр1		^ 11 нас + R i) Увых		(5.115)
д/н		v\

Коэффициент полезного действия определяется из (5.112).

Пример расчета стабилизатора. Исходные данные: сеть — аккумуляторная батарея;

Uc — Uo — 24 б;

Амане =

амин =

0 ,1 ; UBblx =

12,6 б;

UBbtx

мякс =

б;

^ в ы х . мин ^

макс =

1 а *

A t . мин

0 . 5

а »

К с т

^ Ю 0 ;

Г ( ^ 0

, 1

ОМ~

^ 0.05 б; £0Кр

макс =

+ 40 С; /окр

мин =

0 С;

® ме/*С\ х\^ 0,7

Расчет силовой

части

стабилизатора.

Из

-(5.65),

<5.66)

определяем

U0 (1 -

амин) = 2 4 (1

— 0.1)

= 2

1 , 6

б;

Ломакс =

Uо(1 +

амакс) = 2 4 (1

0.1) = 2 6 .4

в.

Принимаем Д£/д р ^ О Д ^ в ы х ^ О ^ -^ б ^ О ^ б

в.

В дальнейшем в качестве регулирующих будем использовать германиевые

транзисторы. Принимаем

Ск 9 и нас=Д'^л 7=0,7 в. Проверяем выполнение

нера

венства

(5.64):

^омин >

^вых. макс “Ь ^ ^Др1

^к. э11 нас “Ь ^ R l\

21,6

13 + 0,25 + 0,7 +

0,7;

21,6 в > 14,65

в.

Задаемся

/минимальной

частотой

переключения

/о мин.

Принимаем

/о мин —1000 гц. Из i(5.67)

определяем

умакс, умин*

^вых. макс

Тмакс=

и тии

2 1 ,6

==0’6;

YMHH —

^вых. мин

_ J L

0,45.

^омакс

26,4

Из

<6.68) определяем

величину т:

_ ^вых. макс ( ^омин

^вых. макс )

1 3 (2 1 ,6 — 13)

5,2-10 3 в. сек.

1О3•21,6

/омнн^омин

Из

(5.60) найдем

ifo макс:

/омякс —

I (Ермаке

^вых. мин)

12(26,4 — 12)

1260 гц.

mV.омакс

------------ ----------=

5 .2 1 0 ” 3’26.4

Принимаем /ом акс» 1300 гц .

3.Определяем величину индуктивности дросселя Li и величину емкости Сш.

Задаемся величиной Д/-*0,1/н макс =0Л • 1 =0,1 а. Из (5.75) найдем величину Lt*

	Li	5,2-Ю - 3		= 5,2*10 2 гн.
	Li	“	0.1	= 5,2*10 2 гн.
Из приложения ПЗЛ		выбираем	стандартный дроссель		типа Д25. Индуктив
ность	дросселя iLi=0,08 гн\ тчж 1Подма.пннчивания — 1,1 а;				P I = 3,5 ом. Опреде
лим	величину СИ1(5.76):

, ______ AJ___________ 0,1

125* 10—6 <j&= 125 мкф.

нЮ/омин[/вых~^ 16-10*-0.05

Выбираем конденсатор типа КбО-ЭБ— 200 мкф — 25 в.

Задаемся амплитудой (выброса выходного напряжения AUВыбр при сбросе нагрузки ОТ /н макс ДО /н мин:

Д ^выбр = 0,2£/вых макс = 0 ,2 -1 3 = 2,6 в.

Из (5.74) определяет действ ительную величину AUBU6v:

..	( Ai. макс	^н. мин)2 ^1
А ^выбр =	0 . 5 ------- —г -------------------- =
	с н^вых. мин
0,5 (1 — 0 ,5)2 0,08		— 4,15 в
-	с	— 4,15 в
	200-Ю- 6 -12

Величина выброса AUВыбр -превышает заданное значение.

Для уменьшения амплитуды выброса необходимоувеличить величину Си. Новое значение Св определим из i(5.74), считая, что А (/Выбр=2^6 в:

° - 5 ( / н. м а к с -7». мнн)2 ^1

_0.5 (1

5)*0,08 ^

Л £/Выбр^вых. мин

2,6-12

320-10

6 ф — 320 мкф.

Выбираем

два конденсатора

типа

К50-ЗБ — 200 мкф— 25

в. Фактическая вели

чина емкости Сн=400 мкф.

UKэ п макс:

Из

(5.77) определяем

^ к .

9.11 макс

{/д2= 2 6 ,4 +

1 = 27,4 в.

Принимаем

^ д г —1 в. Определяем

величину -/к и маис

из (5.78):

/ки макс =

макс +

А //2 =

1 + 0,1/2 =

1 ,05

Я.

•Выбираем транзистор Ти типа П2И4А. Наибольшее напряжение коллектор —

эмиттер — 45

в.

Наибольший

коллекторный ток — 5

а\

Вц Мип=20;

/ и о макс =

=2,5

ма

(при

температуре

+70°С);

/ а п = 100 кгц.

Из

(5.79)

определяем

А/б о н = /б о н :

Д /бон =

/бои =

-/ "ЦМЛКС- Ь = ^

1.5 = 0.08 а =

80 ма.

•о ц МИН

Задаемся

величиной запирающего

тока

базы

/б зи .

(Принимаем

/бз и =

= /бо н=0,08

а = 80

ма. Из

(5.80)

определяем:

Д/бэ и = /бо п + /б з ц = 0,08+ 0,08=

=0,1.6

а.

Определяем время включения, выключения и .рассасывания транзистора Ти

.(5.81),

(5.82):

Аймаку = 32.10-б

_ Ь05 .

= 21.Ю-6 сек;

Р ц А/бон

2 0 0 .0 8

/ кпмакс_____

/сп

^ Д ц Д /б .з П

— (^uAsoii — ^кпмакс)

32 • 10 ~ 6

1,05

---------

13-10"6 сек;

2 0 -0 ,1 6 — (20 -0,08 — 1,05)

красен =

(В ц /бв11 — /ки макс)//^п А 1 б. з11 =

= 32. 1 0 - 6 ^ 0 8 - ^ 0 5

20-0,16

= 5,5- Ю—6 сек;

В11

32-10“ 6 сек.

2 n U n

2-3,14-100-Ю 8

Из 1(5.83)

Определяем Рц нас тп>Ри отс

т» Р11 пор т•

Рц нас =

^К. эП нас ( ^н. макс +

/бон) 7 макс =

0.7 О +

0,08) 0 , 6 = 0,46

вГП\

Р 11 отс т =

Ук . эн макс^коп макс (1 — ?мин) = 2 7 ,4 -0 ,0 0 2 5 (1

0,45) = 0 ,0 3 8 вт\

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 1415 / 2015 16 17 18 19 20 > Следующая >>>

Соседние файлы в папке книги