Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Оптические методы контроля интегральных микросхем

..pdf
Скачиваний:
15
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
14.8 Mб
Скачать

Заметим, что большинство описанных дефектов ЙС имеют локальный характер и могут быть опознаны с помощью конечного числа локальных признаков, таких, как размер, форма, край и т. д. Само определение «ло­ кальные» признаки предполагает их существование как некоторой составной части сложного изображения, и, следовательно, выделение таких признаков принципи­ ально возможно при последовательном анализе отдель­ ных частей изображения. Очевидно, что линейные раз­ меры анализируемых фрагментов изображения в дан­ ном случае должны быть не меньше размера наиболь­ шей фигуры металлизации—выходной контактной пло­ щадки.

Пример построения алгоритма распознавания дефек­ тов. В основу построения системы распознавания дефек­ тов кристаллов и фотошаблонов положим два сущест­ венных требования, обеспечивающих наибольшую про­ стоту технической реализации, наименьшее количество оборудования и малое время обработки: изделие прове­ ряется локально, участок за участком, причем существу­ ет привязка каждого участка к некоторой общей системе координат; система отбраковки работает по жесткому (необучающемуся) алгоритму.

При описании алгоритмов распознавания обычно используются символы теории множеств и булевой алгебры. Значение этих сим­ волов поясняется следующими примерами:

А={аи а2,...,

яп} — множество А

состояний из

элементов аи

й2, . . ., йп\

 

 

 

Х е Л — элемент X принадлежит множеству Л;

 

Х е Л — элемент X не принадлежит множеству А;

выполняется

а * — существует такой элемент X,

для которого

следующее заэтой записью утверждение;

 

2,Xi, Х2, ...,

Хп^А — существуют

такие элементы Хь Х2,...,

Хп, принадлежащие множеству А, для

которых выполняется сле­

дующее за этой записью утверждение;

Y X — для любого X выполняется следующее за этой записью

утверждение;

У *,, Х2,..:, Хп^А — каковы бы ни были элементы X», .fo,....

Хп, принадлежащие множеству А, утверждение, следующее за этой записью, будет выполнено;

ВсгЛ— множество В включено в множество Л;

В Q Л — множество В не включено в множество Л;

X: X — характеризуется условием, следующим за этой за­ писью;

АДВ— операция логического умножения И; А у В — операция логического сложения ИЛИ;

А—»-В — логическая операция импликации «если, то имеет след­ ствием»;

91

J4(J £ — объединение

множеств А и

Ё, которое состоит ИЗ ВбёХ

элементов, (эбладающнх хотя бы одним

из

свойств

Р а или

Рв \

А[\В— пересечение

множеств А и

В,

которое

состоит

из всех

элементов, обладающих свойствами РА и Рв.

Математическое описание дефектов и выделение основных при­ знаков этих дефектов будут производиться на основе L-слойного окна шестиугольной формы (рис. 34).

Представим анализируемое изображение в виде дискретной гексагональной матрицы элементов размером М X N. Расстояние между элементами данной матрицы выбирается таким, чтобы шесть соседних элементов, окружающих центральный элемент, образовали правильный шестиугольник: .v*o,n — центральный элемент окна; q

порядковый номер слоя, q=\, 2 , 3,...,

L; xqмножество

всех эле­

ментов q-го слоя;

л*',; — элемент <у-го

слоя

с номером /,

/ = 1, 2 ,

3,..., 6<7.

каждом слое номер /= 1

присваивается элемен­

Заметим, что в

ту, лежащему справа от центрального по одной с ним строке, при­ чем дальше порядковые нрмера t увеличиваются против часовой стрелки.

В соответствии с уровнем яркости каждому элементу приписы­

ваются следующие значения:

 

 

00, если х1q черный, л'',еФ

(фону);

A ,g = < 01, если х1ч серый,

И

(изоляции);

'10, если xlq белый, .v^eM (металлизации);

11, если xlq специально выделяется или отмечается.

Обозначим: t=i-\-3q, где I — порядковый номер элемента в q-м слое, лежащего напротив элемента с номером t; А — расстояние между двумя соседними строками матрицы или толщина слоя.

Заметим, что диаметр L-слойного шестиугольного окна

D0=(2L-j-l)A,

*9

где A=const. Введем в рассмотре­ ние величину D=(2L -f-l), rjifiD— «=D0fA— безразмерная величина, выражающая целое число слоев.

 

С

помощью

описанного

 

L-слойного шестиугольного окна

 

можно измерять линейные разме­

 

ры геометрических

фигур, причем

 

погрешность измерений определя­

 

ется погрешностями квантования

 

изображения и отклонения фор­

 

мы окна от окружности.

Рис. 34. Многослойное шести­

Рассмотрим реализацию алго­

ритмов

некоторых

типичных де­

угольное окно

фектов.

 

 

Выделение «раковин» на ме­ таллизации. Так как в исходном изображении уровень яркости «раковины» чаще всего совпадает

с уровнем яркости изоляционного промежутка, то алгоритму авто-

92

Матичсской классификации «ракойинЫ» должен предшествовать ал­ горитм автоматического выделения данной «раковины», например С помощью специального метящего преобразования в L-слойном игестиугольном электронном окне. В основу метода выделения «ра­ ковины» положим свойство последней находиться внутри фигуры металлизации. Вначале проверяют истинность выражения

{ЗЯ — Целое

число, (хв = 10) Д (х*9 <я^10)},

(1

где /= 1, 2 ,..., 6 ?; ? = 1,

2 , . . а, . . ., I.

ф 10

 

 

Если выражение (1) — истинно, то точки

принадлежат

* раковине». При выделении «раковины» точкам

х1п,

для

которых

выражение (1) истинно,

присваивается значение уровня яркости 11,

т. е. все точки, принадлежащие «раковине», отмечаются

индексом

11. В дальнейшем предполагается, что все «раковины» выделены. Классификация «раковин». Чтобы сократить время обработки,

классификация «раковины» в окне осуществляется только в том случае, если центральная точка окна .v0e S M, где SM— осевая линия

фигуры металлизации, т. е. линия, равноудаленная от краев фигуры

металлизации:

 

е s„ :{3 (, — целое число, (хь= 10) Д (xj+l =

01) Д [(xj+| =

 

= 01) V ( ^ ~ 2 = 0 |)]>.

(2)

где <7= 1,

2, .... Ь, ..., L.

 

Если

x0s 5 M, проверяется значение уровня яркости а*о. Возмож­

ныдва случая:

1. л'о=11. Тогда определяется значение функции брака вида

Б =

sign

max?: {x.t<b = 11} +

max?: {х^<ь= \ \ }

 

2b+ 1

3

( Я )

 

 

 

где

max q: {*q<b= 11} — слой

?(?<&)

с максимальным номером,

в котором имеется точка xlq с яркостью 11; (26-j-l)— ширина ме­

таллизации, включая «раковину»;

max q: {x'q<b - = 11} -f max q: { . ^ b = 11}

-f- l

— относительный диаметр раковины.

При Б= - |- 1 проверяемая МС классифицируется как негодная, имеющая недопустимый дефект типа «раковина». При Б= — 1 клас­

сифицируется допустимый дефект типа «раковина», после чего всем точкам «раковины» присваивается индекс 10, т. е. «раковина» сти­

рается.

2. Ао=10. Тогда определяется значение функции брака вида

max?: {x*<b= 11} —min?: {x*J<6 = Ц}

_ J _

(4)

Б = sign

3 .

2b + 1

 

93

Пусть все фигуры металлизации не выходят за пределы ди­ скретной гексагональной матрицы элементов размером М X N. До­ пустим, что однослойное шестиугольное «электронное окно» после­ довательно сканирует исходную матрицу таким образом, что каж­ дый элемент изображения в определенный момент времени будет являться центральным в данном «электронном окне». Направления сканирования: вдоль строки — слева направо и по матрице — свер­ ху вниз.

Рис. 35. К определению нача­ ла и конца серии

Н»<-3, К \= б ,

/«1.=К«.__Н1’х+1==4

строк

Пусть начало Н1',- /-й серии на и-й строке есть порядковый но­ мер /2=1, 2,..., (N—2) однослойного шестиугольного окна с цент­ ральным элементом х0,п, для которого (рис. 35)

Н*<=л: {(л'о,„=1) Д (л'4,=0) A(*'i=l)},

где п— порядковый номер окна с центральным элементом л*о. Пусть конец Kvf i-й серин на у-й строке есть порядковый номер

\n-\-l\ однослойного шестиугольного окна с центральным элементом дго.п+ь для которого

К? = («+/):{(« = HJ) Л (п < I < п + I) Л (х0 ,* = I) Л

д (*о,«+/ = о л (*}=о л (*!=о)},

где

/ — длина серии,

/=1, 2, 3,...;

йг;

hv — число серий

в о-й строке;

i — номер серии,

/=1,

2, 3,....

v — номер строки,

ц=1,

2,...»Л1.

90

Геометрическая интерпретация данных определений становится ясной после рассмотрения рис. 36. Так, I— длина хорды в месте пересечения фигуры металлизации линией сканирования; Hvj и Kui— декартовы координаты начала и конца этой хорды соответственно. Число серий hv в у-й строке подсчитывают следующим образом. Введем функцию — индикатор серий:

 

 

j,

если п = Н У{,

 

^/г

0,

если п ФЩ.

 

 

i

 

 

Тогда число серий в о-й строке равно

 

 

 

 

N - 2

 

 

 

 

&

(10)

 

 

 

«=1

 

По аналогии с числом серий в о-й строке hv определим число

совпадений

серий и-й строки с сериями

(г/—1)-й строки.

Пусть начало совпадения

Q ij i - й серии на п-й строке с /-й се­

рией на (v—1)-й строке есть порядковый номер п= 1, 2,..., —2) однослойного шестиугольного окна с центральным элементом лсо.п, для которого

Qu=n: {[(л'о,п= 1)А(л11 = 1)Д(^2| = 1)А

А (*31=0) А (х\ -1 )М («=НМA(*2i= 1)]}•

Другими словами, начало

совпадения

есть начало одной из

хорд (о—1)-й или v-н строки в месте их совпадения.

Введем функцию — индикатор числа

совпадений:

w v =

t

1, если n== Q i.n

п

\

0, если n £ Q itj,

Тогда количество совпадений серий и-й строки с сериями (v—1)-й строки равно

N — 2

S К- (И)

Л=1

Число фигур металлизации в поле наблюдения Ыф определяет­ ся по формуле

мм

w(|,= 2 * .-

2 2-

(12)

0 = 1

0 = 1

 

Справедливость формулы (12) может быть показана на основе вариационного исчисления [161] для фигур любой формы (не со­ держащих замкнутых контуров с внутренними областями, имею­ щими яркость, идентичную яркости поля) при условии достаточно

большого числа строк разложения

(при заданных минимальных раз­

мерах фигуры и заданных размерах поля).

 

Таким образом,

по формуле

(10) определяется число серий

в и-й строке А». По

формуле (11)

определяется

— число совпа­

дений серий у-й строки с сериями (и—1)-й строки. По формуле (12) определяется число фигур металлизации в поле наблюдения ЛГф. Далее сравниваются Ыф и М»д и делается заключение о годности.

7—32 97

Заключение

В связи с переходом к выпуску СИС, БИС и СБИС резко увеличивается сложность рисунка топологии вследствие увеличения плотности и уменьшения разме­ ров элементов ИС. Это снижает достоверность визуаль­ ного контроля и требует разработки и внедрения более эффективных оптических методов контроля.

Статистические данные о распределении дефектов фотошаблонов, кристаллов и сварных соединений пока­ зывают, что при переходе к ИС повышенной степени интеграции возрастает удельный вес дефектов топологии в общем числе дефектов забракованных ИС и снижа­ ется эффективность их визуального контроля.

Основные направления совершенствования ОМК ИС связаны с совершенствованием нормативно-технической документации ,по ОМК и созданием автоматизирован­ ных средств контроля топологии ИС — устройств про­ странственной фильтрации и автоматического распоз­ навания дефектов.

Методы пространственной фильтрации при контроле топологии планарных структур типа фотошаблонов и кристаллов ИС особенно эффективны при выделении де­ фектов топологии. Выделение дефектов фотошаблонов достаточно просто осуществляется методами как некоге­ рентной, так и когерентной пространственной фильтра­ ции. Изображения кристаллов ИС имеют -полутоновый характер с большим числом градаций яркости. Поэтому их контроль наиболее эффективен при использовании метода некогерентной пространственной фильтрации.

Сложность автоматического распознавания дефектов ИС заставляет выработать требования к отдельным блокам автоматической PC дефектоскопического конт­ роля фотошаблонов и кристаллов ИС различной сте­ пени интеграции. Так, при автоматическом контроле фо­ тошаблонов основное внимание надо обратить на изме­ рение геометрических размеров дефектов и участков топологии. При автоматическом контроле внешнего ви­ да кристаллов ИС — на контроль геометрических разме­ ров при наличии большого количества градаций яркости и нескольких цветов контролируемого изображения, а также на необходимую производительность PC, опреде­ ляемую скоростью производственного процесса.

В автоматических PC для дефектоскопического конт­ роля внешнего вида фотошаблонов и кристаллов ИС

93

распознавание дефектов должно производиться с по­ мощью телевизионно-вычислительной техники с исполь­ зованием методов предварительной обработки изобра­ жений. Для уменьшения требований к производительно­ сти и информационной емкости PC, а также упрощения их конструкции 'при распознавании дефектов необходи­ мо использовать двухэтапный или программно-управля­ емый процесс распознавания при минимальной коррек­ тировке алгоритмов распознавания в процессе контро­ ля. Выполнять аппаратуру PC целесообразно с учетом требований стандартов САМАС. При этом возможно эффективное сочетание преимуществ оптических и теле­ визионных методов уменьшения информационной емко­ сти контролируемых изображений с классификацией вы­ деленных дефектов специализированными мини-ЭВМ.

Следует отметить, что распознавание изображений может быть эффективным лишь на специализированных ЭВМ, в которых предусмотрена интенсивная параллель­ ная обработка входных сигналов. В этом случае приме­ нение метода электронного окна для выделения некото­ рых локальных признаков (края, кривизны контура, мелких деталей) позволяет сэкономить объем оператив­ ной памяти автоматических распознающих систем.

В настоящее время за рубежом серийно выпускают­ ся установки для автоматического контроля проколов металлизации, анализа микрообъектов, металлографи­ ческого анализа, а также установки для контроля внеш­ него вида печатных плат.

Анализ алгоритмических аспектов распознавания де­ фектов ИС свидетельствует о реальной возможности ав­ томатического распознавания дефектов ИС и фотошаб­ лонов при ограниченных объеме памяти и быстродейст­ вии и закладывает реальную основу для проектирования телевизионных вычислительных автоматов контроля. Не­ которые алгоритмы в настоящее время уже внедрены.

Развитие ОМК ИС в значительной мере опережает ОМК других видов изделий радиоэлектроники, прнборо- н (машиностроения. Поэтому изложенные выше способы и технические средства могут послужить основой даль­ нейшего повышения эффективности оптических -методов контроля промышленной продукции различного целево­ го назначения. В свою очередь по ряду направлений ОМК в биологии и медицине могут быть использованы как база дальнейшего совершенствования ОМК ИС.

7*

99