книги / Оптические методы контроля интегральных микросхем
..pdf
N3 |
|
Основные методы анализа ИС |
|
ПРИЛОЖЕНИЕ 2> |
|||
Ю |
|
|
|
|
|||
Метод |
Цель |
Используемые физические |
Преимущества |
Недостатки |
|
||
явления |
|
|
|||||
Инфракрас |
Определение |
струк Возбуждение |
колеба Выявление |
функцио |
Чувствительность |
к. |
|
ная спектроско |
туры и природы ор ния молекул с |
помощью нальных групп, |
фактиче окружающей среде |
|
|||
пия |
ганических и |
неорга света |
|
ски никаких ограничений |
Нет прямой информа |
||
|
нических соединений |
|
к образцам |
|
ции о размере молекул |
|
|
|
Общий количествен |
|
Обнаружение примесей |
|
|
||
|
ный анализ |
|
|
|
|
|
|
Масс-спек- троскопия
Определение струк Ионизация |
молекул |
и Точная |
(относитель |
Прямо |
не обнаружи |
|
туры и |
природы ор разделение |
молекул |
на ная) молекулярная мас вает |
функциональные* |
||
ганических соедине ионы |
|
са (молекулярный ион). группы |
|
|||
ний |
примесных |
|
Очень |
высокая чувст |
Сравнительно медлен |
|
Анализ |
|
вительность |
ный |
|
||
следов в |
чистых ма |
|
Обнаружение примесей |
Разрушающий метод |
||
териалах
Газовая хро матография
Общий многокомпо Связь |
концентрации |
Широко применим для |
Оценивает |
материалы- |
||
нентный количествен парообразной фазы с со летучих веществ |
только в особых случаях |
|||||
ный анализ |
летучих ставом твердого тела |
Многокомпонентный |
Неприменим |
к |
мате |
|
органических |
ве |
|
анализ. В особых слу риалам с низкой |
лету |
||
ществ. |
|
|
чаях высокая чувстви честью |
|
|
|
Высокоэффективный |
|
тельность |
|
|
|
|
метод разделения
Комбиниро |
Обнаружение и ана |
Комбинация |
эффектив Применим для опреде |
Неприменим к |
мате |
|
ванный метод: |
лиз следов органиче ности |
газовой |
хромато ления микрокомпонентов |
риалам с низкой |
лету |
|
газовая хрома- |
ских материалов |
графии |
и чувствительно- в смесях |
честью |
|
|
Метод
Плазменное
травление
|
|
|
|
Продолжение прилож. 2 |
|
Цель |
Используемые физические |
Преимущества |
Недостатки |
||
|
явления |
||||
Удаление глассиваИонизированным фто |
Удаляет глассивацию, |
Необходимость вспо |
|||
ции и кремния |
ром |
протравливается не повреждая алюминие могательной аппаратуры |
|||
|
кремний |
или |
двуокись вую металлизацию и не |
|
|
|
кремния, |
но |
не алюми внося дополнительно ни |
|
|
|
ний |
|
|
каких загрязняющих при |
|
|
|
|
|
месей |
|
Электронный
микрозонд
Нахождение |
кон |
Высокоэнергетический Высокая |
разрешающая Высокая стоимость ап |
||
кретных элементов и электронный |
луч |
вызы способность |
и одновре паратуры |
||
определение их |
кон вает выброс |
электронов менное определение всех |
|||
центрации |
с |
бомбардируемого эле элементов |
|
||
|
мента |
излученного |
|
||
|
|
Энергия |
|
||
|
рентгеновского |
кванта |
|
||
|
определяет элемент |
|
|||
Фотосканиро |
Отыскание повреж |
Возбуждение световым Использование |
слабо Металлизация |
пре |
|
вание |
дений в схемах |
лучом пар электрон — энергетического |
светово граждает |
прохождение |
|
|
|
дырка в местах перехода го луча, не вызывающе света |
недостаточно |
||
|
|
го разрушения |
Метод |
||
|
|
|
хорошо разработан |
|
|
ИК скани |
Определение тепло |
рующая микро |
вого профиля |
скопия |
|
Обнаружение ИК излу Обычный неразрушаю |
Разрешающая способ |
|||
чения со |
сканируемого щий метод, обнаружи ность |
недостаточна |
для |
|
кристалла |
вает места перегревов |
малых |
геометрий |
ВЧ |
|
|
схем |
|
|
,
Список литературы
1. Качество ц надежность интегральных микросхем/ Л. Я. Ко
зырь, |
В. А. |
Крутов. — М., |
1978.—47 с.— (Обзорная информа |
ция. |
ТС-9 |
«Экономика |
н технология приборостроения/ |
ЦНИИТЭИ приборостроения).
2. Вартанян Ю. С., Дубнцкий Л. Г., Закс Д. И., Розиньков Н. С. Некоторые перспективы совершенствования оптических мето
дов |
контроля интегральных |
схем. — Электронная техника. |
Сер. |
8. Управление качеством, |
метрология, стандартизация, |
. 1977, вып. 8, с. 50—56. |
|
|
^3. Савин А. И., Федорченко Л. И., Харнтонычева С. И. и |
др. |
|||||||
|
Проблемы совершенствования контроля внешнего вида ИЭТ.— |
|||||||
4. |
Электронная промышленность, 1978, вып. 2(62), с. 24—31. |
|||||||
Пролёйко В. М., Сретенский В. Н. Метрологическое обеспече |
||||||||
|
ние управления качеством изделии электронной |
техники. — М., |
||||||
|
1973.—40 с.— (Обзоры по электронной технике. Сер. 8. Управ |
|||||||
|
ление |
качеством |
н |
стандартизация./ ЦНИИ |
«Электроника», |
|||
5. |
вып. 1 (96). |
pendant et apres fabrication: |
methode |
effica- |
||||
Sevy |
I. Selection |
|||||||
6. |
cite et |
interet. — L’onde Electrique, 1970, v. 50, |
№ T-3. |
отка |
||||
Маттера Л. Надежность компонентов. Ч. 1. |
Статистика |
|||||||
7. |
зов.— Электроника, |
1975, № 20, с. 24—25. |
|
|
|
|
||
Гнатек. До какой степени целесообразно повышать надежность |
||||||||
|
полупроводниковых |
приборов? — Электроника, |
1977, |
№ |
3, |
|||
с.38—45.
8.Петров В. М., Пресс Ф. П. Критические области в планарных транзисторах и оценка брака, связанного с локальными дефек тами. — Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые при боры, 1972, вып. 1, с. 148—156.
9.Чухлиб В. И., Янкелев Е. Л. Автоматизация контроля каче ства фотошаблонов. — Электронная техника. Сер. 7. Техноло
гия, организация производства и оборудование, 1974, вып. 4,
с. 52—61.
10.Military Standart: Test Metods and Procedures for Microelec tronics. —M1L-STD-883A, 1974.
И.Дональд' Ф. Надежность внутренних соединений микросхем.— Экспресс-информация. Надежность и контроль качества, 1975, № 35, с. 9,-
12. Блинов И. Г., Валиев К. А., Петраш Г. Г. и др. Лазерный проекционный микроскоп. — Электрон, пром-сть, 1976, вып. 3,
с.28.
13.Приборы для неразрушающего контроля материалов и изде лий: Справочник в 2-х т./ А. С. Боровиков, В. И. Горбунов, А. К. Гурвич и др.; Под ред. В. В. Клюева. — М.: Машино строение, 1976. Т. 1—391 с.
126
14.Дайноскопический микроскоп. — Проспект фирмы Vision Ёngineering Ltd, Великобритания, 1977.
15.Булкин М. А., Дубицкий Л. Г., Розиньков Н. С. и др. Приме
нение методов распознавания образов в системах управления качеством изделий электронной техники/ Под ред. Л. Г. Дубицкого. — М., 1976—76. с. (Обзоры по электронной технике. Сер. 8. Управление качеством, метрология, стандартизация/ ЦНИИ «Электроника», вып. 3(366).
16. Уоткинс Л. Использование пространственной фильтрации ин тенсивности для контроля фотомасок интегральных схем.—
ТИИЭР, |
1969 т. 57, № 9, с. 189—195. |
filtering substruction to |
|||
17. Watkins |
L. S. |
Application of |
spatial |
||
thin film and integrated circuit |
mask |
inspection. — Appl. Optics, |
|||
1973, v. 12, № 8, p. 1880—1884. |
Западной Европы |
и Японии |
|||
18. Электронные |
рынки США, |
||||
в 1977 |
г.: Технико-экоиом. обзор. — Электроника, |
1977, № 1, |
|||
с.23—63.
19.Горюнов Н. Н., Каверзнев В. А., Лонский И. И. Некоторые аспекты технической реализации системы автоматического мн-
кроморфометрического |
контроля |
топологии |
интегральных |
схем. — Электронная техника. Сер. |
3. Микроэлектроника, 1976, |
||
вып. 5, с. 57—62. |
|
|
|
20.Кругликов В. К», Стародубцев Э. В. Оптические методы авто матизации контроля фотошаблонов интегральных схем. — За рубежная радиоэлектроника, 1979, № 1, с. 83—95.
21.Глудкин О. П., Густав Л. Е. Устройства и методы фотометри
ческого контроля.— М.: Сов. радио, 1980.
22. Неразрушающий контроль элементов и узлов радиоэлектрон
ной аппаратуры/ Б. |
Е. Бердичевский, Л. Г. Дубицкий, |
Г. М. Сущинцев и др.; |
Под ред. Б. Е. Бердичевского. — М.: |
Сов. радио, 1976.—296 с. |
|
23.Ргос. l'5th Annual Processings Reliability Physics. Las Vegas, Nevada, New York, 1977.
24.Proc. 16th Annual Processings Reliability Physics. San Diego, California, New York, 1978.
25.Proc. 1978 Annual Reliability and Maintainability Simposium, New York, 1978.
26.Физические основы надежности интегральных схем/ В. Ф. Сы-
норов, |
Р. |
П. |
Пивоваров, |
Б. К. |
Петров и др.; |
Под ред. |
|
Ю. Г. Миллера. — М.: Сов. радио, |
1976.—320 с. |
отказов |
|||||
27. Дубицкий |
Л. |
Г. Диагностирование |
предвестников |
||||
в электронных |
приборах |
с позиции |
системотехники. — Элек |
||||
тронная техника. Сер. 8. Управление качеством и стандарти |
|||||||
зация, |
1973, вып. 6(16), с. 18—23. |
|
|
|
|||
28. Сотсков Б. С. Физический подход к конструированию приборов
высокой надежности. — Обмен |
. опытом |
в |
приборостроении/ |
ЦНИИ ТЭИ Приборостроения, |
1975, вып. |
10, |
с. 25—33. |
29.Military Standard: Test Methods and Procedures for Microelec tronics. — MIL-STD-883, method 2010.2, 1968.
30.Schable G. L., Keen R. S. Aluminum metalization — advantages and limitations for integrated circuit application. — Proc. IEEE, 1969, v. 57, № 9, p. 1570—1580.
31.Black J. R. Electromigration-a brief survey and some recent results. — IEEE Trans, 1969, v. ED-16, Ne 4, p. 338—347.
127
32.Фикс В. Б. Ионная Проводимость в металлах и Полупроводни ках.— М.: Наука, 1969.—286 с.
33.Blair J. С., Chate Р. В., Haywood С. Т. Electromigration indu
|
ced failures in aluminium film conductors. — Appl. Phys. Letts, |
||||||
34. |
1970, v. 7, p. 281—283. |
E., |
Поляков С. M. |
Применение |
|||
Авдеев А. Л., Захарова С, |
|||||||
|
растровой электронной микроскопии в исследовании материа |
||||||
|
лов и изделий |
электронной |
техники. — Электрон, пром-сть, |
||||
35. |
1978, вып. |
11 |
(71)—12(72), с. |
17—22. |
электронная |
||
Карнович |
Г. |
С., |
Кузнецов |
М. |
В. Растровая |
||
микроскопия. — Электрон, пром-сть, |
11978, вып. 11>(71) — 12(72), |
||||||
с.14—17.
36.Практическая растровая электронная микроскопия/ Под ред.
Дж. Гоулдстейна и X. Яковица: Пер. с |
англ./ Под |
ред. |
В. И. Петрова. — М.: Мир, 1978.—656 с. |
aluminium |
bonds |
37. Khorouzan М., Thomas L. Contamination of |
||
in integrated circuits. — Trans. Metallurgical |
Soc. AIME, |
1966, |
v.236, № 3, p. 397—405.
38.Ляшок А. П., Россошинский А. А., Шевченко E. С. О причине отказов микросварных соединений алюминий — золото в ин тегральных схемах. — Электронная техника. Сер. 6. Микроэлек троника, 1968, вып. 3, с. 74—79.
39.Ефимов И. Е., Кальман И. Г., Мартынов В. И. Надежность интегральных полупроводниковых схем. — М.: Изд-во стандар тов, 1969.—178 с.
40.Ефимов И. Е., Горбунов Ю. И., Козырь И. Я. Микроэлектро ника: Физические и технологические основы, надежность.— М.: Высшая школа, 1977.—416 с.
41.Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках: Пер.
сангл./ Под ред. С. А. Медведева. — М.: Мир, 1974.—226 с.
42.Ргос. 12th Annual Processings Reliability Physics, Las Vegas, New York, 1974.
43.Горюнов H. H. Свойства полупроводниковых приборов при
длительной работе и хранении. — М.: Энергия, 1970.—208 с.
44.Ргос. 10th Annual Processings Reliability Physics, Las Vegas, New York, 1972.
45.Kennedy D. P., O’Brien R. R. Avalanche breakdown calculation
for a planar p—n “junction. — IBM J. Res. and Dev., 1966, v. 10, N22, p. 213—219.
46.Наумов Ю. E. Интегральные логические схемы. — M.: Сов. ра дио, 1970.—274 с.
47.M1L-M-38510: General Specification for Microelectronics, 1969.
48.High reliability devices, SSD-207 C, 1975 DATA Book Series, RCA Solid State, p. 226—240.
49.MlL-M-38510/201 (USAF): Military Specification, 1972.
50.MIL-M-38510/235A (USAF): Military Specification, 1977.
51.OCT 11 073.046—79. Микросхемы интегральные полупровод никовые для устройств широкого применения. Визуальный контроль кристаллов и оснований микросхем в процессе про изводства. Критерии отбраковки.
52.Иноземцев С. А., Попов В. Г., Сидоренко В. И. Растровый электронный микроскоп для контроля металлизированных фото шаблонов.— Электрой, пром-сть, 1975, вып. 6, с. 50.
128
53.Дубицкий Л. Г., Минц Р. И. Метрологические требования к ре зультатам исследования и контроля физических свойств мате риалов применительно к проблеме управления качеством изде лий микроэлектроники. — В кн.: Физические методы исследо вания твердого тела: Труды вузов Российской федерации, 1975, вып. 1, с. 4—14.—(Уральский политехи, ии-т. — Свердловск).
54.Gonzales A. J. Failure analysis application of the scanning elec
tron microscope. — In: 11th |
Annual |
Processings Reliability Phy |
sics, Las Vegas, New York, |
1973, o. |
179—184. |
55.Proc. 12th Annual Processings Reliability Physics, Las Vegas, Nevada, 1974.
56.Майраков П. В., Никифоров Э. Я. и др. Оптические приборы ^для визуального контроля в технологическом оборудовании.—
Электрон, пром-сть, 1972, № 5, с. 72—75.
57.Измерительный микроскоп для сравнения масок «Никон».— Проспект фирмы Nikon, Япония, 1977.
58.Прецизионный измерительный прибор мнкроразмеров «Ни кон».— Проспект фирмы Nikon, Япония, 1977.
59.Пиянкевич А. Н., Климовицкий А. М. Электронные микроско пы.— Киев: Техника, 1976.—270 с.
60.Захаров В. П., Денисюк В. А. Дефектоскопия МДП-интеграль- ных схем с использованием электронного микроскопа. — Дефек тоскопия, .1973, № 4, с. 55—60.
61.Денисюк В. А., Дубицкий Л. Г. Методика и результаты ис следования физики отказов полупроводниковых приборов и ин тегральных схем с помощью сканирующего электронного микро
скопа. — В кн.: Диагностика электронных устройств в системе контроля и управления качеством: Тез. докл., М , 1972,
с.5—11.— (НТОРЭС им. А. С. Попова).
62.Арменча Н. Н., Васильев И. А., Молодян И. П. и др. Иссле дование каналов утечки тока в интегральных схемах с помощью
лазерного |
сканирующего |
микроскопа. — Микроэлектроника, |
1978, т. 7, |
вып. 1, с. 66—69. |
|
63. Богданкевич О. В., Дюков В. Г., Гавриков С. И. и др. Растро вый оптический микроскоп. — Измерительная техника, 1978,
№12, с. 30—32.
64.Рябов С. Г., Торопкин Г. Нм Усольцев И. Ф. Приборы кванто вой электроники. — М.: Сов. радио, 1976.—390 с.
65.Справочник по лазерной технике/ Под ред. 10. В. Байбороди
на, Л. 3. Криксунова, О. Н. Литвиненко. — Киев: Техника. 1978.—288 с.
66. Sawyer D. Е., Berning D. W. Semiconductor measurement tech
nology.— NBS Special Publication, 1977, № |
400—'24. |
67. Городинский Г. M., Прохорова Т. Г., Тоскуев Л. П. О чувстви |
|
тельности поперечных и продольных наводок в проекционных |
|
отсчетных устройствах. — Оптико-механическая |
пром-сть, 1971, |
М» 6, с. 3—7. |
|
68. |
Городинский Г. М., Прохорова Т. Г., Тоскуев Л. П. Исследо |
|||
|
вание чувствительности Визирования штриховых шкал на не |
|||
69. |
прозрачных экранах. — Приборостроение, |
1971, № 3, с. 80—85. |
||
Schoonard J. W., Gould J. D., Miller |
L. A. Studies of visual |
|||
|
inspection. — Ergonomics, 1973, v. |
16, |
№ 4, p. 365—379. |
|
70УНеразрушающий контроль металлов |
и |
изделий: Справочник/ |
||
|
П. И. Беда, Б. И. Выборнов, 10. |
А, |
Глазков и др.; Под ред. |
|
|
Г, С. Самойдовича/.— М,: Машиностроение, 1976.—456 с. |
|||
т
71. |
А. с. 386371 |
(СССР). — Опубл. в Б. |
И., 1973, № 26. |
||
72. |
Гаврилкин |
А. |
А. |
Двупольный |
проектор. — Оптико-механ. |
73. |
пром-сть, 1974, № 4, с. 33—35. |
|
|||
Горбаренко |
В. |
А. |
Микростереопроекторы. — Оптико-механ. |
||
|
пром-сть, 1976, № 4, с. 30—34. |
|
|||
74.Проспект фирмы Carl Zeiss Jena, ГДР, 1973.
75.Розиньков Н. С. Гибридные оптико-электронные распознающие системы дефектоскопического контроля электрорадиоизделий.— Вопросы радиоэлектроники. Сер. Общетехническая, 1978, № 9, с. 79—86.
76.Розиньков Н. С. Оптические и оптико-голографические при боры. — Электронная техника. Сер. 8. Управление качеством, метрология и стандартизация, 1976, вып. 7(49), с. 109—113.
77.Копылов П. М., Тачков А. Н. Телевидение и голография. — М.: Связь, 1976.—168 с.
78. А. с. 263931 (СССР). — Опубл. в Б. И., 1970, № 8.
79.Корнилов А. П., Моргунов А. С. Эпипроекционная система по вышенной световой эффективности для проекционной аппара
туры.— Оптико-механ. пром-сть, 1972, № Ц, с. 33—35.
80. Земсков К. И., Исаев А. А., Казарян М. А. и др. Исследование основных характеристик лазерного проекционного микроско па.— Квантовая электроника, 1976, т. 3, № 1, с. 35—43.
81. Блинов И. Г., Валиев К. А., Петраш Г. Г. и др. Лазерный про екционный микроскоп. — Электрон, пром-сть, 1976, вып. 3, с. 28.
82.Аксельрод Н. Пространственная фильтрация интенсивности применительно к обнаружению дефектов фотомасок ИС.—
^ТИИЭР, 1972, т. 67, № 4, с. 135—137.
83. Вестфаль О. Л., Мягков А. Т. Методы и средства контроля чистоты и качества поверхности полупроводников. — М., 1976.—36 с.— (Обзоры по электронной технике. Сер. 6. Мате риалы/ ЦНИИ «Электроника», вып. 9(406).
84. Watkins L. S. Integrated circuit photomask inspection by spatial filtering. — Solid State Technology, 1969, v. 12, № 9, p. 29—32.
85.Васильев В. И. Распознающие системы. — Киев: Наукова дум ка, 1969.—198 с.
86.Гудмен Дж. Введение в фурье-оптику: Пер. с англ./ Под ред.
Г.И. Косоурова. — М.: Мир, 1970.—364 с.
87.Установка контроля фотошаблонов. — Проспект фирмы Kasper Instruments, США, 1976.
88.Гуревич Э. С., Чухлиб В. И., Янкелев Е. Л. Установка конт
роля дефектов фотошаблонов. — Электрон, пром-сть, 1977, вып. 5(59), с. 39—41.
89. Розиньков Н. С., Дубицкий Л. Г. К вопросу о рациональных областях применения оптической пространственной фильтрации визуализированных результатов дефектоскопического контро ля.— Дефектоскопия, 1979, № 1, с. 97—103.
90. Кругер М. Я», Панов В. А., Кулагин В. В. и др. Справочник конструктора оптико-механических приборов. — Л.: Машино строение, 1967.—760 с.
91. Ландсберг Г. С. Оптика. — М.: Гостехиздат, 1957.—832 с.
92.Пат. 3738752 (США). МКИ GO 1 N21/32.
93.Магдич Л. Н., Панкратов В. М. Модуляторы света. — Элек трон. пром-сть, 1976, вып. 3(51), с. 74—76,
130