Лабораторная работа №4

Тема: исследование транзистора, включенного по схеме с «ОЭ».

Цель работы: опытное снятие входных и выходных характеристик.

Теоретические сведения

Биполярным транзистором называется полупроводниковый пробор, который состоит из последовательно соединённых полупроводниковых материалов с чередующимся типом проводимости и имеющем два электронно-дырочных перехода. Часть транзистора с наибольшим содержанием примесей называется – эмиттером, с наименьшим того же типа – коллектором. С очень малым содержанием примесей другого типа – базой.

Схема включения транзистора определяется названием электрода, подключенного к проводу, объединяющему входную и выходную цепь (общий провод). Исходя из этого существуют три разновидности схем включения транзистора.

4. С общей базой

5. С общим эмиттером

6. С общим коллектором

В зависимости от этого изменяются свойства и параметры схемы. В транзисторной схеме выделяют две самостоятельные цепи: входную и выходную. В связи с этим характеристики транзистора делятся на входную и выходную.

Входной характеристикой называют зависимость входного тока от входного напряжения. Например, в схеме с общей базой входным током является ток эмиттера, тогда входная характеристика есть зависимость тока эмиттера от эмиттерного напряжения при напряжении коллектора, равным нулю.

Выходной характеристикой называется зависимость тока выходной цепи от выходного напряжения при нулевом входном напряжении. В обеих схемах включения транзистора выходным током служит ток коллектора, а напряжение – коллекторное. Следовательно, выходная характеристика в обеих схемах одинаковая и представляет собой обратную ветвь вольт-амперной характеристики диода. Принято характеристику изображать в положительных координатах.

При включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Входным током является ток базы. Но база есть часть эмиттерного n-p перехода, а он по условию в прямом включении, поэтому и в этом случае входная характеристика представляет собой прямую ветвь вольт-амперной характеристики диода.

Задание

1. Получить навыки по сбору схем и снятию характеристик транзистора.

Аппаратура и пособия

1. Описание практической работы.

2. Лабораторная установка.

3. Соединительные кабели.

Ход работы

1. Собрать схему приведенную на рисунке 1.

Рисунок 1 – Схема подключения транзистора к лабораторному стенду

2. Снять входные характеристики транзистора и данные приборов занести в таблицу №1

Таблица №1 – Результаты измерения входных характеристик транзистора

Uк-э=0(V)		Uкэ=5(V)		Uкэ=10(V)
Uбэ(V)	Iб(mA)	Uбэ(V)	Iб(mA)	Uбэ(V)	Iб(mA)
0,1		0,1		0,1
0,2		0,2		0,2
0,3		0,3		0,3

3. Построить семейство входных характеристик используя данные таблицы №1.

4. Снять выходные характеристики транзистора с общим эмиттером и данные приборов занести в таблицу №2.

Таблица №2 - Результаты измерения выходных характеристик транзистора

Iб=0,5(mA)		Iб=1(mA)		Iб=1,5(mA)		Iб=2(mA)
Uкэ(V)	Iк(mA)	Uкэ(V)	Iк(mA)	Uкэ(V)	Iк(mA)	Uкэ(V)	Iк(mA)
0		0		0		0
5		5		5		5
10		10		10		10

5. Построить семейство выходных характеристик используя данные таблицы №2.

6. Снять проходную характеристику транзистора и данные занести в таблицу №3.

Таблица №3 - Результаты измерения проходной характеристики

Uк=10(V)
Uб(V)	0	0,05	0,1	0,15	0,2
Iк(mA)

7. Построить проходную характеристику используя данные таблицы №3.

8. По проделанной работе сделать выводы.