книги / Основы конденсаторной техники
..pdfполное условное обозначение: К10-7В-М47-27 пФ ±10 %
ГОСТ 5.621–70.
Кодированные обозначения предназначены для маркировки малогабаритных конденсаторов и для записи на малоформатных многоэлементных электрических схемах. Полное обозначение состоит из значения номинальной емкости (цифра) и обозначения единицы измерения (пФ, мкФ, Ф). Например: 1,5 пФ (1П5 или 1p5), 0,1 мкФ, 10 Ф.
3. Емкость
Основное свойство конденсатора – его емкость, т.е. способность накапливать на обкладках электрический заряд. Емкость конденсатора С(Ф) определяется по формуле
С = UQ ,
где Q – электрический заряд на обкладках конденсатора, Кл; U – напряжение, приложенное к обкладкам, В.
Фарада – крупная единица, поэтому для оценки емкости используют меньшие единицы, между которыми существует следующее соотношение:
1 Ф =106 мкФ =109 нФ =1012 пФ.
Емкость конденсатора зависит от его геометрических размеров (от площади обкладок и расстояния между ними) и типа диэлектрика (от величины диэлектрической проницаемости ε ) (рис. 2).
Емкость плоского конденсатора выражается формулой
С = ε0 hε S =8,85 10−12 εhS ,
где S – площадь обкладки, м2 ; h – толщина диэлектрика, м;
ε0 – диэлектрическая постоянная вакуума, ε0 = 8,85·10–12 Ф/м.
11
|
S |
|
h |
а |
h |
б
l
D1 D2
в
Рис. 2. Емкость конденсатора: а – плоского; б – плоского многопластинчатого; в – цилиндрического
Емкость плоского многопластинчатого конденсатора, собранного из N обкладок, соединенных через одну параллельно определяется по формуле
С = 8,85 10−12 ε S (N −1) , h
где h – расстояние между обкладками, м.
Емкость цилиндрического конденсатора, представляющего собой два коаксиальных проводящих цилиндра, разделенных диэлектриком,
12
|
С = ε0 ε |
2π l |
= ε0 ε |
2π l |
, |
|||
|
|
|
||||||
|
|
ln |
D2 |
|
ln |
R1 |
|
|
|
|
R |
||||||
|
|
|
D |
|
|
|||
|
|
|
1 |
2 |
|
|
||
где l |
– длина обкладок, м; |
|
|
|
|
|
|
|
D1 |
– диаметр внутреннего электрода, м; |
D2 – диаметр наружного электрода, м.
Для спиральных конденсаторов емкость равна удвоенному значению емкости такого же конденсатора, но развернутого в плоскую длинную ленту:
С =1,768 10−11 ε hb l ,
где b – ширина обкладок, м l – длина обкладок, м
h – толщина диэлектрика между обкладками, м Емкость шарового конденсатора
С = 4π ε0 ε r,
где r – радиус сферического конденсатора, м.
Эти формулы справедливы для однородного поля и не учитывают его искажения у края конденсаторных обкладок. Если учитывать искажения, то вводят поправку на краевую емкость Скр.
Конденсаторы соединяют в группы – параллельно, последовательно и смешанно (рис. 3).
При параллельном соединении конденсаторов общая емкость равна сумме емкостей:
С =С1 +С2 +С3 +...+Сm .
При последовательном соединении величина, обратная общей емкости группы, равна сумме обратных величин отдельных емкостей:
13
1 |
= |
1 |
+ |
1 |
+ |
1 |
+ ...+ |
1 |
. |
||
С |
С |
С |
|
С |
|
||||||
|
|
2 |
|
|
С |
n |
|||||
|
|
1 |
|
|
|
3 |
|
|
С1 |
С1 С2 С3 |
Сn |
С2 |
б |
|
С3 |
|
|
Сm
а |
в |
Рис. 3. Соединение конденсаторов: а – параллельное; б – последовательное; в – смешанное
Общая емкость двух последовательно соединенных конденсаторов:
С = С1 С2 . С1 + С2
При смешанном соединении конденсаторов общую емкость находят, применяя эти формулы к отдельным участкам цепи.
Конденсатор большей емкости часто собирают из параллельно соединенных одинаковых секций. Если число секций m и емкость каждой секции Сс, то емкость конденсатора
С = m Cc.
При последовательном соединении секций:
С = Сnс .
14
Если конденсатор собран из n последовательно соединенных групп секций, а каждая группа составлена из m параллельно соединенных секций, то емкость конденсатора
С= mn Cс.
4.Номинальная емкость
идопускаемые отклонения
Номинальная емкость – это емкость, значение которой обозначено на конденсаторе или указано в нормативно-техни- ческой документации и является исходным для отсчета допускаемого отклонения.
Номинальные значения емкостей стандартизованы и выбираются из определенных рядов чисел. Согласно стандарту СЭВ 1076–78 установлены семь рядов емкостей: Е3, Е6, Е12, Е24, Е48, Е96, Е192. Цифры после буквы Е указывают число номинальных значений в каждом десятичном интервале (декаде). Например: ряд Е6 содержит шесть значений номинальных емкостей, которые в каждой декаде соответствуют числам: 1.0; 1.5; 2.2; 3.3; 4.7; 6.8; или числам, полученным путем их умно-
жения или деления на 10n. Чаще используют ряды Е3, Е6,
Е12, Е24.
Фактические значения емкостей могут отличаться от номинальных в пределах допускаемых отклонений. По величине допускаемого отклонения емкости от ее номинального значения конденсаторы делятся на следующие основные классы точности [3]:
Класс |
001 |
002 |
005 |
00 |
0 |
I |
II |
III |
IV |
V |
VI |
Допуск, |
±0,1 |
±0,2 |
±0,5 |
±1 |
±2 |
±5 |
±10 |
±20 |
–10 |
–20 |
–20 |
% |
|
|
|
|
|
|
|
|
+20 |
+30 |
+50 |
15
Для образцовых конденсаторов применяется допуск
±0,25 %.
Допуск по емкости представляет собой относительную разность между измеренной емкостью Сизм и номинальной ем-
костью Сном:
∆Сн = СизмС−Сном 100 %. ном
5. Поляризация диэлектриков
Емкость плоского воздушного конденсатора можно вычислить, используя выражение
С0 ≈ ε0 Sh ,
где ε0 – абсолютная диэлектрическая проницаемость или
удельная емкость материала, Ф/м.
Фарадей обнаружил, что емкость конденсатора увеличивается, если пространство между обкладками конденсатора вместо воздуха частично или полностью заполнить твердым или жидким диэлектриком. Кратность увеличения емкости равна относительной диэлектрической проницаемости этого вещества:
ε = C .
C0
Причиной увеличения емкости является поляризация диэлектрика, т.е. перемещение связанных зарядов диэлектрика на ограниченные расстояния под воздействием электрического поля.
Электрическое поле, образованное этими зарядами, направлено навстречу внешнему и ослабляет его. Таким образом, при той же величине заряда на обкладках напряжение между
16
PNRPU
ними при наличии поляризующегося диэлектрика оказывается меньше, а емкость больше.
Различают следующие виды поляризации:
1)электронная – упругое смещение и деформация электронных оболочек атомов и ионов; наблюдается у всех видов диэлектрика, не связана с потерей энергии;
2)ионная – смещение упругосвязанных ионов;
3)дипольная – частичная ориентация диполей под действием поля; связана с тепловым движением частиц, с потерей энергии;
4)структурная или миграционная поляризация; наблюдается в твердых телах неоднородной структуры, а также при наличии примесей (пропитанные бумажные, пленочные конденсаторы);
5)спонтанная; наблюдается у сегнетоэлектриков, характеризуется рассеянием энергии, выделением тепла.
Для конденсаторостроения неполярные вещества не очень удобны вследствие малого значения диэлектрической проницаемости ε, но все же применяются, когда требуются малые
потери (tg δ ≈10−4 ), высокое удельное сопротивление и ста-
бильность диэлектрической проницаемости. К ним относятся нефтяное масло, парафин, церезин, полиэтилен, полистирол, фторопласт-4 и др.
Технические конденсаторные диэлектрики имеют сложную неоднородную структуру, поэтому у них присутствует несколько видов поляризации.
6.Зависимость емкости конденсаторов от времени
иот температуры
Значение емкости конденсаторов при различных температурах определяется температурной зависимостью диэлектрической проницаемости диэлектрика, а также изменением линейных размеров металлических обкладок и диэлектрика. Для
17
оценки температурной зависимости емкости конденсатора служит температурный коэффициент емкости (ТКЕ), показывающий, насколько изменяется емкость при увеличении температуры на 1 °C.
ТКЕ = αС = С1 ddTС °C−1 .
Температурный коэффициент емкости может быть положительным, отрицательным или равным нулю.
Если зависимость емкость от температуры носит линейный характер, то величину температурного коэффициента емкости можно вычислить по формуле
αС = СС(2t−−Сt1 ) °C−1,
1 2 1
где С1 – емкость при температуре 20 °C.
Чаще ТКЕ выражают в миллионных долях изменения ем-
кости (10−6 °C−1 ). Если зависимость емкости от температуры нелинейна, то часто указывают относительное изменение емкости при переходе от t1 к t2 :
∆Сt = C2C−C1 100 %.
1
Для обозначения группы температурной стабильности конденсатора используют условные обозначения в виде букв, обозначающих знак ТКЕ (М – отрицательный; П – положительный; МП – примерно равен нулю), и цифр, указывающих
значение ТКЕ 10−6 , а также цветные кодировки.
Характер зависимости емкости конденсатора от температуры обычно определяется характером температурной зависимости диэлектрической проницаемости диэлектрика, т.е. ТКε = αε. Кроме того, она обусловлена особенностями конст-
18
рукции конденсатора и изменением его размеров при нагревании.
Для плоского конденсатора с квадратными обкладками, сторона которых равна l, имеем
С = ε0 |
ε l2 |
, |
(1) |
|
h |
||||
|
|
|
где h – толщина диэлектрика, м;
ε – диэлектрическая проницаемость.
Дифференцируя выражение (1) по температуре, получаем
dC |
= ε0 l2 |
dε + |
ε |
2l dl − |
ε l2 |
2 |
dh |
. |
(2) |
||||
dt |
h |
|
dt |
||||||||||
|
h |
dt |
|
dt |
|
h |
|
|
|
||||
Разделив левую и правую части выражения (2) на левую |
|||||||||||||
и правую части выражения (1), получим |
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
1 |
dC = |
1 |
dε |
+ |
2 |
dl − |
1 |
dh |
|
|
(3) |
|
|
С |
dt |
h |
|
|
||||||||
или |
dt |
ε |
|
l |
dt |
dt |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
αС = αε +2αм −αд, |
|
|
|
|
|
(4) |
где αε – температурный коэффициент диэлектрической проницаемости;
αм – коэффициент линейного расширения металла обкла-
док;
αд – коэффициент линейного расширения диэлектрика.
Если в качестве обкладок использован тонкий слой металла, нанесенный непосредственно на поверхность твердого диэлектрика (металлизированный конденсатор), то расширение обкладок конденсатора будет определяться не расширением металла, а расширением диэлектрика. В этом случае αм = αд
и формула (4) примет вид
αС = αε +αд.
19
В выражении (4) для обычных металлов и сплавов величина αм =15...30 10−6 °C−1, αд равна 5...10 10−6 °C−1 для неорганических и 50...100 10−6 °C−1 для органических диэлектриков. Поэтому значениями αм и αд в формуле (4) можно пренебречь, если αε имеет значения, близкие к пределу
500...1000 10−6 °C−1 и выше.
Современная электроника требует применения конденсаторов с малой зависимостью от температуры, т.е. с малым ТКЕ. Для изготовления таких конденсаторов следует применять материалы с возможно меньшим значением αм, αд и αε.
При конструировании часто применяют параллельное и последовательное соединения конденсаторов. Значение ТКЕ системы конденсаторов будет зависеть от соотношения между ТКЕ и емкостями отдельных конденса-
С1 |
торов. |
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
Малые изменения емкости от |
|||||||||||
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
температуры |
можно обеспечить, |
||||||||
С2 |
соединив параллельно две секции |
|||||||||||
|
|
|
с разными диэлектриками, имею- |
|||||||||
Рис. 4. Параллельное соеди- |
щими ТКЕ разного знака (рис. 4). |
|||||||||||
нение двух конденсаторов |
Необходимые |
величины опреде- |
||||||||||
|
|
|
ляются выражениями: |
|||||||||
|
|
С =С1 +С2 ; |
|
|
|
|
||||||
|
1 |
dC = α = C1 α + |
C2 |
α |
; |
|||||||
|
|
|
||||||||||
|
С dt |
C |
|
|
1 |
C |
2 |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
C1 = |
α2 |
|
|
|
|
C; |
|
|
||
|
|
α +α |
2 |
|
|
|
||||||
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
C2 = |
α1 |
|
|
|
|
C, |
|
|
||
|
|
α +α |
2 |
|
|
|
||||||
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
20