Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Элементы расчета полупроводниковых усилителей

..pdf
Скачиваний:
1
Добавлен:
20.11.2023
Размер:
4.47 Mб
Скачать

fyx —

H 4jx.y 9

 

 

 

 

fi4 -

 

 

) h

(fi*0 iT iH i к

)

Если

»

XSH

, то

Xfa

;

если RH= °°

* t 3» Z i

 

TO

* b*m-~-fcr (/»<)-b

Фактически

yfy*

определяется максимальной

 

величиной Rj %вы­

бираемой из условия хорошей температурной стабильности.

при R3H (ft+l)»hH

Ка-*- /

С/ SJ

й - т - ^

О *

O t

Lk.

гн

Рис.40

 

Пуоть

[

R^ = 2кОм ,

/ * / - 50 j

hH= 1кОм

Тогда

 

< ^

S k

r -

 

< *

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Определим

Ке

 

 

 

 

 

 

 

 

К т *г*Ь

.

р ' — F

 

 

t r

V

ф

+ Rr

 

к -

% *

(Р+1У$*зн

*t

_

 

4 ,

*S

Л£ —

А

--------- ^

 

Rr+R- ~

R,„ + R1

Rs+Rr

 

 

 

 

%

 

Rg+Rf

RIK *R^

Так,

если

R ^ 50кОм,

Rg—40к0м ,

Rgx—МОкОм» то

 

 

 

 

,/_ 50-м

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/?'=

90

 

-

22кОм

 

 

 

 

 

Кг

 

 

 

 

 

 

I/_

400

 

40 _, у77г

 

 

 

 

 

 

JQQ+22 *

 

90 ~

 

очень мало

Предположим Rg-500кОм ,тогда/^/=

45,5 кОм

 

 

 

 

 

100

 

 

500

U’bd

 

 

 

 

Л* ~

/00+45,5 500+50 ~

Ksma* ~ пРи

Кss Rjtx

"ет* Rgx + Rr

Но при Rg = 500 кОм коэффициент нестабильности очень велик

и,кроме того,заданное положение рабочей точки часто невозможно

обеспечить.

 

 

Пусть

20В

Rg= 2кОм‘, lj= 5мА; fi= 50,

lg-

ЮОмкА

Us = U, =

/ОВ

Eg-Rgfg+Og^ 500-0,/+ i0= 60В » Ек

что невозможно, т.е. такое значение Rg не обеспечивает необхо­ димого значения тока базы при заданном значении Ек

Для повышения входного сопротивления, приближения коэффици­

ента передачи к единице широко применяются схемы на составных травзиоторах.

Схема Дарлингтона (рис.41,а) позволяет повысить коэффициент уоиления'-ко току fix ~ j3g , за очет чего можно подучить значительное входное сопротивление при малых Rx (единицы Ом).

Недостатками схемы являютс^ появление большого сквозного то­

ка и необходимость включения резистора подпитки в случае изме­ нения 1зг в широких пределах.

Схема на транзисторах р -п и /7-/>-/г(рио.41,б) лучше, так

как меньше оотаточное напряжение (напряжение насыщения) и число переходов между входом и выходом.

Для уменьшения шунтирующего влияния Rg применяются схемы

сложных повторителей. Схема оо следящей обратной связью показа­ на на рис.42.

/

- ип _

Ujx ~ Ut* Kv _

Окм

ю

«

~

* % - к ,)

Отошда оледует, что "кажущееоя" сопротивление резистора R3

увеличивается в

*/О -К#) раз, в результате чего эквивалентное

 

 

73

 

 

сопротивление, шунтирующее входные зажимы, оказывается значи­ тельно больше, чем Rg= R1//R2+R3

 

 

 

-L

Следовательно,

можно

 

 

 

 

получить

высокое

входное

 

 

 

 

сопротивление, не

сникая

 

 

 

 

температурной стабильности.

н

н

 

 

Чтобы одновременно

* г Л

 

 

сг

уменьшить шунтирующее дей­

 

г

,

ствие Z/c

, применяют охе-

 

 

 

 

МУ рис.43. Здесь

 

 

 

 

 

 

J

«

 

_ I

 

 

 

г« т1 = л 7 - '

 

t

в результате чего на низ­

 

 

Рис.42

 

ких чаототах можно полу-

чип

более высокое

входное сопротивление.

 

 

Вще более высокие входные сопротивления могут быть получены

при использовании полевых транзисторов. В потоковом повторителе

£3 0 *^31/ ((“Ки)**

Трансформаторные каскады усиления напряжения

Ооновным преимуществом использования траноформаторншс каокадов являетоя возможность полного согласования входного сопротив­ ления транзистора с источником сигнала и выходного сопротивления о сопротивлением нагрузки. Недостатком является трудность полу­ чения равномерного усиления в широкой полове частот, а также конструктивные трудности, возникающие из-за применения трансфор­ матора [12,14].

Для определения основных показателей схемы (рнс.45,а) в об­ ласти средних частот, когда можно пренебречь всеми реактивностя­ ми, используем эквивалентную схему рис.45,6.

Приведенные к первичной обмотке Тр2 и вторичной обмотке 1р1

значения напряжений и сопротивлений определяется из оледупцих соотношений:

R —

1 » 4 * ^ ^ I

~ ^4

*

кн

считаем

ЩГ П4ЩЯ,

и6ш = -% & -

где , пг - коэффициенты трансформации трансформаторов 7/»/'

и Тр2

Рис.45

Получаем выражения для коэффициентов усиления Kg0 и К!д

* —Vtu*-

д я . _ flatten Ъпг

Kh

Arf

fir

nfnz

#r + 8x

где

 

 

& kS " ^z**+ RL

 

 

“к ' n*

 

Наибольшее усиление по мощности получаетоя при полном согла­ совании на входе в выходе усилителя, когда выполняются условия:

£ - 4 Sx

{Sux

п1согл Яг = *6х >

А / пг сои ш Ъых

откуда получим оптимальные

значения коэффициентов трансформа-

****п1сш ~ <С"Г. пгсо и а е т г

Определим значения коэффициентов усиления по напряжению, мощ­ ности, току и в режиме полного согласования.

* 7 % Г

 

 

I I /fip fiiMX

ЧшГквш

 

 

Чтя'

 

(

firfigbix

*

t' firfi&x

'

fi*x * fig::

 

 

Краш~ figeou

*

_

A * fium

 

 

*хсш—

Тб

~ Щ Г

Пример.

Ji=50;

1*т 20кОм - fifax >

 

 

RH= {KOM

Rr** 40к0м;

/!$я= М м .

Для несогласованного каскада типа НС при

М м

Дж/А _ “7 W '— lie .

* -

*r + * S x~

* 0 Н

1,1 '

9*

=

50z !0

% T * V ; к , * * .

сх

 

Rr +R6t ~

" 2 0 4

404

Для согласованного трансформаторного каскада.

Кв с к г- T / W " * '

fr

_ A I j ^г^бык

_ *r /. .

и ш ~ Ч Ь Г Ь *

35Л

д*

2500

20 = 3120

КРсогГ 16

" ъ Г ” 16

 

Рассмотрим частотную характеристику траноформаторного као~ када. Эквивалентная схема трансформаторного каскада о учетом только одного выходного трансформатора приведена на рис.46,а.

S)

 

S)

t

L

Рио. 46

гда гг= 7? *

 

- приведенные к первичной обмотке актив­

ное сопротивление и индуктивность рассеяния вторичной обмотки}

Сф=

~ приведенная паразитная

емкость..трансформатора.

Пренебрегая LSi ,.1$г

,Cj

. получаем для низких

Частот схему рис.46,б и в более упрощенном виде-рис.46,в, где

г',* К

«'(I,, ^йых* * z£ + Rff

Нагодам относительное усиление каскада

к JCDLJ j

□ооле преобразований получим выражение для расчета индуктив­ ности первичной обмотки трансформатора:

л _________ ЪкЬ

где Мм j0/) - допустимое значение коэффициента частотных иска­ жений.

В области высоких частот, используя для раочета упрощенную зквивалентную схему (рис.47), получаем

Рис.47 лолняются на броневых (пластинчатых и ленточных) и тороидальны

сердечниках. Материалом для изготовления сердечников трансфор­ маторов, работающих в области низких частот (до 10-15 кГц), яв­ ляется холоднокатаная электротехническая сталь Э31£. 3350.

Для трансформаторов, работающих на более высоких чаототах, для уменьшения потерь в сердечнике широко применяются различные

79

оорта пермаллоя (40НКЫП, 50Ш, 79HU) и ферритов, иля оксиферов

(еооонм, 4000Ш, гооонм).

Необходимо отметить, что недостатком однотактных трансформа­ торных каскадов является наличие постоянного подмагничивания. Для исключения насыщения сердечники таких трансформаторов должны ообиратьоя о зазором, что приводит к значительному уменьшению аффективной магнитной проницаемости и, как следствие етого, к увеличению габаритов трансформаторов.

Резонансные усилители

Резонансные усилители (РУ) наиболее часто применяются в диа­ пазоне радиочаотот, так как их главный пассивный елемент - коле­ бательный контур - обладает высокой эталонностью и небольшими

габаритами лишь на чаототах более 100 кГц [7].

%

Ооновное назначение РУ - обеспечение высокого уоиления в уз­ кой (по отношению к резонаноной частоте f0 ) полосе частот и за­ данной избирательности. Среди большого числа различных РУ можно выделить следующие ооновные варианты;

-РУ о фиксированной настройкой;

-диапазонные РУ. Переотройка частоты чаще воего осуществля­ ется путем изменения емкости контура;

-РУ о однотранэиоторными каскадами на биполярных и полевых транзиоторах. На умеренно высоких чаототах (до 10-20 МГц) при­ меняется включение транзисторов по охемам ОЭ и ОИ, на более вы­ соких чаототах аффективнее применение схем включения ОБ, 03;

-каскодные РУ. Это двухтранзиоторный каскад, выполненный таким образом, что удаетоя значительно повысить устойчивое уси- *чние я получить малый уровень собственных шумов по сравнению

ооднотранэиоторными РУ. Наибольшее применение имеют варианты ОЭ-ОБ, ОИ-ОЗ, ОИ-ОЭ.