Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Микрополосковые излучающие и резонансные устройства

..pdf
Скачиваний:
9
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
14.73 Mб
Скачать

к

плоскости ПА направлении сохраняется не ниже — 3 дБ {кэ^

^

—3 дБ), составляет 0,-35/Q. Это в два раза меньше полосы частот,,

определяемой для этого же излучателя по критерию входного КСВН (kCT^ 2) при функционировании ЭИ в одномодовом режиме на од­ ном из колебаний, возбуждаемых для получения круговой поляри­ зации. Таким образом, частотные полосы ПА круговой поляризации с одноточечной запиткой, определяемые по критерию падения эл­ липтичности излучения, весьма ограничены.

Рнс. 58. Полосковые излучатели круговой поляризации на основе квадратиого ПЭ (рис. 57) с двумя ортогональными колебаниями ТМ10 и ТМ01, поляризованны­

ми вдоль осей Ох и Оу

Очевидно, существует бесконечное число излучателей как одно­ связной, так и многосвязной форм с четырьмя, осями симметрии, получающимися друг из друга последовательными поворотами на 45° в плоскости антенны, и одним из простейших таких излучателей является квадратный элемент.

На рис. 58 и 59 показано восемь возможных модификаций квад­ ратного ЭИ с одноточечным возбуждением, предназначенных для

Рис. 59. Полосковые излучатели круговой поляризации на основе квадратного или квазиквадратиого ПЭ с двумя ортогональными диагонально поляризованным»

колебаниями

получения круговой поляризации излучения. Приведенные вариан­ ты отличаются между собой положениями точек возбуждения, спо­ собами запитки (МПЛ или коаксиальным фидером) и введения асим­ метрии для снятия вырождения возбуждаемых колебаний.

На рис. 58 в качестве неходкой конфигурации для получения круговой поляризации принят квадратный ЭИ с диагональной за­ питкой (рис. 58, а). В этом случае выделенными ортогональными на­ правлениями являются направления осей Ох и Оу, а в резонаторной

полости ЭИ одновременно возбуждаются два вырожденных равноамплитудных ТМи- и ГМ01-колебания. В предположении идеаль­ ных магнитных стенок на боковых поверхностях ЭИ запишем полное электрическое поле в резонаторной полости, равное сумме полей этих колебаний,

Е (х, у) = [cos (nx/L) — cos (ny/w)] ег, L — w.

(3.93)

Излучаемое поле в направлении, перпендикулярном плоскости TIA, линейно' поляризованно с вектором электрического поля, ориентированным в плоскости, проходящей через центр ЭИ и точ­ ку возбуждения. Круговая поляризация получается за счет асим­ метрии возбуждения одного или обоих колебаний.

В ЭИ, показанном на рис. 58, б, круговая поляризация получа­ ется простым изменением размеров элемента. Собственные частоты ТМ10- и 77И01-колебаний такого ЭИ

/10 я* с/2 Уе L; /01 яз с/2 ]/е w, а; =* L +

б.

(3.94)

С учетом формул (3.94) и (3.92) получим соотношение

 

a./L = ( 2 Q + l ) ( 2 Q - l ) - ' « l + Q - 1, Q »

1.

(3.95)

Отсюда 6/L л/ Q“ \ следовательно, необходимое изменение фор* мы квадратного ЭИ весьма мало.

В ЭИ, представленных на рис. 58, вд, вырождения достигаю­ тся соответственно с помощью горизонтальной щели, двух прорезей на краях излучателя и короткозамыкающегося штыря, располо­ женного в резонаторной полости ПА. Если ширина щели и проре­ зей достаточно мала, то влиянием этих неоднородностей на резонанс­ ные частоты ТМ10-мод можно пренебречь. В то же время данные неоднородности снижают резонансные частоты 7УИ01-колебаний соответствующих квадратных ЭИ, и при правильном выборе длин неоднородностей поле излучения имеет круговую поляризацию. В ЭИ, показанном на рис. 58, д, индуктивный короткозамыкающий штырь, расположенный на оси симметрии ЭИ, где электрическое поле Т7И1(>-моды равно нулю, не изменяет резонансной частоты этой моды, но увеличивает собственную частоту 771401-колебания. Соот­ ветствующим выбором местоположения штыря можно получить тре­ буемые условия для формирования излучения круговой поляри­ зации.

В приведенных рассуждениях не учитывалось влияние вводимых неоднородностей на узел возбуждения ЭИ и влияние узла возбужде­ ния на резонансные частоты. Для получения высокой эллиптичности излучения может потребоваться небольшое смещение точки запит­ ки с диагонали ЭИ с целью выравнивания амплитуд возбуждаемых колебаний. Для неоднородностей типа щелей, прорезей, выступов не существует простых формул, позволяющих определить их пра­ вильные размеры и конфигурации (вследствие отсутствия «гладкос-

ти» в таких возмущениях). Поэтому корректный выбор неоднород­ ностей производится экспериментально, например, исходя из эк­ вивалентной схемы излучателя и его добротности или с помощыокруговых диаграмм для полных входных сопротивлений. Влияние короткозамыкаЕощего штыря на резонансные частоты ТМ01- и ТМ10- колебаний можно оценить аналитически [38; 41J.

Существует большое число способов введения неоднородностей в форму или резонаторную полость излучателя для получения кру­ говой поляризации. Например, если в элементе, показанном на рис. 58, г, одновременно увеличивать ширину и уменьшать длину прорезей, собственные частоты обоих (ТМ01 и 77И10) колебаний увеличатся. При сохранении соответствующей постоянной разности этих частот ЭИ будет излучать поле круговой поляризации на соот­ ветствующих средних частотах*- Продолжая процесс деформации «прорезей» дальше, в пределе можно получить ЭИ, показанный на рис. 58, 6.

Нетрудно определить направления вращения векторов полей излучения в пространстве. Очевидно, что излучатели, изображенные иа рис. 58, б, д, имеют правовращающиеся поля излучения (г. е. вращения векторов полей происходят по часовой стрелке, если смотреть вслед уходящей волне), а ЭИ, показанные на рис. 58, в, г — левовращающиеся поля излучения. Используя зависимость (3.93). можно показать, что коэффициент эллиптичности поля пространст­ венного излучения квадратного ЭИ круговой поляризации, функци­ онирующего в двухмодовом режиме с равноамплитудными ТМ1й- и TMoi-колебаниямй, в диагональных плоскостях меняется по закону cos2 0, а в главных плоскостях зависит от диэлектрической прони­ цаемости подложки. Уменьшение коэффициента эллиптичности в главных плоскостях происходит всегда медленнее, чем cos2 0, и выбором а, р подложки можно добиться высокой эллиптичности из­ лучаемого поля в этих плоскостях в широком интервале углов 0 .

Аналогичные рассуждения можно провести и для излучателей, показанных на рис. 59. Рассматриваемыми колебаниями являются дипольные моды с нулевыми электрическими полями на диагона­ лях элементов. Данные моды можно получить, рассматривая элек­

трические поля 771410- и ГЛ^ц-колебаний в резонаторе

квадратного

ИЭ в виде

 

 

cos ~ {-y-J = cos — ■(х + у) cos-^- (х— г/)Ч=

=F sin -S- (х + у) sin

п (х — у),

(3.96)

2L

2L

 

т. е. в виде суммы двух равноамплитудных (вырожденных) «диаго­ нальных» мод. Последние получаются возбуждением квадратного ЭИ в диагональных точках. Векторы полей излучения диагональных

мод в поперечном к плоскости структуры направлении ориентиро­ ваны в диагональных плоскостях. Поэтому, вводя в форму или резо­ натор ЭИ соответствующие возмущения, как, это показано на рис. 59, влияющие на структуру и соответствующую резонансную частоту только одной такой моды, можно получить круговое поля­ ризованное поле излучения. ЭИ, показанный на рис. 59, б, излучает поле правовращающейся поляризации, а ЭИ, изображенные па рис. 59, в—д — поля левовращагащейся поляризации.

Глава 4

БАЗОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ОБЪЕМНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ СВЧ И КВЧ

1. БАЗОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ О ИС НА О СНОВЕ НЕСИММЕТРИЧНОЙ Щ ЕЛЕВОЙ ЛИНИИ *

Несимметричные щелевые линии (НЩЛ) широко применяют в ОИС при реализации диаграммообразующих матриц (ДОМ), филь­

тров, ответвителей, разделителей каналов и т. д. Использование

 

НЩЛ в технике СВЧ

позволяет

 

на 2—3 порядка уменьшить мас­

Р„ Л * ,

су и габаритные

размеры уст­

 

ройств. Различные модификации

 

НЩЛ показаны на рис. 60.

 

Связанные НЩЛ. Математи­

 

ческой моделью связанных НЩЛ,

т ■J

так же как и одиночной НЩЛ,

является система

интегральных

 

 

уравнений относительно поверх­

Рис. 60. Связанные несимметричные

ностных магнитных токов / (х) на

апертурах щелей НЩЛ. При этом

щелевые линии

 

рассматривается,

как

обычно,

закрытая модель НЩЛ (рис. 60), боковые стенки в модели показаны вертикальными штриховыми линиями, расстояние между которыми с подбирается при численном эксперименте й не влияет на параметры

линии. Система интегральных уравнений имеет восьмой

порядок

а

 

j G (х | х') / (х') dx' = i (х),

(4.1)

о

 

где G (£/TI) — тензор Грина; i (х) — вектор поверхностных электри­ ческих токов.

Переход от уравнений (4.1) 'к СЛАУ выполняется по стандартной процедуре Галеркина. В качестве базиса используют кусочно-по­ стоянные и кусочно-линейные функции. Подробные сведения о схо­

димости алгоритма в зависимости от

числа интервалов

апертуры

* Написан совместно с В, И, Гвоздевым,

Г. А, Кузаевым, Т, Ю,

Черниковой.

Д 24

щелей Nt и гармоник М в ядре интегрального уравнения (4.1) содер­ жатся в литературе [34J.

На рис. 61, а, б построены зависимости замедлений четной и не­ четной волн от соотношения s/A0, т. е. расстояния между ребрами соседних слоев металла. Несмотря на идентичность геометрии

связанных НЩЛ, соотношения

фазовых

скоростей ve/v0 <. 1

(рис. 61, а) и vefv0>■ 1

(рис. 61, б) различное вследствие различного

способа «заполнения»

поперечного

сечения

Н1ДЛ диэлектриками

с разной проницаемостью в, = 2,32 и е2= 10. Таким-образом, свя­

занные НЩЛ позволяют изменять величину соотношения

vjva в

( Н

h/k

-3 —

!SZZZ1 )

Ч

 

 

 

/

7

Z

6232.

 

Л ■LN , I

 

ллл ч

S

 

 

 

ф » '

 

/

 

1

I

4

г /V

-т -oft/

о

т six,

8

 

Рис. 61. Зависимость замедления четных (сплошные) и нечетных (штриховые) волн связанных НЩЛ от соотношения s/A0:

а « вДо — 0,б; ЫА* = 2; 6 — а/Х„ = 0.5; 6Д, » tj в = аД# — 0,36, Ык « I

весьма широких пределах. Полученные результаты моделирования НЩЛ разнообразной конструкции используют при расчете БЭ эл­ липтического фильтра СВЧ. Его звено образовано отрезками НЩЛ, связанными по вертикали. Вследствие отличия фазовый скоростей четной и нечетной волн амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) имеет дополнительный полюс затухания, т. е. можно увели­

чить

крутизну скатов АЧХ вблизи полосы пропускания. Физиче­

ская

природа

описываемого эффекта заключается в том, что звено

на связанных

НЩЛ является двухмодовым.

Результату исследований эллиптических фильтров СВЧ на свя­ занных НЩЛ приведены в работе 134]. Рассмотрим расчет звена на связанных НЩЛ следующей конструкции. Пусть звено состоит из отрезков связанных НЩЛ, которые закорочены друг на друга на одном конце (г = /), а на другом конце (.г = 0) нагружены на со­

гласованные сопротивления генератора Z и нагрузки

(рис. 62, а).

Это звено меандровой конструкции (s/a = —0,1; еа =

е4 = 10; е, =*

= 2,32; Ь2 = б* = 1 мм; bz = 2 мм) имеет всепропускающую харак-

теристику при ve s t i , . В противном случае (и, ф н0) оно реали­ зует АЧХ полосно-з'апирающего типа. Расчеты, выполненные на основе математического аппарата для длинных линий, показали, что величину минимума затухания между полюсами АЧХ можно изменить подбором соотношения фазовых скоростей четной и нечет­ ной волн в связанных НЩЛ. Например, увеличивая разность между фазовыми скоростями ve и v0, можно получить величину минимума

Рис. 62. Конструкция меандрового фильтрирукдцего звена на связанны» НЩЛ (а) и его АЧХ (б)

Рис. 63. Скачкообразные ключевые неоднородности на НЩЛ:

а —* зависимость коэффициента отражения

основной

волны от

чаототы (/ —*

8i/s1 = 4;

2 s j s x —1);

б — зависимость

модуля коэффициента

передачи

ре­

зонатора

от частоты при

So/(*. — =

3; в — то же,

но

при $J{zx

s

— 3 2

г — АЧХ

доухрезонаториого фильтрирующего устройства

(s0t/Si =

**-2;

s08/si =>

 

 

вэ 1<

—3)

 

 

 

 

 

до 22 дБ (рис. 62, б). Таким образом, подбирая геометрию связанных ЛП, можно эффективно формировать АЧХ с необходимыми парамет­ рами. Следует отметить, что эллиптический фильтр на основе ИЩЛ имеет малые габаритные размеры, что является важным преиму­

ществом.

Скачкообразные неоднородности в НЩЛ. Теоретический и прак­ тический интерес к исследованию скачкообразных неоднороднос­ тей в НЩЛ вызван прежде всего тем фактором, что ЛП (рис. 63, а) схожа по свойствам с симметричной щелевой и полосковой линиями соответственно, что позволяет предположить и о большем разнообра­ зии физических свойств скачкообразных неоднородностей в НЩЛ.

Для расчета матрицы рассеяния применяют метод проекционно­ го сшивания полей в плоскости стыка двух ЛП [7]. Электромагнит­ ное поле слева и справа от неоднородности представим в виде супер­ позиции падающей, отраженных и прошедших волн соответственно. Приравняв тангенциальные плоскости стыка компонентов элек­ трического и магнитного полей и применив к полученным соотно­ шениям метод Галеркина, получим бесконечную систему неодно­ родных алгебраических уравнений относительно неизвестных коэф­ фициентов, имеющих смысл элементов матрицы рассеяния. Решить эту систему можно методом Гаусса при ограничении числа собст­ венных волн. В качестве объекта выберем такую экранированную НЩЛ, высшие волны которой в исследуемом диапазоне частот на­ ходятся глубоко в отсечке. Это позволяет ограничиться учетом лишь основной волны при расчете модулей элементов матрицы рассея­

ния I S ||.

Разработанная программа расчета матрицы рассеяния || 5 1| одиночной скачкообразной неоднородности в одномодовом прибли­ жении позволила провести электродинамическое моделирование резонаторов на НЩЛ и их каскадных соединений. На рис. 63, б—г изображены исследуемые резонаторы и их амплитудно-частотные характеристики. Для объяснения расчетных данных применим ме­ тод многократных отражений, согласно которому коэффициент пе­ редачи резонатора выражается через параметры каждого БЭ сле­ дующим образом:

Т *= Т - ^ Г р { i/ifl/o j/ll ——^ 1/? а е х р ( — I'2/IQ/ Q}], (4 -2 )

где h0— постоянная распространения основной волны НЩЛ в ре­ зонаторе; 71/, R/ (j = 1, 2) — коэффициенты передачи и отражения.

Из уравнения (4.2) и рис. 63 следует, что резонанс наблюдается в резонаторах, длина которых кратна половине длины волны НЩЛ на центральной частоте /0. Ширина полосы пропускания Д/ опреде­ ляется нагруженной добротностью НЩЛ, т. е. коэффициентом отра­ жения каждой неоднородности, и может составлять от нескольких единиц до десятков процентов от центральной частоты /0. Более узкая полоса пропускания характерна для моделей, где резонатор

нагружен с обеих сторон на ЛП со значительно отличной структу­ рой поля собственных волн. Таким образом, имеется возможность построения высокоизбирательных ступенчатых фильтров на НЩЛ, в которых значительно ослаблена опасность искажения АЧХ за счет возбуждения распространяющихся высших собственных волн.

2. НЕОДНОРОДНОСТИ. В РЕБЕРНО-ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ *

Волновое сопротивление РДЛ. При анализе регулярных РДЛ выявлена сложная физическая картина явлений в этом новом клас­ се направляющих структур КВЧ. Естественно, еще более сложны­

 

 

 

 

 

 

 

ми представляются

ключевые

 

 

$

 

 

 

 

(полубесконечные) и конечные

 

Л' * А' * * *

* JLA

 

 

 

(в частности, резонансные) за­

 

 

 

 

дачи при рассмотрении БЭ на

 

д>л.IМ1-1^

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

 

РДЛ.

Некоторые

примеры

 

а

 

 

 

 

 

 

 

 

 

скачкообразных

 

неоднород­

 

и

 

 

 

 

 

ностей

в РДЛ

показаны

на

 

 

 

 

 

 

 

рис. 64. Электродинамической

 

 

Z 3 — ЕШ

Z Z 3

теории даже ключевых струк­

 

 

 

 

ъттМШЬятя

тур вследствие

их трехмерно­

 

В

 

 

сти еще не существует, так

 

 

 

 

S

 

как ее

реализация

наталки­

 

©

!

©

'

©

 

вается на значительные

прин­

 

 

 

 

 

asm

 

ципиальные

и

вычислитель­

 

1* * ~ • *■г,

г

 

 

 

ные сложности.

Поэтому

на

 

 

 

 

первоначальном

этапе

иссле­

 

Щ й

 

 

 

 

 

 

 

 

 

дований

целесообразно

обра­

 

 

щ

 

 

 

 

 

 

 

 

титься к простым

эвристиче­

 

 

 

 

 

ским соображениям, позволя­

 

 

 

 

 

 

 

ющим

получить

начальные*

 

•L-EZZ2

 

 

 

 

2ZZ3

приближенные сведения о ха­

 

 

 

 

 

рактере

явлений

(например,

 

 

 

 

 

 

 

о параметрах

матрицы рас­

 

 

 

е

 

 

 

сеяния) в БЭ

на

РДЛ.

Для

 

 

 

 

 

 

этого необходимо

ввести

не­

Рис* 64. Скачкообразные

неоднородности

которые ограничения, исполь­

в

симметричной РДЛ (ключевые струк­

 

туры и базовые элементы):

 

зовав обширную информацию

af

б — «скачок» высоты ребра

РДЛ;

в, г

о поведении

полей

в

анало­

резонаторы (при Ый =» пл, п

 

1 / 2, ...); д -*>

гичных

ситуациях

в других

согласующий переход;

е — полосовой

фильтр

(каскадное соединение

двум резонаторов типа

ЛП. Возможно, одной из наи­

 

 

*.

г)

 

 

 

более часто используемых ап­ проксимаций является предположение об одноволновом характере явлений, когда пренебрегают преобразованием падающей. на неод­ нородность волны в волны других номеров и типов. Если при этом

* Написан совместно с В. И. Гвоздевым, Г, А, Кузаевым, Т, Ю, Черниковой,

удается выяснить некоторые детали общего физического плана, то это, во-первых, само по себе представляет интерес, а во-вторых, позволяет приступить к созданию более общей теории и алгорит­ мов ее численной реализации на основе полученных данных.

Однрволиовой режим функционирования БЭ или функциональ­ ного узла позволяет ввести волновое сопротивление W данного типа регулярной ЛП. Использование волнового сопротивления осо­ бенно в сложных электродинамических конструкциях с одновре­ менным применением в устройстве нескольких типов ЛП (как, на­ пример, в ОИС СВЧ и КВЧ) может быть весьма полезным. Более или менее строгий расчет W представляет собой непростую задачу, которую можно решить лишь численным или, в лучшем случае, численно-аналитическим методами. В ряде случаев (например, как принято говорить, для инженерных расчетов) предпочтительнее иметь менее точное, но «обозримое» выражение для W Рассмотрим формулу, полученную методом конформного отображения, однако ее структура оказалась столь удачной, что в нее можно подставлять данные строгих электродинамических расчетов для постоянной

распространения основной волны (/г//г)2 = е„ф и тем самым повысить

точность определения W.

 

Опуская громоздкие выкладки, запишем для симметричной

РДЛ на основной волне [9; 32J

 

W = ( 1 2 0 я //^ ) K la /(a -s)} 2 — 1.

(4.3)

Структура формулы (4.3) имеет много общего с соответствующей формулой для W металлодиэлектрических полосково-щелевых ЛП [32].

Величина, обратная корню квадратному в зависимости (4.3), умноженному на п, является статической погонной емкостью РДЛ. Значения W, полученные из формулы (4.3), в которую подставляют­ ся точные (динамические) значения замедления h/k, оказываются достаточно хорошими по отношению к экспериментальным данным (резонансный метод) для широкого набора геометрических парамет­ ров и 8.

«Скачок» высоты ребра. После нахождения волнового сопротив­ ления основываясь на априорных соображениях о характере поведения рабочей волны РДЛ у простейшей неоднородности (см. рис. 60, а), можно определить коэффициент отражения R от стыка двух РДЛ с разной высотой ребер. При этом предполагается, что преобразованием падающей волны в волны высшего типа и волны

другой поляризации можно пренебречь (одноволновое

приближе­

ния). Тогда коэффициент отражения

 

R = (V . - V J/0 P . + Wt),

(4.4)

где Wi(2— волновое сопротивление сочленяемых РДЛ.

 

Зависимость замедления от соотношения sja показана на рис. 65, а. Кривая для d/a = 0,3 изображена сплошной линией. Именно при таком значении параметра dfa построены кривые для коэффициента отражения R (рис. 65, б). Эти кривые имеют следую­

щие

особенности. При отсутствии

скачка

(st = s2) [ R

\ -*• 0.

При

Ш

 

 

 

 

s.Ja ->

1 | R | -> 1

происходит

почти

 

 

 

полное

отражение

падающей

волны

 

 

 

 

 

 

 

 

/

 

от неоднородности

(обрыв ребра), и,

 

 

 

 

 

 

—-< ti/a-SjS

 

 

казалось

бы,

на этом явлении можно

 

 

н

 

создать открытый резонатор с большой

2,0

 

 

добротностью.

Однако

к

расчету

по

 

г

формулам (4.3), (4.4) следует отно­

--------- - ___ >

 

0.3j

ситься с большой осторожностью,

так

 

 

 

как без учета

преобразования

падаю­

 

 

 

 

Loj

to

 

I

 

щей

волны

в

другие

волны эти дан­

 

 

/

ные

не

всегда верны. Последние

за­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

___

----- -

— E

l

s,/a

мечания

относятся

к

случаю

почти

 

 

 

 

 

полного

перекрытия

правой

РДЛ

 

 

 

 

18!

(s2/a -> 0).

Коэффициент

отражения

 

 

 

 

при этом увеличивается.

Точный

пе­

 

 

 

 

0,8

реход к s2/a =

0 в рамках изложен­

\

 

 

 

0,8

ной

теории

невозможен: необходимо

V V

 

 

учитывать высшие типы волн в со­

\

 

 

 

членении. Эго согласуется

и с физиче­

\\

X

 

 

sja=o,2 0,4

ским

представлением:

волна поддер­

\

 

 

 

 

 

 

 

живается диэлектрическим слоем, и при

 

 

 

 

0,2

полном перекрытии у нее есть «обход­

 

 

 

 

 

ной путь» — разделение волны на два

Ш

-0,8

-0,6 6-0.4

-0,2

канала (слева и справа) от ребра.

Ситуация может

кардинально

изме­

Рис. 65. Зависимость

замедле­

ниться, если

отражение

происходит,

ния основной волны от соотно­

например, от скачка в связанной РДЛ,

шения

Sjfa

(а) и

зависимость

когда

между

ребрами

соседних

оди­

модуля коэффициента отражения

ночных РДЛ укладывается целое (или

 

от $Ja (б)

 

 

 

 

 

 

почти целое) число полуволн, т. е. в

линии реализован эффект открытого резонатора. Тогда

отражение

от обрыва обеих РДЛ может быть почти полным. Разумеется, при этом следует учитывать долю энергии, распространяющейся в слое и промежутке между ребрами.

Резонатор на симметричной РДЛ. Построенная выше теория РДЛ, введенное понятие ее волнового сопротивления (на основной волне) и результаты по скачку высоты ребра, рассмотренные выше, позволяют с известной долей уверенности приступить к моделиро­ ванию БЭ на РДЛ, которые можно образовать каскадным соедине­ нием ключевых неоднородностей типа «скачка» высоты ребра (см. рис. 64, а, б). Простейшими представителями этого класса БЭ яв-

Соседние файлы в папке книги