Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Микрополосковые излучающие и резонансные устройства

..pdf
Скачиваний:
9
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
14.73 Mб
Скачать

металла). Кривая 1 описывает зависимость замедления основной волны от s. При разнесении ребер металла (s < 0) замедление h/k =

= \1Х стремится к замедлению основной волны Ит трехслойного волновода (штриховая горизонтальная линия). С другой стороны, увеличение степени перекрытия (s > 0) приводит к тому, что волна

в НЩЛ приобретает все больше сзойств волны Н®, распространя­ ющейся в прямоугольном волноводе, высота которого равна тол­ щине диэлектрической подложки. В исследуемой' модели существу­ ют и распространяющиеся высшие типы волн (кривые 26), пара­ метры и структура которых стремятся в пределе (s->- 1) к соответ­

ствующим параметрам волн Н($п (пг = 2, 3, ...) прямоугольного волновода с размерами поперечного сечения а х у». Это означает, что, например, вторая волна в области перекрытия имеет на метал­ ле две вариации электрического тока, третья — три и т. д. Таким образом, классификацию волн в НЩЛ можно проводить аналогично классификации волн в НПЛ [25]. Разнесение ребер металла сопро­ вождается переходом в режим отсечки большинства высших волн полоскового типа, а замедление второй волны близко к замедлению

распространяющейся волны Е$ъ трехслонного волновода (четное возбуждение). Дальнейшее увеличение (s < 0) сопровождается выходом из режима отсечки волпы, природа которой аналогична природе высшей, волны С1ЛЛ (кривая 7) [7].

Структура полей в НЩЛ *. При построении БЭ ОИС и, в част­ ности, ПА необходимо знать структуру. Как уже отмечалось, НЩЛ используется для «естественных» переходов между БЭ, выполнен­ ными на разных типах ЛП и расположенных на разных этажах ОИС. Расчет полей в ПЛ представляет более сложную задачу, чем нахож­ дение собственных чисел. Для решения уравнения (2.85) один из неизвестных Есоэффициентов приравняем, например, к единице ^ соответствующий столбец вынесем в правую часть. Получим пря­ моугольную систему линейных алгебраических уравнений

1В Ы *1 = 1С 1.

<2'87)

здесь I х I — матрица-столбец неизвестных коэффициентов; |] В [| — прямоугольная матрица; || С || — свободные члены.

Учитывая некорректность поставленной задачи, найдем такое решение, которое минимизирует квадрат невязки соотношения (2.87). Для этого необходимо решить следующую СЛАУ 17]:

II S f . \ B \ . \ X \ ~ \ B ? -1CI-

(2.88)

Однако учитывая, что обусловленность (2.88) значительно хуже обусловленности (2.87), решим уравнение (2.87) методом сингуляр­ ного разложения матрицы || В ||.

* Написан Е. И. Нефедовым я М. И. Уткиным, которому принадлежат из­ ложенные результаты численного эксперимента,

Рис. 31. Структура полей для четной
(а) и нечетной (б) волн; распределение продольных токов в поперечном сече­ нии (ff иг); распределение полных токов на проводящих слоях и е)

нами j x. Алгоритм Нахождения этих токов описан в работе [7]. Зная распределение магнитных токов на границах слоев, можно получить распределение полей в многослойной структуре, что поз­ воляет использовать этот метод при анализе полей в ОИС СВЧ.

4. КОПЛАНАРНАЯ ЛИНИЯ

Картины полей. Копланарная линия (КЛ) обладает особенно­ стями, представляющими интерес при ее использовании в схемах питания ПА. Она относится к линиям квазиоткрытого типа, в кото­

рой распространяются

волны

 

квази-Т и Н типа.

Токонесущие

 

проводники КЛ образованы уз­

 

ким проводником и двумя

 

полу-

 

бесконечными слоями

металла,

 

расположенными

на одной

сто­

 

роне диэлектрической подложки.

 

Структуры электромагнитных по­

 

лей в КЛ для четного типа волн

1 \h

изображены на рис. 31,

а,

для

U |1 |

нечетного — на рис. 31, б.

Поле

-Ь \-а

T tp = T

в зазоре между узким проводни­

'Л !

ком и полубесконечными слоями

 

металла аналогично полю в СЩЛ.

 

Распределение продольных токов

 

в поперечном сечении

КЛ

пока­

 

зано на рис. 31, в, г, а распре­ деление токов на проводящих слоях — на рис. 31, д, е.

Известны решения для КЛ в квазистатическом и электродина­ мическом приближениях, а так­ же на изотропной и анизотроп­ ной подложках [7; 141. Наиболее часто используют симметричную

(относительно плоскости х = 0) конструкцию КЛ. Поле КЛ пред­ ставляется в виде суммы четного и нечетного волн. В квазистатиче­

ском приближении (частота со

0, h -+■0) полный погонный заряд

X

 

оо

Ь

 

Q = j

о (tfj) dxx *= j

J G (a, x) x'Ex (*') dxr,

(2.91)

—x

 

0

a

 

где ток а функция F (a) и функция Грина G

 

 

оо

Ь

 

 

о (*) =

j

J F (a) cos (ax) sin (ax') F'x(x') dx'da;

(2.92)

0 a

1 +

th (]/e|f ei da)

(2.93)

1+ (8 и e^)- *7’ th ( j/e ±/E j( da)

 

G(а; дг J'A'')

= 2a~lF(a) sin ax sin ax'.

(2.94)

Разность потенциалов между узким проводником КЛ и метал­ лической полуплоскостью

j“Ех (ж) dx = V.

(2.95)

Емкость КЛ в соответствии с формулами (2.91) и (2.95)

Ь Ь со

—2

С = -у* = J J I*Ех {х) G (а; х | х') Ех(A*') dadxdx'

j* Ех (х) dx

о о б

La

 

(2.96)

При расчете емкости КЛ по формуле (2.96) поле в щели удобно представить в виде разложения по полиномам Чебышева Tk (z) пер­ вого рода

Ex U) = И — 2 s)/w] 4i + J

АкТк12 — s)/uy] х

 

 

k=\

 

 

X {1 — [2 (JC-

S)/0

“ v%

(2.97)

где. w = b — a; 2s = a'-f- b.

e± =

8||) зависимость (2.96) пе­

^Для изотропной подложки (s =

реходит в известное (из метода конформных изображений) соотно­ шение:

С = 2 (е +

1) г0К {k)/Kf (k),

(2.98)

где К' (k) = К (*'); k = ai/bt;

k' = (1 - &)ч\

 

5. РЕБЕРНО-ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ЛИНИЯ *

Симметричная РДЛ. Плоскостные ЛП в настоящее время функ­ ционируют в диапазоне до 40—60 ГГц и возможно некоторое повы­ шение верхней граничной частоты. В оптическом диапазоне наи­ большее распространение получили уединенные диэлектрические волноводы (ДВ) — световоды. В коротковолновой части милли­ метрового и субмиллиметрового диапазонов ИС строят преимущест­ венно на основе уединенных ДВ (хотя используют волноподдер­ живающие структуры (зеркальный волновод, например, или по аналогии с плоскостными ИС общий диэлектрический лист и т. п.)}. Однако переход к ОИС для реализации КВЧ-модулей систем сверх­ быстрой обработки информации требует разработки ОИС на основе

* Написай совместно с Т, Ю, Черниковой,

общей волноподдерживающей структуры, допускающей простой и естественный способ концентрации поля на ограниченном участке листа (этажа ОИС) и перехода радиосигнала на другой этаж ОИС. Этими возможностями обладает РДЛ [9]. Рассмотрим РДЛ, учи­ тывая ее оригинальность, новизну и малое (пока) число публика*

ций.

Некоторые

модифика­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ции

РДЛ

показаны

на

 

*

*|

---- 1-

'

 

 

 

рис.

32.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

**r*

1

1** ** я

 

 

 

Основная волна в РДЛ

 

|

W

 

 

 

 

 

 

поддерживается

 

слоем

ди­

 

 

 

 

 

6

электрика

и распространя­

 

а

 

 

 

 

 

ется вдоль оси 2,

экспонен­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

циально затухая

в направ­

JV 'V 'Л

 

 

 

Г- ''—ci

лении, нормальном диэлек­

 

 

 

трическому слою. Металли­

.

1 .

 

________

 

 

«

ческие

ребра обладают на­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

правляющими

свойствами

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и выполняют роль концент­

. EZZZZZ3

 

JZ2ZZZ5ZL

 

------ 1------'

раторов

энергии

рабочей

 

JZEZZZZ3,

волны

на

ограниченном

 

 

 

 

 

 

 

 

 

поперечном

направлении)

 

 

 

 

 

3

 

 

и

участке

 

диэлектрического

 

 

 

 

 

 

 

 

 

слоя. Наличие

ребер при­

&-ЬО

 

 

 

 

 

 

 

водит к тому, что волна

(металл)

 

 

 

 

 

 

 

РДЛ приобретает двухмер­

 

 

 

К

 

Л

 

 

 

ноповерхностный

характер

Рис. 32, Реберно-диэлектрическая линия?

(по обеим

 

поперечным

ко­

а — открытая симметричная; б

экранированная

 

кваэиоткрвтая; в — математическая модель (с еер«

ординатам). На основе РДЛ

тккальными

магнитными стенками);

г — симмет­

ричная инвертированная; д— несимметричная ин«

можно

построить

элемент­

вертнрованная?

§ «— однореберная

(•

касанием

ную базу ОИС СВЧ.

 

ребра

экрана);

ою с

ребрами

разной

вы«оты|

 

j — зеркальная

открытая; и — зеркальная ква*

Построение полной элек­

аиоткрытая;

к +• на основе металлического клине)

тродинамической

теории

 

 

i

на основе

полуплоскости

 

 

 

представляет собой

сложную

РДЛ

на основе

теории

дифракции

задачу, так как электромагнитное поле в общем случае имеет шесть компонент. Поэтому на первоначальном этапе исследований необ­ ходимо получить численное решение. Учитывая, что электромагнит­ ное поле рабочей волны РДЛ сосредоточено в области ребер, можно перейти к закрытой модели РДЛ, установив виртуальные электриче

.ские стенки на некотором расстоянии слева и справа от ребег (рис. 32, в). На рис. 33 эти стенки показаны вертикальными штрихо­ выми линиями, находящимися на расстоянии 2Ь, при этом Ь/а — =* 2,3; ka = 1,96; в «= 10.

Электромагнитное поле в РДЛ должно удовлетворять уравне­ нию Гельмгольца относительно х

(Д -J- kh\x) IF(*, yt г) = 0,

(2,99)

здесь индекс q — I, II обозначает принадлежность к частичной об­ ласти I или //; h — постоянная распространения (вдоль г).

Функции YPQ(у) удовлетворяют граничным условиям при у —

=0 и у = bt a K PQ (.х ) — при х = 0 и л = й в соответствующих

областях и условиям непрерывности на границах раздела слоев диэлектрика. Компоненты векторов Герца удовлетворяют уравне­ нию Гельмгольца (2.99) и граничным условиям на стенках» за ис­ ключением линии х — s.

Электрическое поле, на линии раздела областей х = s пред­ ставим в виде

и, пользуясь ортогональностью У™ (у), определим неизвестные

постоянные в разложениях векторов Герца А™, выразив их через неизвестные функции на границе сшивания //, / = 1, 2. Обеспечив непрерывность тангенциальных составляющих магнитного поля Нд, Нг на границе раздела х = s, получим систему интегральных уравнений относительно неизвестных функций//» / = 1, 2. Для ре­ шения этой системы воспользуемся методом Галеркина, в соответст­ вии с которым // запишем в виде разложений

(2. 102)

где Wt и К/ — неизвестные коэффициенты; {<Р//}, / = 1,' 2 — полные системы функций, ортогональные на отрезке [О, b] соответственнр с весовыми множителями (у) и <та {у) и учитывающие особенность поля вблизи ребра при р -> 0 и удовлетворяющие граничным ус­

ловиям на другом

конце интервала при у =

Ъ.

 

Поскольку

вблизи

ребра

(р -*■ 0) компоненты электрического

поля Еу ж р -‘/«, Ег ж р*/*

(р — расстояние до

ребра), то функции

Ч(У)> Ф/с> / = 1,

2 целесообразно выбрать следующим образом!

 

 

 

 

 

JAfl

 

 

' Ш \ = Г] -

 

 

 

У

-»)/*>))

(2.103)

Л (0)1

I

\

ь

1 1

CitlTi \Vv iU,U2ui-.-\{{bi ( ( b- yy)/tb)). \ '

 

где Т( (О, Ut (£) — полиномы Чебышева первого и второго рода соответственно.

Выполняя необходимые по процедуре метода Галеркина преоб­ разования, получаем систему линейных алгебраических уравнении относительно неизвестных коэффициентов Wt и Vt

(2.104)

совпадение с данными электродинамической теории. Моделирова­

ние

закрытой РДЛ пока не проведено. Следует отметить, что пере­

ход

к квазиоткрытой РДЛ (ЫХ

1) увеличивает отрезок аппрокси­

мации поля, и поэтому в качестве базисных функций в разложении поля на границе сшивания, по-видимому, более целесообразно использовать кусочно-определенные функции [2Н.

РДЛ с разновысокими ребрами (см. рис. 32, ж и 35, а). Электро­ магнитное поле в РДЛ должно удовлетворять уравнению Гельм­ гольца (2.99), соответствующим граничным условиям и условию на ребре. Как и для симметричной РДЛ (с одинаковыми ребрами),

Рис.

35. Реберно-диэлектрическая линия с ребрами

разной высоты:

а — одни

штяя ОИС КВЧ с РДЛ-яертнкалышми (пунктирными) линиями (по-

4 каины виртуальные электрически# (млгпнтные) стенки); 6

— расчетная модель

исходим и» того, что собственными волнами слоистых волноводов являются продольно-электрические (LE) и продольно-магнитные (LM) волны, у которых одна из поперечных компонент (относитель­ но плоскости расположения слоя диэлектрика) соответственно электрического и магнитного поля равна нулю. В качестве основ­ ной составляющей выберем компоненту электрического н магнитно­ го векторов Герца, которая является нормальной слою диэлектрика. Очевидно, что в предельном случае коротких ребер собственные волны РДЛ и слоистого волновода совпадают. Таким образом, для

вектора П, входящего в уравнение Гельмгольца (2.99), имеем

=

= П* (х, у, г). Используем метод частичных областей. Учитывая симметрию поперечного сечения РДЛ относительно плоскости у = “ 0, рассмотрим половину сечения РДЛ, разбив его на три пря­ моугольные области (рис. 35, б). Поля в каждой из частичных облас­ тей q — I, ll, III запишем в виде разложений (2.100), в которых

функции ХРп (х) и Ypq (у) удовлетворяют граничным условиям на контуре сечения в соответствующих областях и условиям непре­ рывности тангенциальных компонент электрического и магнитного поля на границах раздела слоев диэлектрика, за исключением ли­ ний раздела частичных областей. Удовлетворить эти условия можно

подбором коэффициентов А™в'разложениях векторов Герца (2.100), которые определим через электрическое поле на этих границах. Представим поле в «виде

Обеспечив непрерывность тангенциальных составляющих маг­ нитного поля на линиях, сшивания частичных областей, получим систему четырех интегральных уравнений относительно неизвест­

ных функций /|;| (у), алгебраизацию которой выполним по методу Галеркина. В качестве базисных функций выбираем полиномы Чебышева Т2 1 - 2 (£) и Uu-i (С), £ = (6 — у)/Ь первого и второго рода соответственно, являющиеся полными системами функций, ор­ тогональных на отрезке [0, 1] с весовыми множителями

°1.2Ы = ( 1 - £ 3)*1/е,

(2.107)

учитывающими особенность поля вблизи ребра и удовлетворяющи­ ми граничным условиям на другом конце интервала при у = Ь, а также кусочно-определенные функции [9]. Их удобно использо­ вать, когда отрезок, на котором аппроксимируется поле, равен или больше длины волны, и особенность на ребре проявляется слабо. Эти функции имеют вид

<р,(</) =

У£(У1-и Vi),

1

A y i+ i— y)lbi, у£{уь yt+i),

0, у € (уi-i, y{+i)\

(2.108)

Система линейных алгебраических уравнений. Применяя метод Галеркина для интегральных уравнений, можно получить однород­

ную СЛАУ относительно неизвестных коэффициентов

W\’2 и V\a в

разложениях по базисным неизвестным функций / $

(у) с исполь­

зованием полиномов Чебышева

 

с использованием кусочно-определенных функций

М

Af—1

(2.110)

Ш = Б им><(0);

М ^ ) = б vwi(y),

Соседние файлы в папке книги