Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Применения ультразвука

..pdf
Скачиваний:
3
Добавлен:
19.11.2023
Размер:
30.77 Mб
Скачать

в форме тонких пленок (9—30 микронов). Из-за ограничения тол­ щины общая эффективность и качество (добротность Q) преобразо­ вателя РКЛРснижаются. Второй фактор связан сдиэлектрическими потерями, которые приводят к значительному уровню шума (Уайт идр. 1981). Эффективность наиболее распространенных пьезоэлек­ трических материалов в качестве передатчиков и приемников, а также их устойчивость к температурам приводятся в табл. 3.7.

Табл. 3.7. Сравнение характерных особенностей наиболее распространенных пьезоэлектрических материалов

Материал

Характерные

Передатчик

Приемник

Устойчи­

 

особенности

 

 

вость

 

 

 

 

ктемперату-

 

 

 

 

рам

Кварц

Высокая

Плохой

Хороший

Отличная

 

стабильность,

 

 

 

 

сопротивля­

 

 

 

 

емость старе­

 

 

 

 

нию

 

 

 

Сульфат

Низкий импе­

Средний

Отличный

Плохая

лития

данс, растворим

 

 

 

 

вводе

 

 

 

Титанат

Зависим от тем­

Хороший

Хороший

Плохая

бария

пературы

 

 

 

Цирконат

Высокаядиэлек-

Отличный

Средний

Хорошая

титанат

трическая

 

 

 

свинца

проницаемость,

 

 

 

(PZ7)

высокий коэф­

 

 

 

 

фициент связи

 

 

 

Метаниобат Низкая

Хороший

Хороший

Хорошая

свинца

добротность Q

 

 

 

PVDF

Низкий импе­

Средний

Отличный

Плохая

 

данс

 

 

 

Если исходить из условия независимости передатчиков и при­ емников, то PZT и метаниобат свинца потенциально являются

наилучшими передающими материалами. В качестве приемников выделяются PVDF и сульфат лития — в мегагерцовом диапазоне частот они являются самыми многообещающими кандидатами. Таким образом, комбинация PZT в качестве приемника и PVDF в качестве передатчика практически в семь раз эффективнее, чем использование одного только Р2Тв режиме приема-передачи.

3.6. Выбор толщины пьезоэлектрического элемента

Хотя функционально преобразователь является многочастотным, он, как правило, конструируется таким образом, чтобы использо­ вать лишь собственную (основную резонансную) частоту. Толщина преобразующего элемента в такой конструкции равна половине дли­ ны волны, что вызывает резонанс. Тщательное исследование излу­ ченной пьезоэлектрическим элементом волны позволяет получить картину резонанса, а также оценить роль интерференции в усилении или ослаблении волны в зависимости от толщины элемента. Как правило, при толщине, превышающей длину волны, волны, исхо­ дящие от каждой грани элемента, и их запаздывающие отражения от граней накладываются друг на друга, поэтому интерференцион­ ное усиление волны обычно минимально (рис. 3.12а). При толщи­ не, равной длине волны (рис. 3.12Ь), интерференция приводит к ос­ лаблению волны. При толщине, равной половине длины волны, на частоте, равной собственной частоте пьезоэлектрического элемента, возбуждаются достаточно сильные волны (рис. 3.12).

(а) Толщина > А

(Ь) Толщина =А

(с) Толщина = Я/2

3.7. Различные виды преобразователей

Пьезоэлектрический преобразователь обычно представляет со­ бой пьезоэлемент, помещенный в корпус. При возбуждении преобразующего элемента с его передней и задней поверхностей излучаются волны. Амплитуда второй волны от задней поверх­ ности, как правило, много меньше, чем амплитуда первой волны от передней поверхности. Для устранения внутренних отраже­ ний, которые возникают в процессе генерации ультразвуковой волны, необходимы определенные меры. К примеру, на одной из поверхностей можно использовать соответствующий материал, позволяющий минимизировать отражение волн на границе меж­ ду пьезоэлементом и этим материалом. Если акустический импе­ данс материала подложки точно такой же, как у пьезоэлемента, отражения на поверхности не будет. Это приведет к усилению волны, генерируемой передней поверхностью преобразователя. Следовательно, если нужно исследовать волны, проникающие в материалы, то такую подложку рекомендуется делать на передней поверхности.

3.7.1. Эквивалентная цепь

Схема эквивалентной цепи обычного пьезоэлектрического эле­ мента показана на рис. 3.13. Цепь по своему режиму работы по­ добна электрическому колебательному контуру LCR. В нее входит статическое емкостное сопротивление С, которое зависит от тол­ щины преобразователя, диэлектрической проницаемости, типа пьезоэлектрического материала и площади электрода.

1:2

(а) Электрическая цепь

(Ь) Пьезоэлектрический преобразователь

Рис. 3.13. Пьезоэлектрический преобразователь —эквивалентная цепь

Характеристическими параметрами последовательного резо­ нанса являются максимальная проводимость и минимальный им­ педанс. Частота резонанса рассчитывается по формуле:

(3.21)

Аналогично минимальная проводимость и максимальный им­ педанс — это характеристические параметры параллельного резо­ нанса, частота которого задается в виде:

(3.22)

Если преобразователь нагружен, импеданс на частоте f уменьшается, а на частоте^ увеличивается.

В различных областях применяются следующие виды пре­ образователей:

1)прямолучевой (прямой);

2)двухкристальный (раздельно-совмещенный);

3)с наклоном луча (наклонный);

4)с механической фокусировкой;

5)с электронной фокусировкой с использованием задержек (многоэлементный);

6)емкостного типа.

Рассмотрим устройство первых двух видов преобразователей более подробно, а остальных —вкратце.

3.7.2. Прямолучевой преобразователь

При проведении большинства исследований свойств материалов наиболее предпочтительными являются прямолучевые преобразо­ ватели, схематично представленные на рис. 3.14. Устройство ти­ пичного ультразвукового одноэлементного преобразователя при­ водится на рис. 3.15. Пьезоэлектрический элемент, помещается в переднюю часть. Сзади него находится материал подложки, а спе­ реди —износоустойчивая фронтальная пластина. Она предназна­ чена для того, чтобы не допускать прямого контакта кристалла с внешним материалом. Хотя непосредственный контакт преобразу­ ющего элемента с материалом был бы эффективен с акустической точки зрения, соприкосновение может причинять ущерб хрупкому пьезоэлементу. Поэтому назначение фронтальной пластины заклю­ чается в том, чтобы защищать элемент от износа и повреждений.

Материал подложки (демпфера), как правило, имеет высокую плотность. Этот поглощающий материал используется для конт­

3.7.4. Преобразователь с наклоном луча

Геометрия различных механических структур часто требует, что­ бы ультразвуковая волна проникала в тестируемый материал под углом, отличным от 90‘. Вподобных ситуацияхчасто используется преобразователь с наклоном луча (наклонный), который предна­ значен для того, чтобы направлять ультразвуковой луч в материал под нужным углом. Рис. 3.18 дает его схематичное представление.

> Преобразователь

Рис. 3.18. Преобразователь с наклоном луча - схематическое представление

Подобный преобразователь можно сконструировать, установив обычный прямолучевой преобразователь на клин из люцита таким образом, чтобы ультразвуковая энергия попадала на поверхность материала под заданным углом, а генерация волн происходила меж­ ду первым и вторым критическими углами. Так создают наклонные преобразователи волн сдвига (поперечных волн). В некоторых си­ туациях, например при исследовании сварных швов в изделиях из аустенитной нержавеющей стали, следует отдавать предпочтение наклонным преобразователям продольных волн. В таких случаях люцитовый клин устанавливается так, чтобыгенерировать продоль­ ные волны под нужным углом в тестируемом материале. Помимо этого, в корпус преобразователя помещаются соответствующие приспособления, которые позволяют задерживать продольную вол­ ну, чтобы избежать ненужной интерференции. Часто возникает не­ обходимость тестировать характеристики поверхностного слоя ма­ териалов. Для этой цели чаще всего используются преобразователи волн Рэлея. В данном типе преобразователей угол падения регули­ руется с помощью люцитового клина, что позволяет генерировать рэлеевские волны на поверхности материала. Для расчета углов па­ дения и преломления используется закон Снеллиуса.

Глава 3. Ультразвуковые преобразователи

Фокальная

Элементы точка массива

Рис. 3.22. Фокусировка методом электронных задержек

Рис. 3.23. Многоэлементный преобразователь — сфокусированный многоэлементный преобразователь

- >

...-.Lez;^ ч - >

Л

Мембрана Тяжелый электрод

у

1

1 II

7 оыводищииDiiDAnai 1 IM M принидП П О О Л П

\П П П к П А П К Я

^wJiaui р1пПнп iipuiuici^Ru

^Корпус

Рис. 3.24. Преобразователь емкостного типа

Соседние файлы в папке книги