Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Электронные усилители

..pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
20.11.2023
Размер:
10.23 Mб
Скачать

Ток определяется следующим образом: / K=S„U„ С увеличени­ ем частоты сигнала сопротивление емкости С к уменьшается а напряжение U„ падает. В результате этого ток /„ уменьшается. Следовательно, коэффициент усиления транзистора по току с по­ вышением частоты уменьшается.

--------- 1— 1—

 

--------- о

 

1

К

%>/*

 

 

 

 

 

р пип

 

 

3

 

 

 

 

д

 

........- о

 

 

Ч.

Рис.

3.14

 

Если на выходе транзистора включено сопротивление нагруз­

ки, то эквивалентная схема входной цепи принимает вид, показан­

ный на рис. 3.14,б. Здесь С9|(В = Сб9 + С К(1-\-Ки), где Ки

—коэф­

фициент усиления транзистора по напряжению.

На этой

схеме

(рис. 3.14, в) видно, что с увеличением частоты

сигнала

входное

сопротивление транзистора уменьшается из-за уменьшения сопро­ тивления емкости С 9КВ. Входное сопротивление у маломощных транзисторов на низких частотах при включении по схеме с общи»

эмиттером бывает порядка 300

3000 Ом, а у

мощных — по­

рядка 10 Ом.

выходной цепи транзистора состоит

из

Эквивалентная схема

генератора тока 5 П U„ и параллельно

соединенных R Bых

и С,и>

(рис. 3.15, а). Обычно сопротивление между точками Б'Э

на

схе­

ме, приведенной на рис. 3.13, меньше

сопротивления емкости

Ск.

Поэтому сопротивление

между

точками КЭ со стороны

выхода

транзистора определяется сопротивлением

емкости Ск, т. е.

С внх == С к .

Точки Б'Э на схеме (рис. 3.13) можно считать короткозамкну­ тыми. При этом, поскольку сопротивление г бк’ значительно боль­

ше сопротивления г К9, можно считать R BU%= г к9. Таким образом получим схему, приведенную на рис. 3.15, б. На этой схеме видно, что выходное сопротивление транзистора с повышением частоты

сигнала уменьшается из-за уменьшения сопротивления емкости

^вы* •

Умаломощных транзисторов выходное сопротивление обычно

составляет несколько десятков килоом.

- о

' К

^Вых

Э

Рис. ЗЛ5

Эквивалентные схемы транзистора при включении его по схе­ ме с общей базой и с общим коллектором можно составить, поль­ зуясь тем же методом.

Электрические параметры усилительного элемента при вклю­ чении его по разным эквивалентным схемам различные. Их значе­ ния зависят также от значений электрических параметров усили­ теля в рабочем режиме.

Эквивалентная схема полевого транзистора с общим истоком показана на рис. 3.16. Она близка эквивалентной схеме биполярно­ го транзистора с общим эмиттером. Здесь приняты следующие обо­ значения: и — исток; с — сток; з — затвор; С 3„ — емкость меж­ ду затвором и истоком; С си — емкость между стоком и истоком; € зс — емкость между затвором и стоком.

Эквивалентный генератор SUBX отражает усилительные свойст­ ва транзистора. Здесь S — крутизна переходной характеристики транзистора.

Поскольку при включении транзистора по схеме с общим эмиттирующим электродом входное сопротивление Я а* очень большое,

его можно не учитывать. СвХ.д — входная динамическая емкость,

учитывающая реакцию выходной цепи

через проходную емкость.

Для полевого транзистора Свдх = С 3„

+ С зс (1+/Ct/), где Ки

коэффициент усиления каскада по напряжению.

Выходное сопротивление R Bi\ на рис. 3.16 определяется внут­

ренним

сопротивлением усилительного элемента:

 

Вы­

ходная

емкость С„,,х для полевого транзистора

определяется

как

Свз,х

С си.

элемента значе­

При других схемах включения усилительного

ния сопротивления # вх и /?В31Х, а также емкостей Свх

и CBlJX дру­

гие.

 

 

 

 

Параметры усилительных элементов. Для анализа

свойств

и

расчета основных показателей усилительных каскадов необходимо знать параметры усилительных элементов.

Физические параметры транзистора позволяют наглядно пред­ ставить физические свойства и процессы в транзисторе. Но их нель­ зя измерить непосредственно или определить по характеристикам. Поэтому в качестве измеряемых параметров транзистора выбраны те, которые характеризуют транзистор как четырехполюсник.

Для расчета усилительного каскада необходимо иметь два ос­ новных семейства статических характеристик транзистора: выход­ ных и входных. Эти характеристики нелинейны. Однако, если ам­ плитуды усиливаемых сигналов'небольшие, то можно считать, что работа усилительного каскада происходит на линейном участке характеристики. В этом случае четырехполюсник, замещающий транзистор, можно считать линейным. Это значит, что для малых сигналов параметры, характеризующие транзистор как четырех­ полюсник, связаны линейной зависимостью не только между со­ бой, но н с физическими параметрами. Такие параметры называют малосигнальными.

Наиболее удобной является система Л-параметров. Схема заме­ щения транзистора системой Л-параметров приведена на рис. 3.12, в. В системе Л-параметров зависимость между токами и на­ пряжением описывается уравнениями:

ДUl= ЛиД ^+Л ^ AU.,;

Физический смысл ft-параметров следующий:

h= £j-1 при

U2 —0 — входное

сопротивление при ко­

 

ротком замыкании выходной це­

 

пи;

 

 

Л12= ^ - п р и

/1 = 0 — коэффициент

внутренней об­

 

ратной

связи

по напряжению

 

при разомкнутых входных зажи­

 

мах;

 

 

Л21 = р - при [/ = 0 — коэффициент усиления тока при

коротком

замыкании выходных

зажимов;

 

 

h.l 2 = гиг2 при /| = 0 — выходная

проводимость

тран-

зистора при разомкнутых

вход­

ных зажимах.

Отсюда видно, что /t-параметры можно определить эксперимен­ тально: входное сопротивление и коэффициент усиления тока — при коротком замыкании выходных зажимов; а коэффициент об­ ратной связи и выходную проводимость — при разомкнутых вход­

ных зажимах.

Удобство использования /t-параметров состоит в том, что такие режимы легко создать при измерениях. В реальных схемах усили­ телей сопротивление нагрузки практически значительно меньше выходного сопротивления транзистора. Поэтому действительный режим выходной цепи близок к короткому замыканию.

Ко входной цепи транзистора подключается источник сигнала» внутреннее сопротивление которого значительно больше входного сопротивления транзистора, т. е. входная цепь реально нагружена очень большим сопротивлением, что близко к разрыву цепи.

Таким образом, значения /t-параметров, измеренные при разом­ кнутом входе и коротком замыкании выхода транзистора, близка к реальным.

Для разных схем включения /t-параметры имеют разные зна­ чения. Поэтому в обозначениях /t-параметров к индексам добавля­

ют буквы «б», «к», «э», например; для схемы с общей

базой —

'»Для схемы с общим коллектором — Л21к; для схемы с

общим,

эмиттером — Л11э Так как значения параметров в различных схе­

мах включения транзистора между собой связаны, то по /t-napa-

метрам одной схемы можно определить /t-параметры другой.

3.6. РАБОТА ТРАНЗИСТОРА В УСИЛИТЕЛЬНОМ КАСКАДЕ

 

Усилительный каскад состоит из усилительного элемента, вход­ ной цепи, выходной цепи и источника питания. В многокаскадных усилителях отдельные каскады связаны между собой цепями свя­ зи, соединяющими выход предыдущего каскада со входом после­

дующего. Поэтому усилительный каскад

можно представить

в ви­

 

2

де

активного четырехполюс­

 

ника с

двумя входными и

Активный

-о-

четырехпо­

2

двумя выходными

клемма­

люсник

-о-

ми,

как

показано

на

рис.

 

 

Рис. 3.17

 

3.17.

 

 

 

Но усилительный элемент имеет три электрода: эмиттирующий,. управляющий и управляемый. Поэтому один из электродов дол­ жен быть общим для входной и выходной цепей.

В зависимости от того, какой из электродов является общим, различают три схемы включения усилительного элемента по пере­ менному току:

собщим эмиттирующим электродом (рис. 3.18, а) ;

собщим управляющим электродом (рис. 3.18, б) ;

собщим управляемым электродом (рис. 3.18, в)

У биполярного транзистора эмиттирующим электродом являет­ ся эмиттер, у полевого транзистора — исток, у электронной лам­ пы — катод. Управляющим электродом у биполярного транзисто­ ра служит база, у полевого транзистора — затвор, у электронной лампы — сетка. Управляемый электрод у биполярного транзисто­ ра — коллектор, у полевого транзистора — сток, у лампы — анод.

Физические процессы в усилительном каскаде на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером. Схема усилительного каскада на транзисторе с общим эмиттером приведена на рис. 3.9. Во входной цепи каскада включен источник напряжения смещения Е 6 и источник входного сигнала U вх, в выходной — резистор на­ грузки и источник питания Е к.

Рассмотрение физических процессов удобно сопровождать гра­ фическими изображениями их, пользуясь характеристиками усили­ тельных элементов.

Исходный режим. В исходном режиме в цепи база—эмиттер, т. е. во входной цепи, включено только напряжение смещения Е б, которое определяет положение исходной рабочей точки А на ха­

рактеристике транзистора tK= /( « сэ ), как

показано на рис. 3.11.

При этом в цепи базы протекает только

постоянный ток / б0 по

цепи; + £ б . переход эмиттер — база, источник входного сигнала,

- Е б

В выходной цепи в исходном режиме протекает только постоян­

ный ток

коллектора / к„ по

цепи: + £ к , переход эмиттер — кол­

лектор,

£„ , — £ к Протекая через сопротивление нагруз­

ки R H,

ток коллектора I К1)

создает на нем падение напряжения

Д£ к I ко £ н

Ввыходной цени напряжение источника питания распределяет­ ся между транзистором и нагрузкой: £ h= A £ K-f-£/Ky

Графическое изображение напряжений и токов в исходном ре­ жиме приведено на рис. 3.11.

Режим усиления. Сигнал, который надо усиливать, подается на вход усилительного каскада, в частности в схеме с общим эмитте­ ром, — в цепь база^-эмиттер последовательно с напряжением

смещения (рис. 3.9).

Для простоты анализа входной сигнал будем считать синусои­ дальным, т. е. и DX=w г, — £/б3>п о)/.

Тогда результирующее напряжение, действующее во входной цепи

и= Е 6 -\-и6 = Е 6 + U6sin (of.

Ф;

^ ) e ucm

в

Под действием этого напряжения в цепи базы будет протекать пульсирующий ток:

*6=^eo+^6Sin (at.

Переменная составляющая входного тока протекает по цепи: от источника сигнала через переход база—эмиттер, общий провод, + Е 6, через источник смещения, — Ей и к источнику сигнала.

Изменение тока в цепи база—эмиттер вызывает соответствующее изменение тока коллектора, т. е. в цепи коллектора кроме по­ стоянной составляющей / ко появляется и переменная составляю­ щая i~ = /,csin (at.

Уравнение коллекторного тока принимает вид: i.<=/,;o+4sin (at.

Переменная составляющая коллекторного тока появилась вследствие усилительных свойств транзистора. Поэтому источни­ ком переменной составляющей коллекторного тока считают тран­ зистор (часть его между выходным и общим электродами).

Во время положительного полупериода входного сигнала по­ тенциал базы повышается и прямое напряжение на эмиттерном переходе увеличивается, вызывая увеличение тока в цепи базы, эмиттера, а следовательно, и в цепи коллектора.

Падение напряжения на нагрузке ик = i K/?„ будет также уве­ личиваться, а напряжение на коллекторе — уменьшаться:

ек = Е К—и.,: =£.• —/Ksin со^.

Во время отрицательного полупериода входного сигнала потен­ циал базы понижается, токи базы, эмиттера и коллектора умень­ шаются. Падение напряжения на нагрузке уменьшается, а напря­ жение на коллекторе повышается.

Сравнение графиков напряжений сигнала на входе и Вх и на вы­ ходе wB:,IX (рис. 3.11), показывает, что в процессе усиления в схе­ ме усилителя с общим эмиттером фаза сигнала на выходе повора­ чивается на 1800

Особенности усилительного каскада с общим эмиттером следу­ ющие.

1. Каскад с общим эмиттером усиливает напряжение, ток и мощность сигнала. Коэффициент усиления по напряжению Ки мо­ жно получить составляющим от нескольких единиц до нескольких десятков.

2.Коэффициент усиления по току К/ в схеме с общим эмитте­ ром может составлять несколько сотен.

3.Коэффициент усиления по мощности Кр = К и Ki в схеме с общим эмиттером можно получить равным порядка тысяч.

4.Входное сопротивление каскада с общим эмиттером на ма­

ломощных транзисторах бывает порядка 300

3000 Ом, а на

мощных — порядка 100 Ом.

 

5.Выходное сопротивление каскада с общим эмиттером сос­ тавляет несколько десятков килоом.

6.С повышением частоты усиление в схеме с общим эмиттером значительно снижается.

Расчет эмиттерной стабилизации каскада предварительного усиления на транзисторе, включенном с общим эмиттером

В каскаде применен транзистор КТ301.

напряжение

источника коллек­

И с х о д н ы е

д а н н ые : /i2i3 = 20 ... 40;

торного

питания

£ к=20

В; минимально необходимый для

работы каскада ток

/кс = 3

мА; минимальная

температура эксплуатации транзистора * = 40 °С.

П о р я д о к р а с ч е т а

смещения база—эмиттер, обеспе­

1. Определяем максимальное напряжение

чивающее ток покоя

(/ко = 3 мА), по входной статической характеристике, при­

веденной на рис. 3.2. Сначала находим /б о ^ к о /^ э .с р ^ /. у /20-40

= 0 ,1

мА .

По

характеристике (рис.

3.2)

для /во= 0,1

мА значение

Ueo составляет

0,15 В.

По этим значениям

определяем максимальное напряжение смещения:

 

 

Леошах«=^60+0,022(20—Гю!п) =0,15+0,0022(20+40) =0,28 В.

 

 

 

2. Определяем сопротивление резистора R* по допустимому на нем падению

напряжения:

 

 

 

 

 

 

 

 

£э = С/э//эо^^э/ / к0= (0 ,1

...0 ,3 ) £ //к0 =

0,2.20/3.10-3=1330 Ом.

 

 

ние

3. Определяем значение

сопротивления

делителя R 2= (£/э+£/бо)//д-

Значе­

тока делителя

принимаем / д=

(3 ... 10) /бо =

8-0,1 = 0 ,8

мА.

Тогда

0,2.18-1-0,15

т_з— =4690 Ом. Выбираем £ 2 = 4700 Ом. 0,8- Ю

4. Вычисляем значение R u обеспечивающее при минимальной рабочей темпе-

ратуре заданный ток покоя:

Q __

^a[^?l9tnin(^K Fornax) ~ ( 1— ^21эт т)^э^ко]______ „/-v..

 

1

( 1 b^2i3min) ( ^ э + ^ г К к о —^21эгшп(^2^ко

^ботах)

 

Расчет нестабильности положения точки покоя каскада с общим эмиттером-

У каскада с общим эмиттером, схема которого

приведена на

рис. 3.6, б„

создается местная гальваническая обратная связь

по медленным

колебаниям

изменения температуры окружающей среды Д/с, последовательная по току, глу­

бина которой определяется по формуле F=* 1+Л2|э/?э/(/?э+/?б+Лпэ)-

 

В этой схеме нестабильность коллекторного тока

A IKF= A I K/ F = h 2i9[^Uo-\-

+ЯбА/о]/(Дб+Л„э)-/\

 

где

Д£/о = 2,2*10 -3Д/С+0,03

В,

 

Д/0«ДЛ

2i,(0,6+

+ Д /с/500)/ко//^Э’ A/l2i3 =

/l2 l max—/l2lmin.

 

 

 

 

 

 

 

ПРИМЕР. Рассчитать

нестабильность

коллекторного тока

Д /к для

каскада

рис. (3.6, б) при следующих

данных:

Д/0 =

2,45*10—5

А;

Д/с=50°С ; htl9=

= 1,4

КОМ’, /?э= 0 кОМ; Re==8 к0м:

Л21э==70;

^2lmln==40|

/t2lmax== 120j Iк■—1

= 3 -10“ 3 A.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

П о р я д о к р а с ч е т а

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1. Определяем Дй2 1 = / i 2 imax—/i2imin= 120—40= 80 .

 

 

 

 

2.

Вычисляем Д/0 = ДЛ21(0,4+Д/с/

5

0

0

) 80(0,4+50/500)-3-10—3/702=

= 2,45-10—5 А.

М к = h2\sRc^fо/ (RO+IIWB) =70-7,4-2,45-10—5/ (7,4+1,4) =

3.

Определяем

= 14,4-10—5 А.

 

 

 

 

 

 

 

 

50 °С вызовет изме­

Значит, изменение температуры окружающей среды на

нение коллекторного тока Д /к на 14,4-10—5 А.

 

 

 

 

 

каскада

ПРИМЕР. Рассчитать

нестабильность

коллекторного тока Д /к для

(рис.

3.6) при следующих

данных: Д /0 = 2,4-10—5 А; Д^с=

30°С; Лцэ=1,4 кОм;

/?э=1

кОм; Re = 8 кОм; /i3I3= 70 .

 

 

 

 

 

 

 

 

П о р я д о к р а с ч е т а

 

 

В =

2,2-10~3-30+0,03^0,1 В.

 

1.

Определяем Д

=2,2-10 - 3-Д/с+0,03

 

2.Находим Д/к^=/121э[А^/о+(/?о+/?э)А/о]/[/?б+Л11э+(1+Л21э)/?э] =70[0,1 +

+(8+1) • 103-2,4*10—5] /[(8 + 1 ,4 + (1 +70)-1-103] = З Ы 0 - 6 А.

Значит, при изменении температуры

окружающей среды

на 30 °С ток кол­

лектора изменится на З Ы 0 -5 А.

 

 

 

 

 

 

Построение нагрузочных характеристик

 

 

Для каскада с общим эмиттером уравнение нагрузочной прямой постоянно­

го тока

следующее: икъ = Е кR KiK.

Эта

прямая отсекает

отрезки

на осях вы­

ходной

характеристики /*к= / ( { / кэ),

равные iK= E K/RK и

ик =

£ к.

Здесь RK —

сопротивление нагрузки для постоянного тока.

Для переменного тока нагрузочная прямая линия проходит через точку по­

коя А и отсекает на координатных

осях

отрезки: икэтих= £ ) к э .а + / к а Я н =

£ /Кэ о +

+^ко/?н, * к т а х = U K^.A / R H>

нагрузки

для

переменного

тока

 

определяется по

Здесь

сопротивление

R„

формуле

Я „=(/?2Як)/(/?2 +Як).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ПРИМЕР. Построить

нагрузочные

прямые для

постоянного

и

переменного

токов для

усилительного

каскада,

схема

которого

приведена на

рис. 3.9,

при

следующих данных: Е к = 9 В; RK= 2 кОм; R 2— 3 кОм;

ток

покоя

/ ко = 3 мА;

/бо = 175 мкА.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

П о р я д о к р а с ч е т а

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Нагрузочная прямая для постоянного тока пересекает ось ординат в точке

«1сэ=0 и 1К= £,К/ # К= 6 /Ы 0 3 = 6 мА; а ось абсцисс — в точке

икэ= £ к= 6

В.

Через эти две точки проводим прямую

линию, которая

является

нагрузочной

прямой по постоянному току. При токе

базы / б0= 1 7 5 мкА

координаты

точки:

покоя А: /ко —3 мА; Мкэо = 3 В.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Определяем

сопротивление

нагрузки для

переменного

тока: /?в =

X= R KR 2/(^K+ R 2 ) =

14 /(1 + 4 ) = 0 ,8

кОм.

 

 

Точки Пересечения нагрузочной прямой переменного тока:

6.8 мА;

с

осью ординат ик = 0;

/ктах==£/кэо/^н4_/ко==3/0,8* 103-|-3*10—3 =

С

ОСЬЮабсцисс И Кэ т а х =

^ к э О + Я н / к О = 3+0,8*103*3*10-3 = 5,4 В.

 

Контрольные вопросы

1.Начертите последовательную схему питания входной цепи усилительного элемента и поясните процессы, происходящие в ней.

2.Начертите параллельную схему питания входной цепи усилительного эле­ мента и поясните назначение элементов схемы.

3.Поясните назначение напряжения смещения.

4.Назовите режимы работы усилительных элементов и поясните особеннос­

ти их.

5.Начертите график, поясняющий работу усилительного элемента в режиме класса А .

6.Постройте динамическую характеристику усилительного каскада.

7.Начертите схемы включения транзистора по переменному току.

8.Начертите комбинированную схему стабилизации положения рабочей точки и поясните особенности ее.

9. Начертите эквивалентную схему биполярного транзистора, включенного ло схеме с общим эмиттером.

10. Начертите нагрузочную прямую усилительного каскада.

ГЛАВА 4

КАСКАДЫ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО УСИЛЕНИЯ

ИУСИЛЕНИЯ МОЩНОСТИ

4.1.КАСКАДЫ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО УСИЛЕНИЯ

Особенности работы и методика анализа. Каскад предваритель­ ного усиления предназначен для усиления напряжения или тока ис­ точника сигнала. В результате такого усиления значение напряже­ ния или тока источника сигнала получается достаточным для нор­ мальной работы оконечного каскада.

Основные требования к каскадам предварительного усиления: максимальный коэффициент усиления; минимальные частотные, фазовые и переходные искажения.

Основные условия работы каскадов предварительного усиления определяются тем, что амплитуды входных сигналов малы. Поэто­ му каскад предварительного усиления работает в пределах линей­ ного участка входной характеристики усилительного элемента, как показано на рис. 4.1.

Из этих условий вытекают следующие особенности работы ка­ скадов предварительного усиления:

1. Коэффициенты усиления напряжения и тока каскадов пред­ варительного усиления можно определить аналитически (а не гра­

фически), используя малосигнальные параметры усилительных эле­ ментов, поскольку эти параметры не зависят от значений прило­ женных напряжений и токов,

2. Нелинейные искажения в каскаде предварительного усиле­ ния настолько незначительны, что их можно не учитывать.

3. Ток покоя / о в каскадах предварительного усиления обычно превышает амплитуду усилен­ ного сигнала. Это значит, что КПД каскада оказывается низким. Но поскольку потреб­ ляемая мощность питания этих каскадов небольшая, то потери энергии в них незначительны. Поэтому КПД каскадов пред­ варительного усиления ие оп­ ределяют.

4. Собственный шум тран­ зистора первого каскада уси­ лителя должен быть минималь­ ным.

Анализ каскадов предварительного усиления можно проводить, используя физические эквивалентные схемы усилительных элемен­ тов. Достоинством такой эквивалентной схемы является то, что она наглядно отражает физические свойства усилительного элемента, позволяет проанализировать характеристики и параметры усили­ тельного каскада (частотную характеристику, входное и выходное сопротивление, усиление тока и напряжения). Недостатки метода: для каждого вида усилительного элемента приходится заново со­ ставлять эквивалентную схему усилительного каскада, затруднен расчет сложных схем и др.

Рассчитать усилительные каскады, работающие в линейном ре­ жиме, можно, пользуясь h- или «/-параметрами усилительных эле­ ментов.

Схемы каскадов предварительного усиления выполняются как на дискретных элементах, так и на интегральных микросхемах. Транзистор в них чаще включается по схеме с общим эмиттером, так как при этом достигаются наибольшее усиление и большое входное сопротивление, позволяющие соединять каскады без согла­ сующих трансформаторов.

Каскады предварительного усиления должны иметь малые габа­ ритные размеры и массу, простую схему, обеспечивать равномер­ ное усиление в широком диапазоне частот при минимальных иска­ жениях. Таким требованиям удовлетворяет резисторный каскад.

Резисторный каскад. Схема. Принцип действия. Основными эле­ ментами усилительного каскада являются усилительный элемент, источник питания и нагрузка.

Усилительный каскад, в выходную цепь которого в качестве нагрузки включен резистор, называется резисторным каскадом.

со