книги / Материаловедение узкощелевых и слоистых полупроводников

ИБ Ж

Ï0 Ï8 5

Сдано

в

н абор

1 6 . 1 2 . 8 8 . Подп.

в п еч . 0 7 .0 4

.8

9 .

БФ

00032 . Формат

6 0 x 8 4 /1 6 .

Бум .

оф с.

№ 1 . Офо.

п еч .

У ол.

п еч .

л .

8 ,8 3 . У ел. к р , -

о т т .

В .9 5 .

У ч .- и э д .

л . 8 ,5 7 .

Тираж

500

э к з .

З а к а з у - з З З '.

Цена

1 р .

7 0

к .

О ри ги н ал -м акет

п о д го то в л ен в

и зд а т е л ь с т в е

"П аукова

д у м к а " .25 2 6 0 Î

Киев

4 ,

у л .Р е п и н а ,

3 .

.

к н и ги .

i.

Киев. 4 ,

у л . Р е ­

К и ев ск ая

книжная типограф ия научной

252004

пина,

4 .

М атехиаловедение

узкощелевых и

слоистых полупроводников: С б .н а у ч .

т р . - К иев: Наук.

думка, 1 9 8 9 .

- С, 3 - 5 .

Рассм атриваю тся современные проблемы полупроводникового

ма­

тери аловеден и я: поверхностные

явл ен и я, л еги р о ван и е, фазовые

п е р е ­

ходы в системе

примесей, неупорядоченности и д р . Сформулированы

первоочередные

зад ач и успеш ного р а зв и т и я полупроводникового

м ате ­

слоистых полупроводников: Сб.. н ау ч .

т р .

-

К иев:

Н ау к .д у м ка,1 9 8 9 . -

С . 6 - 9 .

И сследуется

взаим одействие

д ву х

подсистем

д еф ектов полуп рово ­

дника в

окрестн ости

температуры

см ягчения

кр и стал л и ческо й

матрицы

/ л .

в сл у ч а е ,

к о гд а

fy.o

зави си т от концентрации

н о си тел ей

проводимости. Обнаружена особенность в

решении

у р авн ен и я

со сто ян и я,

определяющем расп ределен и е

электри ч ески

активны х д еф ектов

по

н еэк ­

вивалентным состояниям . Эта особенность

с в я з а н а

о си н гулярн остью

теплоем кооти, ко то р ая может во зн и к ать в

п р и сутстви и нецентральны х

д еф ектов . В зависим ости

от

соотношения характерны х врем ен

эк сп ер и ­

м ента и

вр ем ен ' релаксационны х процессов в

п одси стем ах

д еф екто в

возможно наблюдение

ск ач к а

концентрации

н о си тел ей либо

аном алии

теплоем кости .. Б и б ли о гр .:

8

н а з в .

УДК

6 2 1 .3 1 5 .5 9 2

Механизм у п ругого

взаи м одей стви я

свободных

эл ек тр о н о в

о д еф ектам ^

в полупроводниках

/

Д угаев

В .К . / / М атериаловедение

узкощ елевы х и

рлоистнх полупроводников: С б.

н ау ч .

т р .

-

К иев:

Н ау к .д у м к а, 1 9 8 9 .-

С . 9 - 1 1 .

Р ассм отрено

взаим одействие

свободных

эл ек тр о н о в

в

п олупровод ­

никах с

дефектами

-

центрам и

д и латац и и

кр и стал л и ч еско й

р еш етк и . В

приближении эффективной

массы

д л я электрон ов п олучен

гам и л ьто н и ан

взаи м одей стви я . При ш лы х концентрациях

д еф екто в и в

сл у ч ае

сл аб о ­

г о взаим одействия

вы числена

поп равка

к

электрон н ом у

с п е к т р у .

Биб­

л и о г р .: 6 н а з в .

Э н ергети чески й

сп ектр

н о си тел ей

слоисты х кр и стал л о в в

м агнитном

поле /

В о вки вская

Г .В .

/ /

М атериаловедение

узкощ елевых

и

слоисты х

полупроводников:

С б .н а у ч .т р . -

К иев:

Н аук .дум ка, 4 9 8 9 .

-

С . 4 1 - 4 4 .

ный

М етодом эф ф ективного

гам и льтон и ан а р ассч и ты в ается

электрон ­

сп ек тр

слоисты х

к р и стал л о в

в

магнитном

п о л е,

направленном

вдоль

о л о е в . У чет

отклон ен и я

от

непараболичности

п р овод и тся

при

помощи

тео р и и

возм ущ ения. П олучено, ч т о

в первом

порядке

теории

возмуще­

ния

эн е р гети ч е с к и й

оп ектр

н о си тел ей

сл о и сто го кр и стал л а в

м агн и т -'

ном

поле п р е д с т а в л я е т

собой не эквидистантны е

уровн и , положение

и

р а с ст о я н и е

между

ними

за в и с и т

от

отношения

постоянной

реш етки

вд о л ь

С -о си

к

м агнитной д л и н е .

Б и б л и о гр .:

2

н а э в .

УДК

5 3 8 .9 5 3

Н и зкотем п ературн ая

эл ек тр о н н ая

теп лоем кость

сло и сто го

к р и стал л а /

Л укиянец Б .А .

/ /

М атериаловедение узкощ елевых и слоистых

полупро­

во д н и ко в:

С б.

н а у ч .т р .

-

К иев:

Н аук .дум ка,

4 9 8 9 .

- С . 1 4 -4 7 .

И ооледована

н и зко тем п ер ату р н ая

теп лоем кость

носи телей в вы­

рожденном

слои стом

к р и с т а л л е ,

описываемом

давы довски расщепленны­

ми

зонам и

с

р е зк о й

ан и зо тр о п и ей . П о к азан о ,

ч то с

точностью д о

вы­

сших п орядков

м алости

по

тем пературе

иском ая

теп лоем кость

линейна

п о тем п ер ату р е

о различны м поведением

коэффициента пропорциональ­

н о с ти

в зави си м о сти

от

зап олн ен и я з о н .

У казан о н а

т о ,

ч то

рассм от­

р е н н а я

м одель

может

быть

п ри влеч ен а

к

аналогичной

за д ач е

в и н те р -

калированном олоистом

к р и с т а л л е .

Б и б л и о гр .:

2 н а э в .

У Ж 5 3 8 .9 5 5

функции Грина

в модели

И зинга

/

Горбатю к В .И . / /

М атериаловедение

узкощ елевы х

и

слоисты х

полупроводников

С б.

н а у ч . т р . -

Киев

:

Н ау к .д у м к а, 4 9 8 9 . - С . 4 7 - 2 0 .

Методом двухврем енны х запаздывающих функций Грина р ассм атр и ­

в а е т с я . м одель

И зинга произвольной р а зм е р н о с ти . С тати сти ч еск ая

сум ­

м а

модели

вы раж ается ч е р е з некоторы е

суммы

матричных элем ентов

ма­

трицы

смеж ности реш етки . Б и б л и о г р .:

3

н а э в .

пел ь н и ц кая Т .Д . / /

М атериаловедение узкощ елевых

и

слоисты х полупро­

во д н и ко в:

С б .н а у ч .

т р .

- К иев:

Н ау к .д у м ка, 4 9 8 9 .

-

С . 2 0 -2 2 .

П о стр о ен а п о л н ая

функция

Грина д л я

атомных

и

молекулярных со ­

сто ян и й ,

найдены у сл о в и я стац и он арн ости

валентны х

эл ек тр о н о в .

Неоднородный спиновдальный р асп ад в сегвето эл ектр и ч еско м

твердом

р аство р е / Литвинов В .И ,

/ /

М атериаловедение

уэкоще левы х

и

сло и с ­

тых полупроводников

Об. ш у ч . т р . - Киев:

Н аук .д ум ка, 4 9 8 9 . -

С . 2 2 -2 5 .

И сследовано влияние

флуктуаций поляризации

н а п р оц есс

сп и н о -

идального р ао п ад а сегн ето эл ек тр и ч еск о го тв ер д о го

р а с т в о р а .

Б и б ли -

о г р .: 5 н а э в .

УДК 539 Л 8

Деформация реш етки кремния,

обусловленная примесью индия

/

Лы -

оак А ..В ., Данилевич-Товстю к

К .К . / / М атериаловедение узкощ елевы х

и слоиотых полупроводников:

Сб. н ау ч . т р . -

Киев: Н ау к .д у м к а,

4 9 8 9 . - С . 2 5 -2 7 .

Оценена деформация

одномерной реш етки кремния примесью

индия

в приближении ближайших

со сед ей . О пределен локальный прим есной

дящей

жидкооти /

Горлей В .В . / /

М атериаловедение узкощ елевы х и

сл о ­

истых

полупроводников: Сб. н ау ч .

т р . - К иев:

Н аук .д ум ка, 4 9 8 9 .

-

С .'2 7 -3 1 .

И сследовано

влияние м агнитного поля

н а

форму возмущ ений

кон­

векти вн о го движения проводящей жидкооти

(р а о п л а в а ), вы зван н о го

точниками т е п л а . И л .2 .

Б и б л и о гр .:

5

н а з в .

УДК 6 2 4 .3 1 5 .5 9 2

Слабое эл ек тр о н -ко л еб ател ьн о е взаим одействие н а

псевдовы рож деиднт

электронных

терм ах

/ С .В .М ельничук,

И.Н.Юрийчук

/ / М атериаловеде­

ние

узкощ злевых и

слоистых полупроводников: Сб. н а у ч . т р . -

К иев:

Н аук .дум ка,

4 9 8 9 .

- С . 31-333.

И зучается влияние

эл ек тр о н -к о л еб а те л ьн о го

в заи м о д ей стви я

н а

разделенны е

небольшой

эн ер гети ч еско й

щелью

примесные у р о вн и

в

п о ­

лупроводниках. Для рассм атри ваем ого

сл у чая слабой вибронной

с в я з и

и сп о л ьзу ется операторный

вар и ан т

теори и возмущ ений. Во вто р о м

п о -

Ж

теори и возмущений

получены

ооновное

и первые возбуж денны е

иные уровни е н о т е ш . Р езу л ьтаты

р а с ч е т о в и сп ользую тся

д л я

объяснения

эксперим ента

по изучению внутри ц ен тровн х п ер ех о д о в

в

Л/S : / / / .

„ 11л.4 .

Б и б л и о гр .: 3 н а е в .

0

Форма линии ЯМР в п олупроводниках

2

8

,

легированны х

магнитными

А

3

примесями /

Товстю к

Н .К .

/ / М атериаловедение

узкощ елевых

и

слоис­

тых

полупроводников:

Сб.

н а у ч .

т р .

-

К иев:

Н ау к .д у м к а,--1989.

-

С. 3 3 - 3 6 .

тных

И зучена

форма

линии ЯМР при равномерном р асп ред елен и и

магни­

прим есей

и о б р азо ван и и к л а с те р о в .Р а с с м о т р ен случай

в о з р а с т а ­

ния

магнитных

ц ен тров в

к л а с т е р е

при

а ) с = с ш ? ж

б)

с ростом

с

И л .2 . Б и б л и о г р .: 4 н а з в .

У да 5 3 5 .3 7 2 .2

Отражение с в е т а

от

п о вер х н о сти

прим есного

полупроводникового

крис­

т а л л а /

Микитюк 0 .1 0 ., Ницович

В .В .

/ /

М атериаловедение

узкощ елевых

и слоисты х

полупроводников: С б.

н а у ч .

т р .

-

К иев:

Н аук,

дум ка,

1 9 8 9 . - С. 3 6 -3 9 .

Т ео р ети ч еск и

исследованы

спектры

отраж ения

с в е т а

от

поверхно­

с т и прим есного

полупроводника

в

зави си м о сти

от

величины

эффектив­

н о го

з а р я д а

прим есного ц е н тр а

д л я п арам етров

к р и стал л а,

близких к

C rtS

. У чтено влияние

р асп р ед ел ен и я

прим есей

по

зар яд ам

в

пло­

с к о с т и п овер х н о сти

н а спектры

отраж ения.

И л .2 .

Б и б л и о гр .:

4

н а з в .

УДК

6 2 1 .3 1 5 .5 9 2

О собенности

во зн и кн о вен и я Ф отоэдс в

ге те р о с тр у к т у р е 7foÛs -ffai

Й тонким

д и электр и ко м /

драп ай

С . и ..

К атеринчук

В .Н ..К овалю к

з . д . / /

атер и ал о вед ен и е узкощ елевы х

и слоисты х

полупроводников:

Сб.

н а у ч . т р . -

К иев:

Н ау к .д у м ка,

1 9 8 9 .

-

С .

3 9 - 4 2 .

П о к азан о ,

ч то

в 'а н и э о т и п н о й

структуре

^

^

6 а Se

о тонким

слоем

оки сла (2 0 -6 0

А)

р е а л и з у е т с я

си ту ац и я,

к о гд а

напря­

жение х о л о с то го

х о д а зн ач и тел ьн о

больше величины диффузионного по­

те н ц и а л а , оп ределен н ого

из вольтфарадны х

х а р а к т е р и с т и к . Предложена

м о дел ь,

объясняющая

полученный

р е з у л ь т а т .

И л.2 .

Б и б л и о гр .:

9

н а з в .

У да 6 2 1 .3 1 5 .5 9 2

Э лектроф изические

с в о й с тв а сел ен и д а

индия

/

Минтянский

И .В .,

Са­

вицкий П .И . / /

М атериаловедение

узкощ елевы х

и слоисты х

полупровод­

ников

С б .н а у ч . т р .

- К иев:

Н ау к .д у м ка,

1 9 8 9 .

- С .

4 2 -4 6 .

Приведены

р е зу л ь та ты и сследован и й

эл ек тр и ч ески х сво й ств

моно­

с ел е нида

ицдия,

отожженного в

вак у у м е,

а

такж е

и н теркали рован н ого

атомами

т е л л у р а , ионами

л и ти я

и

молекулами

ан тр а ц е н а . У становлено

преобладаю щ ее

в о зд е й с тв и е и н теркали раван и я

н а один

из

эл ек тр и ч ес ­

ки х п арам етров

( * ,

/* /е х

/* # *

)

в

зави си м о сти

от

природы

и н тер к ал и -

руем ой п ри м еси .

И л .З . Б и б л и о г р .:

I I

.н а з в .

Особенности свойств

кри сталлов

In # Se *

, связанны е

с ан и зо тр о п ­

ным распределением

структурных

деф ектов /

Г ертови ч Т .С .,

Грине­

в а С .И ., Столярчук

О .Т ., Огородник А .Д .,. Шарлай Е .С .

/ /

М атериало­

Киев: Н аук.дум ка, 1 9 8

9 . -

С. 4 6 -5 0 .

И сследовано распределени е

структурных несоверш енств

в

моно­

кристаллах

In » Se*

я -

и

/ - т и п а проводим ости и

влияние н а них

условий роста.О бнаруж ено,

ч то

выращивание• кри сталлов

н а

з а т р а в к и ,

ориентированные вдоль

кристаллограф ического н ап равлен и я

/О Г О /,п р и ­

водит к уменьшению коли чества

протяженных структурны х д е ф е к то в ,

сп особствует

увеличению прозрачности образцов в И К -области

с п е к тр а

и уменьшению

поглощения в

приповерхностном с л о е . П оказан о

р азл и ч и е

в электропроводности,

в х ар актер е р ел аксац и и ф ототока д л я

о б разц ов

1 п * $ е 3

разн ой степени соверш енства,

вырезанных

вд о л ь осей /ОГО/

и /0 0 1 7 ,

и увеличение э то го разли чи я при

понижении

тем п ер ату р ы .

И л .З ."Б и б л и о гр .: ГГ н а з в .

Шепетюк Я .Д .

/ / М атериаловедение узкощ елевых

и

слоисты х

п олуп рово ­

дников: Сб.

н ауч . т р . -

Киев:

Н аук.дум ка,

Г 9

8 9 .

-

С. 5 Г -5 3 .

Изложены результаты

исследования

структурны х,

о п ти ч ески х ,ф о ­

тоэлектрических свойств

пленок

I n S e

в

зависим ости от

тех н о л о ги ­

чески х режимов их выращивания.

И л.2 .

Б и б ли о гр .:

6

н а з в .

У Ж 5 3 7 .3 Г 1 .3 3

Наследование

кинетических свойств

I n Se

в

о б л асти гел и евы х тем ­

п ер ату р / Дмитриев А .И .,

Д азоренко

В .И .,

Лашкарев

Г .В .

/ / М атериа­

Киев:

Н аук.дум ка, Г 9 8 9 .-

С .

5 4 -5 8 .

Решение

проблемы создания

омических к о н так то в

д л я о б л ас т и

т е ­

м ператур

Т 'М . З К позволило

впервые выполнить

и ссл ед о ван и я ки н ети ­

ч ески х , гальваном агнитны х

и

осцилляциош ш х

явлений

в

слои стом

по­

лупроводнике

I n Se

при гелиевы х

тем п ературах

холловски м м етодом .

Контакты

наносились

н а торцевые

у ч астк и слоев

I n S e

. Р е зу л ь та т ы

экспериментальных исследований

свидетельствую т

о д вум ерн ости

г а з а

носителей

то ка при Т < ГО К . При тем пературе

выше

10

К проводим ость

в I n Se

стан о ви тся

кваэвдвум ерной . Впервые

д л я

I n

S e

изучены т е ­

мпературные

зависим ости удельн ого

сопротивления

и коэф ф ициента Холи­

л а ,в

широкой

области

тем ператур

и

концентраций

н о си тел ей т о к а

(ГО -

ТО'*

с м - П .

И л .4 . Т абл . Г .

Б и б л и о гр .: 6 н а з в .

Исследование процессов и н теркали рован и я -д еи н теркали рован и я в

в о д о ­

родных и н теркалатах селенида га л л и я методом ЯМР / П рокипчук

Т .П .,

Середок А.И. / /

М атериаловедение узкощ елевых

и

слоисты х полуп рово ­

дников:

С б .н а у ч .т р . - Киев: Н аук .дум ка, 4 9 8 9 .

-

С. 7 1 - 7 5 .

Методом Я1ЛР исследовано состояние примеси в водородны х

и н тер ­

кал атах

ttx Ga Se

. Измерены температурные и концентрационны е

за в и ­

примесной

подсистег®

с "замораживанием"

примеси

и

ее встр аи в ан и е в

структуру

слоя м атр и щ .П о к азан о , что

в и н тер к ал атах

при

х * 2

о б р азу ­

е т с я ко вал ен тн ая

с в я зь между

атомами прим еси, определено меж протон­

ное расстоян и е и ориентация водородных

пар .И сследован ы

временные

зависимости

скорости

деинтеркалирования

во д о р о д а

и з исходных

м атри ц

при различных

тем п ературах . И л.5 . Б и б л и о гр .:

7

н а з в .

УДК 5 3 7 .2 Ï6 ;

З И Л

Протонные интеркалаты :- методы получения

и

некоторы е ф изико-хим и ­

ческие сво й ства /

Козьмик

И .Д . / / М атериаловедение

узкощ елевы х и

слоистых црлупроводников:

Сб.

н ау ч .

т р .

-

К иев:

Н аук .дум ка ,4 9 8 9 . -

С. 7 5 -7 9 .

Рассмотрены некоторые

особенности

ф изико-хим ических сво й ств

соединений

внедрения

воцррода н а основе

м атери алов

со сл о и сто й

кри ­

сталлической структурой . Впервые представлены

р езу л ьтаты п о

и с с л е ­

дованию явлений п ерен оса в интеркалированны х

водородом

м о н о сел ен и -

д ах

индия

и га л л и я .

И л.4 .

Б и б ли о гр .:

4 0

н а з в .

УДК 6 2 1 .3 1 5 .5 9 2

О влиянии

интеркалирования н а

оптические

и

эл ек тр и ч ески е с в о й с тв а

оеленидов

индия и

гал л и я /

Лукьянюк В .К .,

Товарницкий М .В .,

Воро­

ник С .П .

/ /

М атериаловедение узкощ елевых

и

слоистых полупроводни ­

к о в :

Сб.

н ау ч . т р . -

К иев:

Н аук.дум ка,

1 9 3 9 .

-

С .

7 9 - 8 3 .

ч то

П редставлены .результаты

исследований,свидетельствую щ ие

о

том ,

интеркалир ов ание

I n Se

и

Ga Se

ионами

И

и Уег

приводит к

коротковолновому

сдвигу экситонной полосы

поглощ ения, сменяющемуся

при концентрациях внедренной примеси х

~

0 ,2

д л я Â /x G aS â

, дг~

~ 0 ,4 для

Уах S a Se

и ж ~

0 ,2 д л я Sty I n Se

длинноволновым сд ви го м .

Полученные резу л ьтаты интерпретированы

в

рам ках

зонной

м одели

Шлю-

те р а для

полупроводников типа A * 3 s

в предполож ении

о доминирую­

щем влиянии деформационных эффектов н а

эн ер гети ч еск и й

сп ектр

и н те ­

ркалир ованных слоистых стр у кту р . Изучено

влияние

и н тер кал явд и

н а т ­

рием н а анизотропию электропроводности

селен и да

индия. И л .2 . Биб­

л и о г р .: IÆ н а з в .

И сследование

м он окри сталлов

тверды х

р аств о р о в

М f-x Spâ Те , выра­

щенных из

п аровой

фазы

/

ЛетЮченко С .Д ., Копыл А .И .

/ /

М атериалове­

дение

узкощ елевы х

и

слоисты х полупроводнике© :

С б .н а у ч .т р . - Киев:

Н аук,

д у м ка,

Æ 989.

-

С .

8 3 - 8 9 .

Проведены

и ссл ед о ван и я

стр у кту р н о го соверш енства, однород­

н о сти

с о с т а в а ,

о б л ас т и

го м о ген н о сти

и

тем пературны х

зависим остей

подвиж ности

в о б р азц ах

п -

и р - т и п а

м онокриоталлов

P ir. x $ех Гр

(х =

0 ,0 3 ;

0 ,0 6 ;

0 , 0 8 ) ,

выращенных и з .паровой

ф азы .

Вдоль оси

р о ­

с т а м онокристаллов

им еет

м есто

монотонное

изменение

м олярного

со с ­

т а в а

т в е р д о го

р а с т в о р а .

Для

со с та в о в

х

=

0 ,0 3

и

0 ,0 6

определена

гр ан и ц а о б л асти

гом о ген н о сти со стороны м еталлической

компоненты.

Полученные

данные

сви д етельствую т

о различны х

м еханизм ах внедрения

свер х стех и о м етр и чески х

атом ов

свинца

и

гер м ан и я . О пределено изме­

нение

м олярного

с о с т а в а

тв е р д о го

р а с т в о р а

цри

оинтезе

с избытком

м етал л и ч еск о й

компоненты

свер х

п р ед ел а

ее .р аство р и м о сти . С егн ето -

эл ек тр и ч ески й

фазовый п ер ех о д

приводит

к

различию механизмов

р а с -

оеяния

эл ек тр о н о в

и

дырок

в

кубической

и ром боэдрической ф а зе .Т е м -

п е р а ту р н а я

зави си м о сть

подвижнооти п о д чи н яется

зако н у

Г ~ * г о(*В

д л я

/7 -ти п а

и

оt

=

2 ,5 - 3

д л я

p -т и п а

при

Т >ТС ,

а п р и Т < Т п ^ = 0 , 5

д л я

о б разц ов

л -

и

p - т и п а .

И л.5 .

Б и б л и о гр .: 5

н а з в .

УДК

5 3 9 .1 4 3 .4 3 ;

5 3 9 .-1 .0 7 8

Наблюдение

ШДР в

м онокристаллических

п л асти н ах

P i f e

/Данилюк

Г . В . / /

М атериаловедение

узкощ елевых

и

слоистых полупроводников: С б .н а -

у ч .

т р . -

К иев:

Н аук .д ум ка,

Î9 8 9 ;

-

С.

8 9 - 9 2 .

ких

Описан

м етод

п р и готовлен и я ориентированных м онокристалличес­

п л асти н

РЬТ$

. П оказан о

преимущ ество наблюдения резонансны х

сп ектр о в

н а

п ак ете

тонких ориентированных п ласти н по сравнению с

и сследованиям и

на

порош ках.

И л .З .

Б и б л и о гр .: 5

н а з в .

УЛК

6 2 1 .3 1 5 .5 9 2

Легирующее

д ей стви е

ви см ута

в

селениде

свинца

/

Бахтинов А .П . / /

т р . -

К иев:

Н ау к .д у м ка, 1 9

8 9 .

- С . 9 2 - 9 6 .

Р ассм отрены о соб ен н ости

легирующ его д е й ств и я

прим еси

д /

в

P i Se

с учетом

взаи м о д ей стви я

это й прим еси с

собственными

деф екта­

м и . У стан овлен о

амфотерное

п оведение

примеси

B i

в эпитакоиальны х

слоях

P i Se

, о б разован и е

ком плексов

при сильной

конпенсации PôSe

<Bf>

х ал ьк о ген о м ,

наличие в

о б р азц ах p - т и п а

проводим ости

уровня»

св я за н н о го

с

этим и

к о м п л е к с а м , располож енного н а

с л = 0 ,0 8 9

эВ

при Т

= 300

К

выше

п о то л к а

вал ен тн о й

зоны . И л .4 .

Б и б л и о г р .:6

н а з в .

Точечные дефекты

в

тверды х

р аство р ах

А * В 6

J

В одопьянов В .И .,

Кондратенко М.М.

/ /

М атериаловедение

узкощ елевы х

и

слоисты х

полу­

проводников:

Сб.

н ау ч . т р .

-

К иев: Н ау к .д у м ка,

1 9 8 9 . -

С. 9 6 - 9 9 .

Рассматриваю тся

вопросы

влияния

д еф ектов

с о б ст в е н н о го

и

при ­

месного разупрочнения

и их

ком п лексоооразован и я

н а

эл ек тр и ч ес к и е

и оптические

сво й ства

тверды х р а ство р о в

теллури д ов

сви н ц а и

о л о в а .

И л .З . Б и б ли огр .:

9

н а з в .

УДК

6 2 1 .6 6 .0 4 6 .5 7

Распределение, диффузия и растворим ость

прим есей

кадм ия

и гер м ан и я

в-м онокристаллах Pbt-x$n0j 2 &

/

Верщ игора

З . К . ,

Г уцуляк

В . Г . , Оман-

чуковская

И .В .,

Орлецкий В .Б .

/ / М атериаловедение

узкощ елевы х

и

слоистых полупроводников:

С б .н ау ч . т р .

-

К иев:

Н ау к .д у м к а,

1 9 3 9 . -

,С. 1 0 0 -1 0 3 .

Проведено

легирование

м онокристаллов

тверды х

р а с т в о р о в

кон ­

Pbt.xSnnSe

С* =

0 ,0 8 )

кадмием

и германием

в

широких

д и а п азо н а х

центраций . И сследована концентрационная

зави си м о сть

эф ф ективного

коэффициента расп ределен и я

примесей кадмия

и герм ан и я

в указан н ы х

м онокристаллах,

а

также температурные зави си м о сти

коэф ф ициентов

диффузии и раствори м ости .

И л .4 . Б и б л и о гр .:

9

н а з в .

Уда

6 2 1 .3 1 5 .5 9 2

О собенности

терм оэлектрических аффектов

в к р и о т а л л а х /З ^

$ е < М > /

Мисюра И .В . / /

М атериаловедение узкощ елевых

и

слоисты х

п олуп ровод ­

ников:

С б .н а у ч .т р .

-

Киев:

Н аух .дум ка,

1 9 8 9 .

-

С.

1 0 3 - 1 0 7 .

Приведены

р езу л ьтаты

исследований

терм оэдс

*

( D

и м а гн и т о -

терм оэдс

Лс(СТ)

в

.кристаллах

Por, S ^ S e

х

=

0 ;

0 ,1 8 ;

0 ,2 2 ;

в ин­

тер вал е тем ператур

8 -300 К . Обнаруженные

аномалии

н а зави си м о стях

Ы (Г)

и М

(7)

связы ваю тся

с

особенностями

легирующ его

д е й с т в и я м ар ­

ган ц а

в кри сталлах

/ # ' Sfy

S e .

И л .4 .

Б и б л и о гр .:

9

н а з в .

УДК 5 3 7 .3 1 1 .3 2 -

Закономернооти

структурных

изменений

в

п о л у п р о во д н и ках ,о б у сло вл ен ­

ных лазерным воздей стви ем

/

Данилевич о .И .

/ /

М атериаловедение уз-*

кощелевых

и

слоистых

полупроводников: С б.

н ау ч .

т р .

-

К иев:

Н аук,

дум ка,

1 9 8 9 .

-

С. 1 0 7 -1 1 0 .

Рассмотрены

законом ерности отруктурных

изменений

в бинарных

полупроводниках,

вызванные

во зд ей стви ем

лазерны х импульсов

милли­

секундной дли тельн ости из

области ф ундам ентального

поглощ ения. Ил.1 .

Б и б ли о гр .: 9 н а з в .