книги / Материаловедение узкощелевых и слоистых полупроводников

Я дерн ая

р е л а к с а ц и я

в

к р и с т а л л а х

Ш Ге •• Р е ,С г / Слынько

Е . И . ,

Хандож-

ко

А .Г .,

Слынько В .В .

/ /

М атериаловедение

узкощ елевых

и слоистых

полупроводников : С б.

н а у ч . т р . -

К иев:

Н аук,

дум ка,

4 9 8 9 . -

С .

4 4 0 - 1 1 8 .

в

И ссл едо ван а сп и н -реш еточн ая

р е л ак са ц и я я д ер

г;3 Со/

и

г**Ге

к р и с та л л а х CdTe'- Fe,

с г

в зави си м ости

от

концентрации

примеси и

у слови й

терм и ческой

о б р аб о тк и . Р ассм о тр ен

воп рос

о применимости

тео р и и

А брагам а н а

сл у ч ай

я д е р с

естествен н ы м

содержанием

c « f .

Наблюдаемые изм ен ен и я

в р асп р ед ел ен и и

цршлесных атом ов

под д ей стви ­

ем

терм и ческой о б работки

согл асу ю тся

с

данными

по

м агнитной ан и зо ­

тропии

и

м агнитной

восп ри и м чи вости .

И л .4 .

Т а б л .2 .

Б и б л и о г р .:1 0 н а зв .

п а

А * ô u /

Фейчук

П .И .,

Ф очук'П .М .,

П анчук

О .Э .

/ /

М атериаловеде­

ние

узкощ елевы х

и

слоисты х

полупроводников:

С б .н а у ч .т р . -

Киев

Н ау к .д у м ка,

4 9 8 9 .

- С. 4 4 8 - 1 2 4 .

П роведен

ан ал и з

ч еты рех

типов

со б ствен н о й

и

примесной самоком -

п ен сащ ш в бинарных

п олупроводниках . Рассм отрены

примеры

самокомпеи-

сации

в к р и с та л л а х

С4 Ге

,

легированны х

акц еп торн ой ,

донорной и ам­

ф отерной примесями

(

Сц у

I n

,

Н е

) .

Б и б л и о гр .:

4 0

н а з в .

У Ж 5 4 1 .4 2 3 .4 /6 4 6 .4 8 * 2 4 + 5 4 6 .2 8 9 /

Дефекты структуры

к р и стал л о в

Сс(Ге

% легированны х

Се

/Щ эрбак Л .П .//

М атериаловедение

узкощ елевы х

и

слоистых

полупроводников:

С б .н ау ч .

т р .

- К и е в :

Пау1С.думка,

4 9 8 9 .

- С. 4 2 4 -4 2 4 .

М етодами радиом етрии

и

оптической микроскопии в со четан и и с

избирательны м

травлением

и сслед о ван о

р асп ред елен и е

S e

по крис­

та л л у

CofTe

при

выращ ивании методом Бридж мена,в

интервале

концен­

трац и й введен н о й

в

р а с п л а в

примеси

с9

=

5*40

^-б* 4 0 ^

см "‘’ .У ста­

н о вл ен а конц ен трац и он н ая

зави си м ость

эфф ективного

коэффициента

р а с п р ед е л ен и я

Se

в

GelТе

,

обусловленное неравновесным

захватом

п рим еси . П оказан о

изм енение

ти п а

структурны х

д еф екто в,

связан н ое

с

увеличением

концентраций

S e

в

реш етке

С4Ге

. И л .2 . Б и б ли о гр .:

7

н а з в .

У Ж 6 2 4 .3 4 5 .5 9 2

Импульсное л азер н о е

напыление

тонких

п ленок

сложных полупроводни­

к о в

/

Павлгак

В .И .

/ /

М атериаловедение

узкощ елевых

и

слоистых полу­

п роводников:

Сб.

н а у ч .т р .

- К иев:

Н аук .д ум ка,

4 9 8 9 .

-

С. 4 2 4 - 1 2 7 ,

И сследую тся

особен н ости

исп арен и я и конденсации при лазерном

распы лении м онокристаллов

Getsb

,

Pfy-t Sex Те,

,

СНГе . Эксперимен­

тал ьн о у с та н о в л е н а

общая

для

кри стал л и чески х

полупроводниковых ми­

шеней

закон ом ерн ость

зави си м ости

эф ф ективности и спарения

от плот­

н о сти

п о то к а

л а зе р н о го и злучен и я

в

фокальном

п я т н е .

И л .2 .

Библи­

Микрозондовые

и электронно -м икроскопические

и ссл ед о ван и я поверхно ­

сти полупроводников после л а зер н о го во зд ей ств и я

/ Б у д зу ляк

И .М .,

Новикова А .А.'

/ / М атериаловедение узкощ елевых и

сложных полупро­

водников: С б .н а у ч .т р ,

-

К иев: Н аук, дум ка, 1 9 8 9 .

- С .

1 2 7 - 1 3 1 .

И сследовано влияние

поглощающего п оверхн остн ого

и зл у чен и я

н а

оостав

приповерхностной

области и х а р а к те р

последующ его полирующе­

г о и селекти вн ого хим ического

тр авлен и я облученной п о вер х н о сти

мо­

нокристаллов

сложных полупроводников. С помощью

электрон н ой

о ж е -

спектроскопии

п о к азан о ,

ч то

на.облученны х

у ч а с т к а х происходит

и з ­

менение содержания у гл ер о д а

и

ки сл о р о д а.

И л .2 .

Б и б л и о гр .:

4

н а з в .

У Ж 6 2 1 .3 1 5 .5 9 2 :5 3 9 .2 1 3

Технология

получения

аморфного

ги д р о ген и зи р о ван н о го крем ния

и

е г о

сво й ства /

Комиссаров

Г .П . / /

М атериаловедение

узкощ елевы х

и

слои ­

стых полупроводников:

Сб. н ау ч .

т р . - К иев:

Н аук .д ум ка, 1 9 8 9 .

-

С . 1 3 2 -1 3 5 .

Рассмотрены сво й ства пленок

аморфного

ги д р о ген и зи р о ван н о го

кремния, получаемого разложением м оносилана в

тлеющем р а зр я д е

в

зависим ости от таких технологических режимов,

к а к тем п ер ату р а

под ­

ложки,

мощность В Ч -разряда,

давление р а б о ч е го

г а з а . Приведены

о с -

новые

результаты исследований . Ил. 2 .

щих структурный фазовый

п ереход /

Анткив З .П . / / М атериаловедение

узкощ елевых и

слоистых

полупроводников: Сб. н ау ч .

т р .

- К иев:

Н аук,

дум ка, Ï9 8 9 .

- С .

1 3 5 -4 3 8 .

И сследована

тем пература

стр у кту р н о го ф азового

п ер ех о д а в

у з к о -

щелевом полупроводнике

/#/-* Л»х г ё

. П остроена ф азо в ая

ди аграм м а

в

п л оскости переменных Г» ,

я

( £ -те м п е р а ту р а ф азо во го

п е р е х о д а ,

я

-

концентрация

носителей)

0

учетом тем пературной зави си м ости ширины

запрещ енной

зоны,

периода

реш етки,

эн ерги и Ферми. Р ассм о тр ен о

т а к ­

же влияние

н а

фазовую диаграмму ангармонизм а и ф луктуаций п ар ам ет­

р а п о р яд ка . И л .1 . Б и б ли о гр .:

9 н а з в .