Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Сигналы и устройства ближней радиолокации. Автодины

.pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
12.97 Mб
Скачать

Сравнивая операторное уравнение (167) о первым уравнением системы (21) , приходим к выводу об идентичности этих уравнений. Величина У имеет смысл нормированной усредненной проводимости эквивалентного двухполюсника, которым можно заменить активный

трехполюоник и цепь обратной связи.

Y0 является комп­

Заметим, что нормированная проводимость

лексной величиной,

зависящей от постоянных составляющих и амп­

литуд напряжений

 

= Е

+ и £х - £ jx +^

х cosCcot

U 6ы х = Е4ЫХ +и 6ЫХ = Е6ЫХ * и 6ь,Х <»*<*>t

 

и пара-

между ними а>= tp

-

tp

также частоты генерации c j

о х

 

бых

к т и У6 . Предположим, что

в пре­

мэтров цепи обратной

связи

делах noiocai пропускания колебательной системы зависимостью усредненной по первой гармонике нормированной проводимости У0 от частоты можно пренебречь.

 

Ваосмотрим цепь авто сме­

 

 

 

щения автодина,

изображенную

 

 

 

на рио. 19, которая эквива­

 

 

 

лентна схеме автодива на низ-

 

 

 

кой частоте. Эту цепь можно

 

 

 

описать следующими оператор­

 

 

 

ными уравнениями:

 

Еси

 

 

Г

_

о

 

 

 

гио.

 

 

1 Т* Т* Р

*(Т^

Т^

Ь

тг ^ * П

Л £ 6ы х -

 

 

-Ь Ш р Г л )Е6 х ,

 

 

,

йл и . й т/)1о^

ш

.

W

P

Е 6ыХ

%

<РТЛ*<) Е 6Х * * « « > Р Т^

 

(188)

6 х '

где

ri

T2

 

Г, -

 

 

 

 

С учетом Д7 (187)

и (188) приходим к системе

укороченных

ДУ, описывающих работу автодива при воздействии внешнего сигна­ ла.

 

г.

 

 

[ " « . ] Vt. „

 

 

 

[& д Ь -< г < а '< г.у ,

 

 

 

 

 

 

Sen Г J Z j t

 

 

 

Gu

U6 x

003V - (BJf '

BQ)U6 x s i n ц>* 0,z V bb,x = 0;

 

<B,{ * B<s Щ

х

 

'

&и u 6 x s in (E *( Bj* ~ k T Ве )С/6ы *я °Л 189)

T< т2 4 «

с

t ( r <

+ T* +

t TJ £

i b,x

> ( U

t,') Е 6 » х ~ Г / Т2 Е6х

-

~Г/ Е6 х

* Й{ ТЛ Е6ы х * *? 16ылГ * ^

5

*oSui * Й2 1 общ

 

~ Есм'>

-

Тг П Е6ь,х ~ Г л Е6ы х * Г2 и

Е6 х * Ь Е6 х *

 

* Йч Тз ^(,х

*

^бх

* Йг

'общ

~ ®>

 

 

где

0o = e e (Y o),

e o - lr » C Y a )i G .rfie(Y--)f

 

 

B y -

Гг» < У ф ,

 

 

У

 

 

*

 

 

Уравнения автодина при воздействии собственного отражеито­

го

сигнала, аналогичные системе

JЗУ

(58),

отличаются от оиотеш

ДУ (189)

первыми двумя уравнениями,

которые принимают вид

 

 

тк йбь,х+ а

+0<) и бь,х

= *

и б ы х “ >3 <ь>о* + *У)-,

(190)

Ч = - - j ? - -jr- sin(cO 0 t+ A 4 ) .

Если инерционность цепей автосмещения незначительна в ра­ бочем диапазоне частот входного сигнала, то анализ транзистор­ ного автодина при воздействии собственного отраженного сигнала существенно упрощается. В этом случае в установившемся режиме четыре последних ДУ системы (189) можно записать в виде

й/, и 4 х cos< y-(6„ +Be ) U6 x sin<y + 0 ^ и 6 ы х ~ 0)

СВн f BG)U6x a3S* ' GH U6 x sin Ч " (в**~ктМ>иь ,~ ш0>

П 'Г ‘ ) Е 6ы х ~ Г 1 Е 6х ' * / [ 6 о ,х * Й/ 16ыХ +1 6 ж ) шЕс м >

~ГлЕ6ы х +12 £ 6 х

* *> 16о,х = О.

Линеаризуя эти уравнения в окрестности рабочей точки» получим систему линейных алгебраических уравнений четвертого порядка

относительно переменных

л Е6 х

-

Е6 х ~ Е

^ #

* Ебы х = £бых~

- Е6ых0 ,

 

, *U6X

-

U6 x -

U °6x0

 

 

 

* «

* n

*13

 

* »

* E 6 x

л

'

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*2i

*22

*23

 

*24

О Е 6 ы Х

h

 

(192)

 

*3,

*32

*зз

 

*34

йЧ>

 

h

 

 

где

*4i

*42

&ч5

 

*44.

* V b x .

U .

 

 

 

д б „

 

 

dBj,

 

 

M g Ь'х

 

*H e

COSW

 

 

 

dE6x V*Xo

To

dE6 x

 

 

Э£6х

 

 

 

 

дв

 

 

 

 

 

 

 

д в д

 

4

/ *

-6хU6 x 0 <»*% '

 

6 х U6

sin *о + W

6 x US«x0 ;

2

 

«■

- /■ + R

3 £ S x

. а (

 

бе/Х.

3e iJCJ '

 

t3,

 

t * ,R i

" H

3 E t x

 

 

 

 

30,

 

 

 

d e

 

Ut

sin У

90,

£4 >

6.9 ~jic ^ — ^6 x COS W

-----—^ —

*■

 

* *

 

dE6o,x

6 °

ro

s e ,

U6x0

Yo

д£6ых

6 „ *0

 

 

 

 

 

 

 

бых

 

 

 

дв

 

 

 

 

 

 

 

dO

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6*z=dEL x

Uixo 003*0

'J F T Z

Ut>*oSLn4J° '

 

 

 

 

 

 

 

Э1

 

 

 

 

 

 

 

*13 = -G" u 6xa <E0 - (B„ f es ) U&Xo cos % ;

*23 = ~ (&n * &6 ) ^ 6 х sin ц/ *■0g U fa

E° '

*3r

( *‘ * * J

 

~ i v

**<

 

A L & * .

 

 

 

 

 

 

 

d tfJ

>

 

 

 

 

 

6* з ш(Й* * * * ) - Щ

У* + Л>

dI 6ых .

 

 

 

 

 

 

 

 

дф

'

 

 

 

 

 

 

/

 

д(}..

уг

 

 

 

Г

 

d& ti

гf

 

 

 

 

'*

=

 

 

6sco

* &4,cos^ ~ * Щ Х

и £ * / ш %

-

 

 

- ( 8и

>BQ) s in % *

 

 

и бых

 

 

 

 

 

 

6#*

 

д U6 x U**0

 

* (в"

4 вб )ccs %

* JU Jx

u 6x0sin %

 

 

.- S'

.

 

 

 

^эв,3^ J?

.

 

 

-

 

^

 

 

 

 

 

+ О ,, Sen tjS

+ - — +*-

u

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

y/

 

о

 

ЭUfijc

бых:о

>

 

 

 

 

 

 

6

 

=-(R + g

)

^ ^6bjX

n

 

^ f f a

 

 

 

 

 

 

*

 

{И>4к^

 

 

d u 6 x

4 ^

э и 6 х

 

 

 

 

 

 

6 ^

 

= ГХ> * Я;)-Цт{‘Х *■ Л

M f P * -

 

 

 

 

 

 

V

 

*

* '

 

9 U fa

л

 

J U ,6se

 

 

 

 

 

 

A

 

 

Г d&.

 

 

 

cos у

 

9 6 ,

Ufa siny +

 

 

 

= - Г4rP~ о',

- -iy /'-

 

 

'

 

 

9

t

 

 

**o

 

^

 

ЭО£ ы х.

*c0

^

 

 

 

 

 

L dU 6 o x

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 2

* .

 

U6^C * ь , г \ ‘ ии»с

 

 

 

 

 

 

 

 

Э и бь,Х

 

 

 

 

 

 

 

 

 

м „

 

 

U .

cosq/

dG

 

 

^

ЭВ

n

+

h

 

~

d u t

 

 

+ -

■// ■ £/, Л>*

f / / £

 

 

 

6*0

 

о

dU 6b)X 6 *0

 

о

эи 6ых

6ыос0

 

 

 

6 & Х

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/

f -ЛР //Р 1

6.0‘Х

- g

Р ^ б х

] л и .

 

 

 

 

 

 

* ™ 6 o . x

J

6 o .se *

f

= \(R

i-R ) —

^

/

g

0£>

1 л Ц А

Л

Г у

r*> Э U AM C

 

д и ,

\

б ы х

 

 

 

'6t>tx

 

 

6to/JC

 

 

Решая систему (192), выразим переменные A E6X I

лЕ6 х

 

и л Щ ж через л и 6 ы х -

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

* е6 х

6^

и б ы х >

 

 

 

 

 

 

 

 

л £ 6 ь ,х я ^ л

и 6ы зе1

 

 

 

 

 

 

 

 

=А3 &U6o)x ;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

aLf6 x ~ f ^ al/Jt>—

3,

4)

определяются параметрами

где коэффициенты

^

1 ^ * 1 »

2,

реиша автономной генерации

 

U6X Q I

и 6ыХо> Е 6Хо> £

 

%

Линеаризовав систему ДУ (190)

с учетом выражений (193),

получаем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и 6ы х + $ < * и б ы х

= *

U6 ,,x 0

 

 

 

 

(194)

* ■ - - ¥

* и б„х

-

- £

и

,

г

 

 

 

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dGo

 

 

 

 

 

 

 

 

 

. .

з& 0 , А

 

\ п

* - ( 3 v e ^

У

dE6

x

Z

* £ 6 » х

3

dtp

А* Ы л х Г Ь >

 

 

 

д8„

 

д в п

 

 

дв0

*

д в 0

\

 

 

 

 

 

 

" ’

 

 

+Аз

 

3UJ

 

з и б „ *

 

 

 

 

д Е бых

 

dip

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таким образом,

получена система ДУ,

 

аналогичная системе

для автодина на активном двухполюснике,

которая была проанали­

зирована ранее. Из приведенных соотношений видно, что анализ

транзисторного автодина не имеет качественных отличий от ана­

лиза диодного автодина,

хотя и является более трудоемким из-за

наличия дополнительных уравнений.

 

 

 

 

 

 

 

 

2 .

АКТИВНЫЕ

ЭЛЕМЕНТЫ А В Т О Д Ш В

 

 

 

 

 

2 .1 . Туннельный диод

 

 

 

 

 

 

Эквивалентная схема туннельного диода представлена на

 

рио. 1 2 . Аналитическое

выражение для

в о л ь т -ам п ер н о й

характери­

стики ТД имеет вид [7]

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

" I iS

 

\ s ( u - u p ) ( u - U

t ) i' - < u - U

t ) s y

i 7S)

(1 9 5 )

( U TS~ар}

где и -

напряжение, приложенное к р - п переходу ТД; 1р> и

I-ts, и й

~ Т0!ш 2 напряжения соответствуйте пику и ппятрпт '

ВАХ ТД.

 

Емкостьр - п перехода ТД

УС6ар + С$и<р,

где С$0р - барьерная (зарядная) емкость р - п перехода;

Сдиф - диффузионная емкость р - п перехода,

* ’ Для барьерной и диффузионной емкоотей справедливы соотно­

шения

_

с.

- s

- - ^

-

 

 

 

oar

 

 

 

 

’/°

 

I ^ ( >

f k - u ) ( N a ^Nd )

 

 

Ы I г

 

 

 

'8 и<Р

/ Г

 

 

 

 

где 5 - площадь /?-/?

перехода;

<f^

-

диэлектрическая прони­

цаемость материала диода; Na и

Л/^

-

концентрации доноров и

акцепторов; ^ -

заряд электрона,

Кл

( ^ в 1,6 -IC f19 Кл);

^- контактная разность потенциалов; г - время жизни неос­

новных носителей заряда;

с о -2 Я J -

частота генерации;

 

Ы -

постоянная Больцмана, Вт*с/град

( ы - у /к Т* Здесь к

*

= 1 ,37-Н Г23) ;

Т -

абсолютная температура,

К (TeML.paTypa

окружающей среды

Т

= 300 К);

/

-

ток насыщения. А:

/■ =

 

- 7 е*и

I=SAi,T*e Ы*к ; А. -

постоянная

Ричардсона:

/4^, =

 

J

 

9

J о *

 

о

 

~ контактная разность потенциалов, В

= 400 А /(скг-градг);

 

( ^

 

= 0,6 В для

германиевых,

^

= 0,7 Е кремниевых,

</*

я

= 1,2

В арсенидогаллиевых диодов).

 

 

 

 

 

 

 

 

На рис, 2 0 ,а

представлена ВАХ ТД, а на рио. 21,6

- зави­

симости барьерной и диффузионной емкостей от напряжения на

р - п

переходе ТД для германиевого ТД о характеристиками

 

»

1,6 мА;

 

«

0,226

мА;

U p «

60 мВ;

* 285 мВ;

 

J

= 0 ,5 -К Г 10

1

rta ' Nd * 5 -I024

м- 3 ;

<fQ =

;

(I9R)

£

= 8 ,8 5 -Ю '12 Ф/м;

г

= Ю-8

о;

}

* 9,3

ПЪ.

 

 

Рис. 20

В области рабочих напряжений емкость ТД изменяется сравнитель­ но слабо. В справочниках обычно отсутствуют значения величин

5 Na , Nd и г , а представлено лишь значение общей емкости ТД вместе с емкостью корпуса в точке минимума ВАХ на определенной частоте.

Определим активную проводимость ТД д (Ц Е) и постоянную составляющую тока I0 (Ut Е) . Для этого запишем выражение (195) в виде полинома пятой степени по степеням

где

Используя (197), а также решение примера 3, получим равен­

ства

q(U, £ )= a U * + 6 ( £ ) U*+ С ( £ ) ;

гО(Ut £ ) - d ( £ ) U * * e ( £ )'t

6 ( f ) = f a J f J a ^ f ^ / a s e 2;

С(Е) ~ Qj

Е + Зо3 £ 2+ 4ачЕ*+ Ео^Е4

d(E) =

 

 

а3 Е + Зау

Е *+ Еа^ Е *

е(Е) - ас + ajE +

Е^+ а

Е3 + а ч Е4 + as Е*

Вопросы определения реяюда сатювозбуидзния, стационарного

режима, устойчивости рабочей точки, оптимальной проводимости

нагрузки для активных элементов с ВАХ описываемой Полянскими

пятой степени, подробно рассмотрены в § 1.2. Формулы, получен­

ные в § 1 .2 , можно непосредственно использовать для приближенно­

го расчета режима автогенератора на ТД.

 

В качестве примера на рис.

21 приведены зависимости актив­

ной (а) и реактивной

(б), усредненных проводимостей и постоянной

составляющей Го (0]£)

тока

(в)

для ТД с параметрами (196).

На рио. 22 приведена зависимость амплитуды автоколебаний VQ

о,т сопротивления нагрузки

RH при

Е * 95 мВ, раоочитанная по

формуле (70). На рис. 23 представлена зависимость мощности,

рассеиваемой на нагрузке,

при оптимальном значении проводимости

нагрузки, рассчитанной по формуле

(76). Непрерывной линией на

этом рисунке показаны

зависимости,

рассчитанные с помощью фор­

мулы (70) при сопротивлении выводов и их индуктивности, равных

нулю.Емкость диода С » 3 пФ.Штриховой линией представлены резуль­ таты численного интегрирования системы ДУ (17) при е * 0.

С практической точки зрения ТД могут использоваться в ма­ ломощных малошумящих автогенераторах и автодинах, особенно в короткой чаоти сантиметрового диапазона. По выходной мощности автодины на ТД значительно уступают АД на диодах 1Ьнна и тран­ зисторах.

О

0 05

010

015

и 6

6

Рио, 21 (качало)