Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Оборудование для производства полупроводниковых диодов и триодов

..pdf
Скачиваний:
3
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
13.07 Mб
Скачать

Рис. 21-7. Рост производительности труда.

^пл — планируемый рост;

А.— рост, обеспечиваемый примене­

нием новой техники при

сроках ввода ее в эксплуатацию за

2 и 5 лет.

 

зе выпуска основных изделий, а также прогнозирование необходимых затрат труда и денежных средств на вы­ пуск этого оборудования.

Для полупроводниковой промышленности, как и для некоторых других отраслей, на современном этапе характерны противоречивые тенденции: рост массово­ сти и быстрая сменяемость объектов производства. Если раньше для массового производства была харак­ терна стабильность выпускаемой продукции в течение не менее 10 лет, то сейчас объекты производства каче­ ственно изменяются в течение 3—5 лет, а иногда и за более короткий срок. Поэтому необходима не только особо тщательная оценка применимости сложившихся методов автоматизации, но и оценка прогрессивности новой техники с учетом фактора времени и роста про­ изводительности труда (Л. 39].

Для того чтобы обеспечить рост производительно­ сти труда, новая техника должна быть более произ­ водительной при меньшем количестве обслуживающих рабочих, более экономичной в эксплуатации и мини­ мальной по стоимости. Особое значение для полупро­ водникового производства имеет повышение качества выпускаемых приборов и выхода годных приборов, до­ стигаемые при внедрении техники. Самые высокие тех­ нико-экономические показатели новой техники могут обеспечить ее прогрессивность только при своевремен­ ных сроках ввода в эксплуатацию. При затягивании сроков внедрения новой техники возможны случаи, когда она не обеспечит заданных темпов роста произ­ водительности труда, т. е. морально устареет еще в про­ цессе освоения, хотя формально и может быть быстро окупаемой. На рис. 21-7 {Л. 39] приведены кривая роста производительности, обеспечиваемого применением но­ вой техники, при одинаковых технико-экономических показателях, но с различными сроками проектирования и освоения, а также кривая для планируемого роста производительности труда. Как видно из рисунка, при­ менение новой техники при вводе ее в эксплуатацию через два года обеспечивает быстрое превышение пла­ нируемого в отрасли роста производительности труда. Очевидно, что моральный срок старения этой техники определяется продолжительностью ее эксплуатации

в течение /УМакс лет. Срок п лет, в течение которого новая техника достигает уровня заменяемой техники, имеет смысл как срок окупаемости затрат на механи­ зацию, поэтому при Ь=2 новая техника будет не толь­ ко прогрессивной, но и быстро окупаемой. Если же сроки ввода в эксплуатацию новой техники будут рас­ тянуты до 5 лет (Х =5), то новая техника ни на одном отрезке времени не обеспечит заданных темпов роста производительности труда. Несмотря на некоторую условность, данный пример наглядно иллюстрирует зна­ чение ускорения сроков ввода в эксплуатацию новых средств механизации и автоматизации производства.

При создании и внедрении нового технологического оборудования следует выявлять основные пути повыше­ ния производительности труда, пути развития техники, механизации и автоматизации производства. Повыше­ ние производительности труда путем уменьшения числа рабочих, непосредственно занятых в процессе производ­ ства, связано с проблемой комплексности механизации и автоматизации, которая должна решаться во всех звеньях производственного процесса и в первую оче­ редь там, где техническая вооруженность труда ниже, а затраты ручного труда выше. Однако этот путь имеет ограниченные возможности повышения производитель­ ности труда, так как при сохранении достигнутого уров­ ня производительности оборудования экономия живого труда имеет тенденцию к убыванию.

Другой путь

повышения

производительности тру­

да — уменьшение

затрат труда

при повышении произ­

водительности машин. Этот путь требует разработки новых прогрессивных технологических процессов и со­ здания высокопроизводительного оборудования. Новые прогрессивные технологические процессы могут созда­ ваться только при условии совершенствования уже вы­ пускаемых или разработки принципиально новых по­ лупроводниковых приборов. Значительный рост произ­ водительности оборудования обеспечивают принципи­ ально новые методы обработки полупроводниковых ма­ териалов синтетическими алмазами на операциях резки слитков, шлифовки, полировки и разрезки пластин; групповая технология получения р-я-переходов метода­ ми планарно-эпитаксиальной технологии с применением фотолитографии; методы бескорпусной герметизации приборов обволакиванием и заливкой эпоксидными смо­ лами и герметизации в пластмассовые корпуса, а также многие другие новые технологические процессы. В связи с миниатюризацией приборов и их элементов комплекс­ ная механизация и автоматизация возможны только на базе новой технологии (которую называют иногда

«машинной»

технологией).

 

Третий

путь

повышения производительности

тру­

да сокращение

затрат овеществленного труда,

кото­

рое достигается при снижении стоимости оборудования. Снижение стоимости может быть достигнуто стандарти­ зацией и унификацией механизмов, узлов и деталей машин и совершенствованием технологии их производ­ ства.

Рассмотренные в настоящей главе направления и порядок проведения работ далеко не исчерпывают всех вопросов, связанных с механизацией и автоматизацией производства полупроводниковых приборов. Однако учет изложенных соображений должен помочь при ре­ шении конкретных задач.

ЛИТЕРАТУРА

1.Автоматические линии в машиностроении, изд-во «Машиностроение», 1967.

2.Б о р е с к о в Г. К., С л и и ь к о М. Г., Катали­ тическая очистка газов от примесей кислорода, «Хими­ ческая промышленность», 1956, № 2.

3. Б р а у н л и

1\. А.,

Статистические

исследования

в производстве, перевод

с

англ., Изд-во иностр. лит., 1949.

4. Б р у к В.

А.,

Га р ш е н и н В.

В.,

К у р н о ­

с о в А. И., Производство

полупроводниковых

приборов,

изд-во «Высшая школа»,

1968.

 

 

5. В а л и т о в Р. А. и др., Измерения параметров полупроводниковых триодов, изд-во Харьковского уни­ верситета, 1960.

6.

Г р н с с

б а х

Р., Теория

и практика

ионн

обмена,

Изд-во

иностр. лит., 11963.

 

 

 

7.

Г у д

К. X.,

М а к о л Р.

Э.,

Системотехника.

Введение в

проектирование больших

систем,

перевод

сангл., изд-во «Советское радио», 1962.

8.ГОСТ 8032-56. Предпочтительные числа и ряды предпочтительных чисел.

9.Д а н и л и н Б. С., Вакуумное и

пленок, изд-во «Энергия», 1967.

10. Д е м ь я н ю к

Ф. С.,

Технологические основы

поточно-автоматизированного

производства,

изд-во

«Высшая школа», 1965.

 

 

 

11. «Дэнси дзайрё»,

1965,

т. 2, Л1* 2, стр.

19—26.

12. З е л и к. май

Г.

А. и

др., Полупроводниковые

кремниевые диоды и триоды. Технология производства, изд-во «Энергия», 1964.

13. К а с т а л ь с к и и А. А., Проектирование уста­ новок для химического обессоливания воды, изд-во

«Строительство

и

архитектура», 1964.

 

14. К а ц м а н

Я- А., Полупроводниковые плоскост­

ные маломощные триоды, Госэнергоиздат, 1960.

15. К а б а н о в

А. Н., К а ф а ф о в

А. А., М и х а й ­

л о в с к и й Г.

А.,

Электроннолучевая

установка типа

ЭЛУРО для прецизионной сварки, пайки и размерной обработки, «Автоматическая сварка», 1967, № 3.

16. К л у с о в И. А. и др., Автоматические роторные линии, их применение и оптимальная производитель­

ность,

«Механизация

 

и

автоматизация

производства»,

1967

№ 11.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

17.

К л я ч к о

В. А.. Ионный обмен

и его

примене­

ние, сборник статей, Изд-во АН СССР, 1959.

 

18.

К о л о с о в

А.

 

А.

и

др.,

Полупроводниковые

твердые

схемы,

йзд-во

 

«Советское

радио»,

1965.

19.

К р а с и л о в

А.

В.,

Т р у т к о

А.

Ф.,

Методы

расчета транзисторов, изд-во «Энергия», 1964.

 

20.

К у п р и я н о в

И. Г1.,

Технологическая

гигиена

на предприятиях зарубежной электронной промышлен­ ности. изд-во «Созс-ское радио», 1967.

21. К у р н о с е в А. И., Ю д и н В. В., Технология

производства полупроводниковых приборов, изд-во «Судостроение», 1965.

22. Л е в и и С. Н.. Основы полупроводниковой ми­ кроэлектроники, перевод с англ., изд-во «Советское ра­ дио». 1966.

23. М а с л о в А. А.,

Электронные

полупроводнико­

вые приборы, изд-во «Энергия», 1967.

 

 

 

 

 

 

 

24. Н а з а р е н к о

О.

К., И с т о м и

и

Е.

И.,

Л о к ­

ши н

В. Е.,

Электроннолучевая

сварка,

изд-во

«Маши­

ностроение»,

1966.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25. Н а н а в а т и

 

 

Р а д ж е н д р а

 

П.,

 

Введение

в полупроводниковую

 

электронику,

перевод

с

англ.,

изд-во «Связь», 1965.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

26. Н о с о в

Ю. Р.,

Полупроводниковые импульсные

диоды, изд-во «Советское радио», 1965.

 

 

 

 

 

 

 

27. П а р н е с Л. Г.,

Механизация

и

автоматизация

изготовления

элементов

радиоаппаратуры,

Госэнергоиз­

дат,

1963.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

28. П а с ы н к о в

 

В.

В.,

Ч и р к и н

Л.

К ,

Ши 1 1-

к о в

А. Д.,

Полупроводниковые

приборы,

изд-во

«Выс­

шая школа»,

1966.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

29. П р е с с

Ф. П.,

Фотолитография,

изд-во

«Энер­

гия»,

1968.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30. Производство

полупроводниковых

приборов, пе­

ревод с англ., Оборонгиз, 1962.

 

 

 

 

 

 

 

 

31. Р о с с о ш и и с к и й

А.

А., Т а б е л е в

В.

Д .,

Комбинированный

способ

микросварки

 

давлением,

«Автоматическая сварка», 1967, № 11.

 

 

 

 

 

 

 

32. С м и р н о в

А.

С.,

Предпочтительные

числа

и

их практическое применение, Изд-во

стандартов, 1965.

33. С м и т

Р.,

Полупроводники,

перевод

с

англ.,

Изд-во иностр. лит., 1962.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

34. С п и р и д о н о в

 

Н. С.,

В е р т о г р а д о в

В. И.,

Дрейфовые транзисторы, изд-во «Советское

радио»,.

1964.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

35. Т и х о н о в

Ю.

Н.,

Технология

изготовления

германиевых и кремниевых диодов и триодов, изд-во

«Энергия», 1964.

 

 

 

 

36. «Физика

и

химия

обработки

1967,.

№ 4, стр. 25—34, 71—80.

 

 

37. Х а р б е н к о

М. Г., Ультразвук в машинострое­

нии, изд-во «Машиностроение», 1966.

 

38. Ш а й в

Дж.

Н.,

Физические свойства

и кон­

струкции полупроводниковых приборов, перевод с англ.,. Госэнергоиздат, 1963.

39. Ш а у м я н Г. А. и др., Автоматизация произ­ водственных процессов, изд-во «Высшая школа», 1967.

40. Экономическое обоснование выбора параметри­ ческих и размерных рядов в стандартах и нормалях.

Рекомендации РЗ-63, ВНИИНМАШ и

ВНИИС, 1966.

41. «Экспресс-информация», серия

«Электроника»»

ВИНИТИ,

1964— 1966.

 

42. Ю

д и и Д. Б., Г о л ь ш т е й н

Е. Г., Задачи и

методы линейного программирования, изд-во «Совет­ ское радио», 1961.

43. 3 а х Ь и О.,

Мойегп МеИЫ з Гог М агктд Ме-

1а1г, «Ме1а1 НшзИ»,

1963, III, р. 97.

44.«5егшсоп(1ис1ог Ргос1ис15», 1963, 6, № 2, р. 23,25.

45.«5егтсопс1ис1ог Ргодис1&», 1965, 6, № 3, р. 38,63.

46.«ЗеписопдисЬг Ргос1ис15», 1966, 9, '№ 8, р. 23.

47.«Е1ес1готк Ие\У5», 1965, № 495, р. 400.

48.«ОрИк», 1964, № 8, р. 4. 5.

О Г Л А В Л Е Н И Е

Предисловие

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

3-2.

Изготовление

металлических

деталей

 

 

3^

Введение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

3-

3. Изготовление металлостеклянных узлов кор­

 

В-1.

Развитие

 

производства полупроводниковых

 

 

пуса

ч е т в е р т а я .

 

............................................41

 

 

 

приборов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4 Г л а в а

 

 

Изготовление

деталей

 

В-2.

 

Полупроводниковые приборы. Элементы кон­

 

 

сплавного перехода и других элементов по­

 

 

 

струкций

 

основных

типов

полупроводнико­

4

 

лупроводникового

прибора

 

 

 

 

 

43

 

 

вых

диодов

и триодов

 

 

 

 

 

 

4-1. Общие сведения

 

 

 

. .

 

 

 

 

43

В-3.

Типовые

технологические схемы производ­

 

4-2. Оборудование

для

изготовления

шариковых

 

 

 

ства полупроводниковых диодов и триодов.

 

 

электродов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

43

 

 

Назначение

основных

 

технологических

опе­

8

4-

3. Оборудование

для

получения

электродных

 

В-4.

раций

 

 

 

к

полупроводниковому оборудо­

 

выводов

Оборудование

для

очистки

и

45.

Требования

12

Г л а в а

 

п я т а я .

 

 

 

ванию

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

технохимической обработки деталей и кор­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

пусов приборов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

45

 

 

 

 

 

 

 

 

Ч А С Т Ь

I

 

 

 

 

 

 

5-

1. Общие сведения

 

 

 

 

 

 

 

 

45

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5-2. Оборудование

для

обезжиривания,

травле­

 

ОБОРУДОВАНИЕ

ДЛЯ

ИЗГОТОВЛЕНИЯ

 

 

 

 

ния,

промывки и сушки

деталей

 

 

46

 

 

 

ПЛАСТИН

И

КРИСТАЛЛОВ

 

 

 

5-3. Оборудование

для

очистки

деталей в

ва­

 

Г л а в а

п е р в а я .

Оборудование

для

механиче­

 

 

кууме и в поле тлеющего разряда

 

 

48

 

5-4.

Оборудование для

нанесения электрохимиче­

 

 

 

ской обработки

и измерения

электрофизиче­

 

 

 

 

 

 

ских

покрытий

 

 

 

 

 

 

 

 

 

40

 

 

ских параметров германия и кремния

 

 

14

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1-1. Сведения

о

технологии механической

обра­

14

 

 

 

 

Ч А С Т Ь

III

 

 

 

 

 

 

 

 

ботки

германия

и кремния

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ОБОРУДОВАНИЕ

 

ДЛЯ

ПОЛУЧЕНИЯ

 

 

1-2. Оборудование для ориентации моиоюристал-

14

 

 

 

 

1-3.

 

лических слитков германия и кремния

 

 

 

 

 

ПЕРЕХОДОВ

 

 

 

 

 

 

 

Оборудование

для

резки

полупроводнико­

19

Г л а в а

 

ш е с т а я .

Оборудование

для создания

 

 

 

вых

материалов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1-4. Оборудование для шлифовки и полировки

 

 

р-п-переходов и невыпрямляющих контактов

55

 

 

пластин

и

кристаллов

 

 

 

 

 

 

23

6-1.

Общие сведения

 

 

 

 

 

 

 

.

 

55

1-5.

Оборудование для измерения электрофизи­

 

6-2. Оборудование

для

получения

сплавных

пе­

 

 

 

ческих

параметров

полупроводниковых

ма­

 

 

реходов

 

 

. . .

 

 

 

. . .

 

56

 

 

териалов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25

6-3.

Оборудование

для

получения

диффузионных

 

1-

 

6. Сортировка

кристаллов

и

пластин

по

тол­

 

 

переходов

 

 

 

 

 

 

.

 

 

 

60

 

 

щине .

 

 

 

 

 

.

 

 

 

 

 

травления,

29

6-4.

Оборудование для получения шлифов

 

63

Г л а в а

в т о р а я .

Оборудование для

 

6-

5. Оборудование для эпитаксиального наращи­

 

 

 

промывки

 

и

сушки

пластин

и

кристаллов

 

 

вания

 

 

. .

 

 

 

.

 

 

63

2-

 

1. Общие сведения

 

 

 

 

 

 

 

 

32

Г л а в а

 

с е д ь м а я .

Оборудование для

очистки

 

2-2.

 

Оборудование

для

химического

травления

 

 

и

защиты переходов

 

 

 

 

 

 

65

 

 

пластин

и

кристаллов

 

 

 

 

 

 

 

33

7-

1. Общие сведения

 

 

 

 

 

 

 

 

66

2-

 

3. Оборудование

для

 

сушки

пластин

 

кри­

 

7-2.

Оборудование

для

травления

 

пром

 

 

 

 

сталлов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

37

 

переходов

для

 

 

.

 

 

 

.

по­

66

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7-3. Оборудование

нанесения

защитных

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ч А С Т Ь

 

II

 

 

 

 

 

 

 

крытий на переходы

 

 

 

 

 

.

.

70

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7-

4.

Оборудование

для

сушки

 

защитного

слоя

72

ОБОРУДОВАНИЕ

ДЛЯ

 

ИЗГОТОВЛЕНИЯ

 

Г л а в а в о с ь м а я .

Оборудование

для

получе­

 

 

 

 

 

ДЕТАЛЕЙ

и

 

у з л о в

 

 

 

 

 

ния переходов методом планарной техноло­

73

 

п о л у п р о в о д н и к о в ы х

ПРИБОРОВ

 

 

 

гии

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8-1. Общие сведения

 

 

 

 

 

 

 

.

 

73

Г л а в а

т р е т ь я .

Оборудование

для

изготовле­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8-2.

Оборудование для получения окисных пленок

74

 

 

ния

деталей и

узлов

корпуса

 

 

 

 

39

8-3.

Оборудование

для

фотолитографии

 

76

3-

 

1. Общие сведения

 

 

 

 

 

 

 

 

39

8-4.

Изготовление

прецизионных

 

фотошаблонов

80

1ва

 

 

 

 

 

 

Ч А С Т Ь

IV

 

 

 

 

 

 

 

Г л а в а п я т н а д ц а т а я .

 

Оборудование

для

 

 

 

ОБОРУДОВАНИЕ

ДЛЯ

 

СБОРКИ

 

 

 

климатических

 

испытаний

 

 

 

 

 

137

 

 

 

 

 

15-1. Общие сведения

 

 

 

.

 

 

 

 

 

137

 

 

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

15-2. Оборудованиедля

термовлагоиспытаний

 

138

Г л а в а д е в я т а я .

Оборудование

для

сборки

 

15-3. Оборудование для -испытания приборов при

 

 

 

элементов приборов

 

 

 

 

 

 

 

 

82

 

повышенном л

пониженном

 

давлении

141

9-1. Общие сведения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

82

Г л а в а ш е с т н а д ц а т а я .

Оборудование

для

 

9-2. Оборудование для

создания

микроклимата

82

 

испытаний

на

надежность и

стабильность

141

9-3.

Оборудование

для

сборки

переходов

в

кас­

84

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9-4.

сеты перед сплавлением

 

 

 

 

электрод­

 

 

 

 

Ч А С Т Ь

VI

 

 

 

 

 

 

 

 

Оборудование

 

для

присоединения

 

ВСПОМОГАТЕЛЬНОЕ

ОБОРУДОВАНИЕ

 

 

 

 

ных выводов к переходу методом контактной

86

 

 

9-5.

микросварки

 

для

 

 

 

 

. . . .

 

Г л а в а с е м н а д ц а т а я .

Оборудование

 

для

 

Оборудование

 

присоединения

электрод­

86

 

очистки

сред

и

контроля

их

параметров

146

 

 

ных выводов термокомпрессией

 

 

 

 

 

 

 

для лужения

17-1.

Общие

сведения

 

 

 

 

. . . .

 

 

 

146

Г л а в а д е с я т а я .

Оборудование

92

17-2.

Оборудование

для

централизованной

очист­

 

 

 

и

напайки

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ки воды

 

.

.

 

 

 

 

 

 

 

 

147

1С-1. Общие сведения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

92

17-3.

Финишная

очистка воды

 

. . . .

 

 

 

150

10-2.

Оборудование для

напайки

кристалла

 

 

92

 

 

 

 

 

 

17-4

Оборудование

для

очистки

и

осушки

газов

153

10-

 

3. Оборудование

для

облуживання

выводов

95

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Г л а в а

о д и н н а д ц а т а я .

Оборудование

для

 

 

 

 

 

Ч А С Т Ь

VII

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

герметизации

полупроводниковых

приборов

98

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

11-

 

1. Общие сведения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

98

 

ЛИНИИ

ДЛЯ

ПРОИЗВОДСТВА

 

 

 

 

11-2. Оборудование

 

для

холодной

сварки

 

 

98

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ д и о д о в

 

 

 

 

11 -3. Оборудование для электроконтактной сварки

100

 

 

 

 

 

11-

 

4. Оборудование

для

контроля

герметичности

 

 

 

 

 

И

ТРИОДОВ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

полупроводниковых

приборов

 

 

 

 

по­

101

Г л а в а в о с е м н а д ц а т а я .

Основные понятия

 

Г л а в а д в е н а д ц а т а я .

Оборудование для

104

 

и классификация линий. Типовые элементы

и

 

 

 

крытия,

маркировки и

упаковки

приборов

 

 

 

 

 

устройства,

характеризующие

 

линии

 

 

 

158

12-

 

1. Общие

сведения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

104

18-1. Общие сведения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

158

12-2.

Оборудование

 

для

химического

никелирова­

104

16-2. Межоперационная

тара, применяемая

 

 

 

 

 

 

ния .

. .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ниях

 

. .

 

 

 

 

 

.

 

 

 

160

12-3. Оборудование

 

для

окраски

приборов

 

 

106

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

18-3. Межоперационный

транспорт

 

линии

 

 

 

161

12-

4. Маркировка

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

108

18-4. Управление линиями

 

 

 

 

 

 

 

 

164

42-5.

 

Оборудование

 

для

упаковки

 

 

 

 

 

112

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

18-

5. Построение

линий

 

 

 

 

 

 

 

 

164

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Г л а в а

д е в я т н а д ц а т а я .

Поточные и

 

ком­

 

 

 

 

 

 

Ч А С Т Ь

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

плексно-механизированные

 

линии для

 

изго­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

товления диодов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

165

 

ОБОРУДОВАНИЕ

ДЛЯ

КОНТРОЛЯ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

19-1. Общие сведения

 

.

 

 

 

 

 

 

165

 

 

 

 

И

ИСПЫТАНИЯ

 

 

 

 

 

 

19-2. Комплексно-механизированная

 

 

 

 

 

165

Г л а в а т р и н а д ц а т а я .

Оборудование

 

для

 

 

сборки импульсных диодов

 

 

 

 

 

 

 

 

19-3. Комплексно-механизированная

 

 

 

 

 

 

 

контроля

параметров

 

полупроводниковых

114

 

сборки диодов

типа Д226

 

 

 

.

 

 

 

167

 

приборов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

19-4. Комплексно-механизированная линия для из­

 

13-

1. Общие

сведения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

114

 

готовления диодов типа Д214, Д215

и

 

13-2. Измерители параметров

 

 

 

 

 

 

 

115

 

Д231—Д234

 

 

 

 

 

 

 

.

 

. .

168

13-3. Классификационное оборудование

 

 

 

119

Г л а в а д в а д ц а т а я .

Линии для

производства

 

13-

4. Разбраковочное

оборудование

 

 

 

 

127

 

транзисторов по планарной технологии

 

 

 

171

Г л а в а ч е т ы р н а д ц а т а я .

Оборудование

для

133

Г л а в а

д в а д ц а т ь

п е р в а я .

Основные

на­

 

 

механических испытаний

 

 

 

 

 

 

 

 

правления механизации и автоматизации про­

 

14-

1. Общие

сведения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

133

 

изводства

полупроводниковых

приборов

173

14-2.

Оборудование

для

создания

ударных

нагру­

134

21-1. Основные технологические задачи и принци­

 

 

зок

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

пы механизации и автоматизации

 

.

 

173

14-3.

Оборудование для

создания

вибоационных и

134

21-2. Основы комплексной механизации и автома­

 

 

центробежных

нагрузок

 

 

 

 

 

 

 

 

тизации

производства

 

 

 

 

 

 

 

 

175

14-4.

Оборудование

 

для

регистрации

короткого

 

21-3. Научные

основы методов создания средств

 

 

замыкания и обрывов во время механиче­

135

 

механизации

и

автоматизации

производства

178

 

ских

испытаний

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Литература

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

182