книги / Оборудование для производства полупроводниковых диодов и триодов
..pdfчисле СВЧ-триодов. Основные технологические опера ции планарно-эпитаксиалыюн технологии с применением процессов фотолитографии применяются также и при производстве интегральных твердых схем.
Укажем кратко назначение основных операций, по лагая, что читатель знаком с основами технологии про изводства полупроводниковых приборов.
Ориентация слитков полупроводниковых материа лов рентгеновским или световым методами производит ся с целью определения угла отклонения той или иной кристаллографической плоскости от геометрической оси слитка. Ориентация слитков позволяет добиться лучшей воспроизводимости параметров приборов от партии к партии.
Резка слитков на пластины производится для полу чения заготовок (пластин) толщиной 0,15— 1 мм. Резка осуществляется быстробегущей проволокой или сталь ными полотнами с непрерывной подачей абразивной суспензии, а также кольцеобразной пилой с внутренней алмазоносной режущей кромкой. Последний метод на ходит все более широкое применение.
Шлифовкой в несколько стадий и полировкой дово дят до заданного размера толщину заготовок по всей площади пластины, улучшают геометрию поверхности, добиваются необходимой чистоты поверхности и устра няют дефекты, возникающие при резке слитка.
Очистку поверхности пластин и кристаллов от окис лов и загрязнений и удаление нарушенного слоя произ водят травлением поверхностного слоя полупроводника. Травление иногда используют и для получения необхо
димой толщины |
полупроводниковых |
кристаллов. |
|
Омические |
(невыпрямляющие) |
контакты |
служат |
для присоединения к кристаллу выводов. Они |
могут |
быть нанесены как на всю пластину, так и на отдель
ные кристаллы в зависимости от конструкции и техно логии производства прибора.
Резка пластин на кристаллы (при групповой техно логии) производится до или после получения переходов. Резка осуществляется различными способами (набором полотен, дисковой пилой с наружной алмазоносной ре жущей кромкой, сотовым инструментом с применением
ультразвука, |
алмазной |
иглой путем |
нанесения рисок |
с последующим разламыванием). |
|
||
Промывка пластин и кристаллов после шлифовки, |
|||
резки и травления производится с |
целью удаления |
||
с поверхности |
остатков |
шлифовального микропорошка |
и других механических загрязнений. Промывка осуще ствляется в органических растворителях и высокочнстой деионизованной воде, часто с применением ультразву ка. После промывки пластины и кристаллы тщательно
сушатся в среде |
очищенного |
и осушенного газа. |
Для улучшения качества приборов и обеспечения |
||
воспроизводимости |
результатов |
кристаллы сортируют по |
размерным группам, что позволяет в процессе дальней шей обработки более точно определять технологические режимы с учетом толщины кристаллов в каждой раз мерной группе.
Металлические детали (баллоны, фланцы, кристаллодержатели и др.) изготавливаются на прессовом обо рудовании с использованием специальной высокопроиз водительной оснастки. Для их очистки применяются различные процессы обезжиривания, травления, про мывки и отжига.
Металлостеклянные спаи применяются при изго товлении баллонов диодов, ножек и выводов триодов. Металлостеклянные узлы получают из металлических и стеклянных заготовок спаиванием в конвейерных терми ческих установках или на карусельных полуавтоматах.
2
ф
X
о
к
Получение р-н-переходов яв ляется основной операцией в про изводстве полупроводниковых приборов. Переход р-п, являю щийся собственно полупроводни ковым прибором, образуется при сплавлении, диффузии, вытягива нии из расплава, электрохимиче ском осаждении соответствующих металлов или эпитаксиальном на ращивании.
После получения р-н-перехо да очищают места выхода пере хода на поверхность кристалла, чтобы избежать шунтирующего влияния загрязнений. Очистка производится химическим, а иног да электрохимическим травлени ем. Для предохранения от воз действия окружающей среды ме ста выхода перехода на поверх ность покрывают защитной плен кой лака.
При производстве приборов по мезатехнологин, а также пла
нарных ТРИОДОВ |
II При |
ДИффуЗИИ |
|||||
с маскировкой |
широко |
применя |
|||||
ются |
процессы |
фотографического |
|||||
получения |
рисунка |
необходимой |
|||||
структуры |
на |
фоторезисте, на |
|||||
несенном |
на |
окисленную |
поверх |
||||
ность |
пластины |
кремния. |
После |
||||
смывания |
отдельных |
незадублен- |
|||||
иых участков |
пленки |
фоторезиста |
н вытравливания защитной окисной пленки производится диффу зия примесей в «окна». Операции
по |
окислению пластины, |
нанесе |
|||||
нию фоторезиста, |
его засветке, |
||||||
растворению, |
травлению |
окислов |
|||||
и |
диффузии |
могут |
|
повторяться |
|||
с |
целью |
получения |
|
базовой |
и |
||
эмиттерной |
областей. |
|
|
|
|||
|
Для получения |
выводов |
при |
||||
производстве |
диодов |
и |
триодов |
||||
все |
чаще |
применяется |
вакуумное |
||||
напыление |
металлических |
слоев. |
|||||
|
При |
сборочных |
операциях |
||||
производится |
сборка |
элементов, |
напайка кристалла на кристаллодержатель и ножку, присоедине ние выводов, герметизация в кор пус, а также заключительные опе
рации покрытия, |
маркировки |
и |
|||
упаковки |
готовых |
приборов. |
|
||
Большой удельный вес в про |
|||||
изводстве |
|
полупроводниковых |
|||
приборов |
занимают |
измерения |
|||
электрических |
параметров, клас |
||||
сификация |
приборов |
по пруппам |
|||
и различные |
виды |
испытаний |
|||
(механические, |
климатические, |
на |
|||
срок службы и др.). |
|
|
В-4. ТРЕБОВАНИЯ К ПОЛУПРОВОДНИКОВОМУ
ОБОРУДОВАНИЮ
« |
Производство |
полупроводни |
|
ковых |
приборов |
представляет |
|
о |
собой |
комплекс |
различных опе |
Б |
раций |
от входного контроля |
|
а |
исходных |
материалов |
|
до окончательной сборки |
го |
и т. д.). Важная роль принадлежит средствам контроля |
|||||||||||||||||
тового прибора, его испытания и упаковки. Выпол |
технологии |
и контроля |
качества |
приборов |
и |
их |
эле |
|||||||||||||||
нение |
этих |
сложнейших |
технологических |
и |
кон |
ментов, |
а также |
аппаратуре |
для |
различных |
испытаний, |
|||||||||||
трольно-измерительных операций немыслимо без приме |
в значительной мере характерных только для полупро |
|||||||||||||||||||||
нения специального оборудования. Количество приме |
водникового производства. Широкое внедрение ме |
|||||||||||||||||||||
няемого |
оборудования |
|
и его |
сложность возрастают так |
тодов групповой технологии потребовало создания |
|||||||||||||||||
же в связи с переходом к комплексной механизации и |
специальных установок для контроля параметров пере |
|||||||||||||||||||||
автоматизации |
производства |
полупроводниковых |
при |
ходов на пластинах до разделения их на отдельные |
||||||||||||||||||
боров. |
|
изготовлении |
полупроводниковых |
приборов |
кристаллы. |
|
особенности |
технологии |
производства |
|||||||||||||
При |
|
|
Указанные |
|||||||||||||||||||
используются почти все известные современной технике |
полупроводниковых приборов, |
как |
и многие другие, |
|||||||||||||||||||
процессы, включая металлургические, химические, элек |
определили |
необходимость создания |
принципиально но |
|||||||||||||||||||
трофизические, |
термические, |
фотолитографические, |
вых методов и средств, необходимость создания боль |
|||||||||||||||||||
различные виды металлообработки, сварку, пайку, |
шого количества типов специального оригинального |
|||||||||||||||||||||
прецизионную |
сборку, |
|
нанесение |
различных |
покрытий |
оборудования, не имеющего аналогов в других отраслях |
||||||||||||||||
и т. д. |
|
|
|
|
технология предъявляет исклю |
промышленности. Так, точность многих видов полупро |
||||||||||||||||
Полупроводниковая |
водникового |
оборудования |
значительно |
выше, |
чем |
|||||||||||||||||
чительно высокие требования к техническому уровню |
в общем машиностроении, и в ряде случаев превышает |
|||||||||||||||||||||
производства |
(чистоте |
|
исходных |
материалов, |
стабиль |
точность оборудования, используемого в производстве |
||||||||||||||||
ности и воспроизводимости параметров технологических |
часов. |
Миниатюризация |
полупроводниковых |
приборов |
||||||||||||||||||
процессов) и к применяемому оборудованию. Эти высо |
потребовала применения специальных оптико-механи |
|||||||||||||||||||||
кие требования определяются особенностями полупро |
ческих устройств, обеспечивающих точность перемеще |
|||||||||||||||||||||
водникового производства, |
обусловленными |
тем, |
что |
ния |
до |
1 мкли |
Точность, требуемая |
от |
оборудования |
|||||||||||||
весь процесс получения прибора производится на одном |
при |
процессах |
фотолитографии, зачастую |
составляет |
||||||||||||||||||
кристалле и внутри его объема, так что любое отклоне |
доли микрона. Чрезвычайно жесткие требования |
|||||||||||||||||||||
ние от заданных технологических режимов на одной |
предъявляются к оборудованию для выполнения раз |
|||||||||||||||||||||
операции приводит к браку прибора в целом. Кроме |
личных технологических операций, связанных с приме |
|||||||||||||||||||||
того, микроскопические размеры элементов приборов и |
нением особо активных химических реагентов и силь |
|||||||||||||||||||||
особые условия выполнения операций требуют высокой |
ных |
травителей. |
Высокие |
требования |
предъявляются |
|||||||||||||||||
чистоты и стабильности состава среды и микроклимата, |
к уровню механизации, стабильности работы и надеж |
|||||||||||||||||||||
в котором они производятся. Для осуществления произ |
ности полупроводникового оборудования, в особенности |
|||||||||||||||||||||
водства необходимы разнообразные виды энергоносите |
в связи с переходом к комплексной механизации про |
|||||||||||||||||||||
лей и защитных сред |
(горючий газ, азот, аргон, гелий, |
изводства многих типов приборов, выпускаемых десят |
||||||||||||||||||||
осушенный |
воздух, |
водород, |
деионизованная |
вода |
ками миллионов штук в год. |
|
|
|
|
|
|
|
Часть 1
ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН И КРИСТАЛЛОВ
ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ МЕХАНИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ И ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ГЕРМАНИЯ И КРЕМНИЯ
1-1. СВЕДЕНИЯ О ТЕХНОЛОГИИ МЕХАНИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ГЕРМАНИЯ И КРЕМНИЯ
Кристаллы, используемые для изготовле ния полупроводниковых /приборов, представля ют собой миниатюрные пластинки круглой, квадратной или прямоугольной формы, разме ры которых в зависимости от типа приборов колеблются примерно от 0,5X0,5 до 10X Х10 мм2 (при толщине от 0,04 до 1 мм). До пуски на конечные размеры кристаллов (или пластин — при групповом методе получения переходов) по толщине соответствуют первому классу точности. От их соблюдения во многом зависят качество и особенно воспроизводи мость параметров полупроводниковых прибо ров. Жесткие допуски на геометрические раз меры, высокие требования к качеству поверх ности, высокая твердость -полупроводниковых материалов, большая -стоимость, а следова
тельно, необходимость |
сокращения |
отходов |
|
определяют |
сложность |
изготовления |
пластин |
и кристаллов. |
|
|
|
Наиболее |
раопространенная в настоящее |
время схема технологии изготовления кри сталлов включает операции: 1) ориентация монокристаллических слитков германия и кремния рентгеновским или световым методом; 2) рез ка слитков на пластины алмазоносными инст рументами; 3) шлифовка и полировка пла стин; 4) резка -пластин на кристаллы методом нанесения рисок алмазным карандашом с по следующим разламыванием (в случае квад
ратных или прямоугольных кристаллов) и ме тодом ультразвуковой вырезки (в случае круг лых кристаллов); 5) травление кристаллов и пластин *; 6) сортировка кристаллов по тол щине и удельному сопротивлению.
1-2. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ОРИЕНТАЦИИ
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛИТКОВ
ГЕРМАНИЯ И КРЕМНИЯ
Для производства полупроводниковых при боров используют преимущественно монокри сталлы германия и кремния, выращенные в направлении к-ристаллографичеокой -плоско сти 111. По техническим условиям отклонение геометрической плоскости кристалла от пло скости 111 не должно превышать 10—20' Это делает необходимой дополнительную ориента цию слитков перед резкой их на /пластины. Основные методы определения кристаллогра фической ориентации монокристаллов — опти ческий (метод оветовых фигур) и рентгенов ский. Возможности этих методов применитель но к современному оборудованию иллюстриру ет табл. 1-1.
Оптический метод. В основу действия уста новки ориентации слитков оптическим мето дом положен принцип, заключающийся в том, что протравленные -в специальных травителях образцы германия или кремния отражают све товые лучи -в строго определенных относитель-
* Оборудование для травления, промывки и сушки пластин и кристаллов рассмотрено в гл. 2.
Зеркала (нижнее 4 и верхнее 5), предна значенные для ^преломления лучей, жестко укреплены на осях; верхнее зеркало настраи вается при помощи рукоятки 22 и фиксируется цанговыми зажимами. Подставка 7 с фото объективом типа Юпитер-II (фокусное рас стояние Р= 135 мм) установлена на плите 6. Наводка на фокус осуществляется конической парой шестерен 12, а регулирование диафраг мы—системой шестерен 9. В нижней части корпуса размещается электрический блок 23.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ориентация |
слитков |
с |
приклейкой |
их |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
к предметному столику осуществляется сле |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
дующим |
образом. |
Слиток |
устанавливается |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
в кристаллодерж ателе и фиксируется прижим |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ным винтом. |
Поворотом |
слитка |
вокруг |
оси |
|||||||||||
Рис. 1*3. Оптическая схема установки ориентации |
•световая фигура выводится на вертикальную |
|||||||||||||||||||||||||
сзетовым методом. |
|
|
|
|
|
|
|
|
ось экрана, |
после |
чего |
слиток ■окончательно |
||||||||||||||
смонтированы все |
узлы л |
|
детали установки |
закрепляется |
в крнюталлодаржателе. |
Поворо |
||||||||||||||||||||
|
том ручки угломерной головки световая фигу |
|||||||||||||||||||||||||
(что дает возможность работать на установке |
ра доводится до перекрестия осей. Смещение |
|||||||||||||||||||||||||
в освещенном помещении): |
|
кристалл©держа |
делений на лимбе угломерной головки показы |
|||||||||||||||||||||||
тель 11, конструкция которого предусматрива |
вает |
отклонение |
|
кристаллографической |
оси |
|||||||||||||||||||||
ет возможность установки предметного сто |
слитка в минутах. Зафиксировав это положе |
|||||||||||||||||||||||||
лика для ориентированной |
наклейки |
слитков; |
ние, |
кристаллодержатель |
снимают для при |
|||||||||||||||||||||
подвижная |
плита 18; |
фиксатор |
подвижной |
клейки слитка к предметному столику. При |
||||||||||||||||||||||
плиты 19; угломерная |
головка |
20, обеспечи |
ориентации |
|
по |
этому |
методу |
в |
комплекте |
|||||||||||||||||
вающая |
фиксирование |
поворота |
ориентируе |
установки должно |
быть |
несколько |
сменных |
|||||||||||||||||||
мого слитка с точностью до |
1'; отражатели 10 |
кристаллодержателей. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
и 13; экран 15, представляющий собой жест |
В случае ориентации слитков с нанесением |
|||||||||||||||||||||||||
кую раму с прикрепленными к ней |
матовым |
риски процесс установки и выведения световой |
||||||||||||||||||||||||
стеклом и пластиной из органического стекла, |
фигуры |
в перекрестие |
шкалы экрана |
анало |
||||||||||||||||||||||
на которую нанесена |
шкала. |
Для |
удобства |
гичен описанному. |
Заключительная |
операция |
||||||||||||||||||||
наблюдения шкала подсвечивается. Ось экра |
в этом |
случае — нанесение |
сквозь паз |
кри- |
||||||||||||||||||||||
на проходит через ползун 14, который :вместе |
сталлодержателя |
|
риски |
со стрелкой, |
пока |
|||||||||||||||||||||
с экраном может перемещаться в направлении |
зывающей, в каком направлении и на какой |
|||||||||||||||||||||||||
оптической оси. Возвратно-поступательное |
угол необходимо повернуть слиток, чтобы уста |
|||||||||||||||||||||||||
движение экрана в этом направлении осущест |
новить положение иокомой кристаллографиче |
|||||||||||||||||||||||||
вляется механизмом подъема 17. Экран, кроме |
ской оси. Германиевые слитки |
или пластины |
||||||||||||||||||||||||
того, может поворачиваться вокруг собствен |
ориентируются при крайнем переднем, а крем |
|||||||||||||||||||||||||
ной оси с фиксированием |
положения цанго |
ниевые— при крайнем заднем положении под |
||||||||||||||||||||||||
вым зажимом. |
|
|
визуально |
наблю |
вижной плиты. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
Зеркало |
16 позволяет |
Оптическая схема установки приведена на |
||||||||||||||||||||||||
дать за изображением, получаемым на экране. |
рис. |
1-3. Пучок света от лампы накаливания |
1 |
|||||||||||||||||||||||
При помощи рукоятки 21 зеркало |
устанавли |
через |
конденсор |
2 и диафрагму |
3 |
попадает |
||||||||||||||||||||
вается в положение, удобное для наблюдения. |
на нижнее зеркало 4, а от него через длинно |
|||||||||||||||||||||||||
Фонарь, состоящий из источника света 1 (лам |
фокусный |
объектив |
5 |
к |
зеркалам |
|
6 |
и |
7, |
|||||||||||||||||
па накаливания 8 в; |
30 вт), конденсора |
2 и |
к исследуемому |
образцу 8. |
Последовательно |
|||||||||||||||||||||
диафрагмы |
3, обеспечивает |
получение пучка |
отразившись |
от |
этих зеркал и образца, |
луч |
||||||||||||||||||||
света требуемых направления и силы. |
Кон |
проектируется на |
матовом |
экране |
9. |
|
Наблю |
|||||||||||||||||||
денсор |
представляет |
собой |
систему |
двух |
дение получаемой на экране фигуры осущест |
|||||||||||||||||||||
линз с фокусным расстоянием ,Р=16 |
мм. |
вляется с помощью зеркала 11. Зеркала 6 и 10 |
||||||||||||||||||||||||
Диафрагма выполнена в виде диска с рядом |
закреплены на подвижной плите, которая мо |
|||||||||||||||||||||||||
отверстий диаметром от 0,2 до 2,0 мм; уста |
жет |
быть |
|
установлена |
в двух |
|
положениях |
|||||||||||||||||||
новка ее осуществляется механизмом поворо |
(в зависимости от материала ориентируемого |
|||||||||||||||||||||||||
та. Оптимальное расстояние между конденсо |
слитка). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
ром, источником |
света и диафрагмой |
2Р= |
На схеме изображено крайнее переднее |
|||||||||||||||||||||||
=32 мм. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
положение плиты. Оно соответствует расстоя- |
нию экран — образец 114,5 мм, а одно деление шкалы соответствует отклонению образца, равному 15'. В крайнем заднем положении плиты образец занимает место зеркала 10, а место образца—зеркало 6. При этом рас стояние образец — экран по ходу луча равно 572 мм, а одно деление шкалы соответствует отклонению кристаллографической оси образ ца на 3'.
Рентгеновский метод. Рентгеновский аппа рат для структурного анализа с ионизацион ной регистрацией типа УРС-50И-М (рис. 1-4) представляет собой дифрактометр, позволяю щий автоматически записывать кривые рас пределения преобразуемых исследуемым образцом рентгеновских лучей по углам,
отсчитываемым |
в |
экваториальной плоско |
сти гониометра |
от |
направления первичного |
пучка.
Основные узлы и агрегаты аппарата: рас пределительный блок /, оперативный стол 2, блок РЖ 'со шлангом 3, счетчик квантов 4, гониометрическое устройство 5, защитный экран 6.
Блок-схема аппарата приведена на рис. 1-5. Аппарат присоединяется к сети через входной стабилизатор типа СН-1. Анод рентгеновской трубки защищен и охлаждается водопровод ной водой. Схема питания трубки обеспечивает постоянное анодное напряжение трубки с ма лой величиной пульсации (около 4%).
Чтобы обеспечить высокую стабильность излучения рентгеновской трубки, в аппарате, помимо стабилизатора напряжения СН-1, пре дусмотрен стабилизатор анодного тока, вклю ченный непосредственно в анодную цепь труб ки. Регулировка напряжения на трубке сту-
Рис. 1-5. Блок-схема аппарата УРС-50И-М.
(Г -------------- -1 )
п |
О |
пенчатая, автотрансформаторная. Имеется две |
||
ступени: 35 и 50 кв. |
|
|||
V------------------ |
|
|
||
|
Рентгеновские лучи, выходящие из окна |
|||
\©*В| |
||||
рентгеновской трубки, попадают на исследуе |
||||
|
>1 |
мый образец, укрепленный |
в держателе |
|
1кет»!! |
в центре гониометрического устройства. Отра |
|||
зившись от образца, лучи входят в счетчик |
||||
Гейгера, расположенный на подвижном плече |
||||
|
|
гониометра или на самом гониометре. Счетчик |
||
(1 |
1I- |
Гейгера представляет собой небольшой цилин |
||
дрический газовый конденсатор в стеклянной |
||||
оболочке с тонким (20 мкм) |
слюдяным окон |
цем в торце. Между центральной нитью и обкладкой счетчика прикладывается напряже ние порядка 1 300—1 500 в от высоковольтного выпрямителя блока РЕ-1.
1-3. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ РЕЗКИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
Для резки слитков на пластины и пластин на кристаллы широко применяются резка .по лотнами и проволочная резка с использовани ем абразивов (Л. 4]. Однако наиболее про грессивным является метод алмазной резки, преимущества которого заключаются в сле дующем: 1) на 10—15% сокращается объем отходов полупроводниковых материалов; 2) .в 2—3 раза повышается производитель ность; 3) отходы легче регенерируются; 4) по вышаются чистота и точность обработки.
Резка полотнами (рис. 1-7) применяется в основном при разделении слитков па пластины. Слиток /, на клеенный на столик 3, закрепляется под оправкой с по лотнами 2, которым придается возвратно-поступатель ное движение. К. месту контакта полотен со слитками подается абразивная суспензия. Зерна абразива, увле каемые полотнами, выкрашивают (режут) полупровод никовый материал. Для резки слитков германия и крем ния в качестве абразива используется порошок карби да кремния марок М20, М14 и М10 (размеры зерна 20— 14, 14— 10, 10—7 лаем соответственно). Равномерная подача слитка осуществляется с помощью груза 4, установленного на рычаге 5.
Резка проволокой применяется обычно для разре зания пластин на кристаллы, в том числе и с перехо дами (при групповой технологии) и в редких слу чаях — слитков на пластины. Резка проволокой прин ципиально не отличается от резки полотнами. В данном случае роль полотна выполняет проволока 1 (рис. 1-8), перематываемая системой роликов и движущаяся по ступательно в месте контакта с разрезаемым объектом 2 (пластиной или слитком). При резке проволокой используется абразивная суспензия, составленная на основе порошка М10 или М14. Прижим разрезаемой пластины (слитка) к движущейся проволоке осуществ ляется противовесом 3.
Резка слитков германия и кремния на пла стины дисками с внутренней режущей кром кой, шаржированной искусственными или естественными алмазами, осуществляется на станках различных типов. Технические данные некоторых станков приведены в табл. 1-2.
Станок алмазной резки слитков полуавто матического действия (рис. 1-9) устроен сле-
Рис. .1-8. Схема абразивной резки пластин проволокой.
дующим образом. На верхнем основании станины 10 установлена литая .плита 8, на которой размещены основные узлы станка.: шпиндель 6 с головкой 5 для крепления режу щего диска; суппорт 12 с установочным механизмом 17, микропереключателем 15 и узлом регулировки подачи 16; механизм пода чи 3 с редуктором 18, механизмом управле ния 4, тормозным устройством 2 и рычагом отвода 1; .привод шпинделя 7; наружный экран 14 -с -системой подвода и сбора охлаждающей жидкости.
Т а б л и ц а 1-2
|
|
|
|
|
Станок |
|
|
|
Параметры |
|
|
Сарсо |
Сарсо |
51ах |
|
|
|
|
0-35 |
||||
|
|
|
|
|
0-35 |
(авто |
0/1 |
|
|
|
|
|
|
мат) |
|
Наибольший |
диаметр |
|
|
|
|
||
слитка, м м ....................... |
|
слит |
35 |
38 |
38 |
45 |
|
Наибольшая длина |
|
|
|
|
|||
ка , м м ........................... |
толщина |
70 |
70 |
70 |
70 |
||
Минимальная |
|
|
|
|
|||
пластин, мм |
. . . . |
0 .2 |
0,25 |
0 .2 |
0 ,2 |
||
Максимальная |
толщина |
|
|
|
|
||
пластин (при |
работе в |
|
|
|
|
||
автоматическом цикле), |
|
|
0.6 |
|
|||
.м и * |
................................... |
|
|
0,6 |
|
0,8 |
|
Скорость вращения шпин |
|
|
|
|
|||
деля, |
об/мин |
|
|
зо со |
3 000 |
3 000 |
5000 |
|
|
|
|
4 000 |
4 000 |
4 000 |
|
Отклонение от |
плоскопа- |
5 0С0 |
5 С00 |
5 СС0 |
|
||
|
|
|
|
||||
раллельности |
пластин |
|
|
|
|
||
на 0 |
35 мм, не |
более |
± 0 .0 3 |
± 0 ,0 3 |
± 0 ,0 3 |
± 0 ,0 |
На -суппорте установлена поворотная голов ка 13, позволяющая перемещать слиток в гори зонтальной и вертикальной плоскостях отно сительно режущей кромки режущего диска, что обеспечивает возможность ориентирован ной резки. На нижнем основании станины смонтирован агрегат 9 подачи охлаждающей жидкости, состоящий из резервуара и центро бежного -насоса. В верхней части станины под щитом крепится блок электрооборудования 11.
Взаимодействие механизмов показано на
Рнс. 1-7. Схема абразивной резки слитков полотнами. кинематической схеме (рис. 1-10). От электро-
Рис. 1-9. Станок алмазной |
резки |
слитков полуавтоматического |
действия. |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
двигателя 10 через клиноременную передачу 9 |
тором |
рычаг |
18 |
фиксирует |
рычаг 19 |
так, |
||||||||||||
вращение передается |
на шпиндель 8 с уста |
что последний не препятствует рычагу 16 |
||||||||||||||||
новленной на нем головкой 7. |
Суппорт 5 |
опускаться вниз по профилю кулака 36. |
||||||||||||||||
(верхняя его часть) с поворотной головкой 6, |
Верхняя часть суппорта 5 под действием гру |
|||||||||||||||||
на которой |
закреплен |
слиток, |
перемещается |
за 3 |
движется |
в |
направлении |
рабочей по |
||||||||||
в направлении рабочей подачи под действием |
дачи. |
|
отрезки |
очередной пластины |
||||||||||||||
силы тяжести груза 3 по шариковым направ |
На позицию |
|||||||||||||||||
ляющим 11. В исходное положение суппорт |
слиток автоматически |
подается |
механизмами, |
|||||||||||||||
возвращается рычагом |
отвода |
13, |
который |
кинематически |
связывающими |
электродвига |
||||||||||||
приводится в колебательное движение эксцен |
тель 26 и суппорт 5. |
После |
окончания |
реза |
||||||||||||||
триком |
14, |
установленным на |
кулаке |
36. |
винт замыкает |
контакты |
микропереключате |
|||||||||||
В направлении, |
перпендикулярном |
рабочей |
ля 4, который включает электродвигатель 26 и |
|||||||||||||||
подаче, суппорт перемещается по направляю |
электромагнит 30. |
Электромагнит поворачива |
||||||||||||||||
щим 12 |
под действием |
ходового |
винта |
1 и |
ет сухарь 29, которой разводит колодки 27 |
|||||||||||||
гайки 2, закрепленной ,в нижней части суппор |
тормозного барабана 28. После поворота вала |
|||||||||||||||||
та. Ходовой винт приводится в движение от |
35 на 360° кулак 33 замыкает контакты пере |
|||||||||||||||||
электродвигателя 26 через систему шестерен и |
ключателя 32, который отключает электродви |
|||||||||||||||||
кривошип 34. |
|
|
резки |
осуществля |
гатель 26 и электромагнит 30. |
Сухарь |
29 и |
|||||||||||
Режим автоматической |
тормозные колодки 27 под действием пружины |
|||||||||||||||||
ется следующим |
образом. |
Рукоятка |
25 пере |
31 занимают первоначальное положение. На |
||||||||||||||
водится |
в положение |
«Автоматическая пода |
стройка на требуемый шаг резки осуществля |
|||||||||||||||
ча»; кулак |
17 занимает положение, |
при |
ко |
ется .перемещением сектора 40, |
который |
в за- |