Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Оборудование для производства полупроводниковых диодов и триодов

..pdf
Скачиваний:
3
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
13.07 Mб
Скачать

числе СВЧ-триодов. Основные технологические опера­ ции планарно-эпитаксиалыюн технологии с применением процессов фотолитографии применяются также и при производстве интегральных твердых схем.

Укажем кратко назначение основных операций, по­ лагая, что читатель знаком с основами технологии про­ изводства полупроводниковых приборов.

Ориентация слитков полупроводниковых материа­ лов рентгеновским или световым методами производит­ ся с целью определения угла отклонения той или иной кристаллографической плоскости от геометрической оси слитка. Ориентация слитков позволяет добиться лучшей воспроизводимости параметров приборов от партии к партии.

Резка слитков на пластины производится для полу­ чения заготовок (пластин) толщиной 0,15— 1 мм. Резка осуществляется быстробегущей проволокой или сталь­ ными полотнами с непрерывной подачей абразивной суспензии, а также кольцеобразной пилой с внутренней алмазоносной режущей кромкой. Последний метод на­ ходит все более широкое применение.

Шлифовкой в несколько стадий и полировкой дово­ дят до заданного размера толщину заготовок по всей площади пластины, улучшают геометрию поверхности, добиваются необходимой чистоты поверхности и устра­ няют дефекты, возникающие при резке слитка.

Очистку поверхности пластин и кристаллов от окис­ лов и загрязнений и удаление нарушенного слоя произ­ водят травлением поверхностного слоя полупроводника. Травление иногда используют и для получения необхо­

димой толщины

полупроводниковых

кристаллов.

Омические

(невыпрямляющие)

контакты

служат

для присоединения к кристаллу выводов. Они

могут

быть нанесены как на всю пластину, так и на отдель­

ные кристаллы в зависимости от конструкции и техно­ логии производства прибора.

Резка пластин на кристаллы (при групповой техно­ логии) производится до или после получения переходов. Резка осуществляется различными способами (набором полотен, дисковой пилой с наружной алмазоносной ре­ жущей кромкой, сотовым инструментом с применением

ультразвука,

алмазной

иглой путем

нанесения рисок

с последующим разламыванием).

 

Промывка пластин и кристаллов после шлифовки,

резки и травления производится с

целью удаления

с поверхности

остатков

шлифовального микропорошка

и других механических загрязнений. Промывка осуще­ ствляется в органических растворителях и высокочнстой деионизованной воде, часто с применением ультразву­ ка. После промывки пластины и кристаллы тщательно

сушатся в среде

очищенного

и осушенного газа.

Для улучшения качества приборов и обеспечения

воспроизводимости

результатов

кристаллы сортируют по

размерным группам, что позволяет в процессе дальней­ шей обработки более точно определять технологические режимы с учетом толщины кристаллов в каждой раз­ мерной группе.

Металлические детали (баллоны, фланцы, кристаллодержатели и др.) изготавливаются на прессовом обо­ рудовании с использованием специальной высокопроиз­ водительной оснастки. Для их очистки применяются различные процессы обезжиривания, травления, про­ мывки и отжига.

Металлостеклянные спаи применяются при изго­ товлении баллонов диодов, ножек и выводов триодов. Металлостеклянные узлы получают из металлических и стеклянных заготовок спаиванием в конвейерных терми­ ческих установках или на карусельных полуавтоматах.

2

ф

X

о

к

Получение р-н-переходов яв­ ляется основной операцией в про­ изводстве полупроводниковых приборов. Переход р-п, являю­ щийся собственно полупроводни­ ковым прибором, образуется при сплавлении, диффузии, вытягива­ нии из расплава, электрохимиче­ ском осаждении соответствующих металлов или эпитаксиальном на­ ращивании.

После получения р-н-перехо­ да очищают места выхода пере­ хода на поверхность кристалла, чтобы избежать шунтирующего влияния загрязнений. Очистка производится химическим, а иног­ да электрохимическим травлени­ ем. Для предохранения от воз­ действия окружающей среды ме­ ста выхода перехода на поверх­ ность покрывают защитной плен­ кой лака.

При производстве приборов по мезатехнологин, а также пла­

нарных ТРИОДОВ

II При

ДИффуЗИИ

с маскировкой

широко

применя­

ются

процессы

фотографического

получения

рисунка

необходимой

структуры

на

фоторезисте, на­

несенном

на

окисленную

поверх­

ность

пластины

кремния.

После

смывания

отдельных

незадублен-

иых участков

пленки

фоторезиста

н вытравливания защитной окисной пленки производится диффу­ зия примесей в «окна». Операции

по

окислению пластины,

нанесе­

нию фоторезиста,

его засветке,

растворению,

травлению

окислов

и

диффузии

могут

 

повторяться

с

целью

получения

 

базовой

и

эмиттерной

областей.

 

 

 

 

Для получения

выводов

при

производстве

диодов

и

триодов

все

чаще

применяется

вакуумное

напыление

металлических

слоев.

 

При

сборочных

операциях

производится

сборка

элементов,

напайка кристалла на кристаллодержатель и ножку, присоедине­ ние выводов, герметизация в кор­ пус, а также заключительные опе­

рации покрытия,

маркировки

и

упаковки

готовых

приборов.

 

Большой удельный вес в про­

изводстве

 

полупроводниковых

приборов

занимают

измерения

электрических

параметров, клас­

сификация

приборов

по пруппам

и различные

виды

испытаний

(механические,

климатические,

на

срок службы и др.).

 

 

В-4. ТРЕБОВАНИЯ К ПОЛУПРОВОДНИКОВОМУ

ОБОРУДОВАНИЮ

«

Производство

полупроводни­

ковых

приборов

представляет

о

собой

комплекс

различных опе­

Б

раций

от входного контроля

а

исходных

материалов

 

до окончательной сборки

го­

и т. д.). Важная роль принадлежит средствам контроля

тового прибора, его испытания и упаковки. Выпол­

технологии

и контроля

качества

приборов

и

их

эле­

нение

этих

сложнейших

технологических

и

кон­

ментов,

а также

аппаратуре

для

различных

испытаний,

трольно-измерительных операций немыслимо без приме­

в значительной мере характерных только для полупро­

нения специального оборудования. Количество приме­

водникового производства. Широкое внедрение ме­

няемого

оборудования

 

и его

сложность возрастают так­

тодов групповой технологии потребовало создания

же в связи с переходом к комплексной механизации и

специальных установок для контроля параметров пере­

автоматизации

производства

полупроводниковых

при­

ходов на пластинах до разделения их на отдельные

боров.

 

изготовлении

полупроводниковых

приборов

кристаллы.

 

особенности

технологии

производства

При

 

 

Указанные

используются почти все известные современной технике

полупроводниковых приборов,

как

и многие другие,

процессы, включая металлургические, химические, элек­

определили

необходимость создания

принципиально но­

трофизические,

термические,

фотолитографические,

вых методов и средств, необходимость создания боль­

различные виды металлообработки, сварку, пайку,

шого количества типов специального оригинального

прецизионную

сборку,

 

нанесение

различных

покрытий

оборудования, не имеющего аналогов в других отраслях

и т. д.

 

 

 

 

технология предъявляет исклю­

промышленности. Так, точность многих видов полупро­

Полупроводниковая

водникового

оборудования

значительно

выше,

чем

чительно высокие требования к техническому уровню

в общем машиностроении, и в ряде случаев превышает

производства

(чистоте

 

исходных

материалов,

стабиль­

точность оборудования, используемого в производстве

ности и воспроизводимости параметров технологических

часов.

Миниатюризация

полупроводниковых

приборов

процессов) и к применяемому оборудованию. Эти высо­

потребовала применения специальных оптико-механи­

кие требования определяются особенностями полупро­

ческих устройств, обеспечивающих точность перемеще­

водникового производства,

обусловленными

тем,

что

ния

до

1 мкли

Точность, требуемая

от

оборудования

весь процесс получения прибора производится на одном

при

процессах

фотолитографии, зачастую

составляет

кристалле и внутри его объема, так что любое отклоне­

доли микрона. Чрезвычайно жесткие требования

ние от заданных технологических режимов на одной

предъявляются к оборудованию для выполнения раз­

операции приводит к браку прибора в целом. Кроме

личных технологических операций, связанных с приме­

того, микроскопические размеры элементов приборов и

нением особо активных химических реагентов и силь­

особые условия выполнения операций требуют высокой

ных

травителей.

Высокие

требования

предъявляются

чистоты и стабильности состава среды и микроклимата,

к уровню механизации, стабильности работы и надеж­

в котором они производятся. Для осуществления произ­

ности полупроводникового оборудования, в особенности

водства необходимы разнообразные виды энергоносите­

в связи с переходом к комплексной механизации про­

лей и защитных сред

(горючий газ, азот, аргон, гелий,

изводства многих типов приборов, выпускаемых десят­

осушенный

воздух,

водород,

деионизованная

вода

ками миллионов штук в год.

 

 

 

 

 

 

 

Часть 1

ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН И КРИСТАЛЛОВ

ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ МЕХАНИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ И ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ГЕРМАНИЯ И КРЕМНИЯ

1-1. СВЕДЕНИЯ О ТЕХНОЛОГИИ МЕХАНИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ГЕРМАНИЯ И КРЕМНИЯ

Кристаллы, используемые для изготовле­ ния полупроводниковых /приборов, представля­ ют собой миниатюрные пластинки круглой, квадратной или прямоугольной формы, разме­ ры которых в зависимости от типа приборов колеблются примерно от 0,5X0,5 до 10X Х10 мм2 (при толщине от 0,04 до 1 мм). До­ пуски на конечные размеры кристаллов (или пластин — при групповом методе получения переходов) по толщине соответствуют первому классу точности. От их соблюдения во многом зависят качество и особенно воспроизводи­ мость параметров полупроводниковых прибо­ ров. Жесткие допуски на геометрические раз­ меры, высокие требования к качеству поверх­ ности, высокая твердость -полупроводниковых материалов, большая -стоимость, а следова­

тельно, необходимость

сокращения

отходов

определяют

сложность

изготовления

пластин

и кристаллов.

 

 

Наиболее

раопространенная в настоящее

время схема технологии изготовления кри­ сталлов включает операции: 1) ориентация монокристаллических слитков германия и кремния рентгеновским или световым методом; 2) рез­ ка слитков на пластины алмазоносными инст­ рументами; 3) шлифовка и полировка пла­ стин; 4) резка -пластин на кристаллы методом нанесения рисок алмазным карандашом с по­ следующим разламыванием (в случае квад­

ратных или прямоугольных кристаллов) и ме­ тодом ультразвуковой вырезки (в случае круг­ лых кристаллов); 5) травление кристаллов и пластин *; 6) сортировка кристаллов по тол­ щине и удельному сопротивлению.

1-2. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ОРИЕНТАЦИИ

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛИТКОВ

ГЕРМАНИЯ И КРЕМНИЯ

Для производства полупроводниковых при­ боров используют преимущественно монокри­ сталлы германия и кремния, выращенные в направлении к-ристаллографичеокой -плоско­ сти 111. По техническим условиям отклонение геометрической плоскости кристалла от пло­ скости 111 не должно превышать 10—20' Это делает необходимой дополнительную ориента­ цию слитков перед резкой их на /пластины. Основные методы определения кристаллогра­ фической ориентации монокристаллов — опти­ ческий (метод оветовых фигур) и рентгенов­ ский. Возможности этих методов применитель­ но к современному оборудованию иллюстриру­ ет табл. 1-1.

Оптический метод. В основу действия уста­ новки ориентации слитков оптическим мето­ дом положен принцип, заключающийся в том, что протравленные -в специальных травителях образцы германия или кремния отражают све­ товые лучи -в строго определенных относитель-

* Оборудование для травления, промывки и сушки пластин и кристаллов рассмотрено в гл. 2.

Зеркала (нижнее 4 и верхнее 5), предна­ значенные для ^преломления лучей, жестко укреплены на осях; верхнее зеркало настраи­ вается при помощи рукоятки 22 и фиксируется цанговыми зажимами. Подставка 7 с фото­ объективом типа Юпитер-II (фокусное рас­ стояние Р= 135 мм) установлена на плите 6. Наводка на фокус осуществляется конической парой шестерен 12, а регулирование диафраг­ мы—системой шестерен 9. В нижней части корпуса размещается электрический блок 23.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ориентация

слитков

с

приклейкой

их

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

к предметному столику осуществляется сле­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

дующим

образом.

Слиток

устанавливается

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в кристаллодерж ателе и фиксируется прижим­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ным винтом.

Поворотом

слитка

вокруг

оси

Рис. 1*3. Оптическая схема установки ориентации

•световая фигура выводится на вертикальную

сзетовым методом.

 

 

 

 

 

 

 

 

ось экрана,

после

чего

слиток ■окончательно

смонтированы все

узлы л

 

детали установки

закрепляется

в крнюталлодаржателе.

Поворо­

 

том ручки угломерной головки световая фигу­

(что дает возможность работать на установке

ра доводится до перекрестия осей. Смещение

в освещенном помещении):

 

кристалл©держа­

делений на лимбе угломерной головки показы­

тель 11, конструкция которого предусматрива­

вает

отклонение

 

кристаллографической

оси

ет возможность установки предметного сто­

слитка в минутах. Зафиксировав это положе­

лика для ориентированной

наклейки

слитков;

ние,

кристаллодержатель

снимают для при­

подвижная

плита 18;

фиксатор

подвижной

клейки слитка к предметному столику. При

плиты 19; угломерная

головка

20, обеспечи­

ориентации

 

по

этому

методу

в

комплекте

вающая

фиксирование

поворота

ориентируе­

установки должно

быть

несколько

сменных

мого слитка с точностью до

1'; отражатели 10

кристаллодержателей.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и 13; экран 15, представляющий собой жест­

В случае ориентации слитков с нанесением

кую раму с прикрепленными к ней

матовым

риски процесс установки и выведения световой

стеклом и пластиной из органического стекла,

фигуры

в перекрестие

шкалы экрана

анало­

на которую нанесена

шкала.

Для

удобства

гичен описанному.

Заключительная

операция

наблюдения шкала подсвечивается. Ось экра­

в этом

случае — нанесение

сквозь паз

кри-

на проходит через ползун 14, который :вместе

сталлодержателя

 

риски

со стрелкой,

пока­

с экраном может перемещаться в направлении

зывающей, в каком направлении и на какой

оптической оси. Возвратно-поступательное

угол необходимо повернуть слиток, чтобы уста­

движение экрана в этом направлении осущест­

новить положение иокомой кристаллографиче­

вляется механизмом подъема 17. Экран, кроме

ской оси. Германиевые слитки

или пластины

того, может поворачиваться вокруг собствен­

ориентируются при крайнем переднем, а крем­

ной оси с фиксированием

положения цанго­

ниевые— при крайнем заднем положении под­

вым зажимом.

 

 

визуально

наблю­

вижной плиты.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Зеркало

16 позволяет

Оптическая схема установки приведена на

дать за изображением, получаемым на экране.

рис.

1-3. Пучок света от лампы накаливания

1

При помощи рукоятки 21 зеркало

устанавли­

через

конденсор

2 и диафрагму

3

попадает

вается в положение, удобное для наблюдения.

на нижнее зеркало 4, а от него через длинно­

Фонарь, состоящий из источника света 1 (лам­

фокусный

объектив

5

к

зеркалам

 

6

и

7,

па накаливания 8 в;

30 вт), конденсора

2 и

к исследуемому

образцу 8.

Последовательно

диафрагмы

3, обеспечивает

получение пучка

отразившись

от

этих зеркал и образца,

луч

света требуемых направления и силы.

Кон­

проектируется на

матовом

экране

9.

 

Наблю­

денсор

представляет

собой

систему

двух

дение получаемой на экране фигуры осущест­

линз с фокусным расстоянием ,Р=16

мм.

вляется с помощью зеркала 11. Зеркала 6 и 10

Диафрагма выполнена в виде диска с рядом

закреплены на подвижной плите, которая мо­

отверстий диаметром от 0,2 до 2,0 мм; уста­

жет

быть

 

установлена

в двух

 

положениях

новка ее осуществляется механизмом поворо­

(в зависимости от материала ориентируемого

та. Оптимальное расстояние между конденсо­

слитка).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ром, источником

света и диафрагмой

2Р=

На схеме изображено крайнее переднее

=32 мм.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

положение плиты. Оно соответствует расстоя-

нию экран — образец 114,5 мм, а одно деление шкалы соответствует отклонению образца, равному 15'. В крайнем заднем положении плиты образец занимает место зеркала 10, а место образца—зеркало 6. При этом рас­ стояние образец — экран по ходу луча равно 572 мм, а одно деление шкалы соответствует отклонению кристаллографической оси образ­ ца на 3'.

Рентгеновский метод. Рентгеновский аппа­ рат для структурного анализа с ионизацион­ ной регистрацией типа УРС-50И-М (рис. 1-4) представляет собой дифрактометр, позволяю­ щий автоматически записывать кривые рас­ пределения преобразуемых исследуемым образцом рентгеновских лучей по углам,

отсчитываемым

в

экваториальной плоско­

сти гониометра

от

направления первичного

пучка.

Основные узлы и агрегаты аппарата: рас­ пределительный блок /, оперативный стол 2, блок РЖ 'со шлангом 3, счетчик квантов 4, гониометрическое устройство 5, защитный экран 6.

Блок-схема аппарата приведена на рис. 1-5. Аппарат присоединяется к сети через входной стабилизатор типа СН-1. Анод рентгеновской трубки защищен и охлаждается водопровод­ ной водой. Схема питания трубки обеспечивает постоянное анодное напряжение трубки с ма­ лой величиной пульсации (около 4%).

Чтобы обеспечить высокую стабильность излучения рентгеновской трубки, в аппарате, помимо стабилизатора напряжения СН-1, пре­ дусмотрен стабилизатор анодного тока, вклю­ ченный непосредственно в анодную цепь труб­ ки. Регулировка напряжения на трубке сту-

Рис. 1-5. Блок-схема аппарата УРС-50И-М.

-------------- -1 )

п

О

пенчатая, автотрансформаторная. Имеется две

ступени: 35 и 50 кв.

 

V------------------

 

 

 

Рентгеновские лучи, выходящие из окна

\©*В|

рентгеновской трубки, попадают на исследуе­

 

>1

мый образец, укрепленный

в держателе

1кет»!!

в центре гониометрического устройства. Отра­

зившись от образца, лучи входят в счетчик

Гейгера, расположенный на подвижном плече

 

 

гониометра или на самом гониометре. Счетчик

(1

1I-

Гейгера представляет собой небольшой цилин­

дрический газовый конденсатор в стеклянной

оболочке с тонким (20 мкм)

слюдяным окон­

цем в торце. Между центральной нитью и обкладкой счетчика прикладывается напряже­ ние порядка 1 300—1 500 в от высоковольтного выпрямителя блока РЕ-1.

1-3. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ РЕЗКИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Для резки слитков на пластины и пластин на кристаллы широко применяются резка .по­ лотнами и проволочная резка с использовани­ ем абразивов (Л. 4]. Однако наиболее про­ грессивным является метод алмазной резки, преимущества которого заключаются в сле­ дующем: 1) на 10—15% сокращается объем отходов полупроводниковых материалов; 2) .в 2—3 раза повышается производитель­ ность; 3) отходы легче регенерируются; 4) по­ вышаются чистота и точность обработки.

Резка полотнами (рис. 1-7) применяется в основном при разделении слитков па пластины. Слиток /, на­ клеенный на столик 3, закрепляется под оправкой с по­ лотнами 2, которым придается возвратно-поступатель­ ное движение. К. месту контакта полотен со слитками подается абразивная суспензия. Зерна абразива, увле­ каемые полотнами, выкрашивают (режут) полупровод­ никовый материал. Для резки слитков германия и крем­ ния в качестве абразива используется порошок карби­ да кремния марок М20, М14 и М10 (размеры зерна 20— 14, 14— 10, 10—7 лаем соответственно). Равномерная подача слитка осуществляется с помощью груза 4, установленного на рычаге 5.

Резка проволокой применяется обычно для разре­ зания пластин на кристаллы, в том числе и с перехо­ дами (при групповой технологии) и в редких слу­ чаях — слитков на пластины. Резка проволокой прин­ ципиально не отличается от резки полотнами. В данном случае роль полотна выполняет проволока 1 (рис. 1-8), перематываемая системой роликов и движущаяся по­ ступательно в месте контакта с разрезаемым объектом 2 (пластиной или слитком). При резке проволокой используется абразивная суспензия, составленная на основе порошка М10 или М14. Прижим разрезаемой пластины (слитка) к движущейся проволоке осуществ­ ляется противовесом 3.

Резка слитков германия и кремния на пла­ стины дисками с внутренней режущей кром­ кой, шаржированной искусственными или естественными алмазами, осуществляется на станках различных типов. Технические данные некоторых станков приведены в табл. 1-2.

Станок алмазной резки слитков полуавто­ матического действия (рис. 1-9) устроен сле-

Рис. .1-8. Схема абразивной резки пластин проволокой.

дующим образом. На верхнем основании станины 10 установлена литая .плита 8, на которой размещены основные узлы станка.: шпиндель 6 с головкой 5 для крепления режу­ щего диска; суппорт 12 с установочным механизмом 17, микропереключателем 15 и узлом регулировки подачи 16; механизм пода­ чи 3 с редуктором 18, механизмом управле­ ния 4, тормозным устройством 2 и рычагом отвода 1; .привод шпинделя 7; наружный экран 14 -с -системой подвода и сбора охлаждающей жидкости.

Т а б л и ц а 1-2

 

 

 

 

 

Станок

 

 

Параметры

 

 

Сарсо

Сарсо

51ах

 

 

 

0-35

 

 

 

 

 

0-35

(авто­

0/1

 

 

 

 

 

 

мат)

 

Наибольший

диаметр

 

 

 

 

слитка, м м .......................

 

слит­

35

38

38

45

Наибольшая длина

 

 

 

 

ка , м м ...........................

толщина

70

70

70

70

Минимальная

 

 

 

 

пластин, мм

. . . .

0 .2

0,25

0 .2

0 ,2

Максимальная

толщина

 

 

 

 

пластин (при

работе в

 

 

 

 

автоматическом цикле),

 

 

0.6

 

.м и *

...................................

 

 

0,6

 

0,8

Скорость вращения шпин­

 

 

 

 

деля,

об/мин

 

 

зо со

3 000

3 000

5000

 

 

 

 

4 000

4 000

4 000

 

Отклонение от

плоскопа-

5 0С0

5 С00

5 СС0

 

 

 

 

 

раллельности

пластин

 

 

 

 

на 0

35 мм, не

более

± 0 .0 3

± 0 ,0 3

± 0 ,0 3

± 0 ,0

На -суппорте установлена поворотная голов­ ка 13, позволяющая перемещать слиток в гори­ зонтальной и вертикальной плоскостях отно­ сительно режущей кромки режущего диска, что обеспечивает возможность ориентирован­ ной резки. На нижнем основании станины смонтирован агрегат 9 подачи охлаждающей жидкости, состоящий из резервуара и центро­ бежного -насоса. В верхней части станины под щитом крепится блок электрооборудования 11.

Взаимодействие механизмов показано на

Рнс. 1-7. Схема абразивной резки слитков полотнами. кинематической схеме (рис. 1-10). От электро-

Рис. 1-9. Станок алмазной

резки

слитков полуавтоматического

действия.

 

 

 

 

 

 

 

двигателя 10 через клиноременную передачу 9

тором

рычаг

18

фиксирует

рычаг 19

так,

вращение передается

на шпиндель 8 с уста­

что последний не препятствует рычагу 16

новленной на нем головкой 7.

Суппорт 5

опускаться вниз по профилю кулака 36.

(верхняя его часть) с поворотной головкой 6,

Верхняя часть суппорта 5 под действием гру­

на которой

закреплен

слиток,

перемещается

за 3

движется

в

направлении

рабочей по­

в направлении рабочей подачи под действием

дачи.

 

отрезки

очередной пластины

силы тяжести груза 3 по шариковым направ­

На позицию

ляющим 11. В исходное положение суппорт

слиток автоматически

подается

механизмами,

возвращается рычагом

отвода

13,

который

кинематически

связывающими

электродвига­

приводится в колебательное движение эксцен­

тель 26 и суппорт 5.

После

окончания

реза

триком

14,

установленным на

кулаке

36.

винт замыкает

контакты

микропереключате­

В направлении,

перпендикулярном

рабочей

ля 4, который включает электродвигатель 26 и

подаче, суппорт перемещается по направляю­

электромагнит 30.

Электромагнит поворачива­

щим 12

под действием

ходового

винта

1 и

ет сухарь 29, которой разводит колодки 27

гайки 2, закрепленной ,в нижней части суппор­

тормозного барабана 28. После поворота вала

та. Ходовой винт приводится в движение от

35 на 360° кулак 33 замыкает контакты пере­

электродвигателя 26 через систему шестерен и

ключателя 32, который отключает электродви­

кривошип 34.

 

 

резки

осуществля­

гатель 26 и электромагнит 30.

Сухарь

29 и

Режим автоматической

тормозные колодки 27 под действием пружины

ется следующим

образом.

Рукоятка

25 пере­

31 занимают первоначальное положение. На­

водится

в положение

«Автоматическая пода­

стройка на требуемый шаг резки осуществля­

ча»; кулак

17 занимает положение,

при

ко­

ется .перемещением сектора 40,

который

в за-