Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Пермский национальный исследовательский политехнический университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

книги / Сборник задач и упражнений по импульсной технике

..pdf

Скачиваний:

Добавлен:

12.11.2023

Размер:

13.31 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 910 / 2810 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 > Следующая >>>

UJJX	диод Д откроется,			когда		м^п	достигнет значения Е,				т. е.
	цвх		п
Un =	n I D	Т 1 Г		=	£ ;	отсюда		напряжение		входного	сигна-
	^?i+ #orp +
ла,	при	котором	Д	откроется,			т.	е.	будет	ограничиваться,
	^ Яг +	/?огр +	# н	.л	5 0 0 + Ы 0 3+			10	-103
	—	R. ---------!1° ---------^						-------- = " ’ 5 В -
4.42. Временные диаграммы рис. 4.40, d;								Ua — 4 В;		Umi — 6 В. 4.43.

Временные диаграммы показаны на рис. 4.7, а; амплитуда выходного напряжения Um+ = £ + i2 (R np - f R {E) = 6 - f 0,7 = 6,7 В (чет кость ограничения ухудшилась). 4.44. На внутреннем сопротивлении

источника питания от переменной составляющей i2 создается паразит* мое падение напряжения, которое ухудшает четкость ограничения- 4.45. а) Выходное напряжение повторяет входное, б) выходное на пряжение имеет временною диаграмму рис. 4.40, о с U0 = —Е . 4.46. Э. д. с. положительного импульса практически будет перераспределять ся между сопротивлением источника и Дпр диода. Если источник сиг

нала Е т

и диод не сгорят

от тока короткого замыкания,

то на выходе

появится положительный импульс амплитудой Um+ =

---- —---- —

100

Ч Е +

R:пр

= 5

2,5 В.

4.47. /д = 16 мА;

= 44

В.

4.48.

1 0 0 + 1 0 0

Табл. 4.4.

4.49. а) Временная

диаграмма

будет соответствовать

Т а б л и ц а

4.4

Вы ходное напряж ение

Временны е диаграммы

при

действии

входны х

импульсов

Н ом ера

вы ходны х сигналов

вари ан тов

[«< 0 1

при

ttnx

полож птель*

отрицатель-

(ив).

ного

(С/т 1 ) . В ного

а)

См. рис. 4 .4 1 , л

б)

См. рис. 4 .4 0 , о

— 7

—

а )

См. рис. 4 .4 0 , о

— 5

—

б)

См. рис. 4 .4 1 , л

^ 6

—

л ? 1

а )

С.м. рис. 4 .4 0 ,

—

б)

См. рис. 4 .4 0 ,

рис. 4.40, к\ и шг =	Е 2; Um2 =	U mBX; б) В р е д н а я	диаграмма будет
соответствовать рис.	4.40, о; U0	= £ + 4.50. Е — 1,1	В. 4.51. и т в х
= 32 В. 4.52. Для	определения формы выходного напряжения необ

ходимо знать постоянную времени цепи т и ее соотношение с длитель ностью входного импульса tn. а) Постоянная времени: % = С (R i +

+]?) = 100 • Ю -13 • (Ю4 + 50) « 1 мкс. Так как X <£ tUl то цепь

дифференцирующая	nU ml =	Om2=^U mBX — 10			В (см.	рис.		4 . 1 5 ) .
б) т== С ( R t + R) =	0,1 • 1 0 - 6	х	(Ю4 + 5 0 ) «	1	мс. Так	как	т »	/„ и
выходное напряжение снимается			с R , то цепь	переходная,			на пряже-

ние на выходе повторяет входное (рис. 4.10, б), но без постоянной

составляющей,

равной

V0 =

~ ~

10— = 1 0 —

2,5 В.

Отсюда

Um i

^ т в х

— t/° =

10 — 2,5 =

7,5

В,

U m2 =

U * =

2,5

В.

4.53. При действии переднего фронта входного импульса С заря

жается через R\ так как диод закрыт, поэтому форма положительного

импульса не меняется (рис. 4.11, б).

При действии заднего фронта

U nx С

разряжается,

но не через

через R £ +

Япр. Ток разряда создает падение напряжения

на

R t

Rwp•

Так

как

R £ =

Лпр, то

^ mz =

^Лпвх—

б)

Форма положительной части импульса останется без изменений,

так

как диод

закрыт,

отрицательной — изменится. Конденсатор

будет

разряжаться

через R £ и i?np

быстрее. Время

разряда

/разр —

2,3тр =

2,ЗС (R i

R nр)

2,3

• 0,1

1 0 -е

( 5 0

50) =

мкс.

Так

как Т >

/разр, то

успеет

разрядиться

практически

до

нуля.

Амплитуда Um2 уменьшится

Um2 =

5 В.

l/DX 5 ~ . Пр—

П р и м е ч а н и е . Считается,

что

ток,

“г

'Nnp

открытый

протекающий через

диод,

меньше

допустимого тока диода.

4.54.

U m =

20 В,

временная

диаграмма рис. 4 .11,6 .

4.55.

Um =

—20 В,

временные

диаграммы

рис.

4.12,

б .

4.56.

Ли = 1 , 8

В;

/зар

2,3тзар

да 30

мкс;

Um-

—0,72

В,

временная

диаграмма

рис.

4.11, б.

4.57.

С ^

0,08

мкф.

4.58. Уменьшают быстродействие. Паразитная емкость подключена параллельно нагрузке и не дает выходному напряжению изменяться скачком. 4,59. В параллельном диодном ограничителе во время фор мирования фронтов выходного импульса диод закрыт; в последова тельном — во время формирования одного фронта открыт, во время другого — закрыт. 4.60. Плоскостные диоды имеют большую емкость


Сд, а точечные — малую.					4.61. В последовательном ограничителе вре
мя /ср>		*Ф- Время среза			зависит от i?„, поэтому по формуле (4.5)						R ^
	*ср				0,4 •
^	2,3 (Сд +		С0) - 2,3 (16 +			120 +	40) • К )-*2 -	1	к0м -		4,62‘
^ср вых «		1,31 мкс;		вых »		0,8 мкс. 4.63. R u =		2	кОм.	4.64.	R H =
=	2,7 кОм,		4.65. /ф вых = *ср вых =				0*46 мкс. 4.66. Для			расчета	R 0гР
необходимо			оценить	допустимые искажения фронтов, вносимые схе
мой ( / ф ) ;		так как время фронта входного сигнала						больше		времени сре

за, то эти искажения необходимо определять из наиболее жестких ус ловий. По формуле (4.13) допустимые искажения, вносимые схемой, со

ставляют /ф = V	4	вых — 4 В* = V 12 — 0,82 = 0,6	мкс.	Сопротив
ление, через которое происходит зарядка и разрядка			паразитных		емко"
стей, состоит из R	=	(R £ -+- R 0гр)//Лн. поэтому по формуле		(4.8)	R <

_*Ф_______________ о.б -				Ю’ д_________ , .				кОм.		Отсюда
^ 2,3 (С0 +	Сд)	2,3 (120 +	60 +			4-12
					10) 10“ ia
можно наити Когр:		Ли (Лг +	/?огр)		^	г	8 (0.1 +	Логр)	^	R, Решив
		R a + R l +	Roep		<	* :	8 + ^ Т + Ж гр
это неравенство, получим Я0гр ^				1,7 кОм. Для качественного ограни
чения необходимо ооеспечить R H >					R огр,		поэтому выберем по ГОСТу
#огр = 1.0	кОм.

ГЛАВА 5

УСИЛИТЕЛИ-ОГРАНИЧИТЕЛИ

§5.1. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ

ИРАСЧЕТНЫЕ СООТНОШЕНИЯ

Усилители-ограничители обеспечивают ограничение сиг налов с одновременным усилением. Ограничение входного сиг нала основано на потере транзистором усилительных свойств в области отсечки и насыщения.

В отсечке коллекторный и эмиттерный переходы смещены в обратном направлении и изменения входного напряжения не приводят к изменению тока коллектора. В насыщении оба

Рис. 5.1

перехода смещены в прямом направлении, их сопротивление не изменяется под действием входного напряжения, поэтому не изменяется и ток коллектора

("в = / кй

(5Л)

Постоянство t'c при увеличении входного напряжения приво дит к накоплению избыточного объемного заряда, т. е. увели чению насыщения транзистора, которое оценивается коэффи циентом насыщения

S — <6^ 6ii*	(5 .2 )
где i6 — ток, протекающий через вывод базы; / б11	— ток базы,
при котором наступает насыщение транзистора.

В активной области транзистор усиливает; ток коллектора

зависит от тока базы — i„ = Bi0.

Основной схемой усилителя-ограничителя является схема с общим эмиттером (03) (рис. 5.1, а). Для получения двусторон- Hiero ограничения рабочую точку О выбирают на середине на

грузочной прямой	(рис. 5.1, б). В	этом	случае токи базы и
коллектора в рабочей точке составляют				(5.3)
/ об«	/ б „ / 2 *= / К\|[/2 В,	/ 0к =	®^об>

При действии входного сигнала соответствующей амплиту ды имеет место ограничение выходного напряжения и тока кол лектора на уровне

^огр Лен ^ОК‘

(5 .4)

При синусоидальной форме входного сигнала длительность фронта выходного напряжения составляет

(5.5)

гле	/.	/(1гр	■ - ! /\|<н~	/fll; -
1	Н * D X	f /	О т г П	max
		к max		max

/ к max = /„ — время нарастания, добавляемое за счет инерционных свойств транзистора.

Для того чтобы инерционные свойства транзистора не ока зывали существенного влияния па фронт выходного напряже ния, необходимо, чтобы граничная частота транзистора /а от вечала условию

/а ^ Л 5£//ф пх.	(5*6)
Тогда длительность выходного фронта составит	/ф пых »

~ *ф ихПри заданной длительности фронта выходного сигна

ла требуемая амплитуда	входного тока	составляет
/ n lm “	2л/Я/*»и х /?к	(5'7)

Для получения других видов ограничения необходимо ра бочую точку О выбирать соответствующим образом.

У п р а ж н е н и я и з а д а ч и

§ 5.2. УСИЛИТЕЛИ-ОГРАНИЧИТЕЛИ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

5.1.Какие устройства называют усилителями-ограничите

лями?

5.2.В чем преимущество усилителей-ограничителей перед

диодными ограничителями?

5.3.В каких режимах работают транзисторы в усилителяхограничителях?

5.4.Как смещены переходы транзистора в режиме: а) от

сечки? б) активном? в) насыщения?

5.5.В чем заключается режим отсечки и какие токи про текают при этом в транзисторе? Покажите их направления.

5.6.В чем заключается режим насыщения и какие токи про текают при этом в транзисторе? Покажите их направления.

5.7. Почему усилитель-ограничитель не усиливает: а) в режиме отсечки? б) в режиме насыщения?

5.8. * За счет чего происходит ограничение сигнала в ре жимах отсечки и насыщения?

5.9. * Можно лн однозначно определить, в каком режиме находится транзистор в схеме рис. 5.2, если RK = О, Ev =

=8 В, а остальные параметры схемы неизвестны?

5.10.Можно ли в схеме рис. 5.2 при Ri{ = 0 подобрать та кое /?с, чтобы транзистор оказался в режиме насыщения?

5.11. Может ли ток	коллектора iK превышать / , . „ — ток
коллектора насыщения?
5.12. Может ли ток	базы транзистора превышать / бц—
ток базы насыщения?

5.13.Как необходимо выбрать положение рабочей точки на характеристике транзистора, чтобы получить: а) симметрич ное двустороннее ограничение? б) ограничение снизу на нуле вом уровне? в) ограничение сверху на нулевом уровне?

5.14.* Усилитель-ограничитель собран на транзисторе р-

-и-р-типа и работает в режиме симметричного двустороннего ограничения. Покажите графически, как изменяется режим ог раничения, если: а) увеличить /?„? б) уменьшить /?„? в) уве личить Е к? г) уменьшить Е к?

5.15.Как влияют частотные свойства транзисторов на фор му выходного напряжения?

5.16.Как влияет амплитуда входного синусоидального сигнала на длительность фронтов выходного напряжения?

5.17.Усилитель-ограничитель выполнен на транзисторе типа р-п-р и обеспечивает ограничение входного сигнала сни зу на нулевом уровне. Как изменится режим ограничения, ес ли в схеме применить транзистор типа п-р-п?

5.18.Можно ли в схеме рис. 5.1, а обеспечить ограничение

заштрихованной части входного сигнала, указанной на рис. 5.3?

5.19.Составьте схему усилителя-ограничителя, позволяю щего получить ограничение заштрихованной части входного сигнала, указанной на рис. 5.3.

5.20.* Определите режим работы германиевого транзистора

по измеренным напряжениям				USa и t/Ki	в	схеме рис. 5.1, а,
ССЛИ!	UCS) =		и ю =
aj		- 0 .8 В,		- 0 ,2 В;		б)	(/бэ = + 0 ,3 В,
U „ =	- 6	В ; в) U6a----- 0,8 В, Um =			-	6 В.
5.21. Определите режим работы транзистора л-р-л-струк-
туры	по	измеренным	напряжениям		0 бо и		UKa в схеме

рис.

5.1,

а,

если:

U6a =

+ 0 ,7

В,

С/Кэ = + 0 ,3

В;

б)

£/«, =

0,2 В,

U „ = 5 В;

в)

U6a =

0,7 В,

U „ =

5 В.

5.22. Определите режим работы транзистора в схеме рис.

5.1,

а при R K=

1 кОм, £ „

10 В, если:

а) Убэ ~

0,4

В,

/„

= 9,8 мА;

б) (/бэ =

0,3

В,

/„ =

6 мА.

5.23.

* В

схеме рис. 5.1,

а ток

коллектора насыщения сос

тавляет

15 мА,

коэффициент

усиления

транзистора

В —50. Определите режим работы транзистора, если:

а)

«б =

300 мкА; б)

/б =

400

мкА;

в)

£б =

2 0 0

мкА.

5.24. В схеме рис. 5.1, а £ „

—■ 8 В, R l{ =

500 Ом, транзис

тор ГТ 308А. По характеристикам транзистора

(рис. 5.4,

о,

б)

определите ток

базы

насыщения / бн

и ток коллектора на

сыщения / ки.

5.25. Определите

токи

/ бя

задаче

5.24,

если:

R K =

250 Ом;

б)

RH=

кОм, в)

£ „

В;

г) £ „

12 В.

а £ „

UBXm =

5.26.

* В

схеме

рис. 5.1,

В,

В (пр-

лярность

указана

вне

скобок),

Rt == 2

кОм,

/ кр == 2 0

мкА,

R„ =

1 кОм, В =

50. В каком режиме находится транзистор,

если

R6 =

оо?

5.27.* В каком режиме будет находиться транзистор в схе ме задачи 5.26, если полярность источника ипх поменять на противоположную (полярность в скобках)? Определите токи, протекающие через выводы базы и коллектора.

5.28.В каком режиме будет находиться транзистор в схе

ме задачи 5.26, если Uax т = 6			В (полярность		в скобках)?
Определите токи !с и ilt.				R„ = 2
5.29. В схеме	рис.	5.2 £,< =	10 В,		кОм, /?б =
= 100 кОм, В =	40. В	каком режиме находится транзистор?
Определите токи i6 и i„.
5.30. В каком режиме будет находиться транзистор в схеме
задачи 5.29, если: a)		RB = 80	кОм?	б) R K=	3 кОм? в)
Е„ = 20 В? Определите токи j0 и t,( в каждом случае.
5.31. Транзистор в		схеме рис.	5.2	находится в активном

режиме. Можно ли его перевести в режим насыщения, изменяя один из параметров схемы: a) R„\ б) R6; в) £ „?

5.32. Ток базы транзистора в режиме отсечки равен /б =

=— / к0. Какой смысл имеет знак минус?

5.33.В схеме рис. 5.1, а иах имеет полярность без скобок, R0 = оо. Можно ли однозначно сказать, в каком режиме нахо


дится транзистор, если: a) Rх =					0 ; б)		Rt Ф 0 ?
	5.34.		* В схеме рис. 5.1, а Е„ — 15 В, RK= 1 кОм, Rx —
=	10 кОм, В =			30, / ко = 50 мкА. Определите, при каких на
пряжениях « вх транзистор будет находиться: а) в режиме на
сыщения; б) в режиме отсечки; в) в активном режиме..
	5.35.	В схеме рис. 5.1, а Е к =				12 В, RK = 2 кОм, UBX =
=	4 В,	R6 =		оо, В = 30. Определите, при каких значениях
R1	транзистор будет находиться: а) в активном режиме; б) в
режиме насыщения.						12 В, Rx = 10 кОм, /?„ —
	5.36.	В	схеме рис. 5.1, а £ „		=
=	1 кОм,		Uax — 3 В, В — 40,		R0 =		оо. а) В каком режиме
находится транзистор? Как изменится режим транзистора и ток
коллектора				если: б) параллельно RK поставить еще R K] в)

последовательно с R к поставить еще R „?

5.37.Определите, при каком напряжении UBX в задаче

5.34транзистор будет в насыщении с коэффициентом насыще ния S ~ 2.

5.38.	* В	схеме рис. 5.1, а Е„ = 15 В, /?„ = I кОм, RB=
.= 50 кОм, Rt =		1 0 кОм, Unx — —1 В, В = 30. В каком режи
ме находится транзистор? Определите токи, протекающие че
рез выводы базы		и коллектора.

5.39.Определите токи /б и /к в схеме задачи 5.38, если Uвх

——3 В. В каком режиме будет находиться транзистор?

5.40. В	схеме рис. 5.1, а Еи — 10 В, RB =	500 Ом, Rx =
= 8 кОм,	Uпх —— 2В, В = 20. Определите	значение R6,

обеспечивающее рабочую точку: а) в			середине		нагрузочной
прямой; б) на границе режима насыщения.
5.41. В схеме рис. 5.1,	а Е к =	8	В,	RK = 400 Ом, Ra —
— 50 кОм, Rx = 10 кОм, В = 40, / ко =				50 мкА.	Рассчитайте,
при каких напряжениях	ивх транзистор будет				находиться:
а) в режиме насыщения; б)	в активном			режиме; в) в режиме
отсечки.
5.42. Рассчитайте сопротивление нагрузки R					подключен
ной параллельно резистору R Kв задаче 5.39, при которой тран
зистор находится на границе насыщения.
5.43. В схеме рис. 5.1, а Е н =		12 В, R l{ = 500 Ом, В = 4 0 ,

транзистор ГТ 308А. Определите необходимый начальный ток базы / об для получения симметричного двустороннего ограни чения входного напряжения синусоидальной формы.

5.44.* Определите длительность фронта выходного сигна

ла в задаче 5.43, если амплитуда входного сигнала Um вх=*

=1,8 В, а частота F = 10 кГц.

5.45.Определите максимальную амплитуду входного на пряжения в задаче 5.43, при которой отсутствует ограничение, если Rx = 1 кОм.

5.46.Определите амплитуду входного напряжения в зада че 5.43, обеспечивающей длительность фронта выходного сигна

ла	=	2 мкс, если частота входного сигнала синусоидальной
формы:		a) F = 30 кГц; б) F — 60 кГц.

5.47. Определите необходимый начальный ток базы / об в задаче 5.43 для получения ограничения снизу на нулевом уровне.

Пользуясь характеристиками транзистора (рис. 5.4), на рисуйте в масштабе временные диаграммы выходного напряже ния, если на вход подается синусоидальное напряжение с ам плитудой Um вх = 0,4 В.

5.48.Решите задачу 5.47, если на вход подается напряже ние с амплитудой Um — 1 В.

5.49.Рассчитайте сопротивление резистора RQ в задаче

5.43для получения ограничения снизу на нулевом уровне.

5.50.В задаче 5.43 рабочая точка находится в середине нагрузочной прямой. На вход подается максимальная ампли туда входного сигнала, при которой отсутствует ограничение. Определите начальный ток базы / о0 для получения „ограниче ния:

а) снизу на уровне мвх/2 ; б) сверху на уровне ипх/2 .

5.51. В схеме рис. 5.5 Е н = 12 В, R K = 600 Ом, транзис тор ГТ 308А. По характеристикам транзистора (см. рис. 5.4) определите:

а) начальный ток базы / ое, при котором рабочая точка на ходится в середине линейного участка;

б) максимальную амплитуду входного сигнала, при которой отсутствует ограничение t/nx m.

5.52. Рассчитайте сопротивление резистора R0 в задаче 5.51 для получения рабочей точки в середине нагрузочной прямой.

	5.53. По данным задачи 5.51
определите необходимую						амплиту
ду входного сигнала для получе
ния длительности				фронта выходно
го напряжения /ф ПЫ!С =						1 мкс, ес
ли	частота		входного синусоидаль
ного сигнала Fax — 30 кГц.
	5.54. В схеме рис. 5.1, а при
менен		транзистор		КТ312Б, Е„ =
=	15	В,	/?с =	39	кОм,	/?„	=
—	1,5	кОм,	/?, =* 2		кОм. На		вход поступает		синусоидаль
ное напряжение				с	амплитудой			Uт пх = 0,4	В;
	а)	используя характеристики						транзистора (рис. 5.6), на

рисуйте в масштабе временные диаграммы выходного напряже

ния; как	изменится	форма	выходного напряжения, если:
б) R K=	500 Ом; в)	RK= 3	кОм.

5.55.Как изменится форма выходного напряжения в зада че 5.54, а, если Е к = 30 В?

5.56.Как изменится форма выходного напряжения в зада

че 5.54, а, если R6 увеличить до 51 кОм?

5.57. Как изменится форма выходного напряжения в зада че 5,54, а, если: а) = 4 кОм; б) Rl = 1 кОм.

§ 5.3. ПРОГРАММИРОВАННЫЕ ЗАДАЧИ

Контрольная карта 5.1. Области работы транзистора

омераН задач	Варианты	С одерж ан и е задан и и	О тветы

5.58	В какой области находит-	Насыщения
ея	транзистор р-я-р-струк-	Отсечки
туры, если:

а)

б )

в)

5.59

а)

б)

в)

г)

^ б э ~	9 В;	и кэ —		Активной
= —0 .4	В?
U бэ= + 0 . 4 В ;		1/кэ=	— 8 В?	Определенно от
{Убэ= - 0 . 6 В;		U H 3=	— 8 В?	ветить нельзя
В какой области находит-				Насыщения
ея транзистор, если ток ба-				Активной
зы насыщения		/ GH = 600 MKA,		Отсечки
а через вывод базы протс*				На границе на
кает iV				сыщения
300 мкА?
800 мкА?

600 мкА? —40 мкА?

5.60	В какой			области			находит			Отсечки
ся	транзистор				в схеме			рис.		Насыщения	на
5,1,0,			если	£ „	=	10	В,	Rit =		На границе	на
= 1 кОм, J3= 20, а через вы										сыщения
вод		базы протекает ток							iV	Активной
а)		500 мкА?
б)		700 мкА?
в)		0?.
г)		200 мкА?
5 .6 1	В схеме рис. 5.1, с транзи									Насыщения
стор		находится				на	границе			Активной
насыщения				и	(7Пх =		4	В.	В	Отсечки	на
какой			области				окажется			На границе	на
транзистор,				если			подклю			сыщения
чить:
а)		параллельно				R к		резис
тор		Д„?
б)		последовательно R Q ре
зистор			R с?
в)		параллельно				R i		рези
	стор		R J?
г)		увеличить			U nx до			5	В?

Ч слаикода

100

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 910 / 2810 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 > Следующая >>>

Соседние файлы в папке книги

#
12.11.202314.89 Mб4Сбор и подготовка нефти, газа и воды к транспорту..pdf
#
12.11.20237.12 Mб0Сбор и промысловая подготовка нефти, газа и воды..pdf
#
12.11.20231.62 Mб8Сбор и промысловая подготовка скважинной продукции..pdf
#
12.11.202318.91 Mб55Сборник задач и примеров по резанию металлов и режущему инструменту..pdf
#
12.11.20232.54 Mб33Сборник задач и примеров по технологии машиностроения..pdf
#
12.11.202313.31 Mб18Сборник задач и упражнений по импульсной технике..pdf
#
20.11.202310.44 Mб2Сборник задач по аналитической геометрии.-1.pdf
#
12.11.20238.94 Mб9Сборник задач по аналитической геометрии..pdf
#
19.11.202327 Mб25Сборник задач по высшей математике с контрольными работами 1 курс..pdf
#
19.11.202346.05 Mб2Сборник задач по высшей математике. 2 курс.pdf
#
20.11.202318.36 Mб4Сборник задач по курсу математического анализа.-1.pdf