книги / Сборник задач и упражнений по импульсной технике

«их — 4 В; б) « вх = 15 В;

в) н„х

20 В.

7.81. В схеме рис. 7.8,

а Ес — 20 В, Rc — 1 кОм, тран­

и

£/пор — 5 В.

Определите, где находится рабочая точка на

ВАХ и выходное напряжение, если: а)

ывх = 3 В ; б) нпх =

=

10 В; в)

« пх =

19 В.

7.82. По данным задачи 7.81 определите остаточное напря­

жение на транзисторе для

ы„х =

19 В,

если: a) Rc = 2 кОм;

б) Rc = 4 кОм.

7.83. Схема рис. 7.8, а вы- 1с^л

полнена по интегральной техно-

15

логин;

Ес =

Еа == 9 В, Re =

20

=

20 кОм,

Utt0р =

5 В,

удель-

is

пая крутизна b = 0 ,1 мА/В2. Оп-

ю

ределпте остаточное напрял<енне

5

на транзисторе.

0

7.84. Как изменится остаточ-

ное напряжение в задаче 7.83,

если R0 =

ЪО кОм?

работает транзистор Тг (рис. 7.9, а), если:

а)

Тх закрыт;

б) 7\ открыт?

7.89. На каком участке ВАХ — крутом

или

пологом —

7.94.

* В схеме рис. 7.10

uDX = 0, £ с > ^иорг-

В

каких

состояниях находятся 7\ и Т2? На каком участке ВАХ

нахо­

дится рабочая точка транзистора Т 2?

7.95. Определите падение напряжения между стоком и ис­

током исп2

Т2 в схеме рис. 7.10, если остаточный ток Ту / ост1=

= Ю -9А,

Ь2 = 0,1 мА/В2,

£ 0 = 9 В, С/ п о р 1 = С/ пор2

=

7 . 1 0 0 .

* С

какой целью

напряжение

источника

Ес жела­

тельно выбирать

из условия

£ с < |t/nopil +

|tAi0p2[

(схема

рис. 7.10)?

идеальный

(*ф =

tcv — 0),

входная емкость

СД1П — 3,0 пФ,

выходная

емкость

С22п =

5 пФ.

Емкость

нагрузки

С„ =

= 2 0 пФ,

емкость

монтажа

См =

12 пФ.

7 . 1 0 2 .

* Почему в схеме ключа (рис. 7.8, а) длительность

фронта выходного

напряжения

больше

длительности

среза

^

Ар-Г>

7.103.

* Почему в схеме ключа (см. рис. 7.8, а) длительность

среза (tcр) выходного напряжения зависит от значения вход­

ного напряжения (£а), а длительность фронта (£ф) не зависит?

7.104. Схема рис. 7.9, а управляется идеальными прямо­

угольными

импульсами

(/ф =

?ср = 0 ). Определите длитель­

ность фронта (*ф вых) и среза

(fcp вых) выходного напряжения,

если параметры схемы соответствуют задаче 7.91, а значения

емкостей составляют:

Си =

3 пФ, С22 = 5 пФ, С„ =

20 пФ,

См =

1 2 пФ.

7.105. Схема рис. 7.10 управляется идеальными прямо­

угольными импульсам

(г'ф =

icv = 0).

Определите длитель­

Т2

закрыт, Г,

открыт

5

и- находится

на

крутом

участке

7.127

Как

изменятся

время

фронта

(£ф)

и

среза

(/Ср)

в схеме

рис. 7.8, а,

а)

если:

сопротив-

уменьшится,

увеличить

(ф

1

лекис R с?

сопротив­

^ерне изменится

б)

уменьшить

/ф увеличится

2

в)

ление R e ?

амплиту­

/ср не изменится

увеличить

^ф не изменится

3

г)

ду Unx?

амплиту­

tCp

уменьшится

уменьшить

/ф ие изменится

4

ду Ыпх?

fcp увеличится

§ 7.6. ОТВЕТЫ

И РЕШЕНИЯ

7.9.

а) При пвх = 0 напряжение «оэ —^см

Ri

■ =2

4*10з

(4+ 2)*103

UQ3 > O r

R i + R *

ж 1 , 3 3

В.

Так

как

то

транзистор

находится

в

режиме

отсечки,

б)

При пВх=-5 В

в

цепи

базы

протекает

ток /5 =?/г—

— - и—

р

5

2

— — £ £ L _ -------- -------= 2 5 0 мкА.

Ток

базы, необходи-

Д,

Д2

4-10»

2- Ю»

мый для

насыщения

транзистора, составляет

Е к

15

1 ц < 1 в и,

/би —' B R к

30-МО* = 5 0 0 мкА,

так

как

то

транзистор находится

в активной

области,

в) При нвх = 8 В

в цепи

базы протекает ток

I'G =

4 . юз

“ '

2 -10» ~

*

м А'

Так

как

/ бн= 5 0 0

мкА,

то с о > / д н : транзистор

находится в режиме

насыщения.

7.10.

а) »к

/Ко= 100 мкА,

б)

|,.= 10р5 м А ,

в)

i,t =

/ ,iii= 15 мА.

7.11.

20 мА,

а, г)

10 мА,

б,

в) 20 мА.

7.12.

а, в) 20 мА,

б, г)

10 мА.

7.13. а) 20 мА,

б)

10 мА.

7.14.

6 В

7.15.

4 кОм. 7.16.

В

отсечке,

так

как Ибэ=0.5 В <

1/пор. 7.17. > 5 , 6

В.

Ток,

протекающий через вывод

базы

(7.8),

= 4/(4 -Ю3) = I мА.

Степень

насыщения транзистора 5 =

ie

=

МО-з

" = ^

Отсюда

--—

г

по (7.10)

минимальное сопротивление

/он

0,5 .10 - 3

составит

подключаемой

нагрузки

время его отпирания по формуле (7.7а) i o = 15/(6- Ю3) - - 1/(2-103) =

2 мА;

ток базы насыщения транзистора по (7.76):

1QU =

20/(20- ЫО3) =

1 мА.

Базовый

ток во

время

рассасывания

избыточного заряда

и запирания

транзистора

равен

1 б2 =

Е см/ # 2 = 1/2* Ю3 = 0,5

мА.

Ск

равна Трэк =

Постоянная

времени

транзистора с учетом

емкости

— То-)-ВСК

—

20

■

+20-30- 10-е. М О3 «

_. ,

+ В С „ * н — 2-3,14-1 • 10°

2

л/а

3,78

мкс.

Время

задержки

отпирания транзистора по (7.12) равно

/8= (6 0 .1 0 - i2+ 3 0 - 10“ 2)

0,75

мкс,

где и оз=

ж 0,4

6- 103

2

-ю -з ~ ~ ’ ...... ~иа

R !+R 2

= 0,75 В.

Длительность

фронта

при

отпирании

по

6 -103 + 2 -103

2 - Ю- 3

<7.13) <ф = 3.78.

= 2,6

мкс.

Время

рассасыва-

ния по (7.14)

равно

/р =

2 - 10-3+ 0 ,5 - Ю - 3

,

огч

3,78- К)-6 In

1>10_ 3 +

0

5;"^'ZT =

1 >89 мкс-

Длительность

среза

по

(7.15)

/Ср =

* Ь 10-3 + 0 ,5 - Ю-з

3,78-10—6• In

------Q

5

------=

= 4,16

мкс.

7.32.

/а

уменьшится

до

0,023

мкс;

/ф уменьшится

до

1,66 мкс,

увеличится

до 3,02

мкс;

/ср

останется

неизменным

и

равным

4,16 мкс.

7*33.

/а = 0,09

мкс;

/ф =

4,16

мкс;

/р = 0,83

мкс;

/ср = 2 ,6

мкс.

7.34. /а=

0,04

мкс;

=

1,27 мкс;

/р =

4,03

мкс;

/ср =

=

3,02

мкс.

7.35.

f3=

0,04

мкс;

/ф =

5,25

мкс;

/р =

0,83

мкс;

tcр =

=

5,25 мкс.

7.36. Базовый ток транзистора во время отпирания

опре­

деляется по

(7.8)

|’б =

12/6-10+3 =

2 мА. Ток базы насыщения по (7.76)

составляет/(jH=

20

■

=

0,5

мА.

Время

задержки

отпирания

— —

транзистора

по

(7.12)

равно

/а =

(60 .Ю -1 2 +ЗО

- 10-*а) - ■ 0^+ 0,6^

=

/ф = 3,78 In — —

—

= 1 , 1 мкс. Время

рассасывания по (7.14)

■£•Н)—•*—U,0 " ДО- *

2-ю-3

с

учетом i б2 = 0 составит

/р =

5,25 мкс.

Длитель­

3,781п^-^

^ а ’ =

ность среза

при

закрывании

транзистора по

(7.16)

составит

/сп »

^

Зт6 ей 1=5 3 * 3,73

*

=

И»34 мкс-

7«37*

/а =

0,027

мкс;

/ф =

=

2,6 мкс; /р =

2,6 мкс;

/ср = 11,34 мкс.

7,38.

Для уменьшения дли­

тельности

фронта,

времени

рассасывания и

длительности

среза.