Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Сборник задач и упражнений по импульсной технике

..pdf
Скачиваний:
18
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
13.31 Mб
Скачать

Ноиера задач

Варианты

Содержание заданий

 

 

12.65Как изменится амплитуда

 

выходного

напряжения в

а)

схеме рис.

1 2 .1 , 0 , если:

уменьшить Лк?

б)

уменьшить Я„?

в)

увеличить Яз?

Г)

отпаять Сэ?

12.66Какие элементы схемы

 

рис. 12.1,а создают искажс-

 

ния

а)

плоской вершины им-

 

пульса?

б)

фронтов?

12 67

а)

б)

в)

г)

12 68

а)

б)

в)

г)

Как изменится длитель­ ность фронтов выходного импульса в схеме рис. 12.13, если:

увеличить Яз? уменьшить Яг? применить транзисто­ ры с меньшим Тц?

уменьшить емкость монтажа?

Как изменится относи­ тельный (;пад (Л) плоской вершины выходного импуль­ са в схеме рис. 12.13, если:

уменьшить С2? увеличить Ci? уменьшить С5? уменьшить Лз?

Продолжсние карты 12.J

6 X

09

Ответы 5

Увеличится

I

Уменьшится

2

Не изменится

3

Определенно от­

4

ветить нельзя

с р1, Ср,

 

1

£ p i'

С0

2

с„

 

3

Св*

 

4

Увеличится

I

Уменьшится

2

Не изменится

3

Определенно от­

4

ветить нельзя

Уменьшится

I

Увеличится

2

Нс изменится

3

Определенно от­

4

ветить нельзя

Контрольная карта 12.2. Разновидности импульсных усилителей

8 .а;

а

X п

12,69

12.70

12.71

а

н

S

я

CL

Я

CQ

а)

б)

в)

г)

а)

б)

в)

г)

а)

«)

в)

г)

С о д е р ж а н и е за д ан и Л

В схеме рнс. 12.3 обсслсчнвается коррекция фронта с небольшим выбросом (6 ). Как изменится длительность фронта, если:

уменьшить L?

увеличить L?

увеличить R к? уменьшить Си?

В схеме рис. 12.5, а обес­ печивается коррекция фрон­ та с небольшим выбросом

(б). Как изменится время фронта /ф и значение вы­ броса б, если:

увеличить С3 ?

уменьшить С 3?

увеличить Со?

уменьшить Сп?

В схеме рис. 12.6 выход­ ное напряжение имеет от­ носительный спад плоской части А. Как изменится Д, если:

уменьшить Ср?

УВСЛНЧИТЬ С к о р ?

уменьшить С,;ор? уменьшить Са?

 

6

 

О т ч е т ы

ггс-

 

о

 

 

 

 

5 а

 

я

к

Уменьшится

1

Увеличится

2

Нс изменится

3

Определенно от­

4

ветить нельзя

/ф, б нс изменятся

1

уменьшится

 

6

увеличится

2

 

увеличится

3

б уменьшится

*Фи о уменьшатся

4

Нс изменится

1

Увеличится

2

Уменьшится

3

Определенно от­

4

ветить нельзя

12 72

Как изменится

в

входное

 

 

 

сопротивление

схеме

 

 

 

рис.' 12.7, если:

 

 

 

 

а)

уменьшить Я,?

 

Нс изменится

1

0)

увеличить /?2?

 

Уменьшится

2

»)

уменьшить R a?

 

Увеличится

3

г)

применить

транзистор

Определенно от­

4

 

с большим р?

 

 

ветить нельзя

 

232

Номера задач

Варианты

12.73

а)

б)

в)

Г)

 

 

 

Продолжение карты

J2.2

 

 

 

 

ко­

Содержание заданий

Ответы

Числа да

 

Как изменится выходное

 

 

сопротивление

в

схеме

 

 

рис. 12.7, если:

 

 

 

 

увеличить Я,?

 

Уменьшится

1

уменьшить Я2?

покоя

Увеличится

2

увеличить

ток

Не изменится

3

эмиттера?

 

 

 

 

применить

транзистор с

Определенно от­

4

большим р?

 

ветить нельзя

 

 

 

 

 

 

§ 12.8. ОТВЕТЫ И РЕШЕНИЯ

 

 

 

 

=

1 2 . 1 .

Сопротивление

резистора

Яэ

по

 

( 1 2 . 1 )

составит

Rэ ее

2/(18 •

1 0 +

0,4

• 10-3) «

109 Ом,

 

где

£/э = 0,2 •

10 = 2 В.

Выбираем по ГОСТу Яэ =

 

1 1 0

Ом. Сопротивление Яст по ( 1 2 .2 ) Яст =-

=

1 1 0 ( 1 0 1 ) — 990

Ом. Сопротивление

резистора

Я2

по

( 1 2 .2 ) со-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10 - 990

 

 

 

 

 

 

стаоит R a -

, 0

_ 0 25 — (18 + 0,4)

10—*

• 110 —0,4 •

10“ » • 990 w

«

1,35 кОм,

Выбираем по

ГОСТу

1,3 кОм. Сопротивление

резистора

Я|

по (12.3)

составит

R t ~

990 -1 .3

-

103

4,15*Ю3 Ом.

Выбираем

^ 3 .

— 1

9 9 0 ^

по

ГОСТу

4,3 кОм. 12.2.

 

UQ90 =

—0,2 В;

и к эа

—4,4 В; C/kG 0 SS

=

4,2

В;

/ок =

18 мА;

/ э0 =

18,2 мА;

/ Оо ~ 0,2 мА.

12.3.

Яэ =

=

ПО Ом;

R 2 =

240 Ом; Я, =

1 , 1 1

кОм.

12.4.

2,25 В. 12.5. а)

3 , 6 В;

б)

«

2 , 0 1

В;

в) 1.5 В.

1 2 .6 . 3.4 В.

12.7. а) 3,2 В; б) 3,4 В;

в) 5,1

В. 12.8.

Искажение

фронтов

происходит

из-за

инерционности

транзистора

и влияния емкости нагрузки. 12.9. Время нарастания по (12.5) составит

tu »

 

/0.43

1 0 - *

60

 

 

\

»

0,64 мкс,

 

где

тд

. =*

2,21 — —

;-----+

• Ю -1З . i p5 . 1 0 s

 

 

 

 

\

2» 14

 

 

13(1 + 50)

/

 

 

 

 

 

 

р ?к

а=. 0,43 мкс;

аэ “

1 +

2,14.

 

О. 8 8

мкс.

1 2 . 1 1 . Вре­

 

 

=

 

мя

 

нарастания

 

в

первом

каскаде

/Н1 « 0 ,1 9

мкс,

во втором — /па «

« 0 , 4 мкс. Общее время

нарастания по (12.18) /но£щ“

0,5 мкс.

1 2 . 1 2 .

/а >

25 МГц. 12.13. Спад плоской вершины выходного импульса про­

исходит

за

счет

разделительных

(Cplf Ср2) и эмиттерного (С3)

конденсаторов.

 

 

12.14.

Спад

плоской вершины

по

( 1 2 .6 )

Ды=

=

 

 

 

50 •

1 0 —в

 

ю'з ~

0>3G В * Относительный

спад

по

(12.7)

8

Q 22'Т 10 ~- 6

( 1

+ 4 ) ■

Д02 ** 0,36/8 — 4,5%-

12.15.

Ди =

0,55 В;

 

Д =

6,9%.

 

12.16.

Дн =

=

0 , 5

В.

12.17.

 

Д =

7,7%; Дн «

0,62 В.

12.18.

Д =

1 0 , 1 %;

Ди =

=

0,8 В. 12.19. а) Д «* 8,7%,

Дн =

0,7 В; б) Д =

8,5%, Ди «

0 , 6 8 В;

в)

Д =

5,05%,

Дн = 0,4 В. 1 2 .2 0 . 0,68 мкФ. 12.21. Д =

11%;

M Jm =

=

0,11

В.

1 2 .2 2 . Наличие индуктивности L, последовательно включен­

ной с Я„,

увеличивает сопротивление ветви R KL при денстпин фронта,

что препятствует уменьшению тока зарядки емкости Сн, а следователь-

233

но, способствует уменьшению Бремени ее зарядки. 12.23. Большая ин­ дуктивность L увеличивает сопротивление ветви R KL , что приводит к уменьшению длительности фронта. Но при этом добротность контура LC nR l{ возрастает, и во время действия фронтов входного импульса этот контур ударно возбуждается. Это приводит к наличию о выходном импульсе затухающих колебаний с нежелательными выбросами. 12.24. Нельзя, так как даже постоянный ток зарядки емкости не обеспечивает зарядки емкости мгновенно. 12.25. См. ответ к задаче* 12.23. 12.26, 0,17 мкс. 12.27. 2,4 кОм; 131 мкГн. 12.28. При действии фронта сопро­

тивление конденсатора Сэ близко к нулю, поэтому С9 закорачивает Rs и обеспечивает больший базовый ток в этот промежуток времени.

Затем С9 заряжается, вводится отрицательная обратная связь и базо­ вый ток уменьшается. Наличие большего тока I<J при действии /фВХ обес­ печивает меньшее время /фВЫх12.29. При малой емкости конденсатора

С» напряжение на нем начинает заметно нарастать уже вначале дейст­ вия фронта импульса, т. е. отрицательная обратная связь вводится фак­ тически с момента появления входного воздействия. Поэтому заметного

уменьшения фронта С» не дает.

При большой емкости конденсатора С9 отрицательная обратная связь вступает в действие с запозданием, что приводит к наличию вы­ броса в выходном импульсе при действии фронта. 12.30. По формуле

(12.12)

 

 

1,6 • 0,43 • 10-е

пФ*

Значения:

а 0э =

1

+

Сэ « г ---- 5 |~.' 6 02---- ^

+

(51 4- 64) • 51

д 6>62;

 

10~14 ( 1,5

10» ф 0,5 10*

+

500-1-80

 

 

+

0,08

10»)

+

 

60 . 10- 1»

1,5

ю»1 0 436; ^ 0_ 0 «

1,55;

т

 

1,6

(по графику

рис. 12.4, б для

т п =

1,55 и б =■

1%).

12.31.

« 0,13

мкс.

12.32. Коррекция плоской вершины достигается увеличением мгновен­ ного напряжения на коллекторе на величину дозаряда разделительных

и эмнттерных емос!ей с помощью корректирующей

цепи СК0р/?и0р

12.33. Спад плоской вершины

составит АК0Т) = -т;---- р-

—р : р .■ =

 

 

 

50 .

10-е

 

 

 

 

 

Арг — Aimn

~

1 10-е

. 1 .

ю »

(I + I

10» 4 . ”10»)

~ 0,04:

Л ~

“ Р2 — “ нор

=

0,045 — 0 ,0 4 = 0,005 =

0.5% . 12.34.

2 ,9 % .

12.35. 0,68 мкФ. 12.36.

1 *6%. 12.37. »

1% . 12.38. »

1,5 мкФ. 12.39. Эмнттерные повторители

применяют

для

согласования

низкоомной

нагрузки

с генератором,

имеющим большое выходное сопротивление,

а также в случае большой

емкостной

нагрузки. 12.40, ЭП обеспечивает

согласование низкоомной

нагрузки с большим выходным сопротивлением генератора, так как

входное сопротивление ЭП велико (Явх « Р#э). а выходное — .Жало. 12.41. Малая входная емкость и .низкое выходное сопротивление обеспе­ чивают достаточно широкую полосу пропускаемых частот без приме­ нения схем коррекции. 12.42. См. ответ к задаче 12.41. 12.43. Малое выходное сопротивление ЭП обеспечивает согласование с низкоолшой нагрузкой, а при большой емкостной нагрузке обеспечивает малую постоянную времени т = /?Вых^н» что приводит к незначительным ис­ кажениям фронтов. 12.44. При действии, переднего фронта отрицатель­ ного входного импульса транзистор открывается, выходное сопротив­

ление ЭП , уменьшается. При действии

среза транзистор закрывается,

« Пых увеличивается* .что приводит к

увеличению длительности среза

234

R BUxTt
R BijlxTt

выходного импульса. 12.45. Для отрицательной полярности входных импульсов рабочую точку Быбирзют в нижней части нагрузочной пря­ мой. Для уменьшения влияния теплового тока /ио ток покоя базы выби­

рают

из

соотношения

I 0Q &

1 0 / Ко = 1 0 * 5 *

10” ° =

50 мкА.

Току

базы соответствует

Uo0

= 0,13 В. По (12.27) R x =

^ - _^ Ю_о^ 79

1 0 _ 6 =

в

30,7 кОм л

30

кОм,

где U Q ^

^бао

^ R&

=

^бэо

*f

/ок

5=5

•=

0,13 +

220

 

3

1 0 - 3 =0,79 В; /0к — 3 мА по выходным характери­

стикам (см. рис 5. И) при / об =

50 мкА; у — 5; / ? 2

=

5

5Q

— 30

103 =

1 0

кОм.

12.46.

R x «

1,5 кОм;

 

/?а =

3,5 кОм.

12.47.

485 мВ.

12.48. а)

29,3 Ом; б) 6,2 Ом. 12.49. а)

2 , 6

кОм;

б)

1,75 кОм).

12.50. 29,3 Ом.

12.51.

13 пФ.

12.52 а) »

0,05 мкс;

б)

«

2,9 нс. 12.53.

Для

получения

/ф пых *= /Ср вых

при

больших сигналах. 12.54. По­

стоянная

времени

емкости

Снт =

Сц(#вых г/^ вы х 7 ,)- ПРИдействии

переднего фронта отрицательного входного импульса транзистор Т %

приоткрывается, а 7’ 3 закрывается.

Прн этом R BVlx Ti уменьшается, а

/?иых т 9 увеличивается, в результате

чего эквивалентное выходное со­

противление почти не изменяется. Прн действии заднего фронта проис­ ходит обратное явление: увеличивается, a уменьшает­

ся. Поэтому постоянные времени при зарядке и разрядке С„ примерно постоянны, а следовательно, /ф « /ср. 12.55. Интегральная техноло­ гия не позволяет получать большие емкости, поэтому для расширения полосы пропускания в области низших частот интегральные усилители имеют непосредственные связи. 12.56. Изменение температуры, коле­ бания напряжения питания, старение элементов схемы приводят при неизменном входном напряжении к изменениям исходного режима и выходного напряжения, что может нарушить работоспособность уси­ лителя. Такое явление называется дрейфом нуля. 12.57. Конденсато­ ры С, и С4 выключены с целью разделения по постоянному току вход­ ных и выходных цепей усилителя и внешней схемы. 12.58. Конденса­ торы Сх и С4 влияют на спад плоской вершины выходного импульса. 12.59. Конденсатор С3 выполняет функции блокировочного элемента

иоказывает влияние на спад плоской вершины выходного импульса.

12.60.Цепь R OCC 2 оказывает влияние на фронты выходного импульса. При действии фронтов сопротивление конденсатора С2 мало, поэтому сигнал отрицательной обратной связи через /?а, Лос, С закорачивает­ ся и коэффициент усиления каскада возрастает. При действии плоской вершины входного импульса сопротивление С2 велико, действует от­ рицательная обратная связь и коэффициент усиления уменьшается.

12.61.Время нарастания выходного напряжения в усилителях зависит

от значения входной динамической емкости каскада (С11х д « С„ +- + ’ КмСк), и которой динамическая коллекторная емкость Ск К и состав­ ляет значительную величину. Транзистор Т2 включен по схеме с ОБ, в которой коэффициент усиления по напряжению К и близок к единице.

Поэтому влияние С|{

мало

и незначительно время нарастания.

12.62.

В схеме рис. 1 2 . 1 1

=

/ Э1 +

ia2 =

const, так

как о цели эмиттера стоит

генератор тока.

При

изменении,

например,

температуры токи

<э1 и

<оэ должны увеличиться, но это привело бы к увеличению тока генера­ тора /э, чего быть не может. Поэтому в такой схеме изменения токов под действием температуры не происходит. 12.63, Ток ja транзистора Г 31 являющегося генератором тока, значительно зависит от напряжения U0 на эммттерном переходе, которое зависит от температуры. Для умень-

235

шеннл этой зависимости напряжение на эмиттерныЙ переход 7*3

подается с такого же перехода T t , через который протекает постоянный ток /0. Постоянство тока it = / 0 обеспечивается выбором Rt > га . При изменении температуры сопротивление г0 перехода меняется, что

приводит к изменениям UBt =

/ 0г81.

Так

как ток / 0 остался неизмен­

ным, то изменения U M, а следовательно,

и U a3 незначительны, что

и обеспечивает стабильность

тока

iai.

 

ГЛАВА 13

ЛОГИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА

§13.1. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ

ИРАСЧЕТНЫЕ СООТНОШЕНИЯ

Вглаве собраны задачи по основам алгебры логики и ло­ гическим элементам на диодах, биполярных и полевых тран­ зисторах.

Математической базой цифровой техники является алгебра логики или булева алгебра, которая оперирует с переменными,

принимающими только два значения — 0 и 1 , т. е. с двоичными

переменными. Функция

двоичных переменных

называется

л о г и ч е с к о й ф у н к ц и е й .

Логическая функция

мо­

жет быть выражена словесно, в

алгебраической

форме

или

таблицей, называемой

п е р е к л ю ч а т е л ь н о й

или

т а б л и ц е й и с т и н н о с т и .

Любую логическую функ­

цию можно представить совокупностью элементарных логи­ ческих функций, которыми являются логическое сложение (дизъюнкция — « + » «V »). логическое умножение (конъюнк­

ция— «•»

«Д »)

и логическое отрицание

(инверсия).

 

Дизъюнкция двух переменных

и х» записывается в виде

F = Xi +

х2 и

ей

соответствует

таблица истинности

13.1:

 

 

 

 

Т а б л и ц а

13.1

 

 

 

 

 

*1

 

F

 

 

 

 

0

0

 

0

 

 

 

 

0

i

 

1

 

 

 

 

I

0

 

1

 

 

 

 

1

1

 

i

 

Конъюнкция

двух

переменных представляется в

виде

F = х,

ха и ей

соответствует

таблица

истинности

13.2

236

 

Т а б л и ц а

13.2

 

 

F

 

 

0

0

0

 

 

0

I

0

 

 

1

0

0

 

 

1

1

I

 

 

Инверсия переменной имеет запись F =

х

и ей соответст­

вует таблица истинности

13.3.

 

 

 

 

Т а б л и ц а

13.3

 

 

F

 

 

0

 

1

 

 

1

 

0

 

 

логики действуют

следующие

 

1 ) *4 - 0 = x;

5) x-0 = 0;

 

2) x - f 1 ~ 1 ;

6 ) x - 1 = x ;

 

3) x - f x =

x;

7) x - x = x ;

(13.1)

 

 

 

 

4) x - f x = 1;

8 ) x-x = 0 ;

 

тождества:

 

 

 

 

 

 

 

1 )

Xj-Xu+Xi-X* = x lt

4)

Xi-fXt + X j^ X i-X js;

2)

Xj +

Xi •х3 =

Хь

3)

( х 3 - f X j) ■ ( x 3 - f

A3) —

X j ~j- X j • X j,

3) X i^ X i+ x ^ e X i;

6) X j • X 2 + X2 = Xi + X ..

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(13.2)

Законы:

 

 

переместительный

 

 

 

 

 

 

 

 

a)

x,

+- xs =

 

x* +- xt; 6 )xt

x, =» x, • xlt

(13.3)

 

 

 

 

 

 

сочетательный

 

 

a)

X|

+ (Xj +

Xj)

— (Xj -f

x3) + x s;

6 )

(x2

• Xj) • х э

 

 

Xt

(X t •

X

j ) .

распределительный

 

(13-4)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Xj

*

2 4* x3)

X j x, 4

X , -

Х|*

(13.5)

237

инверсии для логических сложения и умножения (теоремы де Моргана) —

а)

х, + х2 + х3 = х1-хг‘ х3;

 

(13,6)

б )

Х1 - Х « 'Х Л= X j + X j + X g .

Логическую функцию для удобства записи и последующего синтеза выражают в виде суммы произведений переменных либо в виде произведения их сумм. Запись логической функ* ции в виде суммы произведений. переменных называют д и з ъ ­

ю н к т и в н о й н о р м а л ь н о й

ф о р м о й

(ДНФ):

хг -1* хг • х 3 *f

Xj • х2 • JC3 + хг хг х 3> а запись функции

в виде произведения сумм — к о н ъ ю н к т и в н о й

н о р ­

м а л ь н о й

ф о р м о й (КНФ): х,

-f х2) (хг +

х 3) X

х(*i *1- хг -1- х3).

Для каждой логической функции может существовать не­

сколько равносильных дизъюнктивных и конъюнктивных форм. Вместе с тем имеется только один вид ДНФ или КНФ, в котором функция может быть записана единственным обра­ зом (совершенные нормальные формы). В совершенной дизъ­ юнктивной нормальной форме (СДНФ) каждое входящее сла­ гаемое включает все переменные (с инверсиями и без них) и нет одинаковых слагаемых

F —х^хг‘ Хa + X i-хг- х3 + х^-Иг- х3 + х^Хг’ Хц- (13.7)

В совершенной конъюнктивной нормальной форме (СКИФ) каждый входящий сомножитель включает все переменные (с инверсиями и без них) и нет одинаковых сомножителей.

Логическая функция наиболее наглядно и полно представ­ ляется таблицей истинности, в которой для каждой комбина­ ции значений переменных указывается значение функции. Затем от табличного представления функции переходят к аналитической записи ее в СДНФ или СКНФ. Например, пусть функция F задана в виде табл. 13.4. Для комбинаций перемен­ ных 4, 6, 7, 8 функция F 1, что означает для указанных ком­

бинаций равенство единице следующих произведений: jq X

X

Хг • * з

= 1, Хх

Хг • JC j—

1, Xj

* х2 х 3 =

1, хг

х2

х 3 =

=

1. Комбинации

переменных,

при которых F =

1, называ­

ют

к о н с т и т у е и т а м и

е д и н и ц ы

или

м и н т е р -

м а м и.

Представление

логической функции в

виде суммы

минтермов определяет ее СДНФ, т. е. в данном случае

 

 

F —~xt'X3-x3-f

хг' х3 +

х, •х2 • х3 -+• хх -х2 •х3.

(13.8)

238

(Р И С .

 

 

 

 

Т а б л и ц а 13.4

Номера

 

 

 

F

комбинации

 

 

 

1

0

0

0

0

2

0

0

1

0

3

0

1

0

0

4

0

1

1

1

5

1

0

0

0

6

1

0

!

I

7

1

1

0

1

8

1

I

I

1

Функция, определяемая

таблицей истинности, может быть

представлена не только ее

единичными, но н нулевыми зна­

чениями. Так, на основании табл. 13.4

 

(*i +

х2+ х9) •(л*+ хг+

х3)•(*! +

хъ-f х3) х

 

х(*1 + *2 + х 3).

(13.9)

Каждый сомножитель в этом выражении состоит из суммы переменных, для которых функция обращается в нуль в соот­ ветствии с таблицей истинности. Такие суммы называют к о н - с т и т у е н т а м и нуля или м а к с т е р м а м и . Таким образом, произведение макстермов определяет СКНФ функ­ ции.

Для уменьшения числа логических элементов, реализую­ щих функцию, применяется упрощение ее формы (минимиза­ ция). Для минимизации несложных функций применяются алгебраические преобразования для функций, имеющих боль­ шое число переменных (больше трех) и большое число слагае­ мых, специальные методы. Одним из таких методов явля­ ется метод карт Карно, пример использования которого дан при решении задачи 13.13.

Для реализаций логических операций применяют соответ­ ствующие логические элементы. Система элементов, позво­

ляющая строить

на их базе логическую схему

любой сложно­

сти, 'называется

ф у н к ц и о н а л ь н о

п о л н о й

с и с-

т е'м о й

э л е м е н т о в

или б а з и с о м .

Базис

образует

Логические элементы ИЛИ

(рис. 13.1, о),

И

(рис.

13.1,6) и

НЕ (рис.

13.1, в). Кроме того, на практике широко

приме­

няются логические элементы, выполняющие не элементарные операции ИЛИ, И-, НЕ, а реализующие простейшие функции двух аргументов ИЛИ—НЕ (стрелка Пирса — Xj [ хг)

13.1, г), И—НЕ (штрих Шеффера — xjx^j (рис. 13.1, д)

239

и др. Логическая операция, выполняемая элементом, зависит от кодирования.

Если высокий уровень напряжения соответствует логичес­ кой единице, а низкий — логическому нулю, то логика назы­ вается п о л о ж и т е л ь н о й ; если, наоборот, высокий уро­ вень — логическому 0, а низкий — логической 1, то логика

£ L г

-Г; & f B Z',-Xj

X

 

•z>

 

Ъ)

6)

в)

г)

Рис. 13.1

называется о т р и ц а т е л ь н о й . При рассмотрении после­ дующих схем используется положительная логика.

Логические элементы ИЛИ (дизъюнктор) на диодах, И (конъюнктор) на диодах, НЕ (инвертор), временные диаграм-

х,

4

•Г/

■ *>

F

 

 

 

0

0

0

 

 

7

0

7

 

Д?

0

7

7

 

7

7

7

 

 

 

в

 

 

а

 

г)

 

 

Рис.

13.2

 

 

мы их работы, таблицы истинности и условные обозначения представлены соответственно на рис. 13.2, аг, 13.3, а—г, 13.4, а—г.

Напряжение на выходе ИЛИ имеет высокий уровень (ло­ гическую единицу — U1), если высокий уровень U1 действует хотя бы на одном входе (рис. 13.2, б).

Напряжение на выходе И имеет уровень U\ если на всех входах действуют высокие уровни U1 (см. рис. 13.3, б). Нали­ чие низкого уровня хотя бы на одном входе приводит к

240