книги / Электронные приборы

3.К напряжению второго анода.

4.К напряжению катода.

6-4. РАЗНОВИДНОСТИ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫХ ТРУБОК

Рассматриваются особенности осциллографических, приемных телевизионных -трубок (кинескопов) и трубок, обычно используемых в радиолокационных индикатор­ ных установках. Для осциллографических трубок типич­ ными приняты: электростатические фокусировка и от­ клонение, радиолокационных — магнитные фокусировка и отклонение, кинескопов — электростатическая фокуси­ ровка и магнитное отклонение луча.

1.Какой из электродов осциллографической трубки

всхеме обычно заземляется? (См. разъяснение)

1.Третий анод. 2. Второй анод. 3. Первый анод.

4.Модулятор. 5. Катод.

2.Какие трубки, с электростатическим или магнит­ ным отклонением луча, имеют горловину большого диа­

метра? [1, стр. 158]

1.С электростатическим отклонением.

2.С магнитным отклонением.

3.Диаметр горловины не связан со способом от­ клонения луча.

3.Какие способы фокусировки и отклонения луча обычно используются в осциллографических трубках?

[1, стр. 157]

1.Магнитная фокусировка и электростатическое отклонение луча.

2.Электростатическая фокусировка и магнитное

отклонение луча.

3.Электростатическая фокусировка и электроста­ тическое отклонение луча.

4.Магнитная фокусировка и магнитное отклоне­

ние луча.

4. Какие способы фокусировки и отклонения луча чаще всего используются в радиолокационных трубках? [1, стр. 158]

1. Магнитная фокусировка и магнитное отклоне­ ние луча.

2. Магнитная фокусировка и электростатическое отклонение луча.

3. Электростатическая фокусировка и магнитное отклонение луча.

М— коэффициент усиления фотоэлектронного ум­ ножителя (ФЭУ);

п — число каскадов ФЭУ;

R, Ri> #н — сопротивление фоторезистора, внутреннее со­ противление фотоэлектронного прибора и со­ противление нагрузки;

» ^финт* ‘^Финт.уд— чувствительность, интегральная чувствитель­ ность и удельная интегральная чувствитель­ ность фотоэлектронного прибора к световому потоку;

s(A,)— относительная спектральная характеристика чувствительности фотоэлектронного прибора;

Т — температура;

U — напряжение; Uх.х — фото э. д. с.;.

Л — эффективность каскада ФЭУ; К— длина волны;

v — частота света;

vKp — частота света, соответствующая порогу фо­ тоэффекта;

а— коэффициент вторичной эмиссии;

т— постоянная времени;

Ф — световой поток; е% — фотоэлектронная работа выхода.

7-Т. ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ

Рассматриваемые ниже свойства, характеристики и параметры фотоэлементов даны в основном для фото­ приборов, имеющих проводящую подложку у фотокато­ да и характеризующихся нормальным фотоэффектом. При анализе характеристик прибора пренебрегается темновым током, который для фотоэлементов с внеш­ ним фотоэффектом в обычно используемых режимах мал*.

1. Какой фотокатод имеет максимум чувствительно­ сти в видимой части спектра? [1, стр. 131]

1.Кислородно-цезиевый фотокатод.

2.Сурьмяно-цезиевый фотокатод.

3.Кислородно-цезиевый и сурьмяно-цезиевый фотокатоды.

2.Какой фотокатод имеет максимум чувствительно­ сти в инфракрасной части спектра? [1, стр. 131]

1.Кислородно-цезиевый.

2.Сурьмяно-цезиевый.

3.Кислородно-цезиевый и сурьмяно-цезиевый.

3.Укажите спектральную характеристику фотоэле­

мента Кя (А,) с кислородно-цезиевым фотокатодом. [1, стр. 131]

4. Укажите выражения для порога фотоэффекта vKp, следующее из соотношения Эйштейна. [1, стр. 128]

5. Зависит ли граница фотоэффекта от материала фотокатода? [1, стр. 128]

1.Не зависит. 2. Зависит.

6.Укажите спектральную характеристику К*. (А) фо­ тоэлемента с сурьмяно-цезиевым катодом. [1, стр, 131]

7.Какой фотокатод (с большей или меньшей рабо­ той выхода) имеет более длинноволновый порог фото­ эффекта? [1, стр. 128]

Порог фотоэффекта у фотокатода с большей ра­ ботой выхода:

1.Более длинноволновый.

2.Такой же, как у фотокатода с меньшей рабо­ той выхода.

3.Менее длинноволновый.

8.Зависит ли фототок от спектрального состава ис­ точника света при одинаковом значении светового пото­ ка? [1, стр. 131]

1.Не зависит. 2. Зависит.

9.Укажите схему для исследования световых ха­ рактеристик фотоэлемента. (См. разъяснение)

10. Укажите вольт-амперную характеристику элек­ тронного фотоэлемента. [1, стр. 129, 130]

и

11. Укажите на вольт-амперной характеристике элек­ тронного фотоэлемента рабочую область (заштрихова­ на), (См. разъяснение)

1. До 10 мкА/лм. 2. -До 100 мкА/лм. 3. До 10—1000 А/лм, 4. До 10б А/лм.

7-2. ФОТОРЕЗИСТОРЫ

Ниже анализируются лишь самые общие свойства фоторезисторов и их качественные характеристики, ко­ личественные связи не рассматриваются.

1. На чем основан принцип действия фоторезисторов? [1, стр. 362—364; 2, стр. 255]

1. .На изменении концентрации носителей заряда в полупроводнике и, следовательно, его электро­ проводности при облучении световым потоком.

2.На изменении интенсивности лавинных явле­ ний в полупроводнике при облученииего свето­ вым потоком.

3.На изменении концентрации примесей в объе­

ме полупроводника" при воздействии на него све­ товым потоком.

2.Как изменяется темновой ток фоторезистора с ро­ стом температуры? [2, стр. 271]

1.Уменьшается. 2. Увеличивается. 3. Не изменя­ ется.

3.Укажите типичную энергетическую характеристи­ ку фототока фоторезисторов. [1, стр. 365; 2, стр. 262]

4. Укажите вольт-амперную характеристику фото­ резистора при двух значениях светового потока Ф. [1. стр. 365; 2, стр. 261]

6. Зависит ли статическая интегральная чувствитель­ ность фоторезистора к световому потоку от величины светового потока? (См. разъяснение)

1. С ростом светового потока чувствительность увеличивается.

2.С ростом светового потока чувствительность уменьшается.

3.Чувствительность фоторезисторов от величины светового потока не зависит.

7. Как зависит чувствительность фоторезистора Яф

ксветовому потоку от напряжения? (См. разъяснение)

1.Обратно пропорциональна напряжению на фо­ торезисторе.

2.Не зависит от напряжения на фоторезисторе.

3.Прямо пропорциональна напряжению на фото­ резисторе.

8.Напишите определение удельной интегральной чувствительности фоторезистора вфинт.уд [1, стр. 366; 2, стр. 269]

9.Как зависит удельная интегральная чувствитель­ ность от напряжения? (См. разъяснение)

1.Обратно пропорциональна напряжению на фоторезисторе.

2.Не зависит от напряжения на фоторезйсторе.

3.Прямо пропорциональна напряжению на фоторезисторе.

10.Какие фоторезисторы имеют максимум чувстви­ тельности в инфракрасной области спектра? [1, стр. 368;

2, стр. 263] 1. Фоторезисторы на основе сульфида свинца

и селенйДа свинца.

2.Фоторезисторы на основе сульфида кадмия.

3.Фоторезисторы на основе сульфида кадмия и селенида кадмия.

11. Какие фоторезисторы имеют максимум чувстви­ тельности в видимой части спектра? [1, стр. 368; 2, стр. 263]

1.Фоторезисторы на основе сульфида свинца.

2.Фоторезисторы на основе сульфида кадмия.

3.Фоторезисторы на основе селенида свинца и селенида кадмия.

12.При какой освещенности принято измерять удель­ ную интегральную чувствительность s<&ннт.уд ? [1, стр. 367; 2, стр. 269]

1.При освещенности, соответствующей порогово­ му световому потоку.

2.При освещенности, равной 200. лк.

3.Величина освещенности определяется спект­ ральным составом источника света.

13.Каков порядок значения удельной интегральной чувствительности фоторезистора? [1, стр. 367; 2, стр. 265]

1.1—300 мкА/(лм*В). 2. 0,5—600 мА/(лм-В).

3.1—10 А/(лм-В).

14.Укажите выражение, определяющее зависимость чувствительности фоторезистора к световому потоку $ф от частоты изменения светового потока /. (См. разъяс­ нение)

15. Какой Порядок имеет постоянная времени фото­ резисторов? [2, стр. 264, 265]

1.100—10 с. 2. 10—10-1 с. 3. 10-1—10-6 с.

4.10-6—10-12 с.

16.Укажите типичную зависимость фототока фото­ резистора / ф от температуры Т. [1, стр. 367; 2, стр. 271]