книги / Электронные приборы
..pdf70. При каком смещении (прямом или обратном) при небольшом напряжении ток обращенного диода больше (по абсолютной величине)? [ 1, стр. 403; 2, стр. 112]
1. При прямом смещении.
2.При обратном смещении.
3.Прямой и обратный токи примерно одинаковы.
71.Какие материалы чаще всего используются для изготовления выпрямительных диодов? [1, стр. 267; 2, стр. 70, 76]
1. Арсенид галлия. 2. Кремний и германий. 3. Алю миний. 4. Бор и сурьма.
72.Какой материал чаще всего, используется для из
готовления полупроводниковых стабилитронов? [ 1, стр. 274; 2, стр. 98]
1. Германий. 2. Кремний. 3,-Селен. 4. Арсенид гал лия. 5. Бор и сурьма.
73. Какой материал чаще всего используется для из готовления варикапов? [ 1, стр. 278; 2, стр. 115]
1. Кремний. 2. Германий и арсенид галлия. 3. Се лен. 4. Бор и сурьма.
74. Какой материал чаще всего используется для из готовления туннельных диодов? [1, стр. 400; 2, стр. 106] 1. Кремний. 2. Германий и арсенид галлия. 3. Се
лен. 4. Бор и сурьма.
Г Л А В А Д Е В Я Т А Я
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
*
Сэ.б> Ск.б — барьерные емкости эмиттерного и кол лекторного переходов;
СЭ>Д| Ск.д— диффузионные емкости эмиттерного и
• коллекторного переходов;
|
с = |
тю а *пр — коэффициент в |
фазовой поправке в |
ап |
|
|
|
проксимационном выражении а (со); |
|
||
|
|
D — коэффициент диффузии неосновных носи |
|||
|
|
телей в базе; |
|
|
|
т |
т - f-2 |
(О, tDр — коэффициент в |
фазовой поправке в |
ап |
|
2 |
т + 1 |
проксимационном выражении |
р (со); |
|
|
|
|
|
|||
|
|
£ — напряженность |
электрического |
поля; |
|
|
|
е — заряд электрона; |
|
|
|
|
|
/ — частота; |
|
|
|
/гр, /мако — граничная и максимальная частоты гене рации;
Лхх, Л12 » • • • — Л-параметры четырехполюсника;
Лцб, hadt /*21э, Л11К>. . . — ^-параметры в схемах с общей базой, об
|
щим эмиттером и общим коллектором; |
/ х , / 2 — электрические токи на входе и выходе; |
|
/ бэх — ток базы при заданных обратных напря |
|
|
жениях коллектор—эмиттер и эм иттер- |
|
база; |
/ Б , / К » |
— токи базы, коллектора и эмиттера; |
/цр» / Эр — Дырочные составляющие токов коллекто ра и эмиттера;
/ КБ0, / э БО> 7КЭК’ 7КЭО — обратные токи переходов;
/*, *2 — переменные составляющие токов на вхо
де и выходе;
i б» *к» **э — переменные составляющие токов базы, коллектора и эмиттера;
/2 бк * 1ш.эб» *ш.эк» *ш.и — среднеквадратичные значения шумовых
токов;
k — постоянная Больцмана; /Сш — коэффициент шума;
L = V DT — диффузионная длина неосновных носите лей в базе;
т— коэффициент в фазовой поправке в вы ражении а п (о);
NA >ND — концентрации акцепторной и донорной
примеси; Р, п — обозначения р- и л-областей полупровод
ника;
Pi Ро— концентрация, равновесная концентрации дырок в базе;
Q — заряд в базе;
гб* гб1» гб2 — сопротивления базы;
гб — сопротивление обратной связи;
'■б = гб + |
'б; |
t |
*' |
гэ» гъ%гк» гк — сопротивления эмиттера и коллектора; 5 — площадь перехода;
s — дифференциальный параметр П-образной ВЧ эквивалентной схемы;
Т — температура;
t, *пр — время, пролетное время носителей в базе;
*вдэ *нр> ^рас» *сп— время задержки, нарастания, |
рассасыва |
|||
ния и спада; |
|
|
|
|
Hit U2 — напряжение |
на входе и выходе; |
|||
^ЭБ* ^ к б * ^ э б ?» ^КБ' — напряжения |
между |
выводами |
и между |
|
выводами и внутренней базовой точкой; |
||||
Hi, и2 — переменные |
составляющие |
напряжений |
||
на входе и выходе; |
|
|
|
|
иэб, икб» •••» иэб'» икб' —> — переменные |
составляющие |
напряжений |
||
между выводами и |
между выводами и |
|||
внутренней |
базовой точкой; |
|
|
|
Ищ т — среднеквадратичное |
значение |
напряже |
||
ния шумового теплового тока; |
|
|||
w — ширина базы; |
|
|
|
|
,х — пространственная координата;
. |
Y n |
— У-параметры четырехполюсника; |
|
||||||
YiiGt YiiBt Y ~2idi. . — У-параметры |
в |
схемах с общей базой и |
|||||||
|
|
общим эмиттером; |
|
|
|
||||
|
* V K* ^б'э» ^кэ~" параметры П-образной ВЧ |
|
эквивалент |
||||||
|
|
ной схемы; |
|
|
|
|
|
||
|
гь%2H — комплексные |
сопротивления |
эмиттера и |
||||||
|
|
коллектора; |
|
|
|
|
|
||
|
а , а 0 — дифференциальные коэффициент |
переда |
|||||||
|
|
чи тока эмиттера и коэффициент переда |
|||||||
|
|
чи тока эмиттера на НЧ; |
|
|
|
||||
|
а* — эффективность коллектора; |
|
|
|
|||||
|
a N , a i |
— интегральные |
коэффициент |
передачи то |
|||||
|
|
ка |
эмиттера |
и |
инверсный |
коэффициенх |
|||
|
|
передачи тока коллектора; |
|
|
|
||||
|
а п — коэффициент переноса; |
|
|
|
|||||
|
Р, Ро — дифференциальные коэффициент переда |
||||||||
|
|
чи |
тока |
базы |
и коэффициент |
передачи |
|||
|
|
тока базы на НЧ; |
|
|
|
||||
|
|
V— эффективность |
эмиттера |
(коэффициент |
|||||
|
|
инжекции}; ^ |
|
|
|
|
|
||
|
Рэк — коэффициент обратной связи; |
|
|
||||||
|
|
т-г-время |
жизни |
неосновных |
носителей |
||||
|
|
в базе; |
|
|
|
|
|
|
|
|
со, согр — частота, граничная частота; |
|
|
|
|||||
|
<оа , ©р — предельные частоты коэффициентов пере |
||||||||
дачи тока эмиттера и базы; Б* — внутренняя базовая точка.
9-1. ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ТРАНЗИСТОРЕ В СТАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ
Рассматриваются основные физические явления на примере идеализированной модели транзистора Эберса— Молла. Модель является одномерной, уровень инжек ции во всех областях -мал и справедливо диффузионное
приближение для неосновных носителей. Генерацией и рекомбинацией в переходах пренебрегаем. Сопротивле ние объема полупроводника пренебрежимо мало в сравнении с сопротивлением переходов.
Распределение примесей в объемах полупроводника предполагается равномерным, но значения концентра ций примесей в областях эмиттера, базы и коллектора не одинаковы, что определяет несимметрию структуры транзистора. Кроме того, несимметрия структуры опре деляется (как и в реальном транзисторе) различием в площадях эмиттерного и коллекторного переходов.
За положительное принято направление эмиттерно го и коллекторного токов в активном режиме транзис тора.
1.Можно ли осуществить транзистор, соединив два
р-п перехода по приведенной схеме? (См. разъяснение).
1. Можно. 2. Нельзя.
2. Что называется эмиттером? [2, стр. 121] 1. Область транзистора с большой концентраци ей примеси.
2. Область транзистора, назначением которой яв ляется инжекция в базу неосновных носителей.
3.Область транзистора со стороны открытого перехода.
4.Область транзистора, назначением которой является экстракция из базы неосновных носите лей.
3.Что называется коллектором? [2, стр. 121]
1.Область транзистора со средней концентраци
ей примеси.
2.Область транзистора, назначением которой является инжекция в базу неосновных носителей.
3.Область транзистора со стороны закрытого перехода.
4.Область транзистора, назначением которой является экстракция из базы неосновных носи телей.
Ч Щ Щ р р
|
И Й1 I |
|
|
II |
I I |
5. Что показывает |
эффективность эмиттера |
(коэф |
фициент инжекции)? |
[1, стр. 289; 2, стр. 165] |
|
1. Степень насыщенности эмиттера примесью.
2. Как велика доля вводимых в базу неосновных носителей в общем токе эмиттера.
3.Как вёЛика доля вводимых в базу неосновных носителей в сравнении с неосновными носителя ми в коллекторе.
4.Долю составляющей, обусловленной током эмиттера, во всем коллекторном токе.
6. Что характеризует эффективность коллектора? [1, стр. 289; 2, стр. 166]
1.Отношение дырочной составляющей коллек торного тока к электронной составляющей.
2.Пробивную прочность коллектора.
3.Отношение тока коллектора к его составляю щей, обусловленной током эмиттера.
4.Обратный ток коллектора.
7.Что показывает коэффициент переноса? [ 1, стр. 289;'2, стр. 166]
1. Долю неосновных носителей, захваченных
коллекторным переходом, в общем количестве неосновных носителей, инжектированных в базу эмиттером.
2. Долю неосновных носителей, захваченных коллекторным переходом, в общем количестве носителей, движущихся через коллекторный пе реход.
3.Долю основных носителей в общем количестве носителей, имеющихся в базе.
4.Долю основных носителей в общем количест ве носителей, рекомбинирующих в базе.
8. Что больше: ток эмиттера или ток инжекции не основных носителей в базу? [1, стр. 286; 2, стр. 123] 1. Ток инжекции больше. 2. Ток эмиттера больше.
3.Оба тока равны.
9.Какими носителями заряда (основными или неос новными) обусловлен обратный ток коллекторного пе
рехода? |
[1, стр. 287; |
2, стр. 124] |
1 |
. Основными носителями заряда в области базы. |
|
2 |
. Неосновными |
носителями заряда, имеющими |
ся в области базы и в области коллектора.
3.Основными носителями заряда в области кол лектора.
4.Правильного ответа нет.
10. Как |
математически |
определяется |
коэффициент |
|||||
переноса ап в |
транзисторе |
типа р-п-р в |
статическом |
|||||
режиме? |
[1, стр. 289] |
|
|
|
|
|||
f |
1 |
|
_ |
, |
2, |
ап ---- . |
|
|
; |
* • |
а п ~ |
|
|||||
|
|
|
|
7 Кр |
|
|
|
|
|
о |
„ |
_ |
'к р |
4 |
а |
= 1*2. |
|
|
3- |
ап ----Т~ |
ч. |
п — |
|
|||
|
|
|
|
‘э |
|
|
'Э р |
|
1 1 . Какой из переходов транзистора обцчно имеет большую площадь? [2, стр. 125, 127]
1. Эмиттерный переход. 2. Коллекторный пере ход. 3. Оба перехода имеют одинаковую пло щадь.
12. Укажите определение интегрального коэффици ента передачи тока эмиттера ац. [ 1, стр. 288]
1- |
«« = ------ - |
|
U - I .ЭБО |
2 . |
а „ = |
||
|
КБО |
|
|
3. |
aN = Лг - / ,КБО |
4. |
aN = |
|
|
|
7э — 7эбо |
13.Почему коэффициент передачи тока эмиттера
меньше |
единицы? [ 1, |
стр. 288] |
носителей |
1. |
Вследствие |
инжекции неосновных |
|
из коллектора в базу. |
|
||
2. |
Из-за большого сопротивления базы. |
||
3. |
Вследствие рекомбинации в базе части неос |
||
новных носителей, инжектированных |
эмиттером, |
||
и поскольку эффективность эмиттера меньше единицы.
4. Вследствие расширения коллекторного пере хода.
14.Укажите приближенную связь коэффициента пе
реноса ап с шириной базы ш и диффузионной длиной
L неосновного носителя в базе. [1, стр. 289; 2, стр. 166 (см. разъяснение)]
15.С какой целью обычно делают площадь коллек торного перехода существенно большей площади эмиттерного перехода? [2, стр. 125, 127]
1.С целью уменьшения диффузионного сопротив ления базы.
2.С целью увеличения емкости коллекторного перехода.
3.С целью уменьшения сопротивления коллек торного перехода.
4.С целью уменьшения рекомбинации неоснов ных носителей в базе.
16.Укажите определение эффективности коллектора
а* транзистора типа р-п-р в статическом режиме. [ 1,. стр. 289]
17. Может ли быть эффективность коллектора боль ше единицы? [1, стр. 289]
1. Не может.
2. Может быть за счет лавинного умножения в коллекторном переходе.
3.Может быть за счет большей площади коллек торного перехода.
4.Может быть при малых коллекторных напря
жениях за счет малой высоты потенциального барьера коллекторного перехода.
1. 7 = |
2. |
7 = - г - . |
3. 7 = |
4. |
7 = 1Эр |
19. Как добиться, чтобы эффективность эмиттера была возможно большей? [!, стр. 283; 2, стр. 125]
1. Сделать удельное электрическое сопротивление эмиттера много меньшим удельного электричес кого сопротивления базы.
2.Увеличить площадь эмиттерного перехода.
3.Уменьшить ширину базы.
4.Уменьшить удельное электрическое сопротив ление базы в сравнении с удельным электричес ким сопротивлением эмиттера.
20.В какой из областей транзистора больше концент
рация примесите области базы или в области эмиттера? £ 1, стр. 279; 2, стр. 125]
1. В области базы. 2. В области эмиттера. 3. Рав ное количество в обеих областях.
21. Какова связь между интегральным коэффициен том передачи тока эмиттера аи, коэффициентом перено са ап и эффективностями эмиттерного 7 и коллекторно
го-а* переходов в статическом режиме? [ 1, стр. 289].
1 . а* = 0^ 70^. |
* _ «п«лг |
2 . а* = |
|
3- = ~ Г ‘ |
4. aN = yan a*. |
22. Почему концентрация примесей в базе намного меньше концентрации примеси в эмиттере? [2, стр. 125]
1. Чтобы увеличить эффективность эмиттера.
2. Чтобы увеличить сопротивление базы.
3.Чтобы увеличить постоянную времени эмиттерной и коллекторной емкостей.
4.Чтобы уменьшить вероятность рекомбинации
основных носителей в базе.
23. Может ли коэффициент передачи тока эмиттера быть больше единицы и почему? [ 1, стр. 289]
1. Может из-за умножения тока неосновных носи телей в эмиттерном переходе.
2.Может из-за лавинного умножения в коллек торном переходе.
3.Не может, так как часть неосновных носителей рекомбинирует в базе.
24.Укажите связь'между коллекторным и эмиттерным токами в транзисторе при коллекторном переходе, смещенном в обратном направлении. [1, стр. 288]
1, |
^ц;= |
®дг/э "W^BO’ |
2. / э = алг ^к ^КБО* |
3. |
/ к = |
aN/э. 4, |
/ э = aN/к, |
25. Чем объясняется изменение коэффициента пере дачи тока эмиттера при изменении коллекторного на пряжения? [1, стр. 295]
1. Увеличением инжекции носителей в базу.
2.Уменьшением противотока носителей из кол лектора в базу.
3.Изменением в основном ширины коллекторно го перехода и соответственно изменением толщи ны базы.
26.Чем ограничены значения коллекторного напря жения? [1, стр. 311]
1. Напряжением пробоя коллекторного перехода.
2. Коэффициент переноса становится слишком
большим.
3. Ширина коллекторного перехода в области кол лектора становится слишком большой.
4. Коэффициент обратной связи достигает пре дельно допустимого значения.
27. Как зависит обратный ток коллектора / кбоот температуры? [2, стр. 176}
