книги / Электронные приборы
..pdf47. Укажите Т-образную эквивалентную схему тран зистора с двумя генераторами (генератором тока и ге нератором напряжения) для схемы с общей базой. (См. разъяснение)
48. Какой У-параметр можно определить в точке В приведенной характеристики? [1, стр. 322]
49. Определите численно |
коэффициент |
передачи |
тока И.21Эв точке Б характеристики транзистора. |
||
1. |
А21э^ 8 . 2. |
А21э« 1 5 . |
3. |
А21э~ 3 0 . |
|
4. |
Л21э^=;85. |
|
50. Определите численно выходную проводимость Л226 в точке С характеристики транзистора.
1. Л2гб^ 1 0 ” 7 См. 2. /122б ^ 1СГ6 См.
3. Л22в — Ю^5 См. 4. Л22б^ 2 - КГ* См.
51. Укажите простейшую Т-образную эквивалентную схему транзистора- с одним генератором тока для схе мы с общей базой. [2, стр. 164]
52. Определите численно входную полную проводи мость Уцэ в точке Б характеристики транзистора.
1. У т ~ 2 ,5 -1 0 -3 См.
2. Уи9^ 4 .1 0 - 3 См.
3.Упэ~6,7 -10 -3 См.
4.У11э« 1 ,З .Ю -2См.
О |
0,5 |
В1 |
53.Определите численно коэффициент передачи тока
вточке А характеристики транзистора.
1. |^21б1^ 0,65, 2. |^21б1^ 0,90. 3. I^aiol ~ 0,75.
4. |^2ioI |
1 *2. |
|
о гв |
40 SO |
ВО мА |
54. |
Укажите простейшую |
Т-образную эквивалент |
|
ную схему транзистора с одним генератором напряже |
|||
ния для |
схемы с общей |
базой, |
(См. разъяснение) |
55. Укажите Т-образную эквивалентную схему тран зистора с одним генератором тока для схемы с общим эмиттером. (См. разъяснение)
56.Каким образом в приведенной эквивалентной
схеме транзистора |
учитывается обратная связь? |
[2, |
стр. 164] |
объемного сопротивления базы |
г'6 |
1. Увеличением |
на величину г"б .
2.Не учитывается.
3.Учитывается сопротивлением коллекторного перехода гк.
4.Учитывается генератором тока в цепи коллек тора.
<*h
57.Как связано сопротивление г"б в приведенной
эквивалентной схеме транзистора с другими параметра ми? (См. разъяснение)
!• |
/'б = |
(1— “)V |
2. |
гб = |
ГВ |
2 * |
|||||
3- |
Гб = |
Гэ^эк- 4- |
Гб = |
ИзкГк- |
|
|
|
|
ин6 |
|
|
|
|
|
|
|
о |
|
|
иэ6>h |
|
г6 |
ихб> Ы |
|
|
о |
|
|
о |
|
|
|
|
|
-о |
|
|
“эб'Ь |
rff |
*5 |
|
|
|
|
|
||
|
|
о---- |
|
-----------------о |
|
58.Как связано сопротивление г* в приведенной эк
вивалентной схеме транзистора с сопротивлением эмиттерного перехода гэ? (См. разъяснение)
1. /•; = Гэ- г ’. 2. г; = Га- Г 'б(1 - а ) .
3* гэ ~ Г9* 4. г; = гэ( 1 - а ) + г;.
59.Как связано сопротивление г' в приведенной
эквивалентной схеме транзистора с сопротивлением коллекторного перехода гк? (См. разъяснение)
60. В чем различие между выходным сопротивлени ем 1/А22б транзистора в схеме с общей базой и сопро тивлением коллектора гк? (См. разъяснение)
1.Различие отсутствует.
2.Сопротивления отличаются знаком.
3.Сопротивление гк есть сопротивление коллек тора, а сопротивление 1/Л22б включает в себя как сопротивление коллектора, так и сопротивление базы.
61.Укажите зависимость объемного сопротивления базы кремниевого и германиевого транзисторов г'б от
температуры в рабочем диапазоне температур при со хранении постоянства эмиттерного тока и смещения в цепи коллектора. (См. разъяснение)
т т
о |
о |
о 3 |
63. Укажите приближенно связь коэффициента пере дачи тока эмиттера а с шириной базы w в бездрейфовом транзисторе. [1, стр. 289; 2, стр. 166 (см. разъяс нение)]
64.Как зависит от напряжения на коллекторе со противление эмиттера гэ при сохранении постоянства эмиттерного тока? [1, стр. 333; 2, стр. 174 (см. разъяс нение) ]
1.Не зависит.
2.С ростом напряжения гэ растет.
3.С ростом напряжения г9 уменьшается.
65.Укажите зависимость сопротивления базы г’б
транзистора от напряжения на коллекторе. (См. разъ яснение)
66.Пользуясь одномерной моделью бездрейфового
транзистора, найдите связь сопротивлений коллектора гк и эмиттера гэ. [1, стр. 297; 2, стр. 167, 168 (см. разъ яснение)]
1 |
гк |
^ |
кт1э |
2 ГК ^ |
еЬг I |
dw |
J |
|
Гэ |
е^КБ'^К |
r* |
kTw |
|
||
3 |
Гк — |
f |
4 |
гк ~ |
*7 |
ft» |
|
|
гэ |
|
kT \^ К Б ' / |
|
/ э |
eL |
^К Б ' |
67. Укажите зависимость сопротивления эмиттера гэ от температуры при сохранении постоянства тока эмит тера транзистора. [1, стр. 334; 2, стр. 176 (см. разъясне ние)]
68. Укажите зависимость коэффициента передачи то ка базы р от напряжения на коллекторе транзистора.
[1, стр. 333; 2, стр. 174 (см. разъяснение)]
69.Как зависит сопротивление гк от тока эмиттера транзистора? [1, стр. 297; 2, стр. 168 (см. разъяснение)]
1.Не зависит.
2.гк прямо пропорционально эмиттерному току.
3.гк обратно пропорционально эмиттерному току.
4.Зависимость нелинейная и имеет максимум.
70.Пользуясь одномерной моделью бездрейфового транзистора, найдите связь коэффициента обратной свя зи рэк с шириной базы транзистора и напряжением на коллекторе. (См. разъяснение)
1 • М’ЭК — |
kT |
dw “ i |
2. Цэк |
^КБ« |
dw |
|
|
' еш |
д£/Кв* |
|
w |
|
-1 |
3. |
|
|
4, |
|
W |
|
|
|
И э к = |
^КБ« |
|||
|
|
|
|
|
||
71. Укажите зависимость от температуры коэффици ента передачи тока базы р при сохранении постоянства эмиттерного тока и смещения в цепи коллектора. [2, стр. 176 (см. разъяснение)]
72.Укажите зависимость сопротивления базы гу
транзистора от тока эмиттера транзистора. (См. разъ яснение)
73. Как зависит от температуры коэффициент обрат ной связи Цэк при сохранении постоянства смещения в цепи коллектора транзистора? (См. разъяснение)
1.Не зависит.
2.С ростом температуры падает.
3.С ростом температуры пропорционально рас тет.
4.Зависимость нелинейная и имеет минимум.
74.Укажите зависимость сопротивления гк от напря
жения на коллекторе транзистора. [1, стр. 297; 2, стр. 168 (см. разъяснение)]
75. |
Укажите |
зависимость коэффициента передачи |
тока базы |
р от тока |
эмиттера транзистора. [1, стр.ЗЗЗ; |
2, стр. 174 |
(см. разъяснение)] |
|
76. Как зависит коэффициент обратной связи цэк от тока эмиттера транзистора? [1, стр. 296 (см. разъясне ние)]
1.Практически не зависит.
2.Уменьшается с ростом эмиттерного тока.
3.Увеличивается с ростом эмиттерного тока.
77.Укажите зависимость от температуры сопротив ления коллектора гк транзистора при сохранении по
стоянства тока и смещения в цепи коллектора. [1, стр. 334; 2 ,стр. 174 (см. разъяснение)]
78. Укажите связь коэффициента передачи тока ба зы р с шириной базы w в транзисторе. [1, стр. 289; 2, стр. 166 (см. разъяснение)]
79. Как связаны друг с другом параметры транзис тора а, гэ, /к, Цэк? (См. разъяснение)
2(1_Над ^ |
(1 |
«)* |
80. Укажите зависимость коэффициента обратной связи (1эк от смещения на коллекторе транзистора. [1, стр. 296 (см. разъяснение)]
1.Не зависит.
2.С ростом отрицательного смещения падает.
3.С ростом отрицательного смещения растет.
9-5. ЧАСТОТНЫЕ И ИМПУЛЬСНЫЕ СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРОВ
Ниже рассматривается работа транзистора в актив ном режиме на низких и высоких частотах при малых амплитудах переменных сигналов.
Количественные связи в основном даны для одно мерной идеализированной модели транзистора. Учиты вается, в частности, сопротивление объема базы, но не учитывается объемное сопротивление областей эмитте ра и коллектора. Предполагается также, что диффузия носителей в базе описывается уравнением с одной про странственной координатой. Рассмотрение эквивалент ных схем транзистора ограничивается простейшими схемами замещения.
Рассмотрение импульсной работы транзистора не ог раничивается лишь активным режимом, а охватывает также случай перехода транзистора в режим насыще ния при большой амплитуде импульса.
1. Какая из переменных составляющих тока эмитте ра определяет инжекцию носителей в базу транзистора?
[1, стр. 324; 2, стр. 176]
1.Составляющая тока, проходящая через актив ное сопротивление перехода.
2.Составляющая тока, проходящая через диффу
зионную и барьерную емкости перехода.
3. Составляющая тока, проходящая через актив ное сопротивление и диффузионную емкость пе рехода.