книги / Электронные приборы
..pdf5. Укажите формулу для расчета рабочей входной емкости триода в схеме с общим катодом. [3; стр. 217]
1, Свхр = |
Спр -I----- —— |
|
||
|
8Х.р |
ПР |
1+i/Cu| |
|
2, |
Свх.р = |
Свх + |
СпР (1 + 1КиI)» |
|
3, |
Свх р = Свх 4------------------- |
Спр(1 4-1 !) |
, |
|
|
вх.р |
|
|
|
6. Какая емкость больше: статическая входная или рабочая входная? [3, стр. 217]
1« Свх ]> СБХ р'
2» Свх <С Свхр_
7.Зависят ли межэлектродные емкости от темпера туры катода электронной лампы? [1, стр. 62]
1.Зависят. 2. Не зависят.
8.Определите рабочую входную емкость триода, если его межэлектродные емкости и коэффициент уси ления равны:
Свх= 1 лФ; Свых^=0|6 пФ; Спр= 1,4 nOj |K u |==13 (в схеме с общим катодом). [3, стр. 217]
1.Свх<р = 20,6 пФ. 2. Свх р = 24,4 пФ. 3.1Свх.р = 21,8 пФ.
9.Зависит ли входная рабочая емкость триода от сопротивления нагрузочного резистора в анодной цепи? [3, стр. 217]
1.Зависит. 2. Не зависит.
10.Как можно определить значение проницаемости
сетки |
триода через межэлектродные емкости? [1, |
стр. 44; 3, стр. 103] |
|
j |
D = = CC2- |
|
Сас |
2.D = —
11.Укажите формулу для расчета максимально возможного устойчивого коэффициента усиления при работе триода в резонансном усилителе. [3, стр. 216]
^имакс = А
2» Бамако = А
3* Ломакс = А
12. В какой схеме включения триода проходная ем кость имеет наименьшее значение? [3, стр. 213]
1.В схеме с,общим анодом.
2.В схеме с общим катодом.
3.В схеме с общей сеткой.
ГЛ А В А Т Р Е Т Ь Я
ТЕТРОДЫ И ПЕНТОДЫ
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
U&— анодное напряжение;
— напряжение первой сетки (управляющей); Uс2— напряжение второй сетки (экранирующей);
^/сз— напряжение третьей сетки (защитной); D i, I>2 , Da— прямые проницаемости сеток;
Dj, D2; D3— обратные проницаемости сеток;
/к — катодный ток;
/а— анодный ток;
/э— экранный ток;
fi— коэффициент усиления; |
|
|
*^ксх— крутизна |
катодно-сеточной |
характеристики; |
Saci— крутизна |
анодно-сеточной |
характеристики; |
Ri— внутреннее сопротивление; |
|
|
RiD— внутреннее сопротивление, |
зависящее от прони |
|
цаемости сеток лампы;
Rik— внутреннее сопротивление, зависящее от коэффи циента токораспределения;
£вх> Слр» Свых— входная, проходная и выходная емкости тетрод^ и пентода;
Сень Ccic2 t Ccia» Сасз» Сасг» Сак— межэлектродные емкости;
RBX— входное сопротивление лампы;
коэффициент токораспределения в пентоде и тет*
„роде;
£/д— действующее напряжение.
3-1. ДЕЙСТВИЕ ЭКРАНИРУЮЩЕЙ И ЗАЩИТНОЙ СЕТОК
Ниже рассматриваются в основном вопросы назна чения экранирующей и защитной сеток в электронных лампах и влияние их на распределение потенциалов в межэлектродном пространстве.
1. Для какой цели в высокочастотные лампы вводит ся экранирующая сетка? [1, стр. 74; 3, стр. 230]
1.Для повышения проходной емкости.
2.Для уменьшения проходной емкости.
3.Для получения «правых» характеристик.
2.Какой потенциал задается на экранирующую сет ку? [1, стр. 74; 3, стр. 230]
1.Отрицательный потенциал.
2.Потенциал равен нулю.
3.Потенциал, близкий или равный анодному.
3.Укажите распределение потенциала в тетроде для случая, когда имеет место динатронный эффект с ано да. [3, стр. 237]
4.При каком условии проявляется экранирующее действие второй сетки тетрода? [1, стр. 74; 3, стр. 237]
1.Когда вторая сетка густая.
2.Когда вторая сетка имеет постоянный потен циал.
3.Когда вторая сетка редкая.
5.Для какой цели в многосеточные лампы вводят
защитную сетку? [1, стр. 77; 3, стр. 238]
1.Для уменьшения проходной емкости.
2.Для подавления динатронного эффе'кта.
3.Для уменьшения коэффициента вторичной эмиссии.
6.4e>iy равно напряжение на защитной сетке пен тода? [1, стр. 77; 3, стр. 238]
! . £ / * = Ua. 2. 1/с3 = UK, 3. Uc3= [/с2.
7. Укажите распределение потенциалов в пентоде 0 плоскости, проходящей через витки сеток (катод хо лодный). [1, стр. 77; 3, стр. 238]
8. В чем заключается |
защитное |
действие |
третьей |
|
сетки пентода? [1, стр. 77; 3, стр. 238] |
|
|
||
1. Наличие |
третьей |
сетки уменьшает коэффици |
||
ент вторичной эмиссии с анода. |
|
|||
2. Благодаря |
третьей сетке |
в пространстве |
||
анод — экранная сетка создается минимум потен |
||||
циала. |
третьей |
сетки уменьшает |
энергию |
|
3. Наличие |
||||
первичных электронов.
3-2. ТОКОПРОХОЖДЕНИЕ И ТОКОРАСПРЕДЕЛЕНИЕ В ТЕТРОДЕ И ПЕНТОДЕ
Токопрохождение в тетроде и пентоде рассматрива ется, как и в триоде, в предположении спрацедливости закона «степени трех вторых» для катодного тока при нулевых начальных скоростях электронов. При рас смотрении токораспределения приняты допущения, обычные для тетродов и пентодов, а именно: пренебрегается влиянием управляющей сетки на токораспределение в силу малости действующего напряжения в ее плоскости, а также не учитывается влияние на токораспределение пространственного заряда между экраниру ющей сеткой и анодом и условий прохождения электро нами в пентоде плоскости защитной сетки.
1. Укажите закон «степени трех вторых» для катод ного тока пентода. [1, стр. 83; 3, стр. 240]
1 . / к = 0 ( £ / с1 + О Д ,)3/2.
2. I^G iU a + D ^ J '2.
3. /к = G (t/cl + D J J а + D j U j ' K
2. Укажите формулу для расчета действующего напряжения в плоскости первой сетки пентода (l+ t? i+ 4-£>} да 1). [1, стр. 78; 3, стр. 240]
1. и л = и л + В Д , 2. t/nl = UC2 D)Uа.
3.t/дх = t /cl -f- D J J c2.
3.Какой ток в пентоде подчиняется закону «степе ни трех вторых»? [1, стр. 83; 3, стр. 240]
1.Анодный ток.
2.Катодный ток.
3; Ток экранирующей сетки.
4.Все три тока.
4.Как изменится катодный ток в пентоде при уве личении анодного напряжения? [1, стр. 83; 3, стр. 240]
1.Увеличится. 2. Уменьшится. 3. Не изменится.
5.При каком условии катодный ток в пентоде равен нулю? [1, стр. 83; 3, стр. 240]
1. |
Когда |
t/a= 0 . |
2. Когда UAl= 0. 3. Когда |
1/д3= 0. |
6. |
Чему |
равно |
напряжение запирания по |
первой |
сетке пентода? J1, стр. 78; 3, стр. 240] |
|
|||
|
1 • t/ci8an = |
•tVAsa* |
|
|
|
t/oiaan =, |
DjUa, |
|
|
7. Зависит ли значение коэффициента токораспреде* ления в пентоде от напряжения на защитной сетке? [3, стр. 240, 241]
1.Не зависит. 2. Зависит.
8.Укажите зависимость коэффициента токораспределения от анодного напряжения. [1, стр. 80; 3, стр. 242]
9. Укажите зависимость коэффициента токораспределения от напряжения на управляющей сетке пентода.
[1, стр. 80; 3, стр. 241]
г |
з |
10. Укажите зависимость коэффициента токораспределения от напряжения на экранирующей сетке пенто да. [1, стр. 80; 3, стр. 242]
з
И. Укажите формулу для расчета действующего напряжения в плоскости третьей сетки. [1, стр. 79; 3, стр. 239]
1 гг _ |
^cs + D3U& |
и дз — |
, , „ , . |
^С3+ Р3^а + Дз^д2 1 I ГЧ I т\*
Ucs “Ь At (^а Ч~ ^да)4132
12. Как изменится коэффициент токораспределения
сувеличением густоты экранирующей сетки? [1, стр. 82]
1.Уменьшится. 2. Увеличится. 3. Не изменится.
13.При каком условии проявляется динаторный эф фект с анода в тетроде? [1, стр. 74; 3, стр. 157, 235]
1.Когда и л< .и С2 и Uа> 2 0 В.
2. Когда коэффициент* вторичной эмиссии боль ше 1.
3.Когда Ua> U c2 и 1/а> 2 0 В.
14.При каких напряжениях на аноде начинает про
являться |
динатронный эффект с анода (при t/cг— |
=200 В)? |
[1, стр. 74] |
1. 15—20 В. 2. 50—100 В. 3. 150—200 В.
15. При каком условии анодный ток тетрода может изменить свое направление? [3, стр. 157, 235]
1. Когда коэффициент вторичной эмиссии боль ше 1.
2. Когда t/a< t / c2.
3. Когда проницаемость экранирующей сетки
Я2< 1.
3-3. ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ТЕТРОДОВ И ПЕНТОДОВ
Рассмотрение характеристик тетрода и пентода ог раничено наиболее важными характеристиками: анод ными и анодно-сеточными. Предполагается при рас смотрении, что ■катодный ток удовлетворяет закону «степени трех вторых» при нулевых начальных скорос тях электронов; влиянием управляющей сетки, объемно го заряда в пространстве между экранирующей сеткой и анодом и условий прохождения электронами в пенто де плоскости защитной сетки пренебрегается.
Анодные характеристики
1. Укажите анодную характеристику тетрода. [1, стр. 74; 3, стр. 235]
'^а^ |
_____ |
1у а |
|
I |
f |
"а |
Л 7 2 |
* |
I V " |
J |
||||
|
1 |
3 |
2. Укажите семейство анодных характеристик луче вого тетрода при различных напряжениях на первой сетке. [1, стр. 82; 3, стр. 256]
3. |
Укажите анодную характеристику пентода. [1, |
стр. 82; |
3, стр. 244] |
4. Укажите семейство анодных характеристик пен тода при различных напряжениях на первой сетке. [1, стр. 82; 3, стр. 244]
vet'О
5. Укажите семейство анодных характеристик пен тода при различных напряжениях на экранирующей сет ке. [3, стр. 244]
6.Укажите семейство анодных характеристик пен
тода при различных напряжениях на третьей сетке [3, стр. 244]
7. Почему на участке АВ анодной характеристики пентода анодный ток почти не изменяется? [1, стр. 75; 3, стр. 235, 242]
1.Область АВ соответствует режиму насыщения.
2.Область АВ соответствует режиму перехвата,
гд£ С/а практически не влияет на значение коэф фициента токораспределения.
в 3. Область АВ соответствует режиму,
---------- при котором анодный ток практически
.. равен катодному
иа98
8. Укажите на анодной характеристике пентода ра бочую область. [1, стр. 82]
1.ОА — рабочая область.
2.АВ — рабочая область.
иа
9.Укажите анодную характеристику пентода с бо
лее густой второй сеткой (пунктирная линия). [1, стр. 82]
10. Как изменится ход анодной характеристики пен тода при увеличении напряжения экранирующей сетки? (пунктирная линия). [3, стр. 244]
2
з t/a
11. Укажите типичную-анодную характеристику вы сокочастотного пентода. [1, стр. 82]
12.Укажите на одном графике анодную характерис
тику высокочастотного пентода и лучевого тетрода. [3, стр. 256]
13.Укажите анодную характеристику пентода при положительном напряжении на защитной сетке и при
(пунктирная линия). [3, стр. 244]
14.Укажите анодную характеристику пентода с бо лее густой защитной сеткой (пунктирная линия). [3, стр. 256]
Анодно-сеточные характеристики
15. Укажите анодно-сеточную характеристику пенто да. [1, стр. 84; 3, стр. 243]
-К'cl
/